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KR100590567B1 - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100590567B1
KR100590567B1 KR1020040090494A KR20040090494A KR100590567B1 KR 100590567 B1 KR100590567 B1 KR 100590567B1 KR 1020040090494 A KR1020040090494 A KR 1020040090494A KR 20040090494 A KR20040090494 A KR 20040090494A KR 100590567 B1 KR100590567 B1 KR 100590567B1
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Abstract

레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 레이저 다이오드는, 기판; 기판의 상부에 형성되며, 가운데 부분에는 리지(ridge)가 형성된 제 1 클래드층; 제 1 클래드층의 상면에 형성되는 것으로, 리지의 상면 및 경사면에 위치하는 상부 평탄부 및 경사부와, 리지의 양측에 위치하는 하부 평탄부를 포함하는 활성층; 활성층의 상면에 제 1 클래드층의 리지에 대응되는 형상으로 형성되는 제 2 클래드층; 및 상기 제 2 클래드층의 상부 리지의 상부 평탄부에 대응하는 윈도우를 가지는 것으로 산화물질층을 포함하는 전류차단층;을 구비한다.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법{Laser diode and method of manufacturing the same}
도 1은 종래 레이저 다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 레이저 다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 레이저 다이오드의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100... n형전극 110... 기판
120... 버퍼층 130... 하부 클래드층
140... 활성층 150... 상부 클래드층
171, 172,173... 전류차단층에 포함되는 적층
200... p형전극
본 발명은 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 활성층에 단차를 주어 횡모드 방향으로 광 구속(confinement) 효과를 향상시킬 수 있고, 산화물로 이루어진 전류차단영역을 구비함으로써 발진 개시전류를 줄일 수 있는 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 레이저 다이오드는 비교적 소형이면서 레이저 발진을 위한 임계 전류(threshold current)가 일반 레이저 장치에 비해 작다는 점 등의 특징 때문에 통신 분야나 광 디스크가 사용되는 플레이어에서 고속 데이터 전송이나 고속 데이터 기록 및 판독을 위한 소자로 널리 사용되고 있다.
레이저 다이오드를 광 디스크 등의 광 정보처리 분야에서 광원으로 사용하기 위한 가장 중요한 성능은 안정한 기본 횡 모드 발진이다. 즉, 발광 스폿이 단일로 되고, 더욱이 그 광 강도피크의 위치가 광 출력 레벨에 따라서 이동하지 않는 것이 필요하다. 다음으로 중요한 성능은 임계치 전류가 적다는 것이다. 이 두가지의 성능을 만족시키기 위해서 개발된 것이 스트라이프(stripe)형 레이저 다이오드이다.
상기 스트라이프형 레이저 다이오드는, 광 도파로가 전류 주입에 의한 이득 분포에 의해 결정되는 이득 도파형 레이저 다이오드와 접합 방향에 굴절율 분포가 설계된 굴절율 도파형 레이저 다이오드로 대별된다. 횡 모드의 안정성, 임계치 전류, 비점격차에서는 굴절율 도파형 레이저 다이오드가 단연 우수하며, 현재 실용화되고 있는 레이저 다이오드는 접합 평행방향에 실효 굴절율차를 두어 접합폭에 광을 가두는 실효 굴절율 도파형 레이저 다이오드가 대부분이다. 이와 같은 실효 굴 절율 도파형 레이저 다이오드의 예가 VSIS(V-channeled substrate inner stripe)형 레이저 다이오드이다. 상기 VSIS형 레이저 다이오드는 스트라이프 양측의 활성층에 근접하여 광 흡수층이 형성되는데, 이것은 전류저지의 역할을 함과 동시에 내부 스트라이프 구조를 형성한다.
도 1에는 670nm 파장대의 전형적인 SBR(selectively buried ridge) 구조의 종래 레이저 다이오드의 개략적인 단면이 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 기판 (10)상부에 버퍼층(20), 제 1 클래드층(30), 도핑안된(u-) 활성층(40) 및 제 2 클래드층(50)을 1차로 성장시킨 다음, 포토리소그라피(photolithography) 공정 및 식각공정에 의하여 상기 제 2 클래드층(50) 중심부에 소정의 폭과 높이를 가지는 리지 스트라이프(ridge stripe)를 형성한다. 다음으로, 2차로 밴드갭 감소층(60) 및 전류제한층(70)을 성장시켜 형성한 다음, 3차로 콘택트층(80)을 성장시켜 형성한다.
그런데, 상기의 2차 내지 3차 성장시 아연(Zn) 등의 불순물이 활성층(40) 내로 확산되어 비발광의 원인이 되거나 소자의 특성인 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다. 그리고, 리지의 폭과 깊이를 습식 화학에칭에 의해 정확히 제어하기 어렵다.
본 발명은 활성층에 단차를 주어 횡방향으로 광 구속(confinement) 효과를 향상시킬 수 있고, 산화물로 이루어진 전류차단영역을 구비함으로써 발진 개시전류를 줄일 수 있는 개선된 구조의 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명에 따른 레이저 다이오드는,
기판;
상기 기판의 상부에 형성되며, 가운데 부분에는 리지(ridge)가 형성된 제 1 클래드층;
상기 제 1 클래드층의 상면에 형성되는 것으로, 상기 리지의 상면 및 경사면에 위치하는 상부 평탄부 및 경사부와, 상기 리지의 양측에 위치하는 하부 평탄부를 포함하는 활성층;
상기 활성층의 상면에 상기 제 1 클래드층의 리지에 대응되는 형상으로 형성되는 제 2 클래드층; 및
상기 제 2 클래드층의 상부의 리지의 상부 평탄부에 대응하는 윈도우를 가지는 것으로 산화물질층을 포함하는 전류차단층;을 구비한다.
상기 본 발명의 레이저 다이오드에 있어서, 상기 활성층의 경사부는 상기 활성층의 상부 및 하부 평탄부보다 얇은 것이 바람직하다.
상기 전류차단층은 본 발명의 실시예에 따라 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층 또는 n-AlXGa1-XAs층, 그리고 도핑되지 않은 GaAn 또는 n-GaAs층을 포함한다.
본 발명이 바람직한 실시예에 다르면 상기 전류차단층은 p+-GaAs층 위에 순 차적으로 적층되는 n-형 또는 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-GaAs층을 구비하고, 상기 n-형 또는 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-GaAs층은 복수층 반복 적층된다. 이러한 전류차단층은 상기 리지의 양측의 경사면에서 다른 부분에 비해 얇다.
한편, 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 제조방법은
기판 상부에 제 1 클래드층을 형성하는 단계;
상기 제 1 클래드층의 가운데 부분에 리지를 형성하는 단계;
상기 제 1 클래드층의 상부에 상기 리지에 대응되는 형상으로 활성층 및 제 2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 제 2 클래드층의 상부에 적어도 하나의 반도체 물질층을 포함하는 전류차단층을 형성하는 단계;
상기 전류차단층에서 상기 리지 상면에 대응하는 부분에 전류통과를 위한 윈도우를 형성하는 단계; 그리고
상기 전류차단층에서 선택된 반도체물질층의 양측을 산화시키는 단계;를 포함한다.
상기 본 발명의 제조방법에 있어서, 상기 리지를 형성하는 단계는;
상기 제 1 클래드층의 가운데 부분에 식각마스크를 형성하는 단계; 및
상기 식각마스크의 양측에 위치한 상기 제 1 클래드층을 소정 깊이로 식각하는 단계;를 포함한다.
상기 본 발명의 제조방법의 실시예에 따르면, 상기 전류차단층은 본 발명의 실시예에 따라 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층 또는 n-AlXGa1-X As층, 그리고 도핑되지 않은 GaAn 또는 n-GaAs층을 포함한다.
이러한 전류차단층은 상기 제 2 클래드층의 리지에 대응하는 윈도우 및 리지 양측의 경사부와 상기 리지의 양측에 대응하는 하부 평탄부를 포함한다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 윈도우를 형성하는 단계는;
상기 전류차단층 위에 윈도우를 형성하고자 하는 부분에 식각마스크를 형성하는 단계; 및
상기 식각마스크의 윈도우 부분의 전류차단층을 p+-GaAs층 위까지 선택적 습식 방법으로 식각하는 단계;를 포함한다. 상기 선택적 습식 식각단계에서,
상기 GaAs 층을 citric acid/H2O2 용액으로, AlGaAs층을 H2O/Buffered HF 용액으로 습식식각한다.
상기 전류차단층의 한 물질층의 산화는 습식산화방법에 따른다.
바람직한 본 발명의 제조방법으로서, 상기 전류차단층으로서 n-형 또는 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-형 또는 도핑되지 않은 GaAs층을 순차적으로 적층하고, 상기 n-형 또는 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-형 또는 도핑되지 않은 GaAs층을 복수조 다중 적층한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설 명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 다이오드를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 다이오드는 기판(110)과 상기 기판(110)의 상부에 형성되는 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층의 릿지 구조(ridge structure) 양측 어깨 부분에 형성되는 다층 구조의 전류차단층(current blocking layer)을 포함한다. 전류차단층은 레이저 발진층의 중앙부 리지(150a)에서 개방되어 있고, 따라서 제 2클래드층(150)의 릿지(150a) 부분으로만 전류 주입이 허용된다. 상기 레이저 발진층(laser generation layer)은 활성층(140)과, 상기 활성층(140)의 하부 및 상부에 각각 형성되는 제 1 및 제 2 클래드층(130,150)으로 이루어진다. 상기 릿지 구조는 제 1클래드층(130) 중앙의 돌출된 릿지(130a)로 부터 시작된다.
상기 기판(110)은 n-GaAs으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 기판(110)의 상면에는 n-GaAs로 이루어지는 버퍼층(120)이 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(120)의 상면에는 가운데 부분에 리지가 형성된 제 1 클래드층(130)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 제 1 클래드층(130)은 n-InGaAlP로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제 1 클래드층(130)의 상면에는 활성층(140)이 소정 두께로 형성되어 있다. 상기 활성층(140)은 InGaP로 이루어질 수 있다. 상기 활성층(140)은 상기 제 1 클래드층(130)의 리지(130a)의 상면 및 경사면에 각각 위치하는 상부 평탄부와 경사부, 그리고 상기 리지의 양측에 위치하는 하부 평탄부를 포함한다. 여기서, 상기 활성층(140)은 경사부에서의 두께가 상부 및 하부 평탄부에서의 두께보다 얇게 형성되어 있다. 이와 같이, 상기 활성층(140)에 단차를 주어 경사부에서의 두께를 얇게 형성하게 되면, 상기 활성층(140)의 경사부에서 에너지 밴드갭(energy band gap)이 커지기 때문에 광 구속 효과를 향상시킬 수 있게 된다. 상기 활성층(140)의 상면에는 제 2 클래드층(150)이 상기 제 1 클래드층(130)의 리지에 대응되는 형상으로 형성되어 있다. 상기 제 2 클래드층(150)은 p-InGaAlP로 이루어질 수 있다.
상기 전류차단층은 하부의 p+-GaAs 층(171)에 형성되는 것으로 n-GaAs 층(172)과 n-AlxGa1-xAs(0.5??X??1, 여기에서 Al 은 0.98) 산화물질(173)을 구비한다. 여기에서 도 2에 도시된 바와 같이 n-GaAs / n-AlxGa1-xAs 적층은 2 회 반복 다중 적층구조 즉, n-GaAs/n-AlxGa1-xAs/n-GaAs/n-AlxGa1-x As/p-GaAs 의 적층구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에 따르면 상기 전류차단층은 단순히 n-GaAs/n-AlxGa1-xAs/p-GaAs 의 적층구조를 가질 수 있다. 이러한 전류차단층의 각 물질층(171,172,173)은 대략 20nm ~ 1000nm의 두께로 형성될 수 있다.
다른 실시예들에 따르면 상기 전류차단층의 n-GaAs / n-AlxGa1-xAs 의 적층은 u-GaAs / n-AlxGa1-xAs 적층구조 또는 n-GaAs / u-AlxGa1-x As의 적층 구조로 대체된다. 도 2a 및 도 2b에서 "u-" 는 도핑이 되지 않은(undoped) 상태를 의미한다.
상기한 바와 같이 상기 전류차단층의 각 물질층은 리지(150a)의 경사부에서 의 두께가 리지 양측의 하부 평탄부에서의 두께보다 얇게 형성되어 있다. 그리고, 상기 물질층 중 u-AlXGa1-XAs 또는 n-AlXGa1-XAs 층(172)은 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 AlXGa1-XAs 층의 산화는 레이저 다이오드 양측면으로 부터의 소정시간동안 선택적 습식산화방법에 이루어진다.
도면에서 참조부호 100과 200은 각각 기판(110)의 저면 및 상기 전류차단층위 위에 형성되는 n형 전극(100) 및 p형 전극(200)이다.
상기와 같은 구조의 레이저 다이오드에서는, 상기 활성층(140)에 단차를 주어 경사부에서의 두께를 얇게 형성함으로써 광 구속 효과를 향상시킬 수 있게 되고, 또한 산화물층을 포함하는 전류차단층을 구비함으로써 발진 개시전류를 줄일 수 있게 된다.
도 2b는 도 2a 에 도시된 실시예에서 전류차단층의 (u- or n-) AlXGa1-XAs층(172)과 n-GaAs층(173)이 한 조만 형성되어 있는 구조를 가진다. 즉, 본 발명에 따르면, n-AlXGa1-XAs층(172)은 n-GaAs층(173)은 한 조를 이루어 도 2b에 도시된 바와 같이 한 조만 이용될 수 있고, 한편으로는 도 2a에 도시된 바와 같이 두조가 이용될 수 있다. 한편으로는 다른 실시예에 따르면 상기 AlXGa1-XAs층(172)은 n-GaAs층(173)은 3 조 이상 마련될 수 있다. 이런 적층구조에 변형에 더불어 물질의 종류에 있어서도 상술한 바와 같이 도핑이 되거나 도핑이 안된 AlXGa1-XAs, n-GaAs을 선택적으로 적용한다.
이하에서는 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 레이저 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기로 한다.
먼저, 도 3a를 참조하면, n-GaAs로 이루어진 기판(110) 상에 n-GaAs 버퍼층(120)을 형성하고, 상기 버퍼층(120)의 상면에 n-InGaAlP로 이루어진 제 1 클래드층(130)을 소정 두께로 형성한다. 다음으로, 도 3b를 참조하면, 상기 제 1 클래드층(130)의 상면 가운데 부분에 식각마스크(250)를 형성한다. 여기서, 상기 식각마스크(250)는 SiO2로 이루어질 수 있다. 상기 식각마스크(250)는 제 1 클래드층(130)의 상면에 SiO2층을 형성하고, 이를 포토리소그라피 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 그리고, 상기 식각마스크(250)의 양측에 있는 제 1 클래드층(130)을 소정 깊이로 경사 식각하고 상기 식각마스크(250)를 제거하게 되면, 제 1 클래드층(130)의 가운데 부분에 리지가 형성된다.
이어서, 도 3c를 참조하면, 리지가 형성된 제 1 클래드층(130)의 상면에 InGaP로 이루어진 활성층(140)을 성장 형성한다. 상기 활성층(140)은 상기 제 1 클래드층(130)에 형성된 리지의 상면 및 경사면에 각각 위치하는 상부 평탄부와 경사부, 그리고 상기 리지의 양측에 위치하는 하부 평판부를 포함한다. 여기서, 상기 활성층(140)은 상기 제 1 클래드층(130)의 상면에 성장 형성되므로, 일반적으로 경사부에서의 두께가 상부 및 하부 평탄부에서의 두께보다 얇게 형성된다. 다음으로, 상기 활성층(140)의 상면에 상기 제 1 클래드층(130)의 리지에 대응되도록 p-InGaAlP로 이루어진 제 2 클래드층(150)을 형성하고, 상기 제 2 클래드층(150)의 상부에는 p-GaAs(171)을 형성한 후 이 위의 전류차단층(172,173)을 형성한다.
상기 전류차단층은 적어도 하나의 n- 또는 u- AlXGa1-XAs(0.5??X??1)층(172) 및 적어도 하나의 n- 또는 u- GaAs층(173)을 포함한다. 여기에서 도 3c에서는 AlXGa1-XAs층(172) 및 GaAs 이 2개인 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 전술한 바와 같이 하나의 적층 또는 2 이상의 적층으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층은 상기 제 1 클래드층(130)의 리지 양측 경사부와, 상기 제 1 클래드층(130)의 리지 양측에 어깨 부분 즉 하부 평탄부에 형성된다. 상기 전류차단층의 각 물질층(172,173)은 경사부에서의 두께가 상부 및 하부 평탄부에서의 두께보다 얇게 형성된다.
도 3d에 도시된 바와 같이 패터닝 및 선택적 습식 에칭에 의해 릿지 상부에 전류통과를 위한 윈도우(W)를 상기 전류차단층에 형성한다. 여기에서 GaAs 층은 시트릭 산/H2O2, 그리고 AlGaAs 층은 H2O/Buffered HF 혼합용액을 이용하여 에칭한다.
도 3e를 참조하면, 상기 전류차단층의 n-AlXGa1-XAs 층(172)을 산화시킨다. 이를 위하여 p-AlXGa1-XAs 층(172)의 양측으로부터의 선택적 습식산화방법에 의하여 소정시간 동안 산화시킴으로써 형성될 수 있다. 여기서, p-AlXGa1-XAs 층은 그 두께가 얇을수록 산화되는 속도가 느려지므로, 상기 리지의 경사부에서의 산화속도는 상기 하부 평탄부에서의 산화속도보다 느려지게 된다. 마지막으로, 도 3f를 참조하면, 상기 n-GaAs 기판(110)의 하면 및 상기 전류차단층의 위에 각각 n형 전극(100) 및 p형 전극(200)을 형성하게 되면 본 발명의 실시예에 따른 레이저 다이오드가 완성된다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 다이오드는 한번의 재성장(regrowth)으로 제조될 수 있으므로 제조공정이 단순하며, 물질층 두께의 산화속도 차이에 의해 전류차단 영역을 용이하게 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면 활성층에 단차를 주어 경사부에서의 두께를 얇게 형성함으로써 광 구속 효과를 향상시킬 수 있게 되고, 산화물로 이루어진 전류차단 영역을 구비함으로써 발진 개시전류를 줄일 수 있게 된다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 다이오드는 한번의 재성장으로 제조될 수 있으므로 제조공정이 단순하며, 물질층 두께의 산화속도 차이에 의해 전류차단 영역을 용이하게 형성할 수 있다.

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판의 상부에 형성되며, 가운데 부분에는 리지(ridge)가 형성된 제 1 클래드층;
    상기 제 1 클래드층의 상면에 형성되는 것으로, 상기 리지의 상면 및 경사면에 위치하는 상부 평탄부 및 경사부와, 상기 리지의 양측에 위치하는 하부 평탄부를 포함하는 활성층;
    상기 활성층의 상면에 상기 제 1 클래드층의 리지에 대응되는 형상으로 형성되는 제 2 클래드층; 및
    상기 제 2 클래드층의 상부의 리지의 상부 평탄부에 대응하는 윈도우를 가지는 것으로 산화물질층을 포함하는 전류차단층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성층의 경사부는 상기 활성층의 상부 및 하부 평탄부보다 얇은 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 n-AlXGa1-XAs층, n-GaAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-GaAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, 도핑되지 않은 GaAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 p+-GaAs층 위에 순차적으로 적층되는 n-형 또는 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-GaAs층을 구비하고, 상기 n-형 또는 도핑되지 않은 Al XGa1-XAs층, n-GaAs층은 복수층 반복 적층되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 상기 리지의 양측의 경사면에서 다른 부분에 비해 얇은 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  8. 기판 상부에 제 1 클래드층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 클래드층의 가운데 부분에 리지를 형성하는 단계;
    상기 제 1 클래드층의 상부에 상기 리지에 대응되는 형상으로 활성층 및 제 2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제 2 클래드층의 상부에 적어도 하나의 반도체 물질층을 포함하는 전류차단층을 형성하는 단계;
    상기 전류차단층에서 상기 리지 상면에 대응하는 부분에 전류통과를 위한 윈도우를 형성하는 단계; 그리고
    상기 전류차단층에서 선택된 반도체물질층의 양측을 산화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 리지를 형성하는 단계는;
    상기 제 1 클래드층의 가운데 부분에 식각마스크를 형성하는 단계; 및
    상기 식각마스크의 양측에 위치한 상기 제 1 클래드층을 소정 깊이로 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 n-AlXGa1-XAs층, n-GaAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-GaAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, 도핑되지 않은 GaAs층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 전류차단층은 상기 제 2 클래드층의 리지에 대응하는 윈도우 및 리지 양측의 경사부와 상기 리지의 양측에 대응하는 하부 평탄부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  14. 제 8 항 또는 13항에 있어서,
    상기 윈도우를 형성하는 단계는;
    상기 전류차단층 위에 윈도우를 형성하고자 하는 부분에 식각마스크를 형성하는 단계; 및
    상기 식각마스크의 윈도우 부분의 전류차단층을 p+-GaAs층 위까지 선택적 습식 방법으로 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    선택적 습식 식각은,
    GaAs 층을 citric acid/H2O2 용액으로, AlGaAs층을 H2O/Buffered HF 용액으로 습식식각하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 물질층은 선택적 습식산화방법에 의하여 산화되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  17. 제 8 항에 있어서,
    상기 전류차단층으로서 n-형 또는 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-형 또는 도핑되지 않은 GaAs층을 순차적으로 적층하고, 상기 n-형 또는 도핑되지 않은 AlXGa1-XAs층, n-형 또는 도핑되지 않은 GaAs층을 복수조 다중 적층하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
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