[go: up one dir, main page]

KR101718284B1 - 광 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

광 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101718284B1
KR101718284B1 KR1020160060677A KR20160060677A KR101718284B1 KR 101718284 B1 KR101718284 B1 KR 101718284B1 KR 1020160060677 A KR1020160060677 A KR 1020160060677A KR 20160060677 A KR20160060677 A KR 20160060677A KR 101718284 B1 KR101718284 B1 KR 101718284B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical semiconductor
conductive member
light emitting
light
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160060677A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160061940A (ko
Inventor
마사또 후지또모
히로또 다마끼
신지 니시지마
유이찌로 단다
도모히데 미끼
Original Assignee
니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20160061940A publication Critical patent/KR20160061940A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101718284B1 publication Critical patent/KR101718284B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H01L33/005—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L33/0095—
    • H01L33/22—
    • H01L33/48—
    • H01L33/52—
    • H01L33/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H01L2933/0066—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

박형이며 광 취출 효율이 높은 광 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 광 반도체 장치의 제조 방법은, 지지 기판 상에, 서로 이격하는 제1 및 제2 도전 부재를 복수 형성하는 제1 공정과, 제1 및 제2 도전 부재 사이에, 차광성 수지로 이루어지는 기체를 형성하는 제2 공정과, 제1 및 제2 도전 부재 상에 광 반도체 소자를 재치시키는 제3 공정과, 광 반도체 소자를, 투광성 수지로 이루어지는 밀봉 부재로 피복하는 제4 공정과, 지지 기판을 제거한 후, 광 반도체 장치를 개편화하는 제5 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 제1 및 제2 도전 부재가, 도금인 것을 특징으로 한다. 이에 의해 박형이며 광 취출 효율이 높은 광 반도체 장치로 할 수 있다.

Description

광 반도체 장치 및 그 제조 방법{OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은, 표시 장치, 조명 기구, 디스플레이, 액정 디스플레이의 백라이트 광원 등에 이용 가능한 발광 장치나, 비디오　카메라, 디지털 스틸 카메라 등에 이용 가능한 수광 장치 등의 광 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 박형/소형 타입이며 광의 취출 효율이나 콘트라스트가 우수하고, 수율 좋게 얻어지는 광 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화·경량화에 수반하여, 이들에 탑재되는 발광 장치(발광 다이오드 등)나 수광 장치(CCD나 포토다이오드 등) 등의 광 반도체 장치도 소형화된 것이 다양하게 개발되어 있다. 이들 광 반도체 장치는, 예를 들면, 절연 기판의 양면에 각각 한 쌍의 금속 도체 패턴이 형성된 양면 쓰루홀 프린트 기판을 이용하고 있다. 양면 쓰루홀 프린트 기판에 발광 소자나 수광 소자 등의 광 반도체 소자를 재치하고, 와이어 등을 이용하여 금속 도체 패턴과 광 반도체 소자를 전기적으로 도통시키도록 하는 구조를 갖고 있다.
그러나, 이와 같은 광 반도체 장치는, 양면 쓰루홀 프린트 기판을 사용하는 것이 필수 조건이다. 이 양면 쓰루홀 프린트 기판은, 적어도 0.1㎜ 정도 이상의 두께가 있기 때문에, 표면 실장형 광 반도체 장치의 철저한 박형화를 저해하는 요인으로 되고 있다. 그 때문에, 이와 같은 프린트 기판을 사용하지 않는 구조의 광 반도체 장치가 개발되어 있다(예를 들면 특허 문헌 1).
[특허 문헌 1] 일본 특개 2005-79329호 공보
특허 문헌 1에 개시되어 있는 발광 장치는, 기판에 증착 등에 의해 얇은 금속막을 형성하여 전극으로 하고, 발광 소자와 함께 투광성 수지로 밀봉함으로써, 종래의 표면 실장형의 발광 장치에 비해 박형화가 가능하게 되어 있다.
그러나, 투광성 수지만을 이용하고 있기 때문에, 광이 발광 소자로부터 하면방향으로 빠져 나가게 되어, 광의 취출 효율이 저하되기 쉽다. 절구 형상의 금속막을 형성하여 광을 반사시키도록 하는 구조도 개시되어 있지만, 이와 같은 금속막을 형성하기 위해서는 기판에 요철을 형성할 필요가 있다. 그렇게 하면, 발광 장치가 소형화되어 있기 때문에 이 요철도 매우 미세한 것으로 되어, 가공이 곤란하게 될 뿐만 아니라, 요철 구조에 의해 기판의 박리 시에 파손되기 쉬워져 수율이 저하되는 등의 문제가 생기기 쉽다. 또한, 디스플레이 등에 이용하는 경우, 투광성 수지만을 이용하고 있으면 콘트라스트가 나빠지기 쉽다.
이상의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 광 반도체 장치의 제조 방법은, 지지 기판 상에, 서로 이격하는 제1 및 제2 도전 부재를 복수 형성하는 제1 공정과, 제1 및 제2 도전 부재 사이에, 차광성 수지로 이루어지는 기체를 형성하는 제2 공정과, 제1 및/또는 제2 도전 부재 상에 광 반도체 소자를 재치시키는 제3 공정과, 광 반도체 소자를, 투광성 수지로 이루어지는 밀봉 부재로 피복하는 제4 공정과, 지지 기판을 제거한 후, 광 반도체 장치를 개편화하는 제5 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 광 취출 효율이 우수한 박형의 광 반도체 장치를 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 광 반도체 장치는, 광 반도체 소자와, 상면에 광 반도체 소자가 재치되고, 하면이 광 반도체 장치의 외표면을 형성하는 제1 도전 부재와, 제1 도전 부재로부터 이격하고, 하면이 광 반도체 장치의 외표면을 형성하는 제2 도전 부재와, 제1 도전 부재와 제2 도전 부재 사이에 형성된 차광성 수지로 이루어지는 기체와, 광 반도체 소자를 밀봉하는 투광성 수지로 이루어지는 밀봉 부재를 갖는 광 반도체 장치로서, 제1 및 제2 도전 부재는, 도금인 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 박형의 광 반도체 장치로 할 수 있다.
본 발명에 의해, 박형의 광 반도체 장치를, 수율 좋게 용이하게 형성시킬 수 있다. 또한, 박형의 광 반도체 장치이어도, 발광 소자로부터의 광이 하면측으로부터의 누출되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 광의 취출 효율이 향상된 광 반도체 장치나, 콘트라스트가 향상된 광 반도체 장치가 얻어진다.
도 1a는 본 발명에 따른 광 반도체 장치의 전체 및 내부를 도시하는 사시도.
도 1b는 도 1a에 따른 광 반도체 장치의 A-A' 단면에서의 단면도 및 부분 확대도.
도 2a∼도 2h는 본 발명에 따른 광 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도.
도 3a는 본 발명에 따른 광 반도체 장치의 전체 및 내부를 도시하는 사시도.
도 3b는 도 3a에 따른 광 반도체 장치의 B-B' 단면에서의 단면도.
도 4a∼도 4d는 본 발명에 따른 광 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도.
도 5는 본 발명에 따른 광 반도체 장치의 전체 및 내부를 도시하는 사시도.
도 6a는 본 발명에 따른 광 반도체 장치를 도시하는 사시도.
도 6b는 도 6a에 따른 광 반도체 장치의 C-C' 단면에서의 단면도.
도 7a는 본 발명에 따른 광 반도체 장치의 단면도.
도 7b는 도 7a에 따른 광 반도체 장치의 부분 확대 단면도.
본 발명을 실시하기 위한 최량의 형태를, 이하에 도면을 참조하면서 설명한다. 단，이하에 도시하는 형태는, 본 발명의 광 반도체 장치 및 그 제조 방법을 예시하는 것이며, 본 발명을 이하의 형태에 한정하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서는, 특허 청구 범위에 나타내어지는 부재를, 실시 형태의 부재에 한정하는 것은 결코 아니다. 특히, 실시 형태에 기재되어 있는 구성 부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대적 배치 등은, 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것만으로 한정하는 취지가 아니라, 단순한 설명예에 지나지 않는다. 또한, 각 도면이 도시하는 부재의 크기나 위치 관계 등은, 설명을 명확하게 하기 위해서 과장되어 있는 경우가 있다. 또한 이하의 설명에서, 동일한 명칭, 부호에 대해서는 동일 혹은 동질의 부재를 나타내고 있으며, 상세 설명을 적절히 생략한다.
<실시 형태 1>
본 실시 형태의 광 반도체 장치(발광 장치)(100)를, 도 1a, 도 1b에 도시한다. 도 1a는 발광 장치(100)의 사시도, 도 1b는 도 1a에 도시하는 발광 장치(100)의 A-A' 단면에서의 단면도를 나타낸다.
본 실시 형태에서, 발광 장치(100)는, 도 1a, 도 1b에 도시한 바와 같이, 발광 소자(103)와, 발광 소자(103)와 전기적으로 접속되는 제1 도전 부재(101, 101')와, 제1 도전 부재(101, 101')로부터 이격하고, 발광 소자(103)가 재치되는 제2 도전 부재(102)와, 발광 소자(103)를 피복함과 함께 제1 도전 부재(101, 101') 및 제2 도전 부재(102)와 접하는 밀봉 부재(104)를 갖고 있다. 그리고, 제1 도전 부재(101, 101')와 제2 도전 부재(102) 사이에, 발광 소자(103)로부터의 광을 차광 가능한 수지로 이루어지는 기체(106)를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.
<기체(106)>
본 실시 형태에서, 기체(106)는, 차광성을 갖는 각종 충전재 등을 첨가함으로써 발광 소자(103)로부터의 광을 차광 가능한 수지이며, 제1 도전 부재(101, 101')와 제2 도전 부재(102) 사이에 형성된다. 이와 같은 위치에 차광성의 기체(106)를 형성함으로써, 발광 소자(103)로부터의 광이 발광 장치(100)의 하면측으로부터 외부에 누출되는 것을 억제할 수 있어, 상면 방향으로의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
기체(106)의 두께는, 발광 장치(100)의 하면측으로의 광의 누설을 억제할 수 있는 두께이면 된다. 또한, 기체(106)는, 제1 도전 부재(101, 101')의 측면과 제2 도전 부재(102)의 측면의 양방에 접하도록, 즉, 밀봉 부재(104)가 제1 도전 부재(101, 101')와 기체(106) 사이나, 제2 도전 부재(102)와 기체(106) 사이에 개재되지 않도록 형성하는 것이 바람직하다.
제1 도전 부재(101, 101')나 제2 도전 부재(102)의 폭이 발광 장치(100)의 폭과 상이한 경우, 예를 들면 도 1a에 도시한 바와 같이 제1 도전 부재(101, 101')의 폭이 발광 장치(100)의 폭보다도 좁고, 그 제1 도전 부재(101, 101')의 측면과 발광 장치(100)의 측면이 이격하고 있는 경우에는, 그 부분에도 기체를 형성할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치(100)의 하면은, 제1 도전 부재(101, 101'),기체(106), 제2 도전 부재(102)가 외표면으로서 형성되어 있게 되어, 하면 방향으로의 광의 누설을 효율적으로 억제할 수 있다.
기체(106)는, 발광 소자로부터의 광이 차광 가능한 것이면, 어떤 부재이어도 된다. 단, 후술하는 지지 기판과의 선팽창 계수의 차가 작은 부재가 바람직하다. 또한, 절연성 부재를 이용하는 것이 바람직하다. 바람직한 재료로서는, 열경화성 수지, 열가소성 수지 등의 수지를 이용할 수 있다. 특히, 도전 부재의 막 두께가 25㎛∼200㎛ 정도의 매우 얇은 두께인 경우에는, 열경화성 수지가 바람직하고, 이에 의해 매우 박형의 기체를 얻을 수 있다. 또한, 구체적으로는 (a) 에폭시 수지 조성물, (b) 실리콘 수지 조성물, (c) 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, (d) 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, (e) 폴리이미드 수지 조성물, (f) 변성 폴리이미드 수지 조성물 등을 들 수 있다.
특히, 열경화성 수지가 바람직하고, 일본 특개 2006-156704에 기재되어 있는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 열경화성 수지 중，에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴레이트 수지, 우레탄 수지 등이 바람직하다. 구체적으로는，(ⅰ) 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀A 디글리시딜 에테르로 이루어지는 에폭시 수지와, (ⅱ) 헥사히드로무수프탈산, 3-메틸헥사히드로무수프탈산, 4-메틸헥사히드로무수프탈산으로 이루어지는 산무수물을, 당량으로 되도록 용해 혼합한 무색 투명한 혼합물을 포함하는 고형상 에폭시 수지 조성물을 이용하는 것이 바람직하다. 또한 이들 혼합물 100중량부에 대하여, 경화 촉진제로서 DBU(1, 8-Diazabicyclo(5, 4, 0)undecene-7)을 0.5중량부, 조촉매로서 에틸렌글리콜을 1중량부, 산화티탄 안료를 10중량부, 글래스 섬유를 50중량부 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜, B스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물이 바람직하다.
또한, 국제 공개 번호 WO2007/015426호 공보에 기재된, 트리아진 유도체 에폭시 수지를 함유하는 에폭시 수지를 필수 성분으로 하는 열경화성 에폭시 수지 조성물이 바람직하다. 예를 들면, 1, 3, 5-트리아진 핵 유도체 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 특히 이소시아누레이트환을 갖는 에폭시 수지는, 내광성이나 전기 절연성이 우수하다. 1개의 이소시아누레이트환에 대하여, 2가의, 보다 바람직하게는 3가의 에폭시기를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 트리스(2, 3-에폭시 프로필)이소시아누레이트, 트리스(α-메틸 글리시딜)이소시아누레이트 등을 이용할 수 있다. 트리아진 유도체 에폭시 수지의 연화점은 90∼125℃인 것이 바람직하다. 또한, 이들 트리아진 유도체 에폭시 수지에, 수소 첨가 에폭시 수지나, 그 밖의 에폭시 수지를 병용하여도 된다. 또한, 실리콘 수지 조성물의 경우, 메틸 실리콘 레진을 함유하는 실리콘 수지가 바람직하다.
특히, 트리아진 유도체 에폭시 수지를 이용하는 경우에 대하여 구체적으로 설명한다. 트리아진 유도체 에폭시 수지에, 경화제로서 작용하는 산무수물을 이용하는 것이 바람직하다. 특히, 비방향족이며, 또한, 탄소탄소 2중 결합을 갖지 않는 산무수물을 이용함으로써 내광성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 트리알킬테트라히드로무수프탈산, 수소화메틸나딕산무수물 등을 들 수 있다. 특히 메틸헥사히드로무수프탈산이 바람직하다. 또한, 산화 방지제를 이용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 페놀계, 유황계의 산화 방지제를 사용할 수 있다. 또한, 경화 촉매로서는, 에폭시 수지 조성물의 경화 촉매로서 공지의 것을 사용할 수 있다.
그리고, 이들 수지 내에 차광성을 부여하기 위한 충전제나, 필요에 따라서 각종 첨가제를 혼입시킬 수 있다. 본 발명에서는, 이들을 포함시켜 기체(106)를 구성하는 차광성 수지라고 칭한다. 예를 들면, 충전재(필러)로서 TiO2, SiO2, Al2O3, MgO, MgCO3, CaCO3, Mg(OH)2, Ca(OH)2 등의 미립자 등을 혼입시킴으로써 광의 투과율을 조정할 수 있다. 발광 소자로부터의 광의 약 60％ 이상을 차광하도록, 보다 바람직하게는 약 90％를 차광하도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 기체(106)에 의해 광을 반사하거나, 또는 흡수하거나 어느 쪽이어도 된다. 광 반도체 장치를 조명 등의 용도에 이용하는 경우에는, 흡수보다 반사에 의해 차광하는 것이 바람직하다. 그 경우, 발광 소자로부터의 광에 대한 반사율이 60％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90％ 이상인 것이 바람직하다.
상기한 바와 같은 각종 충전재는, 1종류만, 혹은 2종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 예를 들면, 반사율을 조정하기 위한 충전재와, 후술하는 바와 같이 선팽창 계수를 조정하기 위한 충전재를 병용하는 등의 이용 방법이 가능하다. 예를 들면, 백색의 충전제로서 TiO2를 이용하는 경우에는, 바람직하게는 10∼30wt％, 보다 바람직하게는 15∼25wt％ 배합시키는 것이 좋다. TiO2는, 루틸형, 아나타스형 중 어느 쪽을 이용하여도 된다. 차광성이나 내광성의 점에서 루틸형이 바람직하다. 또한, 분산성, 내광성을 향상시키고자 하는 경우, 표면 처리에 의해 개질한 충전재도 사용할 수 있다. TiO2로 이루어지는 충전재의 표면 처리에는 알루미나, 실리카, 산화아연 등의 수화산화물, 산화물 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 외에, 충전제로서 SiO2를 60∼80wt％의 범위에서 이용하는 것이 바람직하고, 또한，65∼75wt％ 이용하는 것이 바람직하다. 또한，SiO2로서는, 결정성 실리카보다도 선팽창 계수가 작은 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 입경이 100㎛ 이하인 충전재, 또한 60㎛ 이하인 충전재가 바람직하다. 또한, 형상은 구형의 충전재가 바람직하고, 이에 의해 기체 성형 시의 충전성을 향상시킬 수 있다. 또한, 디스플레이 등에 이용하는 경우로서, 콘트라스트를 향상시키고자 하는 경우에는, 발광 소자로부터의 광의 흡수율이 60％ 이상, 보다 바람직하게는 90％ 이상 흡수하는 충전재가 바람직하다. 이와 같은 경우, 충전재로서는, (a) 아세틸렌 블랙, 활성탄, 흑연 등의 카본이나, (b) 산화철, 이산화망간, 산화코발트, 산화몰리브덴 등의 천이 금속산화물, 혹은 (c) 유색 유기 안료 등을 목적에 따라서 이용할 수 있다.
또한, 기체의 선팽창 계수는, 개편화하기 전에 제거(박리)되는 지지 기판의 선팽창 계수와의 차가 작아지도록 제어하는 것이 바람직하다. 지지 기판의 선팽창 계수에 대하여, 기체의 선팽창 계수는 0.5∼2배로 하는 것이 바람직하다. 또한, 기체의 선팽창 계수와 지지 기판의 선팽창 계수와의 차를, 바람직하게는 30％ 이하, 보다 바람직하게는 10％ 이하의 차로 하는 것이 좋다. 지지 기판으로서 SUS판을 이용하는 경우, 선팽창 계수의 차는 20ppm 이하가 바람직하고, 10ppm 이하가 보다 바람직하다. 이 경우, 충전재를 70wt％ 이상, 바람직하게는 85wt％ 이상 배합시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 지지 기판과 기체의 잔류 응력을 제어(완화)할 수 있기 때문에, 개편화하기 전의 광 반도체의 집합체의 휨을 적게 할 수 있다. 휨을 적게 함으로써, 도전성 와이어의 절단 등 내부 손상을 저감하고, 또한, 개편화할 때의 위치 어긋남을 억제하여 수율 좋게 제조할 수 있다. 예를 들면, 기체의 선팽창 계수를 5∼25×10-6/K로 조정하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 7∼15×10-6/K로 조정하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기체 성형 후, 냉각 시에 생기는 휘어짐을 억제하기 쉽게 할 수 있어, 수율 좋게 제조할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 기체의 선팽창 계수란, 각종 충전제 등으로 조정된 차광성 수지로 이루어지는 기체의 글래스 전이 온도 이하에서의 선팽창 계수를 가리킨다. 이 온도 영역에서의 기체의 선팽창 계수가, 지지 기판의 선팽창 계수와 가까운 것이 바람직하다.
또한，다른 관점에서, 기체의 선팽창 계수는, 제1 및 제2 도전 부재의 선팽창 계수와의 차가 작아지도록 제어하는 것이 바람직하다. 도전 부재의 선팽창 계수에 대하여, 기체의 선팽창 계수는 0.5∼2배로 하는 것이 바람직하다. 또한, 기체의 선팽창 계수와 제1 및 제2 도전 부재의 선팽창 계수와의 차를, 바람직하게는 40％ 이하, 보다 바람직하게는 20％ 이하의 차로 하는 것이 좋다. 이에 의해, 개편화 후의 광 반도체 장치에서, 제1 및 제2 도전 부재와 기체가 박리되는 것을 억제하여, 신뢰성이 우수한 광 반도체 장치로 할 수 있다.
<제1 도전 부재(101, 101')/제2 도전 부재(102)>
제1 및 제2 도전 부재는, 광 반도체 소자에 통전시키기 위한 한 쌍의 전극으로서 기능시키는 것이다. 본 형태에서는, 제1 도전 부재(101, 101')는, 광 반도체 소자(발광 소자)와 도전 와이어 또는 범프 등을 이용하여 전기적으로 접속되는 것이며, 외부로부터 전력을 공급시키기 위한 전극으로서 기능한다. 또한, 제2 도전 부재(102)는, 발광 소자가 그 위에 직접 혹은 서브 마운트 등의 별도의 부재를 개재하여 간접적으로 재치되는 것이며, 지지체로서 기능한다. 제2 도전 부재는, 단순이 발광 소자가 재치되는 것만이며 통전에 기여하지 않아도 된다. 혹은, 제2 도전 부재는, 발광 소자나 보호 소자에의 통전에 기여하여도 된다(즉, 전극으로서 기능한다). 실시 형태 1에서는, 제2 도전 부재를, 도통에는 기여하지 않는 지지체로서 이용하고 있다.
본 형태에서, 제1 도전 부재, 제2 도전 부재 모두, 광 반도체 장치(발광 장치)의 하면에서 외표면을 형성하도록, 즉, 밀봉 부재 등으로 피복되지 않고 외부(하면)에 노출되도록 형성되어 있다. 제1 도전 부재, 제2 도전 부재 모두 상면에서 보았을 때의 형상, 크기 등에 대해서는, 발광 장치의 크기나 재치하는 발광 소자 등의 수나 크기 등에 따라서 임의로 선택할 수 있다. 또한, 막 두께에 대해서는, 제1 도전 부재와 제2 도전 부재는 대략 동일한 막 두께로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 25㎛ 이상 200㎛ 이하가 바람직하고, 또한 50㎛ 이상 100㎛ 이하가 보다 바람직하다. 이와 같은 두께를 갖는 도전 부재는, 도금 방법에 의해 형성되는 도금(도금층)인 것이 바람직하고, 특히, 적층된 도금(층)인 것이 바람직하다.
<제1 도전 부재(101, 101')>
본 형태에서 제1 도전 부재(101, 101')는, 도 1a에 도시한 바와 같이, 상면에서 보아 대략 사각형의 발광 장치(100)의 대향하는 2개의 변측에 각 1개씩 형성되어 있다. 제1 도전 부재(101)와 제1 도전 부재(101')는, 제2 도전 부재(102)를 사이에 끼우도록 형성되어 있다. 제1 도전 부재(101, 101')와 제2 도전 부재(102) 사이에는 기체(106)가 개재되어 있다. 여기서는 제2 도전 부재(102)는 통전에 기여하지 않고 발광 소자(103)의 지지체로서 이용되고 있기 때문에，2개의 제1 도전 부재(101, 101')에서 정부 한 쌍의 전극으로 되도록 기능시킨다.
제1 도전 부재(101, 101')는, 발광 소자(103)와 도전성 와이어(105, 105')를 통하여 전기적으로 접속되는 상면과, 발광 장치(100)의 외표면을 형성하는 하면을 갖는다. 즉, 제1 도전 부재(101, 101')는, 기체(106)로 피복되지 않고 외부에 노출되어 있도록 형성되어 있다.
제1 도전 부재(101, 101')의 상면은, 발광 소자(103)와 전기적으로 접속시키기 위한 도전 와이어(105, 105')가 접합되는 부분이며, 접합에 필요한 면적을 적어도 갖고 있으면 된다. 또한, 제1 도전 부재(101, 101')의 상면은 도 1b 등에 도시한 바와 같이 평탄한 평면으로 하여도 되고, 혹은, 미세한 요철이나, 홈, 구멍 등을 갖고 있어도 된다. 또한, 도전성 와이어를 이용하지 않고, 발광 소자의 전극과 제1 도전 부재를 직접 전기적으로 접속시키는 경우에는, 발광 소자의 전극이 접합가능한 영역을 갖는 크기로 되도록 제1 도전 부재를 형성한다.
제1 도전 부재(101, 101')의 하면은, 광 반도체 장치의 외표면을 형성하고 있어, 실질적으로 평탄한 면으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 미세한 요철 등이 형성되어 있어도 무방하다.
또한, 제1 도전 부재(101, 101') 모두, 그 측면은 평탄한 면이어도 된다. 그러나, 기체(106)와의 밀착성 등을 고려하면, 제1 도전 부재(101, 101')의 내측의 측면에 도 1a의 부분 확대도에 도시한 바와 같은 돌기부 X를 갖는 것이 바람직하다. 이 돌기부 X는, 제1 도전 부재(101, 101')의 하면으로부터 이격한 위치에 형성하는 것이 바람직하고, 이에 의해 제1 도전 부재(101, 101')가 기체(106)로부터 탈락하는 등의 문제가 생기기 어려워진다. 또한, 돌기부 대신에, 제1 도전 부재나 제2 도전 부재의 상면보다도 하면이 좁아지도록 제1 도전 부재나 제2 도전 부재의 측면을 경사시킴으로써, 그들이 탈락을 억제할 수 있다.
돌기부 X는, 제1 도전 부재(101, 101')의 주위 중, 발광 장치(100)의 외표면과 상이한 위치이면 임의의 위치에 형성할 수 있다. 예를 들면, 상면에서 보아 사각형의 도전 부재의 대향하는 2개의 측면에만 형성하는 등, 부분적으로 형성할 수 있다. 또한，보다 확실하게 탈락을 방지하기 위해서는, 외표면을 형성하는 면을 제외하고, 도전 부재의 주위 전체에 걸쳐 형성하는 것이 바람직하다.
<제2 도전 부재(102)>
본 형태에서 제2 도전 부재(102)는, 도 1b에 도시한 바와 같이, 발광 소자(103)가 재치되는 상면과, 발광 장치(100)의 외표면을 형성하는 하면을 갖고 있다. 또한, 본 형태에서는, 제2 도전 부재(102)는 전극으로서 기능시키고 있지 않다. 그 때문에, 도 1a에 도시한 바와 같이, 그 측면이 모두 기체(106)로 피복되도록, 즉, 발광 장치(100)의 측면으로부터 이격하도록 형성할 수 있다. 이에 의해, 절단에 의해 개편화한 발광 장치를 얻을 때에, 절단날이 제2 도전 부재(102)와 접촉하지 않도록 절단할 수 있기 때문에, 절단이 용이해진다. 또한, 제2 도전 부재(102)는, 그 일부가 발광 장치(100)의 외표면을 형성하도록, 즉, 발광 장치(100)의 측면에 도달하도록 형성하여도 된다(도시 생략). 제2 도전 부재(102)는, 발광 소자(103)가 탑재되어 있기 때문에, 면적을 크게 함으로써 방열성을 향상시킬 수 있다.
제2 도전 부재(102)의 상면은, 발광 소자(103)가 재치 가능한 면적 이상의 면적을 갖고 있으면 된다. 도 1a에 도시한 바와 같은 상면에서 보아 대략 사각형 외에, 다각형, 파형, 혹은 절결을 갖는 형상 등, 다양한 형상으로 할 수 있다. 또한, 발광 소자(103)를 재치시키는 영역은, 평탄한 면으로 하는 것이 바람직하다. 제2 도전 부재(102)의 상면에는, 발광 소자 외에, 보호 소자 등을 재치할 수도 있다.
제2 도전 부재(102)의 측면은, 평탄한 면이어도 되지만 기체(106)와의 밀착성 등을 고려하면, 제1 도전 부재와 마찬가지로, 도 1b에 도시한 바와 같은 돌기부 X를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 이 돌기부 X는, 제2 도전 부재(102)의 하면으로부터 이격한 위치에 형성하는 것이 바람직하고, 이에 의해 제2 도전 부재(102)가 기체(106)로부터 탈락하는 등의 문제가 생기기 어려워진다. 돌기부 X는, 제2 도전 부재(102)의 주위의 임의의 위치에 형성할 수 있다. 예를 들면, 상면에서 보아 삭각형의 제2 도전 부재(102)의 대향하는 2개의 측면에만 형성하는 등, 부분적으로 형성할 수 있다. 또한，보다 확실하게 탈락을 방지하기 위해서는, 제2 도전 부재(102)의 주위 전체에 걸쳐서 형성하는 것이 바람직하다.
제1 도전 부재(101, 101')와 제2 도전 부재(102)는, 동일한 재료를 이용하는 것이 바람직하고, 이에 의해 공정을 적게 할 수 있다. 단, 서로 다른 재료를 이용하여도 무방하다. 구체적인 재료로서는, 구리, 알루미늄, 금, 은, 텅스텐, 몰리브덴, 철, 니켈, 코발트 등의 금속 또는 이들의 합금(철-니켈 합금 등), 인청동, 철 함유 구리, Au-Sn 등의 공정 땜납, SnAgCu, SnAgCuIn 등의 땜납, ITO 등을 들 수 있다. 땜납 재료 중에서도, 땜납 입자가 일단 용융하여 응고하면 땜납에 의해 접합하는 금속과 땜납이 합금화되어 융점이 상승하여, 리플로우 실장 시 등의 추가의 열처리 시에 재용해되지 않는 조성으로 조정한 것이 바람직하다.
이들은 단체 또는 합금으로서 이용할 수 있다. 또한 적층(도금)하거나 하여, 복수층 형성할 수도 있다. 예를 들면, 반도체 소자로서 발광 소자를 이용하는 경우, 도전 부재의 최표면에는, 발광 소자로부터의 광을 반사 가능한 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 금, 은, 구리, Pt, Pd, Al, W, Mo, Ru, Rh 등이 바람직하다. 또한 최표면의 도전 부재는 고반사율, 고광택의 것이 바람직하다. 구체적으로는 가시 영역의 반사율은 70％ 이상인 것이 바람직하고, 그 때는 Ag, Ru, Rh, Pt, Pd 등이 적절하게 이용된다. 또한, 도전 부재의 표면 광택도 높은 쪽이 바람직하다. 바람직한 광택도는, 0.5 이상, 보다 바람직하게는 1.0 이상이다. 여기서 나타내어지는 광택도는 일본 전색 공업제 미소면 색차계 VSR 300A를 이용하여, 45°조사, 측정 영역이 Φ0.2㎜, 수직 수광에 의해 얻어지는 숫자이다. 또한, 도전 부재의 지지 기판측에는, 회로 기판 등에의 실장에 유리한 Au, Sn, Sn 합금, AuSn 등의 공정 땜납 도금 등의 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 도전 부재의 최표면(최상층)과 지지 기판측(최하층) 사이에, 중간층을 형성하여도 된다. 도전 부재나 발광 장치의 기계적 강도를 향상시키기 위해서는, 내식성이 높은 금속, 예를 들면 Ni를 중간층에 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 방열성을 향상시키기 위해서는, 열전도율이 높은 구리를 중간층에 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 목적이나 용도에 따라서, 알맞은 부재를 중간층에 이용하는 것이 바람직하다. 이 중간층에 대해서도, 상기의 금속 외에，Pt, Pd, Al, W, Ru, Pd 등을 이용할 수 있다. 중간층으로서, 최상층이나 최하층의 금속과 밀착성이 좋은 금속을 적층시켜도 된다. 중간층의 막 두께에 대해서는, 최상층이나 최하층보다도 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. 특히, 도전 부재의 전체의 막 두께의 80％∼99％의 범위의 비율로 형성하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 90％∼99％의 범위로 하는 것이 바람직하다.
특히, 금속으로 이루어지는 도금층의 경우, 그 조성에 따라서 선팽창 계수가 규정되기 때문에, 최하층이나 중간층은, 비교적 지지 기판과의 선팽창 계수가 가까운 것이 바람직하다. 예를 들면, 지지 기판으로서, 선팽창 계수가 10.4×10-6/K인 SUS430을 이용한 경우, 그 상의 도전 부재는 다음에 예로 드는 바와 같은 금속을 함유하는(주성분으로 하는) 적층 구조로 할 수 있다. 최하층측으로부터, 선팽창 계수 14.2×10-6/K인 Au(0.04∼0.1㎛), 제1 중간층으로서 선팽창 계수 12.8×10-6/K인 Ni(또는 선팽창 계수 16.8×10-6/K인 Cu)(25∼100㎛), 제2 중간층으로서 Au(0.01∼0.07㎛), 최상층으로서 선팽창 계수 119.7×10-6/K인 Ag(2∼6㎛) 등의 적층 구조가 바람직하다. 최상층의 Ag는 선팽창 계수가 다른 층의 금속과 크게 상이하지만, 발광 소자로부터의 광의 반사율을 우선하고 있기 때문에 Ag를 이용하고 있다. 최상층의 Ag를 매우 얇은 두께로 하고 있기 때문에, 휨에 대한 영향은 매우 미약하다. 따라서, 실용적으로 문제는 없는 정도이다.
<밀봉 부재(104)>
밀봉 부재(104)는, 발광 소자를 피복함과 함께, 제1 도전 부재(101, 101') 및 제2 도전 부재(102)와 접하도록 형성되는 것이다. 밀봉 부재는, 발광 소자, 수광 소자, 보호 소자, 도전성 와이어 등의 전자 부품을, 진개나 수분, 외력 등으로부터 보호하는 부재이다.
밀봉 부재(104)의 재료로서는, 발광 소자(103)로부터의 광을 투과 가능한 투광성을 갖고, 또한, 그들에 의해 열화되기 어려운 내광성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적인 재료로서는, 실리콘 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 아크릴 수지 조성물 등의, 발광 소자로부터의 광을 투과 가능한 투광성을 갖는 절연 수지 조성물을 들 수 있다. 또한, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레아 수지, 불소 수지 및 이들 수지를 적어도 1종 이상 함유하는 하이브리드 수지 등도 이용할 수 있다. 또한, 이들 유기물에 한정되지 않고, 글래스, 실리카졸 등의 무기물도 이용할 수 있다. 이와 같은 재료 외에, 소망에 따라서 착색제, 광 확산제, 광 반사재, 각종 필러, 파장 변환 부재(형광 부재) 등을 함유시킬 수도 있다. 밀봉 부재의 충전량은, 상기 전자 부품이 피복되는 양이면 된다.
밀봉 부재(104)의 외표면의 형상은, 배광 특성 등에 따라서 다양하게 선택할 수 있다. 예를 들면, 상면을 볼록형 렌즈 형상, 오목형 렌즈 형상, 프레넬 렌즈 형상 등으로 함으로써, 지향 특성을 조정할 수 있다. 또한, 밀봉 부재(104) 외에, 렌즈 부재를 형성하여도 된다. 또한, 형광체 함유 성형체(예를 들면 형광체 함유 판 형상 성형체, 형광체 함유 돔 형상 성형체 등)를 이용하는 경우에는, 밀봉 부재(104)로서 형광체 함유 성형체에의 밀착성이 우수한 재료를 선택하는 것이 바람직하다. 형광체 함유 성형체로서는, 수지 조성물 외에, 글래스 등의 무기물을 이용할 수 있다.
또한, 주로 발광 장치에 이용하는 밀봉 부재(104)를 설명하였지만, 수광 장치에 대해서도 거의 상기와 마찬가지이다. 수광 장치의 경우, 광의 입사 효율을 높이거나, 수광 장치 내부에서의 2차 반사를 피할 목적으로, 백색 혹은 흑색 등의 유색 필러를 밀봉 부재에 함유시켜도 된다. 또한, 적외선 발광 장치나 적외선 검지 장치에는 가시광의 영향을 피하기 위해 흑색의 유색 필러 함유의 밀봉 부재를 이용하는 것이 바람직하다.
<접합 부재>
접합 부재(도시 생략)는, 제1 도전 부재(101, 101')나 제2 도전 부재(102) 상에, 발광 소자, 수광 소자, 보호 소자 등을 재치하여 접속시키기 위한 부재이다. 재치하는 소자의 기판에 따라서 도전성 접합 부재 또는 절연성 접합 부재 중 어느 하나를 선택할 수 있다. 예를 들면, 절연성 기판인 사파이어 상에 질화물 반도체층을 적층시킨 반도체 발광 소자의 경우, 접합 부재는 절연성이어도 도전성이어도 된다. SiC 기판 등의 도전성 기판을 이용하는 경우에는, 도전성의 접합 부재를 이용함으로써 도통을 도모할 수 있다. 절연성의 접합 부재로서는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 그들의 변성 수지, 하이브리드 수지 등을 이용할 수 있다. 이들 수지를 이용하는 경우에는, 반도체 발광 소자로부터의 광이나 열에 의한 열화를 고려하여, 발광 소자 이면에 Al이나 Ag막 등의 반사율이 높은 금속층이나 유전체 반사막을 형성할 수 있다. 이 경우, 증착, 스퍼터, 박막을 접합시키는 등의 방법을 이용할 수 있다. 또한, 도전성의 접합 부재로서는, 은, 금, 팔라듐 등의 도전성 페이스트나, Au-Sn 공정 등의 땜납, 저융점 금속 등의 납재 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 접합 부재 중, 특히 투광성의 접합 부재를 이용하는 경우에는, 그 내에 반도체 발광 소자로부터의 광을 흡수하여 상이한 파장의 광을 발광하는 형광 부재를 함유시킬 수도 있다.
<도전성 와이어(105, 105')>
발광 소자(103)의 전극과, 제1 도전 부재(101, 101')나 제2 도전 부재(102)를 접속하는 도전성 와이어로서는, 금, 구리, 백금, 알루미늄 등의 금속 및 그들의 합금을 이용할 수 있다. 특히, 열저항 등이 우수한 금을 이용하는 것이 바람직하다.
<파장 변환 부재>
상기 밀봉 부재 내에, 파장 변환 부재로서 반도체 발광 소자로부터의 광의 적어도 일부를 흡수하여 상이한 파장을 갖는 광을 발하는 형광 부재를 함유시킬 수도 있다.
형광 부재로서는, 반도체 발광 소자로부터의 광을, 그것보다 장파장으로 변환시키는 것 쪽이 효율이 좋다. 그러나, 이에 한하지 않고, 반도체 발광 소자로부터의 광을, 단파장으로 변환시키는 것, 혹은, 다른 형광 부재에 의해 변환된 광을 다시 변환시키는 것 등, 다양한 형광 부재를 이용할 수 있다. 이와 같은 형광 부재는, 1종의 형광 물질 등을 단층으로 형성하여도 되고, 2종 이상의 형광 물질 등이 혼합된 단층을 형성하여도 되고, 1종의 형광 물질 등을 함유하는 단층을 2층 이상 적층시켜도 되고, 2종 이상의 형광 물질 등이 각각 혼합된 단층을 2층 이상 적층시켜도 된다.
발광 소자로서 질화물계 반도체를 발광층으로 하는 반도체 발광 소자를 이용하는 경우, 그 발광 소자로부터의 광을 흡수하여 상이한 파장의 광으로 파장 변환하는 형광 부재를 이용할 수 있다. 예를 들면, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 부활되는 질화물계 형광체나 산질화물계 형광체를 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는，(a) Eu 부활된α 혹은 β 사이어론형 형광체, 각종 알칼리토류금속 질화 실리케이트, 각종 알칼리토류금속 질화 알루미늄 규소(예 : CaSiAlN3 : Eu, SrAlSi4N7 : Eu 등), (b) Eu 등의 란타노이드계의 원소, Mn 등의 천이 금속계의 원소에 의해 주로 부활되는 알칼리토류금속 할로겐 아파타이트, 알칼리토류금속의 할로실리케이트, 알칼리토류금속실리케이트, 알칼리토류금속 붕산할로겐, 알칼리토류금속 알루민산염, 알칼리토류금속 황화물, 알칼리토류금속 티오갈레이트, 알칼리토류금속 질화규소, 게르마늄산염, 또는, (c) Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 부활되는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염, 알칼리토류금속 희토류 규산염 (d) Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 부활되는 유기 및 유기 착체 등으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것이 바람직하다. 바람직하게는, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 부활되는 희토류 알루민산염 형광체인 YAG계 형광체이다. YAG계 형광체는, Y3Al5O12:Ce, (Y0 .8Gd0 .2)3Al5O12:Ce, Y3(Al0 .8Ga0 .2)5O12:Ce, (Y, Gd)3(Al, Ga)5O12 등의 조성식으로 표현된다. 또한，Y의 일부 혹은 전부를 Tb, Lu 등으로 치환한 Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce 등도 있다. 또한, 상기 형광체 이외의 형광체로서, 마찬가지의 성능, 작용, 효과를 갖는 형광체도 사용할 수 있다.
또한, 형광체를 글래스, 수지 조성물 등 다른 성형체에 도포한 것도 이용할 수 있다. 또한, 형광체 함유 성형체도 이용할 수 있다. 구체적으로는, 형광체 함유 글래스나, YAG 소결체, YAG와 Al2O3, SiO2, B2O3 등의 소결체, 무기 융액 내에서 YAG를 석출시킨 결정화 무기 벌크체 등을 이용할 수 있다. 형광체를 에폭시, 실리콘, 하이브리드 수지 등으로 일체 성형한 것도 이용하여도 된다.
<반도체 소자(103)>
본 발명에서는, 반도체 소자(103)로서, 동일 면측에 정부 전극이 형성된 구조, 혹은 서로 다른 면에 정부 전극이 형성된 구조, 성장 기판과는 상이한 기판을 접합한 구조 등, 다양한 구조의 반도체 소자를 이용할 수 있다. 그들 구조를 갖는 반도체 발광 소자(간단히 발광 소자, 또는 발광 다이오드라고도 함)나 반도체 수광 소자(간단히 수광 소자)를 이용하는 것이 바람직하다.
반도체 발광 소자(103)는, 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다. 예를 들면, 청색, 녹색의 발광 소자에는, ZnSe나 질화물계 반도체(InXAlYGa1 -X- YN, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1), GaP를 이용할 수 있다. 또한, 적색의 발광 소자로서는, GaAlAs, AlInGaP 등을 이용할 수 있다. 또한，이 이외의 재료로 이루어지는 반도체 발광 소자를 이용할 수도 있다. 이용하는 발광 소자의 조성이나 발광색, 크기나, 개수 등은, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
형광 물질을 갖는 발광 장치로 하는 경우에는, 그 형광 물질을 효율적으로 여기할 수 있는 단파장을 발광 가능한 질화물 반도체(InXAlYGa1 -X- YN, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)가 바람직하다. 반도체층의 재료나 그 혼정도에 따라서 발광 파장을 다양하게 선택할 수 있다.
또한, 가시광 영역의 광 뿐만 아니라, 자외선이나 적외선을 출력하는 발광 소자를 이용할 수 있다. 또한, 발광 소자와 함께 혹은 단독으로, 수광 소자 등을 탑재할 수 있다.
수광 소자로서는, 포토 IC, 포토다이오드, 포토트랜지스터, CCD(전하 결합 소자) 이미지 센서, CMOS 이미지 센서, Cd 셀 등을 예로 들 수 있다.
<지지 기판>
지지 기판(도 1a, 도 1b에는 도시하지 않음)은, 제1 및 제2 도전 부재를 형성하기 위해서 이용하는 판 형상 또는 시트 형상 부재이다. 지지 기판은, 개편화하기 전에 제거하기 때문에, 광 반도체 장치에는 구비되지 않는다. 지지 기판으로서는, SUS판 등의 도전성을 갖는 금속판 외에, 폴리이미드 등 절연성판에 스퍼터법이나 증착법에 의해 도전막을 형성한 것을 이용할 수 있다. 혹은, 금속 박막 등을 접착 가능한 절연성의 판 형상 부재를 이용할 수도 있다. 어떻든 간에, 지지 기판은, 공정의 최종 단계에서 제거한다. 즉, 지지 기판은, 제1 및 제2 도전 부재(101, 101', 102)나 기체(106)부터 벗겨낼 필요가 있다. 이 때문에, 지지 기판으로서는, 절곡 가능한 부재를 이용할 필요가 있고, 재료에도 의하지만 막 두께 10㎛∼300㎛ 정도의 판 형상 부재를 이용하는 것이 바람직하다. 지지 기판으로서는, 상기의 SUS판 외에, 철, 구리, 은, 코발트, 니켈 등의 금속판이나, 금속 박막 등을 접착 가능한 폴리이미드로 이루어지는 수지 시트 등이 바람직하다. 특히, 알텐사이트계, 페라이트계, 오스테나이트계 등, 다양한 스테인레스를 이용하는 것이 바람직하다. 특히 바람직한 것은, 페라이트계의 스테인레스이다. 특히 바람직하게는, 400계, 300계의 스테인레스가 좋다. 보다 구체적으로는，SUS430(10.4×10-6/K), SUS444(10.6×10-6/K), SUS303(18.7×10-6/K), SUS304(17.3×10-6/K) 등이 바람직하게 이용된다. 400계의 스테인레스는, 도금의 전처리로서 산처리를 행하면，300계에 비해 표면이 거칠어지기 쉬워진다. 따라서, 산처리를 행한 400계의 스테인레스 상에 도금층을 형성하면, 그 도금층의 표면도 거칠어지기 쉬워진다. 이에 의해 밀봉 부재나 기체를 구성하는 수지와의 밀착성을 좋게 할 수 있다. 또한, 300계는 산처리에서는 표면이 거칠어지기 어렵다. 이 때문에 300계의 스테인레스를 이용하면, 도금층의 표면의 광택도를 향상시키기 쉽고, 이에 의해 발광 소자로부터의 반사율을 향상시켜 광 취출 효율이 높은 발광 장치로 할 수 있다.
또한, 제1, 제2 도전 부재의 표면 광택을 올리는 경우, 도금이나 증착, 스퍼터 등의 방법을 이용하여 형성한다. 보다 광택도를 올리기 위해서는, 지지 기판의 표면은 평활한 쪽이 바람직하다. 예를 들면, 지지 기판으로서 SUS를 이용하는 경우에는, 결정 입계가 비교적 작은 300번대의 SUS를 이용함으로써, 표면 광택이 높은 도전 부재의 최표면을 얻을 수 있다.
또한, 수지 성형 후의 휨을 완화하기 위해서 지지 기판에 슬릿, 홈, 파형 형상의 가공을 실시할 수도 있다.
<제조 방법 1-1>
이하, 본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 도 2a∼도 2h는 발광 장치의 집합체(1000)를 형성하는 공정을 설명하는 도면이다. 이 집합체(1000)를 절단하여 개편화함으로써, 실시 형태 1에서 설명한 발광 장치(100)를 얻을 수 있다.
1. 제1 공정
우선, 도 2a에 도시한 바와 같이, 금속판 등으로 이루어지는 지지 기판(1070)을 준비한다.
이 지지 기판의 표면에 보호막으로서 레지스트(1080)를 도포한다. 이 레지스트(1080)의 두께에 의해 후에 형성되는 제1 도전 부재나 제2 도전 부재의 두께를 조정할 수 있다. 또한, 여기서는, 지지 기판(1070)의 상면(제1 도전 부재 등을 형성하는 측의 면)에만 레지스트(1080)를 형성하고 있지만, 또한, 하면(반대측의 면)에 형성하여도 된다. 그 경우, 반대측의 면의 거의 전체면에 레지스트를 형성함으로써, 후술하는 도금에 의해 하면에 도전 부재가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 이용하는 보호막(레지스트)은 포토리소그래피에 의해 형성되는 레지스트의 경우, 포지티브형, 네가티브형 중 어느 것을 이용하여도 된다. 여기서는, 포지티브형의 레지스트를 이용하는 방법에 대하여 설명하지만, 포지티브형, 네가티브형을 조합하여 이용하여도 된다. 또한, 스크린 인쇄에 의해 형성시키는 레지스트나, 시트 형상의 레지스트를 접착하는 등의 방법도 이용할 수 있다.
도포한 레지스트를 건조시킨 후, 그 상부에 개구부를 갖는 마스크(1090)를 직접 또는 간접적으로 배치시키고, 도면 중의 화살표와 같이 자외선을 조사하여 노광한다. 여기서 이용하는 자외선은, 레지스트(1070)의 감도 등에 따라서 적합한 파장을 선택할 수 있다. 그 후, 에칭제로 처리함으로써 도 2b에 도시한 바와 같이 개구부 K를 갖는 레지스트(1080)가 형성된다. 여기서, 필요하면 산활성 처리 등을 행하여도 된다.
다음으로, 금속을 이용하여 도금함으로써, 도 2c에 도시한 바와 같이 레지스트(1080)의 개구부 Ｋ 내에 제1 도전 부재(1010)와 제2 도전 부재(1020)를 형성시킨다. 이 때, 도금 조건을 조정함으로써 레지스트(1080)의 막 두께보다도 두꺼워지도록 도금할 수 있다. 이에 의해 도전 부재를 레지스트(보호막)의 상면에까지 형성시켜, 도 1a에 도시한 바와 같은 돌기부 X를 형성시킬 수 있다. 도금 방법으로서는, 이용하는 금속에 의해, 또는 목적의 막 두께나 평탄도에 따라서 해당 분야에서 공지의 방법에 의해 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 전해 도금, 무전해 도금 등을 이용할 수 있다. 특히, 전해 도금을 이용하는 것이 바람직하고, 이에 의해 레지스트(보호막)를 제거하기 쉬워, 도전 부재를 균일한 형상으로 형성하기 쉬워진다. 또한, 최표층(예를 들면 Ag)과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 그 아래의 층에 스트라이크 도금에 의해 중간층(예를 들면 Au, Ag)을 형성시키는 것이 바람직하다.
도금 후, 보호막(1080)을 세정하여 제거함으로써, 도 2d에 도시한 바와 같이 서로 이격하는 제1 도전 부재(1010) 및 제2 도전 부재(1020)가 형성된다. 또한 이 돌기부 X는, 상기한 바와 같은 도금 이외에, 압쇄 가공, 금속 페이스트 인쇄 후의 소부 공법 등으로도 형성할 수 있다.
2. 제2 공정
다음으로, 도 2e에 도시한 바와 같이, 제1 도전 부재(1010)와 제2 도전 부재(1020) 사이에, 발광 소자로부터의 광을 반사 가능한 기체(1060)를 형성한다. 기체는, 사출 성형, 트랜스퍼 몰드, 압축 성형 등의 방법에 의해 형성할 수 있다.
예를 들면 트랜스퍼 몰드에 의해 기체(1060)를 형성하는 경우, 제1 및 제2 도전 부재를 복수 형성한 지지 기판을, 상형 및 하형으로 이루어지는 금형 내에 끼워 넣도록 세트한다. 이 때, 이형 시트 등을 개재하여 금형 내에 세트하여도 된다. 금형 내에는 기체의 원료인 수지 펠릿이 삽입되어 있고, 지지 기판과 수지 펠릿을 가열한다. 수지 펠릿 용융 후, 가압하여 금형 내에 충전한다. 가열 온도나 가열 시간, 또는 압력 등은, 이용하는 수지의 조성 등에 따라서 적절히 조정할 수 있다. 경화 후 금형으로부터 취출하여, 도 2e에 도시한 성형품을 얻을 수 있다.
3. 제3 공정
다음으로, 도 2f에 도시한 바와 같이, 제2 도전 부재(1020) 상에 발광 소자(1030)를 접합 부재(도시 생략)를 이용하여 접합하고, 도전성 와이어(1050)를 이용하여 제1 도전 부재(1010)에 접속한다. 또한, 여기서는, 동일 면측에 정부 전극을 갖는 발광 소자를 이용하고 있지만, 정부 전극이 서로 다른 면에 형성되어 있는 발광 소자를 이용할 수도 있다.
4. 제4 공정
그 후, 발광 소자(1030), 도전성 와이어(1050)를 피복하도록 밀봉 부재(1040)를 트랜스퍼 몰드, 포팅, 인쇄 등의 방법에 의해 형성한다. 또한, 여기서는 밀봉 부재는 1층 구조로 하고 있지만, 조성이나 특성이 서로 다른 2층 이상의 다층 구조로 하여도 된다.
밀봉 부재(1040)를 경화한 후에, 도 2g에 도시한 바와 같이 지지 기판(1070)을 벗겨내어, 제거한다.
5. 제5 공정
이상과 같은 공정을 거쳐, 도 2h에 도시한 바와 같은 반도체 장치(발광 장치)의 집합체(1000)를 얻을 수 있다. 마지막으로 도 2h 중의 파선으로 나타내는 위치에서 절단하여 개편화함으로써, 예를 들면 도 1a에 도시한 바와 같은, 발광 장치(100)를 얻을 수 있다. 개편화의 방법으로서는, 블레이드에 의한 다이싱, 레이저광에 의한 다이싱 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.
또한, 도 2h에서는, 도전 부재를 포함하는 위치에서 절단하고 있지만, 이에 한하지 않고, 도전 부재로부터 이격하는 위치에서 절단하여도 된다. 도전 부재를 포함하는 위치에서 절단하면, 광 반도체 장치의 측면에도 도전 부재가 노출되어 있게 되어, 땜납 등이 접합하기 쉬워진다. 또한, 도전 부재로부터 이격하는 위치에서 절단하는 경우, 절단되는 것이 기체나 밀봉 부재 등 수지만으로 되기 때문에, 도전 부재(금속)와 수지를 아울러 절단하는 데에 비해 용이하게 절단할 수 있다.
<제조 방법 1-2>
제조 방법 1-2에서는, 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재를 에칭에 의해 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
폴리이미드 등의 절연성 부재로 이루어지는 판 형상의 지지 기판에, 동박 등의 도전성 부재의 박막을 접착한다. 또한 이 도전성 부재 상에, 시트 형상의 보호막(드라이 레지스트 시트 등)을 접착하고, 개구부를 갖는 마스크를 이용하여 노광하고, 약알칼리 용액 등의 세정액을 이용하여 노광된 부분의 보호막을 제거한다. 이에 의해, 개구부를 갖는 보호막이 도전성 부재 상에 형성된다.
다음으로, 도전성 부재를 에칭 가능한 에칭액에 지지 기판마다 침적하여 도전 부재를 에칭한다. 마지막으로 보호막을 제거함으로써, 지지 기판 상에 서로 이격하는 제1 및 제2 도전 부재가 형성된다.
<실시 형태 2>
실시 형태 2에 따른 광 반도체 장치(발광 장치)(200)를, 도 3a, 도 3b에 도시한다. 도 3a는 본 발명에 따른 발광 장치(200)의 내부를 도시하는 사시도이고, 도 3b는 도 3a에 따른 발광 장치(200)의 오목부를 밀봉한 상태의 B-B' 단면에서의 단면도이다.
실시 형태 2에서는, 발광 장치(200)는, (a) 발광 소자(203) 및 보호 소자(210)와, (b) 발광 소자(203) 및 보호 소자(210)와 전기적으로 접속되는 제1 도전 부재(201)와, (c) 제1 도전 부재(201)로부터 이격하고, 발광 소자(203)가 재치되는 제2 도전 부재(202)와, (d) 발광 소자(203)를 피복함과 함께 제1 도전 부재(201) 및 제2 도전 부재(202)와 접하는 밀봉 부재(204)를 갖고 있다. 제1 도전 부재(201) 및 제2 도전 부재(202)는, 각각 하면이 발광 장치(200)의 외표면을 형성하고 있다. 또한, 제1 도전 부재(201)와 제2 도전 부재(202)의 측면의 일부도 발광 장치(200)의 외표면을 형성하고 있다. 그리고, 제1 도전 부재(201)와 제2 도전 부재(202) 사이에, 발광 소자(203)로부터의 광을 차광 가능한 수지로 이루어지는 기체(206)가 형성되어 있다. 그 기체(206)는, 제1 도전 부재(201)와 제2 도전 부재(202) 사이에 형성된 저면부(206a)와, 발광 소자(203)로부터 이격하는 위치에서, 제1 도전 부재(201) 및 제2 도전 부재(202)의 상면보다도 높은 돌출부(206b)를 갖는다. 이에 의해, 기체(206)의 돌출부(206b)에 의해 발광 장치(200)에 오목부 S1이 형성된다. 오목부 S1에 의해, 발광 장치(200)의 측면측에 광이 방출되는 것을 억제하여, 상면 방향을 향하여 광을 방출할 수 있다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 돌출부(206b)는, 상면을 향하여 넓어지는 오목부 S1로 되도록, 내면을 경사면으로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해 광을 발광 장치의 상면 방향으로 반사하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 실시 형태 2에서 이용하는 부재 등에 대해서는, 실시 형태 1과 마찬가지의 것을 이용할 수 있다.
<제조 방법 2>
이하, 본 발명의 발광 장치(200)의 제조 방법에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 도 4a∼도 4d는 발광 장치의 집합체(2000)를 형성하는 공정을 설명하는 도면이고, 이 집합체(2000)를 절단함으로써, 실시 형태 2에서 설명한 발광 장치(200)를 얻을 수 있다.
1. 제1 공정
제조 방법 2에서는, 제1 공정에 대해서는, 제조 방법 1-1, 1-2와 마찬가지로 행할 수 있다.
2. 제2 공정
제2 공정에서는, 도 4a에 도시한 바와 같이, 제2 공정에서 기체의 저면부(2060a)를 형성할 때에, 동시에 돌출부(2060b)를 형성하고 있다. 또한, 여기서는 동시에 형성하고 있지만, 먼저 저면부(2060a)를 형성하고, 계속해서 돌출부(2060b)를 형성하여도 되고, 혹은, 먼저 돌출부(2060b)를 형성한 후에 저면부(2060a)를 형성하여도 된다. 양자는 동일한 차광성 수지를 이용하는 것이 바람직하지만, 목적이나 용도에 따라서, 서로 다른 차광성 수지를 이용하여도 무방하다.
돌출부(2060b)의 형성 방법은, 기체의 저면부(2060a)와 마찬가지로, 금형을 이용한 트랜스퍼 몰드 등에 의해 형성할 수 있다. 이 때, 금형으로서 요철을 갖는 상형을 이용함으로써, 도 4a에 도시한 바와 같은 돌출부(2060b)를 형성할 수 있다.
3. 제3 공정
제3 공정에서는, 도 4b에 도시한 바와 같이, 돌출부(2060b)에 둘러싸여진 영역의 제1 도전 부재(2010) 상에 발광 소자(2030)를 재치시킨다. 도전성 와이어(2050)는, 동일한 돌출부(2060b)로 둘러싸여진 영역의 제1 및 제2 도전 부재(2010)의 상면에 접속시킨다.
4. 제4 공정
제4 공정에서는, 도 4c에 도시한 바와 같이, 돌출부(2060b)에 둘러싸여져 형성되는 오목부에 투광성 수지로 이루어지는 밀봉 부재를 충전한다. 이에 의해, 발광 소자를 밀봉 부재로 피복한다. 여기서는, 밀봉 부재(2040)는, 돌출부(2060b)와 대략 동일 높이로 되도록 형성되어 있지만, 이에 한하지 않고, 돌출부보다도 낮게또는 높아지도록 형성하여도 된다. 또한, 이와 같이 상면이 평탄한 면으로 하여도 되고, 혹은, 중앙이 움푹 패인, 또는 돌출된 곡면 형상으로 형성하여도 된다.
5. 제5 공정
제5 공정에서는, 도 4d에 도시한 파선부, 즉, 돌출부(2060b)를 절단하는 위치에서 절단함으로써 개편화하여, 도 3a에 도시한 바와 같은 광 반도체 장치(200)로 한다. 여기서는, 돌출부(2060b)를 절단하여, 밀봉 부재(2040)가 절단되지 않는 위치로 하고 있음으로써, 광의 취출 방향을, 광 반도체 장치(발광 장치)(200)의 상방향만으로 한정할 수 있다. 이에 의해, 상방향으로의 광의 취출이 효율적으로 행하여진다. 또한, 여기서는, 돌출부(2060)를 절단하도록 하고 있지만, 밀봉 부재(2040)를 절단하도록 하는 위치에서 절단하여도 된다.
<실시 형태 3>
도 5는 본 발명의 광 반도체 장치를 도시하는 사시도로서, 기체(306)의 내부를 알 수 있도록 일부를 절결한 도면이다. 실시 형태 3에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 기체의 돌출부(306)에 둘러싸여진 오목부 S2 내에 발광 소자(303)가 재치됨과 함께, 보호 소자(310)가 기체의 돌출부(306)에 매설되어 있는 것을 특징으로 한다. 도 5는 도 3a에 도시한 바와 같은 대략 직방체의 광 반도체 장치의 기체(306)의 일부의 내부가 보이도록 한 도면이다.
제2 공정에서, 기체를 형성하기 전에, 제2 도전 부재(302) 상에 보호 소자(310)를 재치하고, 또한 도전성 와이어(305)를 이용하여 제1 도전 부재(301)와 접합하여 둔다. 이에 의해, 보호 소자(310)가 기체(306) 내에 매설되는 구조로 할 수 있다. 　실시 형태 1에서는, 제2 공정에서 기체를 형성한 후에, 제3 공정에서 발광 소자와 보호 소자를 재치하고 있었다. 본 실시 형태에서는, 서로 다른 공정에서 발광 소자와 보호 소자를 형성한다. 본 실시 형태와 같이, 기체 내에 매설하는 바와 같이 보호 소자를 형성함으로써, 광 반도체 장치 자체를 더욱 소형화할 수 있다.
<실시 형태 4>
도 6a는 본 발명의 광 반도체 장치를 도시하는 사시도이고, 도 6b는 도 6a의 C-C' 단면에서의 단면도이다. 실시 형태 4에서는, 도 6a, 도 6b에 도시한 바와 같이, 기체(406)가, 광 반도체 소자(403)의 측면에까지 도달하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 여기서는, 제1 도전 부재나 제2 도전 부재의 상면보다 돌출되는 돌출부가, 기체(406)의 전체에 걸쳐 형성되어 있다. 이와 같은 구성은, 제3 공정, 즉, 제1 및/또는 제2 도전 부재 상에 광 반도체 소자를 재치시키는 공정을, 제2 공정, 즉, 제1 및 제2 도전 부재 사이에 광 차광성 수지로 이루어지는 기체를 형성하는 공정 전에 행함으로써 얻을 수 있다. 도 6a, 도 6b에 도시한 바와 같이, 광 반도체 소자(발광 소자)(403)와 대략 동일한 높이로 되도록 기체(406)를 형성하고 있기 때문에, 발광 소자의 상면만으로부터 광이 방출된다. 이에 의해，보다 효율적으로 광을 취출할 수 있다.
또한, 여기서는, 발광 소자(403)와 대략 동일한 높이로 될 때까지 기체(돌출부)(406)를 형성하고 있지만, 이에 한하지 않고, 발광 소자(403)보다도 낮은 높이로 하여도 된다. 이와 같은 기체(406)를 형성하는 경우, 밀봉 부재(404)는 적하, 인쇄 등에 의해 발광 소자(403)나 기체(406) 상에서 경화시킬 수 있다. 또한，별도의 공정에서 형성하여 경화된 밀봉 부재(404)를 기체(406)와 발광 소자(403)에 접착시키는 등의 방법을 채용할 수도 있다. 예를 들면, Al2O3 분말과 YAG 형광체 분말을 압축 성형 등에 의해 평판 형상으로 성형한 것을 밀봉 부재(404)로 하여, 접착제를 이용하여 발광 소자나 기체 상에 접착할 수 있다.
또한, 실시 형태 4에서는, 도전성 와이어를 이용하지 않고, 발광 소자(403)의 정부 전극을 도전성의 접합 부재를 이용하여 직접 제1 및 제2 도전 부재에 접합시키고 있다. 기체(406)의 형성 전에 광 반도체 소자(403)를 재치하는 경우에는, 이와 같은 와이어를 사용하지 않는 재치 방법으로 함으로써, 금형에 의한 와이어의 변형 등을 방지할 수 있다.
<실시 형태 5>
도 7a는 본 발명의 광 반도체 장치를 도시하는 단면도이고, 도 7b는 도 7a의 부분 확대도이다. 실시 형태 5에서의 광 반도체 장치는, 도 3a에 도시한 광 반도체 장치와 마찬가지의 외관을 갖고 있고, 발광 소자(503)의 주위에 돌출부(506b)를 측벽으로 하는 오목부가 형성되어 있다. 그 오목부 내에서, 오목부의 측벽으로 되는 돌출부(506b)보다도 높이가 낮은 저면부(506a)가 형성되어 있다. 한편, 본 실시 형태의 광 반도체 장치는, 제1 도전 부재(501)와 제2 도전 부재(502) 사이에 형성되어 있는 기체(506)의 저면부(506a)가, 제1 도전 부재(501) 및 제2 도전 부재(502)의 상면보다도 높은 점이 도 3a의 광 반도체 장치와 상이하다. 또한, 이 저면부(506a)에는, 도 7b에 도시한 바와 같이, 제1 도전 부재(501), 제2 도전 부재(502)의 상면의 일부를 피복하도록 돌기부 Y가 형성되어 있다. 이와 같이 함으로써, 제조 공정 내에서 지지 기판을 제거할 때에, 기체(506)의 저면부(506a)가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 발광 소자(503)에 가까운 위치에 있는 기체(506)의 저면부(506a)를 두껍게 할 수 있기 때문에, 발광 소자(503)로부터의 광이 저면측에 누출되는 것을 억제할 수 있어, 보다 효율적으로 광을 반사시킬 수 있다. 이와 같은 제1 도전 부재와 제2 도전 부재 사이에 형성되는 기체(506)가 갖는 저면부(506a)는, 돌기부 Y를 포함시켜, 도전 와이어(505)가 접촉하지 않을 정도의 높이로 해 두는 것이 바람직하다. 또한, 제1 도전 부재(501), 제2 도전 부재(502)의 양방의 도전 부재의 상면의 일부를 덮도록 돌기부 Y를 형성하는 것이 바람직하지만, 어느 한쪽만을 덮도록 형성하여도 무방하다. 또한, 그 피복하는 영역의 크기, 폭, 위치 등에 대해서도, 소망에 따라서 형성할 수 있다. 또한, 이와 같은 제1 도전 부재(501)와 제2 도전 부재(502) 사이에 기체의 저면부(506a)를 형성하는 대신에, 별도의 부재, 예를 들면 Si로 이루어지는 서브 마운트 등을 제1 도전 부재로부터 제2 도전 부재를 걸치도록 재치하고, 그 위에 발광 소자를 재치하여도 된다. 이에 의해, 발광 소자로부터의 광이 저면측에 누출되는 것을 억제할 수 있어，보다 효율적으로 광을 반사시킬 수 있다.
본 발명에 따른 광 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 소형 경량이며, 또한, 광 취출 효율이나 콘트라스트가 우수한 광 반도체 장치를 용이하게 얻을 수 있다. 이들 광 반도체 장치는, (a) 각종 표시 장치, (b) 조명 기구, (c) 디스플레이, (d) 액정 디스플레이의 백라이트 광원, 나아가서는, (e) 디지털 비디오 카메라, 팩시밀리, 카피기, 스캐너 등에서의 화상 판독 장치, (f) 프로젝터 장치 등에도 이용할 수 있다.
100, 200, 300, 400, 500 : 광 반도체 장치(발광 장치)
101, 101', 201, 301, 401, 501 : 제1 도전 부재
102, 202, 302, 402, 502 : 제2 도전 부재
103, 203, 303, 403, 503 : 광 반도체 소자(발광 소자)
104, 204, 304, 404, 504 : 밀봉 부재
105, 105', 205, 205', 305, 405, 505 : 도전 와이어
106, 206, 306, 406, 506 : 기체
206a : 기체의 저면부
206b : 기체의 돌출부
210, 310 : 보호 소자
1000, 2000 : 광 반도체 장치의 집합체
1010, 2010 : 제1 도전 부재
1020, 2010 : 제2 도전 부재
1030, 2030 : 광 반도체 소자(발광 소자)
1040, 2040 : 밀봉 부재
1050, 2050 : 도전성 와이어
1060, 2060 : 기체
2060a : 기체의 저부
2060b : 기체의 돌출부
1070, 2070 : 지지 기판
1080 : 보호막(레지스트)
1090 : 마스크
X, Y : 돌기부
S1, S2 : 오목부

Claims (21)

  1. 정부 전극을 하면에 갖는 광 반도체 소자와,
    상면에 상기 광 반도체 소자의 상기 정부 전극중 한쪽이 도전성 와이어를 이용하지 않고 접속되며 하면이 광 반도체 장치의 외표면을 형성하는 제1 도전 부재와,
    상기 제1 도전 부재로부터 이격되고, 상면에 상기 광 반도체 소자의 상기 정부 전극중 다른 쪽이 도전성 와이어를 이용하지 않고 접속되며 하면이 광 반도체 장치의 외표면을 형성하는 제2 도전 부재와,
    상기 광 반도체 소자의 주위를 둘러싸고, 상기 광 반도체 소자의 각 측면에서 상기 광 반도체 소자의 적어도 일부에 접하도록 형성된 차광성 수지를 포함하는 기체와,
    상기 기체의 상면에 형성된, 형광체를 포함하는 평판 형상의 밀봉 부재
    를 포함하고,
    상기 기체가 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이에 형성되며, 광 반도체 장치의 외표면을 형성하는, 광 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는, 상기 광 반도체 장치의 전면을 덮는 광 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는, 접착제에 의해 상기 광 반도체 소자에 고정되어 있는 광 반도체 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기체의 선팽창 계수는, 상기 제1 및 제2 도전 부재의 선팽창 계수와의 차가 40％ 이하인 광 반도체 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기체의 선팽창 계수는, 5∼25×10-6/K인 광 반도체 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기체는, 열경화성 수지를 포함하는 광 반도체 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기체는, 트리아진 유도체 에폭시 수지를 함유하는 열경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 광 반도체 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기체는, 실리콘 레진을 함유하는 열경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 광 반도체 장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
KR1020160060677A 2008-09-09 2016-05-18 광 반도체 장치 및 그 제조 방법 Active KR101718284B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-231569 2008-09-09
JP2008231569 2008-09-09
JP2009057258 2009-03-11
JPJP-P-2009-057258 2009-03-11
JPJP-P-2009-179812 2009-07-31
JP2009179812A JP5440010B2 (ja) 2008-09-09 2009-07-31 光半導体装置及びその製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090084346A Division KR101624744B1 (ko) 2008-09-09 2009-09-08 광 반도체 장치 및 그 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170030489A Division KR101845194B1 (ko) 2008-09-09 2017-03-10 광 반도체 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160061940A KR20160061940A (ko) 2016-06-01
KR101718284B1 true KR101718284B1 (ko) 2017-03-20

Family

ID=41316370

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090084346A Active KR101624744B1 (ko) 2008-09-09 2009-09-08 광 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR1020160060677A Active KR101718284B1 (ko) 2008-09-09 2016-05-18 광 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR1020170030489A Active KR101845194B1 (ko) 2008-09-09 2017-03-10 광 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR1020180035725A Active KR101966243B1 (ko) 2008-09-09 2018-03-28 광 반도체 장치
KR1020190037750A Active KR102117909B1 (ko) 2008-09-09 2019-04-01 발광 장치
KR1020200063447A Active KR102205837B1 (ko) 2008-09-09 2020-05-27 발광 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090084346A Active KR101624744B1 (ko) 2008-09-09 2009-09-08 광 반도체 장치 및 그 제조 방법

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170030489A Active KR101845194B1 (ko) 2008-09-09 2017-03-10 광 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR1020180035725A Active KR101966243B1 (ko) 2008-09-09 2018-03-28 광 반도체 장치
KR1020190037750A Active KR102117909B1 (ko) 2008-09-09 2019-04-01 발광 장치
KR1020200063447A Active KR102205837B1 (ko) 2008-09-09 2020-05-27 발광 장치

Country Status (6)

Country Link
US (7) US8377725B2 (ko)
EP (2) EP2161765B1 (ko)
JP (1) JP5440010B2 (ko)
KR (6) KR101624744B1 (ko)
CN (2) CN101673796B (ko)
TW (4) TWI487137B (ko)

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP2010153861A (ja) * 2008-12-15 2010-07-08 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードパッケージ構造
JP2011060819A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
USD622682S1 (en) * 2009-11-09 2010-08-31 Alti-Semiconductor Co., Ltd Light emitting diode
USD619110S1 (en) * 2009-11-20 2010-07-06 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. LED package
USD624885S1 (en) * 2010-01-27 2010-10-05 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. LED package structure
CN201708151U (zh) * 2010-01-29 2011-01-12 旭丽电子(广州)有限公司 晶片式发光二极管封装结构
KR20170091167A (ko) 2010-02-09 2017-08-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
JP5432045B2 (ja) * 2010-04-13 2014-03-05 シチズン電子株式会社 半導体発光装置の製造方法
DE102010027747A1 (de) * 2010-04-14 2011-10-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und Photovoltaikmodul
DE102010025319B4 (de) 2010-06-28 2022-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements und oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente
JPWO2012002580A1 (ja) * 2010-07-01 2013-09-02 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ光源装置及びその製造方法
CN102332522A (zh) * 2010-07-15 2012-01-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及封装方法
USD660813S1 (en) * 2010-08-26 2012-05-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
TWI487145B (zh) * 2010-09-17 2015-06-01 Everlight Electronics Co Ltd 用於一微型投影系統之發光二極體裝置
CN102412359B (zh) * 2010-09-21 2018-12-07 亿光电子(中国)有限公司 用于一微型投影系统的发光二极管装置
DE102010052541A1 (de) * 2010-11-25 2012-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102010054068A1 (de) * 2010-12-10 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Bauelement
US8907364B2 (en) 2011-01-17 2014-12-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED package comprising encapsulation
JP2012175030A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
CN102760817B (zh) * 2011-04-27 2015-04-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US8921875B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
US20120305956A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Led phosphor patterning
CN102881779A (zh) * 2011-07-15 2013-01-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
USD676003S1 (en) * 2011-08-29 2013-02-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
JP2013074076A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE102011056700A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102011056708A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2013118076A1 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Low cost encapsulated light-emitting device
KR20130098048A (ko) * 2012-02-27 2013-09-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN103311378A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构的制造方法
CN103311381A (zh) 2012-03-13 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
US9034672B2 (en) * 2012-06-19 2015-05-19 Epistar Corporation Method for manufacturing light-emitting devices
US20140001949A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered led, producing method thereof, and led device
USD737499S1 (en) * 2012-07-13 2015-08-25 Asahi Rubber Inc. Lens for light-emitting diode
CN104428880A (zh) * 2012-07-17 2015-03-18 日东电工株式会社 覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法
JP5941787B2 (ja) * 2012-08-09 2016-06-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法
DE102012109905B4 (de) * 2012-10-17 2021-11-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
KR101403640B1 (ko) * 2012-11-20 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 봉지하는 방법
US9773719B2 (en) * 2012-11-26 2017-09-26 Infineon Technologies Dresden Gmbh Semiconductor packages and methods of fabrication thereof
USD728491S1 (en) * 2012-12-12 2015-05-05 Nichia Corporation Light emitting diode
USD731987S1 (en) * 2012-12-28 2015-06-16 Nichia Corporation Light emitting diode
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
TWI475658B (zh) * 2013-01-18 2015-03-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd 發光二極體的支架及其製法
DE102013100711B4 (de) * 2013-01-24 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente
DE102013202542A1 (de) 2013-02-18 2014-09-18 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat zur Herstellung einer LED und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013202551A1 (de) 2013-02-18 2014-08-21 Heraeus Materials Technologies GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Kavität
DE102013206225A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN105393373B (zh) * 2013-05-15 2020-10-16 亮锐控股有限公司 具有光学元件和反射体的发光器件
US10109612B2 (en) 2013-12-13 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Tools and systems for processing semiconductor devices, and methods of processing semiconductor devices
CN103855284B (zh) * 2014-01-26 2017-05-10 上海瑞丰光电子有限公司 一种led晶片封装方法
CN103855279A (zh) * 2014-01-26 2014-06-11 上海瑞丰光电子有限公司 一种led封装方法
TWD166329S (zh) * 2014-06-06 2015-03-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體晶片之部分
DE102014112818A1 (de) 2014-09-05 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP6432343B2 (ja) 2014-12-26 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
USD763206S1 (en) * 2015-01-29 2016-08-09 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode package
USD761215S1 (en) * 2015-05-06 2016-07-12 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package for light-emitting diode
USD756942S1 (en) * 2015-05-06 2016-05-24 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light-emitting diode package
US10415795B2 (en) * 2015-05-15 2019-09-17 Nichia Corporation Method of manufacturing light distribution member with shielded individual transmissive pieces and light-shielding frame, method of manufacturing light emitting device having light distribution member, light distribution member, and light emitting device
DE102015108700B4 (de) 2015-06-02 2025-01-09 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiter-Leistungs-Package und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2017027991A (ja) * 2015-07-16 2017-02-02 大日本印刷株式会社 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型
USD768095S1 (en) * 2015-10-08 2016-10-04 Xiameng Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light-emitting diode package
JP6564329B2 (ja) * 2016-01-21 2019-08-21 浜松ホトニクス株式会社 受光モジュールおよび受光モジュールの製造方法
JP6176359B2 (ja) * 2016-05-10 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び照明装置
US10378736B2 (en) * 2016-11-03 2019-08-13 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd. LED bracket, LED bracket array, LED device and LED display screen
US10971663B2 (en) * 2016-11-08 2021-04-06 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
EP3559052A1 (en) * 2016-12-22 2019-10-30 Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. Vinylidene fluoride polymer
WO2018149511A1 (en) * 2017-02-20 2018-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a carrier for an optoelectronic component, and carrier for an optoelectronic component
DE102017105017A1 (de) 2017-03-09 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung von strahlungsemittierenden bauelementen
TWI631734B (zh) * 2017-04-20 2018-08-01 蔡凱雄 發光二極體裝置及其封裝方法
KR102393035B1 (ko) * 2017-09-01 2022-05-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
CN107645579B (zh) * 2017-09-20 2020-09-15 东莞市鸿茂五金制品有限公司 一种sus444的制备工艺及其在手机支架上的应用
JP7048879B2 (ja) * 2017-10-12 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10553517B2 (en) * 2018-01-18 2020-02-04 Semiconductor Components Industries, Llc High power module semiconductor package with multiple submodules
JP6879262B2 (ja) * 2018-05-08 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6729648B2 (ja) * 2018-08-27 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN115663090A (zh) 2018-09-04 2023-01-31 厦门市三安光电科技有限公司 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法
US11165006B2 (en) 2018-09-26 2021-11-02 Nichia Corporation Light emitting device including external connection electrodes, and method thereof
JP2020167366A (ja) * 2019-02-26 2020-10-08 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US11681090B2 (en) 2019-05-30 2023-06-20 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing same
JP7037078B2 (ja) * 2019-07-04 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082847A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Matsushita Electronics Industry Corp 光電変換素子及びその製造方法
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP2000150969A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
TW521408B (en) * 1999-12-29 2003-02-21 Advanced Semiconductor Eng Low-pin-count semiconductor chip package structure and its manufacturing method
TW445600B (en) * 2000-01-13 2001-07-11 Advanced Semiconductor Eng Low-pin-count chip package and its manufacturing method
TW525277B (en) * 2000-11-22 2003-03-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Base-free semiconductor encapsulation and method for producing the same
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
JP2002335020A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2004172160A (ja) 2002-11-15 2004-06-17 Denso Corp 発光素子
US7449367B2 (en) * 2003-02-19 2008-11-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive film for semiconductor, metal sheet with such adhesive film, wiring substrate with adhesive film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US7108386B2 (en) * 2003-05-12 2006-09-19 Illumitech Inc. High-brightness LED-phosphor coupling
US20050009242A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-13 Jung-Chien Chang Packaging method for thin integrated circuits
JP2005079329A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2005140207A (ja) 2003-11-05 2005-06-02 Toyota Industries Corp プロペラシャフト
JP4516337B2 (ja) 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US20080186714A1 (en) 2004-03-25 2008-08-07 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5060707B2 (ja) * 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4686248B2 (ja) 2005-04-28 2011-05-25 スタンレー電気株式会社 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法
JP4686276B2 (ja) 2005-07-05 2011-05-25 東日本旅客鉄道株式会社 車輌の軸梁脱着装置。
CN101268559B (zh) 2005-08-04 2010-11-17 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法以及成形体及密封构件
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2007157940A (ja) 2005-12-02 2007-06-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
TWI284433B (en) 2006-02-23 2007-07-21 Novalite Optronics Corp Light emitting diode package and fabricating method thereof
US20100084683A1 (en) 2006-02-23 2010-04-08 Novalite Optronics Corp. Light emitting diode package and fabricating method thereof
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2007135707A1 (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
KR20090013230A (ko) * 2006-06-02 2009-02-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
WO2007144809A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lighting device
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
WO2008081794A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-10 Nichia Corporation 発光装置およびその製造方法
DE102007001706A1 (de) * 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
JP2008192769A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Sharp Corp 樹脂封止型半導体受光素子、樹脂封止型半導体受光素子の製造方法、及び樹脂封止型半導体受光素子を用いた電子機器
CN101017870A (zh) * 2007-02-05 2007-08-15 罗维鸿 白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其制作方法
JP5470680B2 (ja) * 2007-02-06 2014-04-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに成形体
JP2008251618A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
TWI348229B (en) * 2007-07-19 2011-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Packaging structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
US8080436B2 (en) * 2009-07-30 2011-12-20 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US9287472B2 (en) * 2013-06-27 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082847A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Matsushita Electronics Industry Corp 光電変換素子及びその製造方法
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140042488A1 (en) 2014-02-13
KR20180037609A (ko) 2018-04-12
KR102205837B1 (ko) 2021-01-21
US11271144B2 (en) 2022-03-08
EP2161765A3 (en) 2014-12-24
KR20160061940A (ko) 2016-06-01
TW201511324A (zh) 2015-03-16
JP2010239105A (ja) 2010-10-21
US20120007127A1 (en) 2012-01-12
EP3633743B1 (en) 2023-03-15
CN103943734B (zh) 2017-04-12
CN103943734A (zh) 2014-07-23
TW201528557A (zh) 2015-07-16
TWI666791B (zh) 2019-07-21
EP3633743A1 (en) 2020-04-08
TW201717434A (zh) 2017-05-16
KR20190038777A (ko) 2019-04-09
US10164163B2 (en) 2018-12-25
TWI580080B (zh) 2017-04-21
CN101673796A (zh) 2010-03-17
US20180006205A1 (en) 2018-01-04
JP5440010B2 (ja) 2014-03-12
US8604507B2 (en) 2013-12-10
TW201019511A (en) 2010-05-16
KR102117909B1 (ko) 2020-06-02
TWI583018B (zh) 2017-05-11
KR101624744B1 (ko) 2016-06-07
KR20200062150A (ko) 2020-06-03
US20100059782A1 (en) 2010-03-11
KR20170032255A (ko) 2017-03-22
EP2161765B1 (en) 2020-01-01
US20150129923A1 (en) 2015-05-14
TWI487137B (zh) 2015-06-01
CN101673796B (zh) 2014-05-07
KR101966243B1 (ko) 2019-04-08
US9773959B2 (en) 2017-09-26
KR20100030588A (ko) 2010-03-18
US20190123253A1 (en) 2019-04-25
US8975100B2 (en) 2015-03-10
US20220158061A1 (en) 2022-05-19
US8377725B2 (en) 2013-02-19
EP2161765A2 (en) 2010-03-10
KR101845194B1 (ko) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101966243B1 (ko) 광 반도체 장치
JP5493553B2 (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP6521032B2 (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP5482293B2 (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP5493549B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5338543B2 (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP2017046014A (ja) 光半導体装置
JP5569158B2 (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20160518

Patent event code: PA01071R01D

Filing date: 20090908

Application number text: 1020090084346

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20160616

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R04I

Patent event date: 20160518

Comment text: Divisional Application of Patent

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20160714

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20170129

A107 Divisional application of patent
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20170310

Patent event code: PA01071R01D

Filing date: 20090908

Application number text: 1020090084346

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20170314

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20170314

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200218

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200218

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210219

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220222

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230222

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240220

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250218

Start annual number: 9

End annual number: 9