JP2010080314A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の画素によって構成されたアクティブエリア１０２を備えた表示装置であって、各画素に配置された自発光性の表示素子４０を備えたアレイ基板１００と、アレイ基板の表示素子に対向するように配置された封止基板２００と、アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、アレイ基板と封止基板とを貼り合わせるシール部材３００と、を備え、アレイ基板１００は、シール部材３００によって囲まれた内側において、封止基板２００と対向するようにアクティブエリア外に配置されアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなる吸湿剤４００を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代の平面表示装置の有力候補として注目を集めている。

有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えて構成されている。このような有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。

このような構成の有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。このため、有機ＥＬ素子は、大気に曝されないことが望ましい。

そこで、例えば、特許文献１によれば、有機ＥＬ表示装置内の水分を除去するための吸湿剤を有機ＥＬ素子の上に設置した基板を用意し、有機ＥＬ素子が配置された基板の周辺に設置したシール部材を介して封止基板を貼り合わせることにより水分による劣化を防止する構成が提案されている。
特開２００２−２９９０４０号公報

有機ＥＬ素子を形成する工程のうち、有機活性層や陰極を形成する工程において、ゴミなどの異物の影響によりピンホールが形成された場合には、水分が浸入して短時間のうちにダークスポットが発生し、製造歩留まりの低下につながるおそれがある。

また、アクティブエリア、特に有機ＥＬ素子の発光面と重なるように吸湿剤を配置する構成は、トップエミッション方式においては、アクティブエリアに表示される画像の視認性の低下を招くため、不向きである。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供することにある。

この発明の第１態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向するように配置された第２基板と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部材と、を備え、
前記第１基板は、前記シール部材によって囲まれた内側において、前記第２基板と対向するようにアクティブエリア外に配置されアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなる吸湿剤を備えたことを特徴とする。

この発明の第２態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子と、隣接する画素を分離する隔壁と、を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向するように配置された第２基板と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部材と、を備え、
前記第１基板は、前記アクティブエリアにおいて前記隔壁と前記第２基板との間に配置されアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなる吸湿剤を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供できる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ表示装置を例にして説明する。

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板（第１基板）１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。

アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板（第２基板）２００によって封止されている。封止基板２００は、光透過性を有する絶縁性の基板、例えばガラス基板によって構成されている。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、平坦に形成されていても良いし、少なくともアクティブエリア１０２との対向面が窪み、周縁部より肉薄に形成されても良い。

これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、例えば、それぞれの周縁部がアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって貼り合わせられている。シール部材３００は、フリットガラス（低融点ガラス）や、樹脂材料（例えば紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂）などからなる。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。

図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、各種スイッチ（第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３）、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート−ソース間の電位を保持する機能を有している。

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。

これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、保護絶縁膜１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。

保護絶縁膜１１４は、有機系材料によって形成されても良いし、窒化シリコンなどの無機系材料によって形成されても良い。保護絶縁膜１１４が有機系材料によって形成される場合、材料をコーティングするなどの手法により成膜されるため、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化することができる。

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。

ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇや図示しないゲート線などが配置されている。ゲート電極２０Ｇやゲート線は、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや図示しない信号線などが配置されている。

これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや信号線は、保護絶縁膜１１４によって覆われている。

この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、保護絶縁膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。

すなわち、第１電極６０は、保護絶縁膜１１４の上において各画素ＰＸに独立した島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、保護絶縁膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。

このような第１電極６０は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層の上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。

有機活性層６２は、第１電極６０の上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。なお、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。

第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第２電極６４は、半透過層を含んでいることが望ましい。

また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。これにより、隣接する異なる色の有機ＥＬ素子が絶縁される。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。

ところで、この実施の形態においては、有機ＥＬ表示装置１のアレイ基板１００は、画像表示に寄与しない非表示領域において、隔壁７０と封止基板２００との間に配置された吸湿剤４００を備えている。このような吸湿剤４００は、水分との反応性の高い金属材料、すなわち、アルカリ金属またはアルカリ土類金属によって形成されている。

以下に、具体的な構成例について説明する。

≪第１構成例≫
第１構成例においては、図３及び図４に示すように、アレイ基板１００は、シール部材３００によって囲まれた内側において、封止基板２００と対向するようにアクティブエリア外１０４に配置された吸湿剤４００を備えている。ここでは、吸湿剤４００は、例えば、アクティブエリア１０２に配置された隔壁７０のうち、最外週に配置されアクティブエリア外１０４まで延在した隔壁７０Ｘの上に配置されている。

この吸湿剤４００は、その一部が配線基板１２０の上に延びていても良いし、その一部がアクティブエリア外１０４まで延びた第２電極６４に重なっていても良い。このような吸湿剤４００の設置面積（あるいは体積）は、必要とされる吸湿性能、アレイ基板１００と封止基板２００との間の空間の体積などに応じて適宜設定される。

このような構成によれば、配線基板１２０の上に有機ＥＬ素子４０を形成する過程において、有機活性層６２や第２電極６４にピンホールが形成されてしまった場合であっても、アクティブエリア外１０４に配置した吸湿剤４００が水分と反応し、有機ＥＬ素子４０の内部への水分の浸入を抑制することが可能となる。このため、製造歩留まりの低下を招くことなく長寿命化が可能となる。

特に、トップエミッション構成の場合には、アクティブエリア１０２に吸湿剤４００を配置すると、ＥＬ光が内部に閉じ込められて輝度が低下し、視認性の低下を招く。このため、本構成によれば、吸湿剤４００がアクティブエリア外１０４に配置されたことにより、トップエミッション構成においても画像の視認性を低下させることがなく、良好な表示品位を得ることができる。

また、この第１構成例においては、吸湿剤４００は、図５に示すように、アクティブエリア外１０４において、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置することが望ましい。

すなわち、アクティブエリア１０２とシール部材３００との間には、製造マージン等を考慮してわずかにスペースが設けられている。このスペースを利用して、吸湿剤４００を一連の枠状（ループ状）に配置することにより、スペースを有効利用し、且つ、設置面積（あるいは体積）を拡大することができ、狭額縁化を実現しつつ、吸湿性能をさらに向上することが可能となる。

≪第２構成例≫
第２構成例においては、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隔壁７０と封止基板２００との間に配置された吸湿剤４００を備えている。

図６に示した例では、吸湿剤４００は、アクティブエリア１０２において、隔壁７０と第２電極６４との間に配置されている。より具体的に説明すると、ここでは、吸湿剤４００は、隔壁７０の上面７０Ｔの上に配置されている。このような吸湿剤４００は、隔壁７０とともに第２電極６４によって覆われている。

なお、この吸湿剤４００は、隔壁７０を介して隣接する各画素ＰＸの有機活性層６２とそれぞれ重なっていても良いし、有機活性層６２の間に配置（全面が隔壁７０の上面７０Ｔに重なるように配置）されていても良い。また、吸湿剤４００は、隔壁７０の上面７０Ｔに限らず、その一部が非表示領域である隔壁の側面まで延びていても良い。

このような構成によれば、配線基板１２０の上に有機ＥＬ素子４０を形成する過程において、特に、隔壁７０を覆う第２電極６４にピンホールが形成されてしまった場合であっても、吸湿剤４００が下地となって保護するため、隔壁７０や有機活性層６２が露出せず、有機ＥＬ素子４０の内部への水分の直接的な浸入を抑制することが可能となる。このため、製造歩留まりの低下を招くことなく長寿命化が可能となる。

また、図７に示した例では、吸湿剤４００は、アクティブエリア１０２において、隔壁７０に重なる第２電極６４の上に配置されている。より具体的に説明すると、ここでは、吸湿剤４００は、第２電極６４を挟んで隔壁７０の上面７０Ｔに対向するように配置されている。なお、この吸湿剤４００は、非表示領域であればさらに延びていても良い。

このような構成によれば、配線基板１２０の上に有機ＥＬ素子４０を形成する過程において、特に、隔壁７０を覆う第２電極６４にピンホールが形成されてしまった場合であっても、吸湿剤４００が覆うことによって保護するため、隔壁７０や有機活性層６２が露出せず、有機ＥＬ素子４０の内部への水分の直接的な浸入を抑制することが可能となる。このため、製造歩留まりの低下を招くことなく長寿命化が可能となる。

また、図６及び図７に示したような第２構成例においても、トップエミッション構成の場合においては、実質的に表示寄与しない領域に吸湿剤４００が配置されているため、画像の視認性を低下させることがなく、良好な表示品位を得ることができる。

さらに、この第２構成例においては、吸湿剤４００は、アクティブエリア１０２における一方向に延びたストライプ状に配置されても良い。図８に示した例では、各画素ＰＸが、行方向（例えばゲート線などが延出する方向）Ｈに短辺を有し、行方向Ｈに直交する列方向（例えば信号線などが延出する方向）Ｖに長辺を有するような長方形状であって、隔壁７０が各画素ＰＸを囲むような格子状の場合、複数の吸湿剤４００は、隔壁７０の上において列方向Ｖに延出し、ストライプ状に配置されている。

また、この第２構成例においては、吸湿剤４００は、アクティブエリア１０２において直交する２方向に延びた格子状に配置されても良い。図９に示した例では、各画素ＰＸが、行方向Ｈに短辺を有し、行方向Ｈに直交する列方向Ｖに長辺を有するような長方形状であって、隔壁７０が各画素ＰＸを囲むような格子状の場合、複数の吸湿剤４００は、隔壁７０の上において行方向Ｈ及び列方向Ｖにそれぞれ延出し、格子状に配置されている。

これらの例のように、アクティブエリア１０２内において、非表示領域となる隔壁７０の上のスペースを有効利用して、必要な設置面積（あるいは体積）の吸湿剤４００を配置。

《効果の検証》
次に、この実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置について、その効果を検証した。

まず、アクティブエリア１０２の対角寸法が３．５型となるアレイ基板を２４枚分形成可能な寸法（４００ｍｍ×５００ｍｍ）のガラス基板（支持基板）を６枚用意する（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ）。このようなガラス基板に対して、各アクティブエリアに対応して各画素に画素回路１０を形成した後に、さらに、画素回路１０を保護絶縁膜１１４によって覆うことにより、配線基板１２０が形成される。なお、画素回路１０を構成するスイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子は、半導体層としてポリシリコン薄膜を備えた低温ポリシリコンＴＦＴとして構成されている。

さらに、この配線基板１２０に対して、保護絶縁膜１１４の上に第１電極６０を形成する。このとき、保護絶縁膜１１４に形成されたコンタクトホールを介して第１電極６０とトランジスタ素子２０とが電気的に接続される。その後、保護絶縁膜１１４の上において第１電極６０を取り囲むようにアクティブエリア１０２全体にわたって格子状の隔壁７０を形成する。

上述した構成のサンプルにおいて、まず、基板Ａを抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置にセットし、有機活性層６２として、正孔輸送層として機能するα−ＮＰＤを２００ｎｍの膜厚に成膜した後、発光層兼電子輸送層として機能するＡｌｑ_３を５０ｎｍの膜厚に成膜し、さらに、電子注入層として機能するＬｉＦを１ｎｍの膜厚に成膜し、第２電極６４として共蒸着によりマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜し、トップエミッションタイプの有機ＥＬ基板Ａを作成した。

基板Ｂについては、基板Ａと同様に第２電極６４まで成膜した後、アクティブエリア外１０４に吸湿剤４００として枠状にマグネシウム（Ｍｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜し、トップエミッションタイプの有機ＥＬ基板Ｂを作成した（第１構成例に対応）。このとき、枠状のパターン形成を実現するために２回に分けて蒸着を行い、１回目に枠の縦側に対応した開口を有するマスクを用い、２回目に枠の横側に対応した開口を有するマスクを用いた。

基板Ｃ、Ｄについては、基板Ａと同様に電子注入層まで成膜した後、隔壁７０の上に吸湿剤４００を形成した（第２構成例；図６に対応）。基板Ｃには、縦ストライプ状の開口を有するマスクを用いて、隔壁７０の上に縦ストライプパターンとなるようにマグネシウム（Ｍｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜した（図８に対応）。基板Ｄには、縦ストライプ状の開口を有するマスクを用いて、隔壁７０の上に縦ストライプパターンとなるようにマグネシウム（Ｍｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜した後に、さらに、横ストライプ状の開口を有するマスクを用いて、隔壁７０の上に横ストライプパターンとなるようにマグネシウム（Ｍｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜した。これにより、格子状に吸湿剤４００を形成した（図９に対応）。

最後に第２電極６４としてマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜し、トップエミッションタイプの有機ＥＬ基板Ｃ、Ｄを作成した。

基板Ｅ、Ｆについては、基板Ａと同様に第２電極６４まで成膜した後、隔壁７０に重なった第２電極６４の上に吸湿剤４００を形成した（第２構成例；図７に対応）。基板Ｅには、縦ストライプ状の開口を有するマスクを用いて、隔壁７０の上に縦ストライプパターンとなるようにマグネシウム（Ｍｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜した（図８に対応）。基板Ｆには、縦ストライプ状の開口を有するマスクを用いて、隔壁７０の上に縦ストライプパターンとなるようにマグネシウム（Ｍｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜した後に、さらに、横ストライプ状の開口を有するマスクを用いて、隔壁７０の上に横ストライプパターンとなるようにマグネシウム（Ｍｇ）を２０ｎｍの膜厚に成膜した。これにより、格子状に吸湿剤４００を形成した（図９に対応）。

一方で、封止基板２００として、各アレイ基板（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ）の２４個のアクティブエリア１０２をそれぞれ囲むようなシールパターンの紫外線硬化型樹脂を形成したキャビティ付のガラス基板を６枚用意し、それぞれの貼り合わせを行い、所定条件の紫外線照射によって樹脂を硬化させた。

これらの貼り合わせた基板対をそれぞれ割断した後、周辺回路などの信号供給源を実装し、各基板対から合計２４枚のトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を作成した。

次に、これらの有機ＥＬ表示装置を高温高湿槽（６０℃／９０％ＲＨ）の中に投入して放置し、所定時間が経過した後に表示確認を行って、ダークスポット発生の有無を目視にて観察した。これらの結果を図１０に示す。

吸湿剤４００を備えた構成Ｂ〜Ｆについては、いずれもダークスポットの発生を遅らせることが確認できた。また、ＣとＥ、ＤとＦをそれぞれ比較したとき、吸湿剤４００は、第２電極６４の下であっても第２電極６４の上であっても効果には顕著な差は認められなかった。

吸湿剤４００のパターンについては、枠状パターンよりも縦ストライプパターン、縦ストライプパターンよりも格子状パターンの方がダークスポットの発生を遅らせることが確認できた。つまり、より多くの吸湿剤であるマグネシウムを設置可能なパターンの方が顕著な効果が得られることが確認できた。

以上説明したように、この実施の形態によれば、隔壁の上側（つまり封止基板側）に水との反応性の高い金属を配置することにより、ダークスポットの発生のない表示の良好なパネルを生産することができ、製造歩留まりの低下を招くことなく表示品位が良好であり、且つ、長寿命化が可能な表示装置を提供できる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

上述した実施の形態では、吸湿剤としてマグネシウムを利用した例について説明したが、水との反応性の高く、安定した成膜が可能な材料が含まれていれば同様の効果が期待できる。

また、上述した例では、シール部材３００が樹脂材料によって形成された例を説明した。一方で、シール部材３００がフリットガラスからなる場合には、理想的には有機ＥＬ素子４０が密閉されるため、有機ＥＬ素子４０が配置された密閉空間内に吸湿剤４００を配置する必要はないが、フリットガラスの一部に微小な空孔が形成されてしまった場合などに対応すべく、上述した第１構成例及び第２構成例のように非表示領域に吸湿剤４００を配置しておくことが望ましい。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図３は、この発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１構成例を概略的に示す断面図である。 図４は、図３に示した有機ＥＬ表示装置のアクティブエリア外におけるアレイ基板を拡大した断面図である。 図５は、第１構成例において、吸湿剤を枠状に配置した例を説明するための平面図である。 図６は、この発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２構成例を概略的に示す断面図である。 図７は、この発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の他の第２構成例を概略的に示す断面図である。 図８は、第２構成例において、吸湿剤をストライプ状に配置した例を説明するための平面図である。 図９は、第２構成例において、吸湿剤を格子状に配置した例を説明するための平面図である。 図１０は、吸湿剤を備えたことによる効果の検証結果を示す図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置 ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
１０…画素回路
４０…有機ＥＬ素子（表示素子）
６０…第１電極 ６２…有機活性層 ６４…第２電極
７０…隔壁 ７０Ｔ…上面
１００…アレイ基板 １０２…アクティブエリア
１２０…配線基板
２００…封止基板
３００…シール部材
４００…吸湿剤

Claims (10)

1. 複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
   各画素に配置された自発光性の表示素子を備えた第１基板と、
   前記第１基板の前記表示素子に対向するように配置された第２基板と、
   前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部材と、を備え、
   前記第１基板は、前記シール部材によって囲まれた内側において、前記第２基板と対向するようにアクティブエリア外に配置されアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなる吸湿剤を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 前記吸湿剤は、前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
   各画素に配置された自発光性の表示素子と、隣接する画素を分離する隔壁と、を備えた第１基板と、
   前記第１基板の前記表示素子に対向するように配置された第２基板と、
   前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール部材と、を備え、
   前記第１基板は、前記アクティブエリアにおいて前記隔壁と前記第２基板との間に配置されアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなる吸湿剤を備えたことを特徴とする表示装置。
4. 前記吸湿剤は、ストライプ状に配置されたことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記吸湿剤は、格子状に配置されたことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
6. 前記表示素子は、
   第１電極と、
   前記第１電極の上に配置された有機活性層と、
   前記有機活性層の上に配置されるとともに前記隔壁を覆う第２電極と、を備えたトップエミッション方式であることを特徴とする請求項１または３に記載の表示装置。
7. 前記吸湿剤は、前記隔壁と前記第２電極との間に配置されたことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
8. 前記吸湿剤は、前記隔壁に重なる前記第２電極の上に配置されたことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
9. 前記吸湿剤は、マグネシウム（Ｍｇ）を含むことを特徴とする請求項１または３に記載の表示装置。
10. 前記シール部材は、フリットガラスからなることを特徴とする請求項１または３に記載の表示装置。

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