JP7237665B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、基板と平行方向の電界によって液晶分子を回転させる液晶表示装置が種々検討されている。一例では、対向基板の表面に形成された帯電防止用透明導電膜と、アレイ基板の端子部に位置する有機膜の上に形成された透明導電膜とを、導電テープで接続し、端子部に位置する有機膜の下に配線が形成された液晶表示装置が開示されている。

特開２０１７－１４６４５０号公報

本実施形態の目的は、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、
第１領域及び第２領域を備えた第１基板と、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する基板端を有し、前記第２領域に重畳する第２基板と、導電性の接続部材と、を備え、前記第１基板は、前記第１領域にて、さらに、第１無機絶縁層と、第１金属層と、前記基板端と前記第１金属層との間に位置し、前記第１無機絶縁層の上方に形成された配線群と、前記第１無機絶縁層、前記第１金属層及び前記配線群の上方に形成された第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層の上方に形成され前記第１金属層に重畳する開口部を有する第２無機絶縁層と、前記第２無機絶縁層の上方に形成され前記開口部に重畳し前記第１金属層に電気的に接続された第１透明導電層と、を備え、前記第２基板は、前記第１基板と対向する内面と、前記内面と反対の面である外面と、前記外面に形成された第２透明導電層と、を備え、前記接続部材は、前記基板端に接触し、前記第１透明導電層と前記第２透明導電層とを接続し、前記配線群は前記第１透明導電層に重なり、前記第１有機絶縁層は、前記開口部と前記配線群との間において前記第１無機絶縁層を露出させる溝部を有している表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第１領域及び第２領域を備えた第１基板と、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する基板端を有し、前記第２領域に重畳する第２基板と、導電性の接続部材と、を備え、前記第１基板は、前記第１領域にて、さらに、第１無機絶縁層と、第１金属層と、前記基板端と前記第１金属層との間に位置し、前記第１無機絶縁層の上方に形成された配線群と、前記第１無機絶縁層、前記第１金属層及び前記配線群の上方に形成された第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層の上方に形成され前記第１金属層に重畳する開口部を有する第２無機絶縁層と、前記第２無機絶縁層の上方に形成され前記開口部に重畳し前記第１金属層に電気的に接続された第１透明導電層と、を備え、前記第２基板は、前記第１基板と対向する内面と、前記内面と反対の面である外面と、前記外面に形成された第２透明導電層と、を備え、前記接続部材は、前記基板端に接触し、前記第１透明導電層と前記第２透明導電層とを接続し、前記第１有機絶縁層は、前記開口部と前記配線群との間において前記第１無機絶縁層を露出させる溝部を有し、前記第１透明導電層は前記溝部において前記第１無機絶縁層と接している表示装置が提供される。

図１は、一実施形態の表示装置を示す平面図である。 図２は、図１に示したＣ１－Ｃ２線に沿った表示パネルの断面図である。 図３は、画素の基本構成及び等価回路を示す図である。 図４は、図１に示した表示パネルの一構成例を示す断面図である。 図５は、表示パネルが有する複数の溝部を示す平面図である。 図６は、図５に示した溝部及び溝部の周辺を拡大した図である。 図７は、図６に示したＤ１－Ｄ２線に沿った表示パネルの断面図である。 図８は、本実施形態の変形例を示す平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰを示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端側の位置を上と称し、矢印の先端とは逆側の位置を下と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

表示装置ＤＳＰは例えば液晶表示装置などの表示パネルＰＮＬと独立した光源を必要とする表示装置や、有機ＥＬ表示装置やマイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの自発光型の表示装置であっても良く、電気泳動表示装置であっても良い。以降の実施形態では液晶表示装置を例に説明する。
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、ＩＣチップ１と、配線基板Ｆ１と、を備えている。
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡとを備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ１３及びＥ１４とを有している。第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ２１及びＥ２２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ２３及びＥ２４とを有している。第１基板ＳＵＢ１は、第２方向Ｙに並んだ第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、平面視で、第２領域Ａ２に重畳し、第１領域Ａ１には重畳していない。端部Ｅ２１は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界に沿った基板端に相当する。つまり、第１領域Ａ１は、平面視で、端部Ｅ１１、Ｅ２１、Ｅ１３及びＥ１４によって囲まれた領域に相当する。第２領域Ａ２は、端部Ｅ２１、Ｅ１２、Ｅ１３及びＥ１４によって囲まれた領域に相当する。また、第２領域Ａ２は第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが重なり合う表示パネルＰＮＬの２枚部分、第１領域Ａ１は第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２から露出する表示パネルＰＮＬの１枚部分という事も出来る。

表示部ＤＡは、第２領域Ａ２に含まれる。表示部ＤＡは、第１方向（列方向）Ｘ及び第２方向（行方向）Ｙにマトリクス状（行列状）に配置された複数の画素ＰＸを備えている。ここでの画素ＰＸとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。画素ＰＸは、例えば、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、青色を表示する青画素、または、白色を表示する白画素のいずれかである。

第２領域Ａ２における表示部ＤＡの外側、及び、第１領域Ａ１は、非表示部ＮＤＡに相当する。ＩＣチップ１及び配線基板Ｆ１は、表示パネルＰＮＬからの信号を読み出す場合もあるが、主として表示パネルＰＮＬに信号を供給する信号源として機能する。これらの信号源は、第１領域Ａ１に実装されている。図示した例では、配線基板Ｆ１及びＩＣチップ１は、それぞれ第１領域Ａ１に実装されている。なお、ＩＣチップ１は、配線基板Ｆ１に実装されてもよい。ＩＣチップ１は、画像を表示する画像表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。また、図示した例では、ＩＣチップ１は、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラＴＣＮを内蔵している。図中において、ディスプレイドライバＤＤ及びタッチコントローラＴＣＮは点線で示している。配線基板Ｆ１は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント基板である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１領域Ａ１において、複数の接地パッドＥＰ（ＥＰ１及びＥＰ２）を備えている。各接地パッドＥＰは、後述する透明導電層３５や金属層３３などが積層して形成されている。図示した例では、接地パッドＥＰ１はＩＣチップ１と端部Ｅ１３との間に位置し、接地パッドＥＰ２はＩＣチップ１と端部Ｅ１４との間に位置している。
第２基板ＳＵＢ２は、透明導電層ＣＬを備えている。透明導電層ＣＬは、第２領域Ａ２と重畳するほぼ全域にわたって形成され、表示部ＤＡの各画素ＰＸとも重畳している。透明導電層ＣＬは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。
接続部材ＣＮは、非表示部ＮＤＡに位置し、各接地パッドＥＰと透明導電層ＣＬとをそれぞれ電気的に接続している。接続部材ＣＮは、導電性を有し、例えば、導電性ペーストや導電性テープである。

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面と平行な面である。

図２は、図１に示したＣ１－Ｃ２線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、ここでは、説明に必要な構成のみを図示している。
図２に示すように、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１と対向する内面ＳＡと、内面ＳＡとは反対側の外面ＳＢと、を備えている。遮光層ＬＳは、第２基板ＳＵＢ２の内面ＳＡに設けられ、非表示部ＮＤＡに位置している。表示部ＤＡと非表示部ＮＤＡとの境界Ｂｏは、遮光層ＬＳの内側端に相当する。シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。シールＳＥは、遮光層ＬＳと重畳する位置に設けられている。透明導電層ＣＬは、外面ＳＢに設けられ、表示部ＤＡ及び非表示部ＮＤＡにわたって設けられている。なお、透明導電層ＣＬは、第２基板ＳＵＢ２に含まれる絶縁基板の外面に設けられてもよいし、絶縁基板に接着された光学素子の外面に設けられてもよい。
接続部材ＣＮは、シールＳＥ及び遮光層ＬＳと重畳する位置において、透明導電層ＣＬに接している。また、接続部材ＣＮは、第１基板ＳＵＢ１の第１領域Ａ１に設けられ、接地パッドＥＰ１及び基板端Ｅ２１に接している。図示した例では、接地パッドＥＰ１は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２にわたって配置されている。

図３は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。
図３に示すように、複数本の走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、複数本の信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。

共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸにわたって配置されている。共通電極ＣＥは、電圧供給部ＣＤ及び図１に示したタッチコントローラＴＣＮに接続されている。画像表示モードにおいては、電圧供給部ＣＤは、共通電極ＣＥにコモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する。タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラＴＣＮは、コモン電圧とは異なるタッチ駆動電圧を共通電極ＣＥに供給する。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。走査線Ｇには、スイッチング素子ＳＷを制御するための制御信号が供給される。信号線Ｓには、制御信号とは異なる信号として、映像信号が供給される。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。液晶層ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動されている。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

図４は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。
図４に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁層１１乃至１６、半導体層ＳＣ、信号線Ｓ、金属配線ＭＬ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、配向膜ＡＬ１などを備えている。絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。絶縁層１１は、絶縁基板１０の上に位置している。半導体層ＳＣは、絶縁層１１の上に位置し、絶縁層１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。絶縁層１２は、絶縁層１３によって覆われている。図３に示した走査線Ｇは、絶縁層１２及び１３の間に位置している。信号線Ｓは、絶縁層１３の上に位置し、絶縁層１４によって覆われている。金属配線ＭＬは、絶縁層１４の上に位置し、絶縁層１５によって覆われている。金属配線ＭＬは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。金属配線ＭＬは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。金属配線ＭＬは、それぞれ信号線Ｓと平行に延出し、信号線Ｓの直上に位置している。

共通電極ＣＥは、絶縁層１５の上に位置し、絶縁層１６によって覆われている。画素電極ＰＥは、絶縁層１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥの各々は、絶縁層１６を介して、共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、線状電極であり、共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸにわたって共通に設けられた平板状の電極である。なお、画素電極ＰＥを平板状の電極とし、画素電極ＰＥと液晶層ＬＣとの間に線状の共通電極を設ける構造であってもよい。

絶縁層１１、絶縁層１２、絶縁層１３及び１６は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁層である。絶縁層１６は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。絶縁層１１、絶縁層１２、絶縁層１３及び１６は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁層１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁層である。

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０と、カラーフィルタＣＦと、遮光層ＢＭと、透明層ＯＣと、配向膜ＡＬ２とを備えている。絶縁基板２０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。カラーフィルタＣＦ、遮光層ＢＭ、及び、透明層ＯＣは、絶縁基板２０と液晶層ＬＣとの間に位置している。配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＣに接している。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。透明層ＯＣは、カラーフィルタＣＦ及び遮光層ＢＭを覆っている。透明層ＯＣは、例えば、透明な有機絶縁層である。なお、図示した例では、カラーフィルタＣＦは、第２基板ＳＵＢ２に設けられたが、第１基板ＳＵＢ１に設けられてもよい。カラーフィルタＣＦは、赤カラーフィルタＣＦＲ、緑カラーフィルタＣＦＧ、及び、青カラーフィルタＣＦＢを含んでいる。緑カラーフィルタＣＦＧは、画素電極ＰＥと対向している。赤カラーフィルタＣＦＲ及び青カラーフィルタＣＦＢも、それぞれ図示しない他の画素電極ＰＥと対向している。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。照明装置ＩＬは、白色の照明光で表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１を照明する。

このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された照明光は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの照明光の一部は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２を透過し、明表示となる。

図５は、表示パネルＰＮＬが有する複数の溝部ＧＲを示す平面図である。図５において、シールＳＥは斜線で示している。
図５に示すように、表示パネルＰＮＬは、溝部ＧＲ１１と、溝部ＧＲ１２と、溝部ＧＲ２１と、溝部ＧＲ２２とを備えている。溝部ＧＲ１１、溝部ＧＲ１２、溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２は、それぞれ図４に示す絶縁層１４及び１５を貫通して形成されている。

溝部ＧＲ２１及びＧＲ２２は、それぞれ第２領域Ａ２の非表示部ＮＤＡに位置し、シールＳＥに重畳している。溝部ＧＲ２１と溝部ＧＲ２２とは離間している。溝部ＧＲ２１は、平面視において、表示部ＤＡを囲むように形成されている。溝部ＧＲ２１は、端部Ｅ２１と表示部ＤＡとの間において第１方向Ｘに延出し、端部Ｅ２３と表示部ＤＡとの間において第２方向Ｙに延出し、端部Ｅ２２と表示部ＤＡとの間において第１方向Ｘに延出し、端部Ｅ２４と表示部ＤＡとの間において第２方向Ｙに延出している。溝部ＧＲ２２は、端部Ｅ２１と表示部ＤＡとの間において第１方向Ｘに延出している。溝部ＧＲ２１は、端部２１Ａと、端部２１Ａの反対側の端部２１Ｂとを有している。溝部ＧＲ２２は、端部２２Ａと、端部２２Ａの反対側の端部２２Ｂとを有している。端部２１Ａと端部２２Ａとは対向し、端部２１Ｂと端部２２Ｂとは対向している。

接地パッドＥＰ１は、第１方向Ｘにおいて、端部２１Ａと端部２２Ａとの間に位置している。接地パッドＥＰ２は、第１方向Ｘにおいて、端部２２Ｂと端部２１Ｂとの間に位置している。接地パッドＥＰ１及びＥＰ２は、それぞれ接地電位に接続されるコンタクト部ＥＣ１及びＥＣ２を有している。

溝部ＧＲ１１及びＧＲ１２は第１領域Ａ１に位置している。溝部ＧＲ１１は、平面視において、接地パッドＥＰ１に重畳し、接地パッドＥＰ１の内側に位置している。溝部ＧＲ１２は、平面視において、接地パッドＥＰ２に重畳し、接地パッドＥＰ２の内側に位置している。

図６は、図５に示した溝部ＧＲ１１及び溝部ＧＲ１１の周辺を拡大した図である。
図６に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、さらに、金属層３１、複数の金属層３２、透明導電層３５、配線群ＷＧ１及びＷＧ２を備えている。金属層３１、複数の金属層３２及び透明導電層３５などによって、接地パッドＥＰ１は形成されている。
配線群ＷＧ１と配線群ＷＧ２とは離間している。配線群ＷＧ１は、端部Ｅ２１と溝部ＧＲ１１との間において、第１方向Ｘに延出している。配線群ＷＧ１及びＷＧ２は、信号線Ｓと同一材料により形成されている複数の配線を含み、図１に示すＩＣチップ１又は配線基板Ｆ１等に接続されている。一例では、配線群ＷＧ２は、複数の信号線Ｓを含んでいる。

金属層３１は、配線群ＷＧ１と端部Ｅ１１との間において第１方向Ｘに延出し、透明導電層３５に重畳している。金属層３１は、走査線Ｇと同一材料によって形成されている。各金属層３２は、金属層３１に重畳し、それぞれ第１方向Ｘに並んでいる。金属層３２は、信号線Ｓと同一材料によって形成されている。図４に示した絶縁層１６は、第１領域及び第２領域にわたって設けられている。絶縁層１６は、複数の開口部ＯＰ１を有している。なお、開口部ＯＰ１の個数は一つでもよい。各開口部ＯＰ１は、金属層３１と各金属層３２とが重畳している位置に設けられている。透明導電層３５は、開口部ＯＰ１を介して、金属層３１及び３２と電気的に接続している。上記した接地パッドＥＰのコンタクト部ＥＣ１は、すべての開口部ＯＰ１を含む領域に相当する。透明導電層３５は、平面視において、開口部ＯＰ１から第２領域Ａ２まで延出し、前記配線群ＷＧ１及び基板端Ｅ２１に重なり、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界を跨いでいる。

溝部ＧＲ１１は、第１部分ＧＰ１と、第２部分ＧＰ２と、第３部分ＧＰ３とを有している。第１部分ＧＰ１は、各開口部ＯＰ１に沿って第１方向Ｘに延出している。第２部分ＧＰ２及び第３部分ＧＰ３は、それぞれ開口部ＯＰ１に沿って第２方向Ｙに延出している。第２部分ＧＰ２及び第３部分ＧＰ３は、それぞれ第１部分ＧＰ１から連続している。
各開口部ＯＰ１は、第１方向Ｘにおいて、第１部分ＧＰ１の内側に位置している。開口部ＯＰ１は、第２方向Ｙにおいて、第２部分ＧＰ２の内側及び第３部分ＧＰ３の内側に位置している。

図７は、図６に示したＤ１－Ｄ２線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
図７に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、さらに、金属層３３及び透明導電層３４を備えている。金属層３１は絶縁基板１０の上方に位置している。金属層３１は、絶縁層１３で覆われている端部Ｅ３１を有している。金属層３２は金属層３１に接している。金属層３２は、絶縁層１３の上方に位置する端部Ｅ３２を有している。図示した例では、端部Ｅ３２は、溝部ＧＲ１１と開口部ＯＰ１との間において、絶縁層１４で覆われている。金属層３３は金属層３２に接し、絶縁層１４と絶縁層１５との間に位置している。金属層３３は、絶縁層１４の上方に位置する端部Ｅ３３を有している。図示した例では、端部Ｅ３３は、溝部ＧＲ１１と開口部ＯＰ１との間において、絶縁層１５で覆われている。

透明導電層３４は、金属層３３に接している。透明導電層３４は、絶縁層１５の上方に位置する端部Ｅ３４を有している。端部Ｅ３４は、絶縁層１６に覆われている。透明導電層３５は、透明導電層３４に接している。透明導電層３５は、第２基板ＳＵＢ２に重なり、溝部ＧＲ１１において絶縁層１３が絶縁層１６から露出された位置にて絶縁層１３に接している。図示した例では、開口部ＯＰ１の内側において、金属層３１、金属層３２、金属層３３、透明導電層３４及び３５は、積層されている。金属層３１、金属層３２、金属層３３、透明導電層３４及び３５は、それぞれ電気的に接続している。

配線群ＷＧ１は、絶縁層１３の上方に位置している。配線群ＷＧ１は、金属層３２と同一層に形成されている。

絶縁層１４は、開口部ＯＰ１と配線群ＷＧ１との間に位置する溝部ＧＲ１１において、絶縁層１３を露出している。絶縁層１４は、溝部ＧＲ１１において、内面Ｉ１４を有している。絶縁層１４は、溝部ＧＲ１１と端部Ｅ２１との間において、配線群ＷＧ１を覆っている。絶縁層１５は、溝部ＧＲ１１において、絶縁層１４を露出している。絶縁層１５は、溝部ＧＲ１１において、内面Ｉ１５を有している。絶縁層１６は、絶縁層１４の溝部ＧＲ１１において、内面Ｉ１４を覆い、内面Ｉ１４及び絶縁層１３それぞれに接している。絶縁層１６は、絶縁層１５の溝部ＧＲ１１において、内面Ｉ１５を覆い、絶縁層１４に接している。絶縁層１６は、溝部ＧＲ１１と重なる位置において絶縁層１３を露出している。

近年では狭額縁化の要求が高まり、非表示部ＮＤＡの幅が縮小する傾向にある。このため、表示部ＤＡと端部Ｅ２１との間隔が狭くなり、表示部ＤＡと端部Ｅ２１との間において配線密度が増加し有機絶縁層に表示部ＤＡへの水分浸入を抑制する溝部を形成しにくい傾向にある。

本実施形態では、第１基板ＳＵＢ１は、第１領域Ａ１において、配線群ＷＧ１と開口部ＯＰ１との間に溝部ＧＲ１１を有している。開口部ＯＰ１から有機絶縁層１４及び１５に水分が浸入した際、浸入した水分が有機絶縁層１４及び１５を介して第２領域Ａ２側へ広がるのを抑制することができる。このため、第２領域Ａ２において、浸入した水分によって、有機絶縁層１５と無機絶縁層１６との間に位置する層が剥がれる可能性を抑制でき、表示装置ＤＳＰの信頼性の向上が可能である。
さらに、溝部ＧＲ１１において、有機絶縁層１４及び１５は、それぞれ無機絶縁層１６に覆われている。無機絶縁層１６は、水を通しにくいシリコン窒化物で形成されているため、開口部ＯＰ１から浸入した水分が第２領域Ａ２側へ広がるのをより抑制することができる。

本実施形態において、透明導電層３４，３５のどちらか一方もしくは両方は第１透明導電層に相当し、透明導電層ＣＬは第２透明導電層に相当し、絶縁層１３は第１無機絶縁層に相当し、絶縁層１６は第２無機絶縁層に相当し、絶縁層１４は第１有機絶縁層に相当し、絶縁層１５は第２有機絶縁層に相当し、金属層３２は第１金属層に相当し、金属層３３は第２金属層に相当し、内面Ｉ１４は第１内面に相当し、内面Ｉ１５は第２内面に相当し、端部Ｅ３２は第１端部に相当し、端部Ｅ３３は第２端部に相当する。

図８は、本実施形態の変形例を示す平面図である。
図８に示すように、変形例は、本実施形態と比較して、溝部ＧＲ１１がコンタクト部ＥＣ１を囲む環状に形成されている点で相違している。

溝部ＧＲ１１は、第４部分ＧＰ４を有している。第４部分ＧＰ４は、第２部分ＧＰ２及び第３部分ＧＰ３のそれぞれに連続している。図示した例では、各開口部ＯＰ１は、平面視において、第１部分ＧＰ１、第２部分ＧＰ２、第３部分ＧＰ３及び第４部分ＧＰ４によって囲まれている。

このような変形例においても、上記実施形態と同様の効果が得られる。加えて、溝部ＧＲ１１がすべての開口部ＯＰ１（またはコンタクト部ＥＣ１）を囲むよう環状に形成されているため、開口部ＯＰ１から浸入した水分が溝部ＧＲ１１の外側に広がるのを抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板
１１、１２、１３、１４、１５、１６…絶縁層 ３１、３２、３３…金属層
３４、３５…透明導電層 ＷＧ…配線群 ＧＲ…溝部 ＧＰ…部分

Claims (13)

1. 第１領域及び第２領域を備えた第１基板と、
   前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する基板端を有し、前記第２領域に重畳する第２基板と、
   導電性の接続部材と、を備え、
   前記第１基板は、前記第１領域にて、さらに、第１無機絶縁層と、第１金属層と、前記基板端と前記第１金属層との間に位置し、前記第１無機絶縁層の上方に形成された配線群と、前記第１無機絶縁層、前記第１金属層及び前記配線群の上方に形成された第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層の上方に形成され前記第１金属層に重畳する開口部を有する第２無機絶縁層と、前記第２無機絶縁層の上方に形成され前記開口部に重畳し前記第１金属層に電気的に接続された第１透明導電層と、を備え、
   前記第２基板は、前記第１基板と対向する内面と、前記内面と反対の面である外面と、前記外面に形成された第２透明導電層と、を備え、
   前記接続部材は、前記基板端に接触し、前記第１透明導電層と前記第２透明導電層とを接続し、
   前記配線群は前記第１透明導電層に重なり、
   前記第１有機絶縁層は、前記開口部と前記配線群との間において前記第１無機絶縁層を露出させる溝部を有している表示装置。
2. 前記第１有機絶縁層は、前記溝部において、第１内面を有し、
   前記第２無機絶縁層は、前記第１内面を覆い、前記第１無機絶縁層に接している請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１金属層は、前記第１無機絶縁層の上方に設けられ前記溝部と前記開口部との間に位置し前記第１有機絶縁層で覆われた第１端部を有している請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１基板は、前記第１領域にて、さらに、前記第１有機絶縁層と前記第２無機絶縁層との間に位置する第２有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層と前記第２有機絶縁層との間に位置する第２金属層とを備え、
   前記溝部は、前記第２有機絶縁層にも形成され、
   前記第２有機絶縁層は、前記溝部において、第２内面を有し、
   前記第２無機絶縁層は、前記第２内面を覆い、前記第１有機絶縁層に接している請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第２金属層は、前記第１有機絶縁層の上方に設けられ前記溝部と前記開口部との間に位置し前記第２有機絶縁層で覆われた第２端部を有している請求項４に記載の表示装置。
6. 前記溝部は、第１方向にて前記開口部に沿って延出する第１部分を有し、
   前記第１部分は、前記第１方向に交差する第２方向において、前記開口部と前記配線群との間に位置している請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。
7. 前記溝部は、前記第１部分に連続し、前記第２方向にて前記開口部に沿ってそれぞれ延出する第２部分及び第３部分を有し、
   前記開口部は、前記第１方向において、前記第２部分と前記第３部分との間に位置している請求項６に記載の表示装置。
8. 前記溝部は、前記第２部分及び前記第３部分のそれぞれに連続する第４部分を有し、
   前記開口部は、前記第１部分、前記第２部分、前記第３部分及び前記第４部分によって囲まれている請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第２無機絶縁層は、シリコン窒化物によって形成されている請求項１乃至８の何れか１項に記載の表示装置。
10. 第１領域及び第２領域を備えた第１基板と、
    前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する基板端を有し、前記第２領域に重畳する第２基板と、
    導電性の接続部材と、を備え、
    前記第１基板は、前記第１領域にて、さらに、第１無機絶縁層と、第１金属層と、前記基板端と前記第１金属層との間に位置し、前記第１無機絶縁層の上方に形成された配線群と、前記第１無機絶縁層、前記第１金属層及び前記配線群の上方に形成された第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層の上方に形成され前記第１金属層に重畳する開口部を有する第２無機絶縁層と、前記第２無機絶縁層の上方に形成され前記開口部に重畳し前記第１金属層に電気的に接続された第１透明導電層と、を備え、
    前記第２基板は、前記第１基板と対向する内面と、前記内面と反対の面である外面と、前記外面に形成された第２透明導電層と、を備え、
    前記接続部材は、前記基板端に接触し、前記第１透明導電層と前記第２透明導電層とを接続し、
    前記第１有機絶縁層は、前記開口部と前記配線群との間において前記第１無機絶縁層を露出させる溝部を有し、
    前記第１透明導電層は前記溝部において前記第１無機絶縁層と接している表示装置。
11. 前記第１透明導電層は、前記基板端に重なり、前記第１領域と前記第２領域との前記境界を跨ぎ、前記開口部から前記第２領域まで延出している、請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第２無機絶縁層は、前記溝部と重なる位置において前記第１無機絶縁層を露出し、
    前記第１透明導電層は、前記溝部において前記第１無機絶縁層が前記第２無機絶縁層から露出された位置にて前記第１無機絶縁層に接している請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１有機絶縁層は、前記溝部において、第１内面を有し、
    前記第２無機絶縁層は、前記溝部内部において、前記第１内面及び前記第１無機絶縁層それぞれに接している請求項１２に記載の表示装置。

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