[go: up one dir, main page]

JP5840377B2 - 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法 - Google Patents

反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5840377B2
JP5840377B2 JP2011089922A JP2011089922A JP5840377B2 JP 5840377 B2 JP5840377 B2 JP 5840377B2 JP 2011089922 A JP2011089922 A JP 2011089922A JP 2011089922 A JP2011089922 A JP 2011089922A JP 5840377 B2 JP5840377 B2 JP 5840377B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflective resin
emitting diode
light emitting
substrate
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011089922A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012222315A (ja
Inventor
恭也 大薮
恭也 大薮
務 西岡
務 西岡
伊藤　久貴
久貴 伊藤
内藤　俊樹
俊樹 内藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2011089922A priority Critical patent/JP5840377B2/ja
Priority to EP12161747.6A priority patent/EP2511965A3/en
Priority to TW101112858A priority patent/TW201242113A/zh
Priority to KR1020120037769A priority patent/KR20120117660A/ko
Priority to CN201210110390.9A priority patent/CN102738362B/zh
Priority to US13/446,517 priority patent/US9214611B2/en
Publication of JP2012222315A publication Critical patent/JP2012222315A/ja
Priority to US14/831,305 priority patent/US9450160B2/en
Priority to US14/932,150 priority patent/US20160056355A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5840377B2 publication Critical patent/JP5840377B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、反射樹脂シート、発光ダイオード装置およびその製造方法、詳しくは、発光ダイオード装置の製造方法、それに用いられる反射樹脂シート、および、発光ダイオード装置の製造方法により得られる発光ダイオード装置に関する。
近年、高エネルギーの光を発光できる発光装置として、白色発光装置が知られている。白色発光装置には、例えば、ダイオード基板と、それに積層され、青色光を発光するＬＥＤ（発光ダイオード）と、青色光を黄色光に変換でき、ＬＥＤを被覆する蛍光体層と、ＬＥＤを封止する封止層とが設けられている。そのような白色発光装置は、封止層によって封止され、ダイオード基板から電力が供給されるＬＥＤから発光され、封止層および蛍光体層を透過した青色光と、蛍光体層において青色光の一部が波長変換された黄色光との混色によって、高エネルギーの白色光を発光する。
そのような白色発光装置を製造する方法として、例えば、次の方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）。
すなわち、まず、基板部と、それの周部から上側に突出する白色の反射枠部とからなる基体を形成し、次いで、半導体発光素子を、基板部の中央において反射枠部によって形成される凹部の底部に、反射枠部の内側に間隔を隔てるようにワイヤーボンディングする。
次いで、凹部に、蛍光体と液状のエポキシ樹脂との混合物を塗布によって充填し、続いて、蛍光体を凹部の底部に自然沈降させ、その後、エポキシ樹脂を加熱硬化させる方法が提案されている。
特許文献１で提案される方法によって得られる白色発光装置では、沈降によって形成される蛍光体を高濃度で含む蛍光体層（波長変換層）が、半導体発光素子の上側の領域に区画され、エポキシ樹脂を高濃度で含む封止部が、蛍光体層の上側の領域に区画される。
そして、その白色発光装置では、光半導体発光素子が青色光を放射状に発光し、そのうち、光半導体発光素子から上方に向かって発光された青色光の一部は、蛍光体層で黄色光に変換されるとともに、残部は、蛍光体層を通過する。また、光半導体発光素子から側方向かって発光された青色光は、反射枠部で反射して、続いて、上側に向かって照射される。そして、特許文献１の白色発光装置は、それら青色光および黄色光の混色によって、白色光を発色している。
特開２００５−１９１４２０号公報
しかし、特許文献１の製造方法により得られる白色発光装置では、光半導体発光素子と反射枠部とが間隔を隔てて配置されているため、光半導体発光素子から側方に向かって発光される光の一部は、反射枠部で反射される前に、封止部に吸収される。その結果、光の取出効率が低下するという不具合がある。
本発明の目的は、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置、その製造方法およびそれに用いられる反射樹脂シートを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の反射樹脂シートは、反射樹脂層を発光ダイオード素子の側方に設けるための反射樹脂シートであって、離型基材、および、前記離型基材の厚み方向一方面に設けられる前記反射樹脂層を備え、前記反射樹脂層は、前記発光ダイオード素子と密着できるように、前記発光ダイオード素子に対応して形成されていることを特徴としている。
また、本発明の反射樹脂シートでは、前記離型基材の前記厚み方向一方面において、前記反射樹脂層が設けられる部分が、前記厚み方向他方に向かって凹んでいることが好適である。
また、本発明の反射樹脂シートの製造方法は、反射樹脂層を、離型基材の厚み方向一方面に設けることによって、上記した反射樹脂シートを用意する工程、発光ダイオード素子を、ダイオード基板の厚み方向一方面に設ける工程、および、前記反射樹脂シートを、前記反射樹脂層が前記発光ダイオード素子の側面に密着するように、前記ダイオード基板に積層する工程を備えていることを特徴としている。
また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法において、前記反射樹脂シートを前記ダイオード基板に積層する工程では、前記離型基材において前記反射樹脂層から露出する露出部を、前記発光ダイオード素子の厚み方向一方面に密着させることが好適である。
また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、前記反射樹脂シートを用意する工程は、前記露出部に対応するように、互いに間隔を隔てて配置される複数の被覆部と、各前記被覆部を架設する架設部とを備えるパターンが形成されたマスクを前記離型基材の前記厚み方向一方に、前記被覆部と前記露出部とが対向するように、配置する工程、前記反射樹脂層を形成するための反射樹脂組成物を、前記離型基材に前記マスクを介して塗布することにより、前記反射樹脂層を前記被覆部の逆パターンで形成する工程、および、前記マスクを取り除く工程を備えることが好適である。
また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法は、発光ダイオード素子を基材の厚み方向一方面に設ける工程、反射樹脂層を、前記基材の厚み方向一方面において、前記発光ダイオード素子の側方に設ける工程、および、前記反射樹脂層に対応して厚み方向他方に凹む凹部が形成された押圧部材の前記凹部が、前記反射樹脂層を押圧することにより、前記反射樹脂層を前記発光ダイオード素子の側面に密着させる工程を備えていることを特徴としている。
また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、前記反射樹脂層を設ける工程は、前記発光ダイオード素子に対応するように、互いに間隔を隔てて配置される複数の被覆部と、各前記被覆部を架設する架設部とを備えるパターンが形成されたマスクを前記基材の前記厚み方向一方に、前記被覆部と前記発光ダイオード素子とが対向するように、配置する工程、前記反射樹脂層を形成するための反射樹脂組成物を、前記基材に前記マスクを介して塗布することにより、前記反射樹脂層を前記被覆部の逆パターンで形成する工程、および、前記マスクを取り除く工程を備えることが好適である。
また、本発明の発光ダイオード装置は、ダイオード基板と、前記ダイオード基板の厚み方向一方面に設けられた発光ダイオード素子と、前記発光ダイオード素子の側面に密着する反射樹脂層とを備えることを特徴としている。
また、本発明の発光ダイオード装置では、前記反射樹脂層は、前記発光ダイオード素子より厚く形成されていることが好適である。
また、本発明の発光ダイオード装置は、前記発光ダイオード素子の前記厚み方向一方面に形成される蛍光体層をさらに備えることが好適である。
本発明の反射樹脂シートを用いる本発明の発光ダイオード装置の製造方法によれば、反射樹脂シートを、反射樹脂層が発光ダイオード素子の側面に密着するように、ダイオード基板に積層する。
そのため、上記した方法により得られる本発明の発光ダイオード装置では、発光ダイオード素子から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層によって反射される。
その結果、光の取出効率を向上させることができる。
図１は、本発明の発光ダイオード装置の一実施形態の平面図を示す。 図２は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の一実施形態を説明する製造工程図であり、（ａ）は、反射樹脂シートを用意する工程、（ｂ）は、反射樹脂シートをダイオード基板の上に配置する工程、（ｃ）は、露出部を発光ダイオード素子の上面に接触させる工程を示す。 図３は、図２に引き続き、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の一実施形態を説明する製造工程図であり、（ｄ）は、反射樹脂シートを押圧する工程、（ｅ）は、第１離型基材を引き剥がす工程、（ｆ）は、蛍光体層を形成する工程を示す。 図４は、図２（ａ）の反射樹脂シートを用意する工程を説明する製造工程図であり、（ａ）は、第１離型基材を用意する工程、（ｂ）は、マスクを第１離型基材に配置する工程、（ｃ）は、反射樹脂組成物を、マスクを介して第１離型基材に塗布し、続いて、マスクを取り除く工程を示す。 図５は、図４（ｂ）の工程で配置されるマスクの平面図を示す。 図６は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態（第１離型基材に凹部が設けられる態様）を説明する製造工程図であり、（ａ）は、反射樹脂層を第１離型基材の凹部に設ける工程、（ｂ）は、反射樹脂シートをダイオード基板の上に配置する工程、（ｃ）は、反射樹脂シートをダイオード基板に積層して押圧する工程示す。 図７は、図６に引き続き、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態（第１離型基材に凹部が設けられる態様）を説明する製造工程図であり、（ｄ）は、第１離型基材を引き剥がす工程、（ｅ）は、蛍光体層を形成する工程を示す。 図８は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態（反射樹脂層をダイオード基板に直接設ける態様）を説明する製造工程図であり、（ａ）は、発光ダイオード素子をダイオード基板に設ける工程、（ｂ）は、反射樹脂層をダイオード基板に設ける工程、（ｃ）は、押圧板によって反射樹脂層を押圧する工程を示す。 図９は、図８に引き続き、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態（反射樹脂層をダイオード基板に直接設ける態様）を説明する製造工程図であり、（ｄ）は、押圧板を取り除く工程、（ｅ）は、蛍光体層を設ける工程を示す。
図１は、本発明の発光ダイオード装置の一実施形態の平面図、図２および図３は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の一実施形態を説明する製造工程図、図４は、図２（ａ）の反射樹脂シートを用意する工程を説明する製造工程図、図５は、図４（ｂ）の工程で配置されるマスクの平面図を示す。
図１および図３（ｆ）において、この発光ダイオード装置１は、ダイオード基板２と、ダイオード基板２にフリップ実装された発光ダイオード素子３と、発光ダイオード素子３の側方に設けられる反射樹脂層４と、発光ダイオード素子３の上（厚み方向一方）に設けられる蛍光体層５とを備えている。
また、発光ダイオード装置１は、面方向（具体的には、図３（ｆ）における紙面左右方向および紙面奥行方向）に互いに間隔を隔てて複数設けられている。
ダイオード基板２は、略平板状をなし、具体的には、絶縁基板の上に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、ポリイミド樹脂基板などからなり、好ましくは、セラミックス基板、具体的には、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板からなる。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。これら導体は、単独使用または併用することができる。
また、導体層は、端子６を含んでいる。
端子６は、絶縁基板の上面において、面方向に間隔を隔てて形成されており、後述する電極部８に対応するパターンに形成されている。なお、端子６は、図示しないが、導体層を介して電力供給部と電気的に接続されている。
発光ダイオード素子３は、ダイオード基板２の上面（厚み方向一方面）に設けられており、平面視略矩形状に形成されている。また、発光ダイオード素子３は、１つのダイオード基板２の上面において、面方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。
発光ダイオード素子３は、光半導体層７と、その下面に形成される電極部８とを備えている。
光半導体層７は、発光ダイオード素子３の外形形状に対応する平面視略矩形状に形成されており、また、面方向に長い断面視略矩形状に形成されている。
光半導体層７は、図示しないが、例えば、厚み方向に順次積層される緩衝層、Ｎ形半導体層、発光層およびＰ形半導体層を備えている。光半導体層７は、公知の半導体材料から形成されており、エピタキシャル成長法などの公知の成長法によって形成される。光半導体層７の厚みは、例えば、０．１〜５００μｍ、このましくは、０．２〜２００μｍである。
電極部８は、光半導体層７と電気的に接続されており、厚み方向に投影したときに、光半導体層７に含まれるように形成されている。また、電極部８は、例えば、Ｐ形半導体層に接続されるアノード電極と、Ｎ形半導体層に形成されるカソード電極とを備えている。
電極部８は、公知の導体材料から形成されており、その厚みは、例えば、１０〜１０００ｎｍである。
反射樹脂層４は、ダイオード基板２の上面において、平面視で、発光ダイオード素子３が形成される領域（基板側ダイオード領域）９以外の領域（基板側反射領域）１０に形成されている。
基板側反射領域１０は、基板側ダイオード領域９の周囲において、基板側ダイオード領域９によってその外側に区画される領域であって、前後方向に延びる領域と、左右方向に延びる領域とからなり、それら領域が互いに直交（交差）する、平面視略格子状に形成されている。
反射樹脂層４は、発光ダイオード素子３の外側、具体的には、各発光ダイオード素子３の左右方向両外側および前後方向両外側に設けられている。
そして、図３（ｆ）に示すように、反射樹脂層４は、発光ダイオード素子３の外側面、具体的には、各発光ダイオード素子３の左面、右面、前面（図１参照）および後面（図１参照）の各面に密着している。これによって、反射樹脂層４は、発光ダイオード素子３の上面を露出している。
また、反射樹脂層４は、図１に示すように、連続して一体的に形成されており、それによって、例えば、図３（ｆ）に示すように、左右方向に間隔を隔てて配置される２つの発光ダイオード素子３（３Ａおよび３Ｂ）の間に形成される反射樹脂層４は、その左端部が、反射樹脂層４の左側に配置される発光ダイオード素子３Ａの右端面に密着するとともに、反射樹脂層４の右端部が、反射樹脂層４の右側に配置される発光ダイオード素子３Ｂの左端面に密着している。また、図１が参照されるように、前後方向に間隔を隔てて配置される２つの発光ダイオード素子３の間に形成される反射樹脂層４も、上記と同様に、発光ダイオード素子３の前面および後面にそれぞれ密着しており、具体的には、反射樹脂層４の前端部および後端部が、それらの前側および後側に配置される発光ダイオード素子３の前面および後面にそれぞれ密着している。
また、反射樹脂層４の上面には、図３（ｆ）に示すように、後述する反射樹脂シート１３の押圧（図３（ｄ）の矢印参照）によって形成される樹脂凹部１１が形成されている。
つまり、反射樹脂層４において、樹脂凹部１１の上面は、平坦状に形成され、発光ダイオード素子３の周端部に形成される部分が樹脂凹部１１より高く形成されている。
上記した反射樹脂層４は、例えば、光反射成分を含有しており、具体的には、反射樹脂層４は、樹脂と、光反射成分とを含有する反射樹脂組成物から形成されている。
樹脂としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。
光反射成分は、例えば、白色の化合物であって、そのような白色の化合物としては、具体的には、白色顔料が挙げられる。
白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリン（カオリナイト）などの粘土鉱物などが挙げられる。
白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
酸化チタンであれば、高い白色度、高い光反射性、優れた隠蔽性（隠蔽力）、優れた着色性（着色力）、高い分散性、優れた耐候性、高い化学的安定性などの特性を得ることができる。
そのような酸化チタンは、具体的には、ＴｉＯ２、（酸化チタン（ＩＶ）、二酸化チタン）である。
酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト（板チタン石）、アナターゼ（鋭錐石）などであり、好ましくは、ルチルである。
また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系である。
酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、反射樹脂層４が長期間高温に曝される場合でも、光（具体的には、可視光、とりわけ、波長４５０ｎｍ付近の光）に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。
光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値（球状である場合には、その平均粒子径）は、例えば、１〜１０００ｎｍである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。
光反射成分の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．５〜９０質量部、好ましくは、着色性、光反射性および反射樹脂組成物のハンドリング性の観点から、１．５〜７０質量部である。
上記した光反射成分は、樹脂中に均一に分散混合される。
また、反射樹脂組成物には、さらに、充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分（具体的には、白色顔料）と併用することができる。
充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、無機質充填剤が挙げられ、そのような無機質充填剤としては、例えば、シリカ粉末、タルク粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末などが挙げられる。
充填剤として、好ましくは、反射樹脂層４の線膨張率を低減する観点から、シリカ粉末が挙げられる。
シリカ粉末としては、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末などが挙げられ、好ましくは、溶融シリカ粉末（すなわち、石英ガラス粉末）が挙げられる。
充填剤の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、優れた充填性および流動性の観点から、球状が挙げられる。
従って、シリカ粉末として、好ましくは、球状溶融シリカ粉末が挙げられる。
充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、５〜６０μｍ、好ましくは、１５〜４５μｍである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。
充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、例えば、樹脂１００質量部に対して、１０〜８０質量部となるように、調整され、線膨張率の低減および流動性の確保の観点から、樹脂１００質量部に対して、好ましくは、２５〜７５質量部、さらに好ましくは、４０〜６０質量部となるように、調整される。
反射樹脂組成物は、上記した樹脂と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合することにより調製される。
また、反射樹脂組成物は、Ｂステージ状態として調製される。
このような反射樹脂組成物は、例えば、液状または半固形状に形成されており、その動粘度は、例えば、１０〜３０ｍｍ２／ｓである。
このようにして、発光ダイオード素子３の外側面は、反射樹脂層４によって封止されている。
なお、光半導体層７の下側には、電極部８の厚みに対応する下部隙間１２（図２（ｂ）参照）が形成されており、かかる下部隙間１２に、反射樹脂層４が充填されており、かかる反射樹脂層４は、電極部８から露出する光半導体層７の下面および電極部８の側面にも密着している。
反射樹脂層４の端部の厚みＴ１は、図３（ｆ）に示すように、上記した発光ダイオード素子３の厚み（光半導体層７および電極部８の総厚み）と同様である。また、反射樹脂層４の中央部の厚みＴ２は、端部の厚みＴ１に対して、例えば、５０％以上、好ましくは、９０％以上であり、さらに好ましくは、９５％以上であり、通常、１００％未満であって、具体的には、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、１５〜５００μｍである。
蛍光体層５は、発光ダイオード素子３の上面（厚み方向一方面）全面に形成されており、厚み方向に投影したときに、発光ダイオード素子３の外形形状と同一パターンで形成されている。
蛍光体層５は、例えば、蛍光体を含有する蛍光体組成物から形成されている。
蛍光体組成物は、好ましくは、蛍光体および樹脂を含有している。
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体が挙げられる。そのような蛍光体としては、例えば、複合金属酸化物や金属硫化物などに、例えば、セリウム（Ｃｅ）やユウロピウム（Ｅｕ）などの金属原子がドープされた蛍光体が挙げられる。
具体的には、蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ２ＣａＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）３Ｏ１２：Ｃｅなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕなどのシリケート蛍光体、例えば、ＣａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕなどのアルミネート蛍光体、例えば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕなどの硫化物蛍光体、例えば、ＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉ５Ｎ８：Ｅｕなどの窒化物蛍光体、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎなどのフッ化物系蛍光体などが挙げられる。好ましくは、ガーネット型蛍光体、さらに好ましくは、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ）が挙げられる。
蛍光体は、単独使用または２種以上併用することができる。
蛍光体の配合割合は、例えば、蛍光体組成物に対して、例えば、１〜５０重量％、好ましくは、５〜３０重量％である。また、樹脂１００質量部に対する蛍光体の配合割合は、例えば、１〜１００質量部、好ましくは、５〜４０質量部である。
樹脂は、蛍光体を分散させるマトリックスであって、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの透明樹脂などが挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、シリコーン樹脂が挙げられる。
シリコーン樹脂は、主として、シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）からなる主鎖と、主鎖の硅素原子（Ｓｉ）に結合する、アルキル基（例えば、メチル基など）またはアルコキシル基（例えば、メトキシ基）などの有機基からなる側鎖とを分子内に有している。
具体的には、シリコーン樹脂としては、例えば、脱水縮合型シリコーンレジン、付加反応型シリコーンレジン、過酸化物硬化型シリコーンレジン、湿気硬化型シリコーンレジン、硬化型シリコーンレジンなどが挙げられる。好ましくは、付加反応型シリコーンレジンなどが挙げられる。
シリコーン樹脂の２５℃における動粘度は、例えば、１０〜３０ｍｍ２／ｓである。
樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。
樹脂の配合割合は、蛍光体組成物に対して、例えば、５０〜９９質量％、好ましくは、７０〜９５質量％である。
蛍光体組成物は、蛍光体および樹脂を上記した配合割合で配合し、攪拌混合することにより調製される。
次に、上記した発光ダイオード装置１を製造する方法について、図２〜図５を参照して説明する。
この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、反射樹脂シート１３を用意する。
反射樹脂シート１３は、反射樹脂層４を発光ダイオード素子３の側方に設けるための転写シートである。反射樹脂シート１３は、後述する押圧（図３（ｄ））において発光ダイオード素子３と密着できるパターンに、上記した発光ダイオード素子３に対応して形成されている。
反射樹脂シート１３は、離型基材としての第１離型基材１４と、その上面（厚み方向一方面）に設けられる反射樹脂層４とを備えている。
そのような反射樹脂シート１３は、反射樹脂層４を、第１離型基材１４の上面に設けることによって、得ることができる。
反射樹脂層４を第１離型基材１４の上面に設けるには、まず、図４（ａ）に示すように、第１離型基材１４を用意する。
第１離型基材１４は、例えば、略矩形状の離型シート（離型フィルム）であって、上面および下面が平坦状に形成されている。
第１離型基材１４は、例えば、ポリオレフィン（具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン）、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）などのビニル重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などの樹脂材料などから形成されている。また、第１離型基材１４は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料などからも形成されている。
また、第１離型基材１４を、加熱により反射樹脂層４から容易に剥離できる熱剥離シートから形成することもできる。熱剥離シートは、例えば、図４（ａ）の仮想線で示すように、支持層１５と、支持層１５の上面に積層される粘着層１６とを備えている。
支持層１５は、例えば、ポリエステルなどの耐熱性樹脂から形成されている。
粘着層１６は、例えば、常温（２５℃）において、粘着性を有し、加熱時に、粘着性が低減する（あるいは、粘着性を失う）熱膨張性粘着剤などから形成されている。
上記した熱剥離シートは、市販品を用いることができ、具体的には、リバアルファシリーズ（登録商標、日東電工社製）などを用いることができる。
熱剥離シートは、支持層１５によって、反射樹脂層４を、粘着層１６を介して確実に支持しながら、その後の加熱および熱膨張による粘着層１６の粘着性の低下に基づいて、反射樹脂層４から剥離される。
第１離型基材１４の厚みは、例えば、１０〜１０００μｍである。
次いで、図４（ｂ）に示すように、マスク２０を第１離型基材１４の上（厚み方向一方）に配置する。
マスク２０は、図５に示すように、枠部１７と、枠部１７の面方向内側に間隔を隔てて配置される被覆部１８と、枠部１７および被覆部１８を架設する架設部１９とを一体的に備えるパターンに形成されている。
枠部１７は、平面視略矩形枠状に形成されている。また、枠部１７は、架設部１９を介して被覆部１８を支持できる幅（強度を確保できる幅）で形成されている。
被覆部１８は、上記した発光ダイオード素子３（図１参照）に対応するように、互いに間隔を隔てて複数配置されている。つまり、各被覆部１８は、独立して形成されている。
各被覆部１８は、平面視において、その外形形状が発光ダイオード素子３の外形形状よりやや大きい相似形状（具体的には、平面視略矩形状）に形成されている。また、被覆部１８の最大長さＬ１は、Ｌ２（発光ダイオード素子３の最大長さ）＋０．２２ｍｍ以下、好ましくは、Ｌ２＋０．１５ｍｍ以下であり、通常、例えば、Ｌ２以上であって、具体的には、例えば、０．３〜３ｍｍ、好ましくは、０．４２〜２．１ｍｍである。
架設部１９は、枠部１７および被覆部１８を架設するとともに、面方向に隣接する被覆部１８同士を架設している。各架設部１９は、平面視略Ｘ字状をなし、例えば、面方向に隣接する４つの被覆部１８（１８Ａ、１４８Ｂ、１８Ｃおよび１８Ｄ）の左右方向および前後方向端部を接続するように、架設している。
また、架設部１９は、例えば、ワイヤーなどの線状部材からなり、被覆部１８の最大長さＬ１に対して顕著に狭い幅で形成されており、具体的には、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下であり、通常、例えば、２５μｍ以上である。
マスク２０は、例えば、ステンレス、鉄などの金属材料、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂材料から形成されている。好ましくは、金属材料から形成されている。
マスク２０は、例えば、エッチング、レーザー加工など、公知のパターン形成法によって上記したパターンに形成されている。
マスク２０の厚みは、例えば、２０〜５００μｍである。
図４（ｂ）に示すように、上記したマスク２０を、第１離型基材１４の上面に、被覆部１８と、第１離型基材１４の上面において基板側ダイオード領域９（図２（ｂ）参照）に対応する領域（離型基材側ダイオード領域２１）とが厚み方向に対向配置されるように、配置（載置）する。なお、被覆部１８は、平面視において、周端部が、離型基材側ダイオード領域２１を囲むように、離型基材側ダイオード領域２１と対向配置される。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、反射樹脂組成物を、マスク２０を介して第１離型基材１４の上に塗布する。
反射樹脂組成物の塗布には、例えば、印刷、ディスペンサなどの塗布方法が用いられる。
これにより、反射樹脂組成物からなる反射皮膜２２を、第１離型基材１４の上面に、マスク２０の逆パターンで形成する。なお、反射皮膜２２は、マスク２０の上面にも形成される。
続いて、図４（ｃ）の仮想線の矢印で示すように、マスク２０を第１離型基材１４から取り除く。具体的には、マスク２０を上方に引き上げる。
マスク２０を上方に引き上げることによって、被覆部１８の上面に形成された反射皮膜２２が除去される。
なお、上記したマスク２０の引き上げによって、架設部１９（図５参照）の周囲の反射皮膜２２（具体的には、架設部１９の側面に形成された反射樹脂組成物）は、わずかに流動し、それによって、架設部１９が配置されていた領域は、露出することなく、反射皮膜２２によって被覆（充填）される。
これによって、図２（ａ）に示すように、反射皮膜２２を、被覆部１８（図５参照）の逆パターン（図２（ｂ）参照）で形成する。つまり、反射皮膜２２は、第１離型基材１４の上面において、基板側反射領域１０に対応する領域（離型基材側反射領域）２３に形成される。
そして、上記したパターンの反射皮膜２２を加熱すること（後述）により、上記したパターンのＢステージ状態の反射樹脂層４を得る。
反射樹脂層４は、後述する図２（ｂ）が参照されるように、反射樹脂シート１３が上下反転され、反転された反射樹脂シート１３がダイオード基板２に対向配置される時に、反射樹脂層４から露出する第１離型基材１４の下面（露出部２５）が、厚み方向に投影したときに、発光ダイオード素子３を含むパターンに形成されている。より具体的には、反射樹脂層４は、後述する図２（ｃ）が参照されるように、次に説明する反射樹脂シート１３をダイオード基板２に積層する時に、ダイオード基板２に接触するパターンに、形成されている。
これにより、反射樹脂層４および第１離型基材１４を備える反射樹脂シート１３を得る。
別途、この方法では、図２（ｂ）の下部に示すように、発光ダイオード素子３をダイオード基板２の上面（厚み方向一方面）に設ける。
具体的には、電極部８と端子６とを電気的に接続して、発光ダイオード素子３をダイオード基板２にフリップチップ実装する。
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、反射樹脂シート１３を、ダイオード基板２の上方に対向配置する。
具体的には、まず、反射樹脂シート１３を、図２（ａ）の状態から上下反転し、続いて、反射樹脂層４を、ダイオード基板２の上面の基板側反射領域１０と対向するように、配置する。
また、第１離型基材１４の上面には、緩衝シート２６を設ける。
緩衝シート２６は、次に説明する押圧（図３（ｄ）の矢印参照）において、押圧力が発光ダイオード素子３に対して不均一にかからないように、そのような押圧力を緩衝するシート（クッションシート）であって、例えば、弾性シート（フィルム）などから形成されている。
緩衝シート２６を形成する緩衝材料としては、上記した第１離型基材を形成する樹脂材料と同様の樹脂材料から形成されており、好ましくは、ビニル重合体、さらに好ましくは、ＥＶＡから形成されている。
緩衝シート２６の厚みは、例えば、０．０１〜１ｍｍ、好ましくは、０．０５〜０．２ｍｍである。
次いで、この方法では、図２（ｃ）および図３（ｄ）に示すように、反射樹脂シート１３をダイオード基板２に積層する。
すなわち、まず、図２（ｃ）に示すように、反射樹脂層４の下面を、ダイオード基板２の基板側反射領域１０に接触させるとともに、露出部２５を、発光ダイオード素子３の上面に接触させる。
つまり、反射樹脂層４および発光ダイオード素子３は、ともに、厚み方向において、第１離型基材１４およびダイオード基板２に挟まれる。
なお、上記した接触時に、面方向における反射樹脂層４と発光ダイオード素子３との間には、微小な側部隙間２７が形成される。側部隙間２７は、反射樹脂層４と発光ダイオード素子３とを面方向にわずかに隔てる空間として形成される。
続いて、図３（ｄ）の矢印で示すように、反射樹脂シート１３を下方に向けて押圧する。
具体的には、例えば、プレス機などによって、緩衝シート２６を介して反射樹脂シート１３をダイオード基板２に対して押圧する。
圧力は、例えば、０．０１〜７ＭＰａ、好ましくは、０．０５〜４ＭＰａである。
また、必要により、上記した押圧を、加熱とともに実施、つまり、熱プレス（具体的には、熱板により押圧する熱プレスなど）することもできる。
加熱温度は、例えば、２５〜１４０℃である。
これによって、第１離型基材１４の露出部２５が、発光ダイオード素子３の上面（厚み方向一方面）に密着する。
それとともに、反射樹脂層４は、側方、具体的には、面方向外方（左方、右方、前方および後方）に流動する。そのため、側部隙間２７（図２（ｃ）参照）が反射樹脂層４によって充填される。また、下部隙間１２（図２（ｃ）参照）も反射樹脂層４によって充填される。
これによって、反射樹脂層４が発光ダイオード素子３の側面（左面、右面、前面および後面）に密着する。
また、樹脂凹部１１が、反射樹脂層４に形成される。
次いで、図３（ｅ）に示すように、第１離型基材１４を、反射樹脂層４および発光ダイオード素子３から引き剥がす。第１離型基材１４は、緩衝シート２６とともに取り除く。
これによって、反射樹脂層４が、第１離型基材１４からダイオード基板２に転写される。
その後、Ｂステージ状の反射樹脂層４を、加熱して硬化させる。
加熱温度は、例えば、４０〜１５０℃、好ましくは、５０〜１４０℃であり、加熱時間は、例えば、１〜６０分間、好ましくは、３〜２０分間である。
次いで、図３（ｆ）に示すように、蛍光体層５を、発光ダイオード素子３の上面に設ける。
蛍光体層５を設けるには、例えば、まず、上記した蛍光体組成物を、発光ダイオード素子３の上面に上記したパターンに塗布して、蛍光体皮膜（図示せず）を形成する。
その後、蛍光体皮膜を、例えば、５０〜１５０℃に、加熱して乾燥することにより、上記したパターンに形成する。
これにより、ダイオード基板２と、ダイオード基板２にフリップ実装された発光ダイオード素子３と、発光ダイオード素子３の側面に密着する反射樹脂層４と、発光ダイオード素子３の上面に設けられる蛍光体層５とを備える発光ダイオード装置１を集合体シートとして得る。
その後、図３（ｆ）の１点破線で示すように、各発光ダイオード素子３間の反射樹脂層４およびその下に形成されるダイオード基板２を切断（ダイシング）加工する。つまり、反射樹脂層４およびダイオード基板２を厚み方向に沿ってダイシングして、複数の発光ダイオード素子３に切り分ける。すなわち、発光ダイオード素子３を個別化（個片化）する。
そして、上記した方法によれば、図３（ｄ）に示すように、反射樹脂シート１３を、反射樹脂層４が発光ダイオード素子３の側面に密着するように、ダイオード基板２に積層する。
そのため、上記した方法により得られる発光ダイオード装置１では、発光ダイオード素子３から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層４によって反射される。
その結果、光の取出効率を向上させることができる。
さらに、図３（ｄ）の実施形態では、第１離型基材１４の露出部２５を、発光ダイオード素子３の上面に密着させるので、発光ダイオード素子３の上面に反射樹脂層４が浸入すること（流れ込むこと）が防止される。そのため、図３（ｆ）に示すように、発光ダイオード素子３の上面に蛍光体層５を直接積層することができる。
その結果、発光ダイオード素子３から上に向かって発光される光が、反射樹脂層４によって下方および／または側方に反射されることを確実に防止して、かかる光を蛍光体層５によって効率的に波長変換して、光の取出効率を向上させることができる。
図４（ｂ）および図４（ｃ）の実施形態では、反射樹脂層４（図２（ａ）参照）を、マスク２０を用いて形成しているが、例えば、樹脂が、粉末状の熱硬化性樹脂である場合には、樹脂組成物を、図２（ａ）が参照されるように、圧縮成形機によって、加熱しながら圧縮成形することによって、硬化させて、第１離型基材１４の上面全面に形成した後、エッチングなどによって、反射樹脂層４を上記したパターンに形成することもできる。
一方、反射樹脂層４をマスク２０を用いて形成すれば、マスク２０の引き上げ時にマスク２０の上面に付着する反射樹脂組成物を原料として回収することができるので、反射樹脂組成物の歩留まりを向上させることができる。
また、図２（ｂ）〜図３（ｆ）の実施形態では、発光ダイオード素子３を、ダイオード基板２に予めフリップ実装し、かかるダイオード基板２に反射樹脂層４を転写しているが、例えば、図２（ｂ）〜図３（ｆ）の括弧書きで示される符号３３が参照されるように、ダイオード基板２に代えて、まず、第２離型基材３３を用意し、その上面に発光ダイオード素子３を設け、その後、第２離型基材３３に反射樹脂層４を転写した後、発光ダイオード素子３および反射樹脂層４を、別途用意したダイオード基板２に転写することもできる。
その場合において、第２離型基材３３は、上記した第１離型基材１４と同様の離型基材から形成されている。
上記の場合には、図２（ｂ）の括弧書きの符号３３が参照されるように、反射樹脂層４を第２離型基材３３の上に配置し、図２（ｃ）および図３（ｄ）が参照されるように、反射樹脂シート１３を第２離型基材３３に対向配置し、続いて、押圧することにより、反射樹脂層４を発光ダイオード素子３の側面に密着させる。
その後、図３（ｅ）が参照されるように、第１離型基材１４を反射樹脂層４（図３（ｄ）参照）および発光ダイオード素子３から引き剥がし、続いて、図３（ｆ）が参照されるように、蛍光体層５を発光ダイオード素子３の上面に設ける。
次いで、図３（ｆ）の１点破線で示すように、反射樹脂層４および第２離型基材３３を厚み方向に沿ってダイシングすることにより、発光ダイオード素子３を個別化（個片化）する。
その後、図３（ｆ）の仮想線で示すように、第２離型基材３３を反射樹脂層４および発光ダイオード素子３から剥離し、次いで、側面が反射樹脂層４によって密着された発光ダイオード素子３を、図２（ｂ）の下部が参照されるダイオード基板２にフリップ実装する。
これにより、発光ダイオード装置１を得る。
第２離型基材３３を用いる実施形態によっても、発光ダイオード素子３をダイオード基板２に予めフリップ実装する実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、第２離型基材３３を用いる実施形態では、発光ダイオード素子３をダイオード基板２に予めフリップ実装する必要がないので、発光ダイオード素子３の側面を反射樹脂層４によって簡便に密着させることができる。
一方、ダイオード基板２に発光ダイオード素子３を予めフリップ実装する実施形態では、ダイオード基板２に予めフリップ実装された発光ダイオード素子３の側面を反射樹脂層４によって密着させた後、別途、ダイオード基板２にフリップ実装する必要がないので、発光ダイオード装置１を簡便に製造することができる。
また、図３（ｄ）の矢印で示す反射樹脂シート１３を押圧する工程では、緩衝シート２６を介して反射樹脂シート１３をダイオード基板２に対して押圧している。しかし、緩衝シート２６を設けること（図２（ｃ）参照）なく、図３（ｄ）の括弧書きの符号２８が参照されるように、反射樹脂シート１３を直接熱プレスすることもできる。
熱プレスでは、図３（ｄ）に示すように、緩衝シート２６に代えて、熱板２８を用い、これによって第１離型基材１４を押圧することにより、実施する。
熱板２８によって第１離型基材１４を押圧する実施形態では、緩衝シート２６を予め設ける必要がないので、その分、製造工程を簡略することができる。
一方、緩衝シート２６を介して反射樹脂シート１３をダイオード基板２に対して押圧する実施形態には、不均一な押圧力に起因する発光ダイオード素子３の損傷を有効に防止することができる。
図６および図７は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態（第１離型基材に凹部が設けられる態様）を説明する製造工程図を示す。
なお、以降の各図面において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図３（ｅ）および図３（ｆ）の実施形態では、反射樹脂層４を、発光ダイオード素子３と同一厚みあるいはそれより薄く形成しているが、例えば、図７（ｄ）および図７（ｅ）に示すように、発光ダイオード素子３より厚く形成することもできる。
図７（ｄ）および図７（ｅ）に示すように、反射樹脂層４は、面方向に投影したときに、上部２９が発光ダイオード素子３から上方に向かって突出するように形成されている。また、上部２９の角は、面取りされている。
上部２９の厚みは、発光ダイオード素子３の厚みに対して、例えば、１００〜２００％、好ましくは、１５０〜２００％であり、具体的には、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、５０〜６００μｍである。
蛍光体層５は、発光ダイオード素子３の上において、隣接する上部２９の間に充填されるように形成されている。
次に、図７（ｅ）に示す発光ダイオード装置１を製造する方法について、図６および図７を参照して説明する。
この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、反射樹脂シート１３を形成する。
反射樹脂シート１３を形成するには、まず、第１離型基材１４を用意する。
第１離型基材１４は、離型基材側反射領域２３が凹むように形成されている。
具体的には、第１離型基材１４の上面（厚み方向一方面）において、離型基材側反射領域２３が、下方（厚み方向他方）に向かって凹む凹部３０とされ、離型基材側ダイオード領域２１は、凹部３０の周端部から上方に突出する突出部３１（露出部２５）とされている。
すなわち、第１離型基材１４は、突出部３１（基板側反射領域１０に対応する領域、図１参照）が平面視略格子状に配置されるとともに、凹部３０（基板側ダイオード領域９に対応する領域、図１参照）が突出部３１によって囲まれる、凹凸形状に形成されている。
第１離型基材１４は、例えば、エンボス加工など、公知の成形加工によって形成される。
次いで、図６（ａ）に示すように、反射樹脂層４を、第１離型基材１４の上面に、上記と同様の方法に従って、設ける。
これにより、反射樹脂シート１３を形成する。
別途、図６（ｂ）の下部に示すように、発光ダイオード素子３をダイオード基板２にフリップ実装する。続いて、反射樹脂シート１３を、ダイオード基板２の上方に対向配置させる。
次いで、図６（ｃ）に示すように、反射樹脂シート１３をダイオード基板２に積層し、続いて、反射樹脂シート１３をダイオード基板２に対して押圧（あるいは熱プレス）する。
上記した押圧によって、反射樹脂層４は、凹部３０の形状に対応するように、上部２９の角が面取りされるように、形成される。
次いで、図７（ｄ）に示すように、第１離型基材１４（図６（ｃ）参照）を、反射樹脂層４および発光ダイオード素子３から引き剥がし、その後、図７（ｅ）に示すように、蛍光体層５を、発光ダイオード素子３の上面に、隣接する上部２９の間に充填する。
これにより、発光ダイオード装置１を得る。
図７（ｅ）に示す実施形態は、図３（ｆ）に示す実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、図７（ｅ）に示す実施形態では、反射樹脂層４が発光ダイオード素子３より厚く形成されているので、発光ダイオード素子３から側方斜め上側に向かって発光される光を、反射樹脂層４の上部２９によって、反射させることができる。
その結果、光の取出効率をより一層向上させることができる。
図８および図９は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態（反射樹脂層をダイオード基板に直接設ける態様）を説明する製造工程図を示す。
図２、図３、図６および図７の実施形態では、反射樹脂層４を、反射樹脂シート（転写シート）１３を用いて、ダイオード基板２に転写しているが、例えば、図８および図９に示すように、反射樹脂シート（転写シート）１３を用いることなく、ダイオード基板２に直接設けることもできる。
図８および図９は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態（反射樹脂層をダイオード基板に直接設ける態様）を説明する製造工程図を示す。
次に、反射樹脂層４をダイオード基板２に直接設けることにより、発光ダイオード装置１を得る方法について、図８および図９を参照して説明する。
この方法では、まず、図８（ａ）に示すように、発光ダイオード素子３を、基材としてのダイオード基板２の上面（厚み方向一方面）に設ける。
次いで、図８（ｂ）に示すように、反射樹脂層４を、ダイオード基板２の上面（厚み方向一方面）において、発光ダイオード素子３の側方、具体的には、面方向外方に設ける。
反射樹脂層４は、面方向において、発光ダイオード素子３との間に側部隙間２７が形成されるように、設ける。
反射樹脂層４をダイオード基板２の上面に設けるには、例えば、図５に示すマスク２０を介する反射樹脂組成物の塗布、例えば、圧縮成形などの方法が用いられる。
次いで、この方法では、図８（ｃ）の仮想線で示すように、押圧部材としての押圧板３２を用意する。
押圧板３２は、図６（ｂ）に示す、凹部３０および突出部３１が設けられた第１離型基材１４と同様の形状に形成されている。
押圧板３２は、図６（ｂ）に示す第１離型基材１４と同様の材料から形成され、好ましくは、金属材料から形成されている。金属材料であれば、反射樹脂層４を押圧する時（図８（ｃ）の実線参照）に、確実な押圧を確保することができる。
また、押圧板３２の下面に、公知の離型処理（表面処理）を施すこともできる。
図８（ｃ）の仮想線で示すように、押圧板３２を、凹部３０が反射樹脂層４に対向し、かつ、突出部３１が発光ダイオード素子３に対向するように、ダイオード基板２の上に配置する。
次いで、この方法では、図８（ｃ）の仮想線の矢印および実線で示すように、押圧板３２によって反射樹脂層４を押圧する。
具体的には、押圧板３２をダイオード基板２に向けて下降させることにより、突出部３１が発光ダイオード素子３の上面に密着するとともに、凹部３０が反射樹脂層４を下方に向けて押圧する。
これによって、反射樹脂層４が発光ダイオード素子３の各側面に密着する。
なお、反射樹脂層４には、発光ダイオード素子３から上方に向かって突出する上部２９が、押圧板３２の凹部３０に対応する形状に形成される。
次いで、図９（ｄ）に示すように、押圧板３２（図８（ｃ）参照）を取り除く。
次いで、図９（ｅ）に示すように、蛍光体層５を、発光ダイオード素子３の上面に、隣接する上部２９の間に充填する。
その後、図９（ｅ）の１点破線に示すように、反射樹脂層４およびダイオード基板２を厚み方向に沿ってダイシングすることにより、発光ダイオード素子３を個別化（個片化）する。
これにより、発光ダイオード装置１を得る。
図８および図９の実施形態では、転写シート（反射樹脂シート）１３を用いることなく、反射樹脂層４を、ダイオード基板２の上に、発光ダイオード素子３の側面に密着するように設けるので、転写シート１３を用意しない分、製造工程を簡略することができる。
一方、図２、図３、図６および図７の実施形態では、反射樹脂層４が所定のパターンに形成された反射樹脂シート１３を転写シートとして用いるので、反射樹脂層４を確実かつ簡便にダイオード基板２の上に、発光ダイオード素子３の側面に密着するように、設けることができる。
また、図８および図９の実施形態では、図８（ａ）に示すように、本発明の基材をダイオード基板２として説明しているが、例えば、図８（ａ）〜図９（ｅ）の括弧書きで示される符号３３が参照されるように、ダイオード基板２に代えて、第２離型基材３３を用い、その上面に発光ダイオード素子３を直接設けることもできる。
その場合には、図８（ａ）の括弧書きの符号３３が参照されるように、発光ダイオード素子３を第２離型基材３３の上面に設け、ついで、図８（ｂ）が参照されるように、反射樹脂層４を第２離型基材３３の上面に積層し、続いて、図８（ｃ）が参照されるように、押圧板３２を反射樹脂層４に対して下方に向けて押圧することにより、反射樹脂層４を発光ダイオード素子３の側面に密着させる。
その後、図９（ｄ）が参照されるように、押圧板３２を取り除き、続いて、図９（ｅ）が参照されるように、蛍光体層５を発光ダイオード素子３の上面に設ける。
次いで、図９（ｅ）の１点破線で示すように、反射樹脂層４および第２離型基材３３を厚み方向に沿ってダイシングすることにより、発光ダイオード素子３を個別化（個片化）する。
その後、図９（ｅ）の仮想線が参照されるように、第２離型基材３３を反射樹脂層４および発光ダイオード素子３から剥離し、次いで、側面が反射樹脂層４によって密着された発光ダイオード素子３を、図８（ａ）が参照されるダイオード基板２にフリップ実装する。
これにより、発光ダイオード装置１を得る。
基材を第２離型基材３３として用いる実施形態によっても、基材をダイオード基板２として用いる実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、基材を第２離型基材３３として用いる実施形態では、発光ダイオード素子３をダイオード基板２に予めフリップ実装する必要がないので、発光ダイオード素子３の側面を反射樹脂層４によって簡便に密着させることができる。
一方、基材をダイオード基板２として用いる実施形態では、発光ダイオード素子３の側面を反射樹脂層４によって密着させた後、別途、ダイオード基板２にフリップ実装する必要がないので、発光ダイオード装置１を簡便に製造することができる。
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。
実施例１（図２および図３の態様）
まず、反射樹脂シートを用意した（図２（ａ）参照）。
すなわち、上面および下面が平坦状に形成され、フッ素樹脂からなる厚み５０μｍの第１離型基材を用意した（図４（ａ）参照）。
次いで、ステンレスからなる厚み１００μｍのマスクを、第１離型基材の上面に配置した（図４（ｂ）参照）。
マスクは、枠部、被覆部および架設部を一体的に備えるパターンに形成した（図５参照）。なお、被覆部は、平面視略矩形状で、最大長さ（Ｌ１）は、０．５６ｍｍであった。
次いで、反射樹脂組成物を調製し、かかる反射樹脂組成物を、印刷によって、マスクを介して第１離型基材の上に塗布した（図４（ｃ）参照）。
反射樹脂組成物は、熱硬化性シリコーン樹脂１００質量部、および、球状で、平均粒子径３００ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ２、：ルチルの正方晶系）粒子２０質量部を均一に混合することにより、調製した。
これにより、反射樹脂組成物からなる反射皮膜を、マスクの逆パターンで形成した。
続いて、マスクを第１離型基材から取り除いた（図４（ｃ）の仮想線の矢印参照）。これによって、架設部の周囲の反射皮膜がわずかに流動することによって、架設部が配置された領域に反射皮膜が配置された。これによって、反射皮膜を、被覆部の逆パターンで形成した。なお、反射皮膜をＢステージ状態であった。
これにより、第１離型基材、および、反射皮膜からなる反射樹脂層を備える反射樹脂シート（転写シート）を形成した。
次いで、第１離型基材を上下反転し、かかる第１離型基材の上面に、ＥＶＡからなる厚み０．１２ｍｍの緩衝シートを設けた（図２（ｂ）参照）。
また、別途、緩衝層（ＧａＮ）、Ｎ形半導体層（ｎ−ＧａＮ）、発光層（ＩｎＧａＮ）およびＰ形半導体層（ｐ−ＧａＮ：Ｍｇ）を含む光半導体層と、アノード電極およびカソード電極を含む電極部とを備える、厚み０．１ｍｍ、最大長さ（Ｌ２）０．４２ｍｍの発光ダイオード素子を、厚み１ｍｍのダイオード基板の上面にフリップ実装した（図２（ｂ）の下部参照）。なお、ダイオード基板は、サファイアからなる絶縁基板と、その上面に、銅、ニッケルおよび金からなる端子を含む導体層とを備えていた。
次いで、反射樹脂シートをダイオード基板に積層した（図２（ｃ）および図３（ｄ）参照）。
具体的には、反射樹脂層の下面を、ダイオード基板の基板側反射領域に接触させるとともに、露出部を、発光ダイオード素子の上面に接触させた（図２（ｃ）参照）。
次いで、反射樹脂シートを下方に向けて押圧した（図３（ｄ）の矢印参照）。具体的には、プレス機によって、緩衝シートを介して、反射樹脂シートをダイオード基板に、圧力０．３ＭＰａで押圧した。
これによって、第１離型基材の露出部が、発光ダイオード素子の上面に密着するとともに、反射樹脂層が発光ダイオード素子の側面に密着した。
また、樹脂凹部が、反射樹脂層の上面の中央部に形成された。なお、樹脂凹部の厚み（Ｔ２）は９０μｍであった。
次いで、第１離型基材を反射樹脂層および発光ダイオード素子から、緩衝シートとともに取り除いた（図３（ｅ）参照）。
これによって、反射樹脂層を、第１離型基材からダイオード基板に転写した。
その後、反射樹脂層を加熱により硬化させた。
次いで、蛍光体層を、発光ダイオード素子の上面に設けた（図３（ｆ）参照）。
詳しくは、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅからなる蛍光体粒子（球形状、平均粒子径８μｍ）２６質量部、および、シリコーン樹脂（付加反応型シリコーンレジン、動粘度（２５℃）２０ｍｍ２／ｓ、旭化成ワッカーシリコーン社製）７４質量部を配合して、均一攪拌することにより、蛍光体組成物を調製した。
次いで、調製した蛍光体組成物を、発光ダイオード素子の上面に印刷により塗布して蛍光体皮膜を形成した後、蛍光体皮膜を、１００℃で乾燥させて、蛍光体層を形成した。
その後、反射樹脂層およびダイオード基板を厚み方向に沿ってダイシングすることによって、ダイオード基板、発光ダイオード素子、反射樹脂層および蛍光体層を備える発光ダイオード装置を製造した（図３（ｆ）の１点破線）。
実施例２（図６および図７の態様）
第１離型基材の上面に、凹部および突出部を形成し（図６（ａ）参照）、かつ、緩衝シートを第１離型基材の上面に設けなかった以外は、実施例１と同様に処理して、発光ダイオード装置を製造した。
すなわち、反射樹脂シートにおいて、反射樹脂層を、第１離型基材の凹部に形成し（図６（ａ）参照）、続いて、発光ダイオード素子をダイオード基板にフリップ実装し（図６（ｂ）参照）、次いで、反射樹脂シートをダイオード基板に積層し、続いて、反射樹脂シートをダイオード基板に対して押圧した（図６（ｃ）参照）。
これによって、反射樹脂層の上部を、凹部に対応するテーパ状に形成した。
次いで、第１離型基材を、反射樹脂層および発光ダイオード素子から引き剥がし（図７（ｄ）参照）、その後、蛍光体層を、発光ダイオード素子の上面に、隣接する上部の間に充填した（図７（ｅ）参照）。
その後、反射樹脂層およびダイオード基板を厚み方向に沿ってダイシングすることによって、発光ダイオード装置を製造した（図７（ｅ）の１点破線）。
実施例３（図８および図９の態様）
反射樹脂シート（転写シート）を用いず、反射樹脂層をダイオード基板に直接設け（図８（ａ）参照）、かつ、反射樹脂層の押圧において、押圧板を用いた（図８（ｃ）参照）以外は、実施例１と同様に処理して、発光ダイオード装置を得た（図９（ｅ）参照）。
すなわち、まず、発光ダイオード素子をダイオード基板の上面に設けた（図８（ａ）参照）。
次いで、反射樹脂層をダイオード基板の上面において、マスク（図５参照）を用いて、発光ダイオード素子の面方向外方に側部隙間が形成されるように設けた（図８（ｂ）参照）。
次いで、この方法では、凹部および突出部が設けられたステンレスからなる押圧板を用意した（図８（ｃ）の仮想線参照）。
続いて、押圧板によって反射樹脂層を押圧した（図８（ｃ）の仮想線の矢印および実線参照）。
これによって、反射樹脂層を発光ダイオード素子の各側面に密着させるとともに、反射樹脂層の上部に、押圧板の凹部に対応する形状に形成した。
次いで、押圧板を取り除き（図９（ｄ）参照）、その後、蛍光体層を、発光ダイオード素子の上面に、隣接する上部の間に充填した（図９（ｅ）参照）。
その後、反射樹脂層およびダイオード基板を厚み方向に沿ってダイシングすることにより、発光ダイオード素子を個片化して、発光ダイオード装置を得た（図９（ｅ）の１点破線参照）。
１ 発光ダイオード装置
２ ダイオード基板
３ 発光ダイオード素子
４ 反射樹脂層
１３反射樹脂シート（転写シート）
１４第１離型基材
１８被覆部
１９架設部
２０マスク
２５露出部
３０凹部
３２押圧板
３３第２離型基材

Claims (2)

  1. ダイオード基板と、前記ダイオード基板の厚み方向一方面に設けられる発光ダイオード素子と、前記発光ダイオード素子の側面に密着する反射樹脂層とを備える発光ダイオード装置を製造するために用いられる反射樹脂シートであって、
    離型基材、および、
    前記離型基材の厚み方向一方面に設けられる前記反射樹脂層
    を備え、
    前記反射樹脂層は、前記発光ダイオード素子の前記側面と密着できるように、前記発光ダイオード素子に対応して形成され、
    前記離型基材は、前記反射樹脂層から引き剥がされるように、構成され、
    前記離型基材は、前記反射樹脂層から露出する露出部を備え、
    前記露出部は、前記発光ダイオード素子の厚み方向一方面に対して密着できるように、構成されていることを特徴とする、反射樹脂シート。
  2. 反射樹脂層を、離型基材の厚み方向一方面に設けることによって、請求項１に記載の反射樹脂シートを用意する工程、
    発光ダイオード素子を、ダイオード基板の厚み方向一方面に設ける工程、
    前記反射樹脂シートを、前記反射樹脂層が前記発光ダイオード素子の側面に密着するように、前記ダイオード基板に積層する工程、および、
    前記離型基材を前記反射樹脂シートから引き剥がす工程
    を備え、
    前記反射樹脂シートを前記ダイオード基板に積層する工程では、
    前記離型基材において前記反射樹脂層から露出する露出部を、前記発光ダイオード素子の前記厚み方向一方面に接触させて、前記反射樹脂シートを前記ダイオード基板に対して押圧することを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
JP2011089922A 2011-04-14 2011-04-14 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5840377B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011089922A JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2011-04-14 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
EP12161747.6A EP2511965A3 (en) 2011-04-14 2012-03-28 Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof
TW101112858A TW201242113A (en) 2011-04-14 2012-04-11 Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof
KR1020120037769A KR20120117660A (ko) 2011-04-14 2012-04-12 반사 수지 시트, 발광 다이오드 장치 및 그 제조 방법
CN201210110390.9A CN102738362B (zh) 2011-04-14 2012-04-13 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
US13/446,517 US9214611B2 (en) 2011-04-14 2012-04-13 Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof
US14/831,305 US9450160B2 (en) 2011-04-14 2015-08-20 Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof
US14/932,150 US20160056355A1 (en) 2011-04-14 2015-11-04 Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011089922A JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2011-04-14 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015195711A Division JP2016027668A (ja) 2015-10-01 2015-10-01 発光ダイオード装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012222315A JP2012222315A (ja) 2012-11-12
JP5840377B2 true JP5840377B2 (ja) 2016-01-06

Family

ID=45936966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011089922A Expired - Fee Related JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2011-04-14 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9214611B2 (ja)
EP (1) EP2511965A3 (ja)
JP (1) JP5840377B2 (ja)
KR (1) KR20120117660A (ja)
CN (1) CN102738362B (ja)
TW (1) TW201242113A (ja)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
CN102795005B (zh) * 2012-07-09 2015-12-02 厦门飞德利照明科技有限公司 一种led模组的荧光粉丝网印刷工艺
CN102938442B (zh) * 2012-11-27 2015-06-24 北京半导体照明科技促进中心 Led封装单元及包括其的led封装系统
KR20140075351A (ko) * 2012-12-11 2014-06-19 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
DE102012113003A1 (de) * 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013202902B4 (de) * 2013-02-22 2021-06-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102013202906A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US9871167B2 (en) 2013-04-11 2018-01-16 Koninklijke Philips N.V. Top emitting semiconductor light emitting device
KR102077645B1 (ko) * 2013-05-20 2020-02-14 루미리즈 홀딩 비.브이. 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지
CN105122484A (zh) * 2013-06-13 2015-12-02 日东电工株式会社 光半导体反射器用环氧树脂组合物、光半导体装置用热固性树脂组合物及使用其得到的光半导体装置用引线框、封装型光半导体元件以及光半导体装置
JP6248431B2 (ja) * 2013-06-28 2017-12-20 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置の製造方法
US9673364B2 (en) * 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
KR102123039B1 (ko) 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP6263628B2 (ja) * 2013-09-13 2018-01-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． フリップチップｌｅｄ用のフレームベースのパッケージ
JP6252302B2 (ja) * 2014-03-28 2017-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6017492B2 (ja) * 2014-04-24 2016-11-02 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品
KR20150129356A (ko) 2014-05-12 2015-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP5944445B2 (ja) 2014-07-18 2016-07-05 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、樹脂封止電子部品、及び突起電極付き板状部材の製造方法
DE102014111106A1 (de) 2014-08-05 2016-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement, Bauelementeanordnung und Verfahren zur Herstellung eines elektronisches Bauelements
US20160190406A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP6762736B2 (ja) * 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
DE102015105486A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP3217442B1 (en) * 2015-05-29 2021-03-03 Hongli Zhihui Group Co., Ltd Encapsulation method of csp led and csp led
JP6554914B2 (ja) 2015-06-01 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP6623577B2 (ja) 2015-06-30 2019-12-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017034218A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 株式会社東芝 半導体発光装置
JP6288009B2 (ja) 2015-08-31 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102015114849B4 (de) * 2015-09-04 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten und Leuchtdiodenfilament
US10840420B2 (en) * 2015-10-30 2020-11-17 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
JP6593237B2 (ja) * 2016-03-22 2019-10-23 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法
JP2017208421A (ja) * 2016-05-17 2017-11-24 ローム株式会社 半導体装置
JP6809203B2 (ja) 2016-12-20 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6740374B2 (ja) * 2016-12-22 2020-08-12 シャープ株式会社 表示装置および製造方法
JP6862819B2 (ja) * 2016-12-22 2021-04-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR101847100B1 (ko) * 2017-01-02 2018-04-09 박승환 Uv 임프린팅 기술을 이용한 투명 발광장치 제조 방법 및 그에 따라 제조되는 투명 발광장치
KR102425807B1 (ko) * 2017-09-25 2022-07-28 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
JP2019071352A (ja) * 2017-10-10 2019-05-09 シチズン電子株式会社 照明装置とその製造方法
KR20190060350A (ko) * 2017-11-24 2019-06-03 주식회사 루멘스 엘이디 패키지 및 그 제조방법
CN113066812B (zh) * 2017-12-21 2023-05-05 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件
JP6521119B2 (ja) * 2018-02-19 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102555234B1 (ko) * 2018-04-27 2023-07-14 주식회사 루멘스 플렉시블 엘이디 조명 장치
CN110546751A (zh) * 2018-06-11 2019-12-06 厦门三安光电有限公司 发光组件
TWI660524B (zh) * 2018-07-17 2019-05-21 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
US11664363B2 (en) * 2018-10-17 2023-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR102453053B1 (ko) 2018-11-02 2022-10-11 주식회사 엘지에너지솔루션 이차전지 내부 단락 평가 방법
JP6743866B2 (ja) * 2018-11-05 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP6978708B2 (ja) * 2018-11-05 2021-12-08 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP6849139B1 (ja) * 2019-08-02 2021-03-24 日亜化学工業株式会社 発光装置および面発光光源
JP6885494B1 (ja) * 2019-09-27 2021-06-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102021132004A1 (de) * 2021-12-06 2023-06-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtstoff, leuchtstoffmischung, verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs und strahlungsemittierendes bauelement

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005179496A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP2005191420A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
US20060034084A1 (en) 2004-06-28 2006-02-16 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
JP2006117919A (ja) * 2004-09-24 2006-05-11 Nagase & Co Ltd 半導体封止用３次元シート状接着体
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
TWI481064B (zh) * 2007-02-13 2015-04-11 3M Innovative Properties Co 具有透鏡之發光二極體裝置及其製造方法
US9944031B2 (en) 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
EP2216834B1 (en) * 2007-11-29 2017-03-15 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
TWI452056B (zh) * 2008-01-09 2014-09-11 Hitachi Chemical Co Ltd 熱固性樹脂組成物、環氧樹脂成形材料以及多元羧酸縮合體
JP5078644B2 (ja) * 2008-02-06 2012-11-21 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP5388167B2 (ja) * 2008-09-08 2014-01-15 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5190993B2 (ja) * 2008-11-20 2013-04-24 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP4808244B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP5366587B2 (ja) * 2009-02-20 2013-12-11 日東電工株式会社 光半導体封止用加工シート
JP5689225B2 (ja) * 2009-03-31 2015-03-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5482378B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI416767B (zh) * 2009-06-03 2013-11-21 Kwo Ger Metal Technology Inc LED luminous module process method
JP5701523B2 (ja) 2010-06-22 2015-04-15 日東電工株式会社 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102738362A (zh) 2012-10-17
US20160056355A1 (en) 2016-02-25
TW201242113A (en) 2012-10-16
US9214611B2 (en) 2015-12-15
EP2511965A3 (en) 2014-08-27
US9450160B2 (en) 2016-09-20
KR20120117660A (ko) 2012-10-24
CN102738362B (zh) 2016-06-08
US20150357536A1 (en) 2015-12-10
US20120261699A1 (en) 2012-10-18
EP2511965A2 (en) 2012-10-17
JP2012222315A (ja) 2012-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5840377B2 (ja) 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
JP5670249B2 (ja) 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
JP5745319B2 (ja) 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP5700544B2 (ja) 発光ダイオード装置の製造方法
JP5666962B2 (ja) 発光ダイオード装置およびその製造方法
JP2012216712A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法および発光ダイオード素子
JP2014096491A (ja) 蛍光体層被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
JP2016027668A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法
JP2015073140A (ja) 発光ダイオード装置
JP5953386B2 (ja) 発光ダイオード装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140610

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140807

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20141007

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141226

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150109

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20150206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151001

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5840377

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees