JPS6390866A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPS6390866A JPS6390866A JP61236507A JP23650786A JPS6390866A JP S6390866 A JPS6390866 A JP S6390866A JP 61236507 A JP61236507 A JP 61236507A JP 23650786 A JP23650786 A JP 23650786A JP S6390866 A JPS6390866 A JP S6390866A
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- JP
- Japan
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- light
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- resin
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は全モールドタイプのフォトダイオード。
フォトトランジスターに関するものであり、特に、亦外
発光系子との組合せにより透過型フォトセンサーの受光
部として使用される半導体受光装置に関するものである
。
発光系子との組合せにより透過型フォトセンサーの受光
部として使用される半導体受光装置に関するものである
。
従来この種の受光装置は内蔵した受光素子の受光面に対
し、垂直方向からの入射光を主として取扱い、受光素子
表面を櫨５樹脂面は素子表面と平行な平面あるいは入射
する光を集光して素子の受光面に当てるような凸レンズ
となっている。
し、垂直方向からの入射光を主として取扱い、受光素子
表面を櫨５樹脂面は素子表面と平行な平面あるいは入射
する光を集光して素子の受光面に当てるような凸レンズ
となっている。
従って従来の受光装置において、素子側面方向からの入
射光による受光電流は、素子の一側面から結晶内部へ入
射する元による成分と、樹脂内部での乱反射によシ素子
の受光面に入射する元による成分でアシ、素子受光面に
垂直な方向からの入射光に対する受光電流に対し、大幅
に低下する。
射光による受光電流は、素子の一側面から結晶内部へ入
射する元による成分と、樹脂内部での乱反射によシ素子
の受光面に入射する元による成分でアシ、素子受光面に
垂直な方向からの入射光に対する受光電流に対し、大幅
に低下する。
本発明は特に受光素子の側面方向からの入射光に対し、
高感度を有するよう、素子の受光面側の樹脂部形状を光
の入射側を厚く反対側が薄くなるような傾斜面にして、
素子表面に平行に入射した元が傾斜面にて全反射し、素
子受光面に入射するようにしたものである。また、入射
面に適当な径の凸レンズを設は光を集光してさらに感度
を上げることも可能であシ、またレンズの位置を適当に
設定することによシ受元素子表面内の特定位置に入射光
を集中させることも可能である。
高感度を有するよう、素子の受光面側の樹脂部形状を光
の入射側を厚く反対側が薄くなるような傾斜面にして、
素子表面に平行に入射した元が傾斜面にて全反射し、素
子受光面に入射するようにしたものである。また、入射
面に適当な径の凸レンズを設は光を集光してさらに感度
を上げることも可能であシ、またレンズの位置を適当に
設定することによシ受元素子表面内の特定位置に入射光
を集中させることも可能である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図、また第２図はその
断面図である。第３図、第４図は光の入射面に凸レンズ
を有する実施例の平面図及び断面図である。第５図、第
６図は通常の素子表面方向からの入射光に高い感度を有
する受光装置の平面図及び断面図である。
断面図である。第３図、第４図は光の入射面に凸レンズ
を有する実施例の平面図及び断面図である。第５図、第
６図は通常の素子表面方向からの入射光に高い感度を有
する受光装置の平面図及び断面図である。
１は受光素子チップ、２はリードフレーム、３は樹脂、
４は素子表面に形成された受光面、５は側面方向から入
射した光を全反射するための反射面、６は光を集光する
ための凸レンズを示す。
４は素子表面に形成された受光面、５は側面方向から入
射した光を全反射するための反射面、６は光を集光する
ための凸レンズを示す。
第２図において素子の側面方向から入射した光（矢印で
示す）は反射面５で全反射する。一般にエポキシ樹脂の
屈折率は約１．５であり、光が全反射する臨界角はθ＝
ｓｉｎ ’−Ｌ−＝ ４１．８°である。
示す）は反射面５で全反射する。一般にエポキシ樹脂の
屈折率は約１．５であり、光が全反射する臨界角はθ＝
ｓｉｎ ’−Ｌ−＝ ４１．８°である。
１．５
従って反射面５は△ＡＢＣが４８．２°以下であるよう
に設定される。但し、角度が小さくなる程樹脂内部での
光路が長くなシ、樹脂による光の吸収が大きくなる為感
度低下の要因となシネ利である。
に設定される。但し、角度が小さくなる程樹脂内部での
光路が長くなシ、樹脂による光の吸収が大きくなる為感
度低下の要因となシネ利である。
また、パッケージサイズも大きくなる。よって、ムＡＢ
Ｃは３０〜４５°程度が適当である。第３，４図に示す
ような凸レンズを有し、光を集光して感度を上げる場合
はレンズの直径の両端に入射された光が反射面で全反射
され少なくとも、素子受光面内に入射されるようなレン
ズ径と、素子の位置が設定される。
Ｃは３０〜４５°程度が適当である。第３，４図に示す
ような凸レンズを有し、光を集光して感度を上げる場合
はレンズの直径の両端に入射された光が反射面で全反射
され少なくとも、素子受光面内に入射されるようなレン
ズ径と、素子の位置が設定される。
以上説明したように本発明は素子の側面方向からの入射
光に対し高い受光感度を有する受光装置を提供出来る為
、本発明を応用することによ）、同一リードフレーム内
に半導体発光素子と半導体受光素子をそれぞれの側面が
相対するよう搭載された光学的センサーすなわち、透過
型の７オトインタラブタが提供出来る。
光に対し高い受光感度を有する受光装置を提供出来る為
、本発明を応用することによ）、同一リードフレーム内
に半導体発光素子と半導体受光素子をそれぞれの側面が
相対するよう搭載された光学的センサーすなわち、透過
型の７オトインタラブタが提供出来る。
第１図は本発明の一実施例の平面図、また第２図はその
断面図である。第３図、第４図は光の入射面に凸レンズ
を有する実施例の平面図及び断面図である。第５図、第
６図は通常の素子表面方向からの入射光に高い感度を有
する受光装置の平面図及び断面図である。 １は受光素子チップ、２はリードフレーム、３は樹脂、
４は素子表面に形成された受光面、５は側面方向から入
射した光を全反射するだめの反射面、６は光を集光する
だめの凸レンズを示す。
断面図である。第３図、第４図は光の入射面に凸レンズ
を有する実施例の平面図及び断面図である。第５図、第
６図は通常の素子表面方向からの入射光に高い感度を有
する受光装置の平面図及び断面図である。 １は受光素子チップ、２はリードフレーム、３は樹脂、
４は素子表面に形成された受光面、５は側面方向から入
射した光を全反射するだめの反射面、６は光を集光する
だめの凸レンズを示す。
Claims (1)
- 半導体受光素子をリードフレームに搭載し、その外側を
樹脂で覆った構造を有する半導体受光装置において、受
光素子表面側の樹脂部分が、素子の側面方向から入射し
た光を全反射するように、光の入射側を厚く、また、反
対側が薄くなるような傾斜面を有する全反射型プリズム
であることを特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236507A JPS6390866A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236507A JPS6390866A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390866A true JPS6390866A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=17001745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61236507A Pending JPS6390866A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390866A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0404053A2 (en) * | 1989-06-19 | 1990-12-27 | Fujitsu Limited | Photo-semiconductor module |
| US5045908A (en) * | 1990-09-25 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Vertically and laterally illuminated p-i-n photodiode |
| EP0450560A2 (en) * | 1990-04-03 | 1991-10-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | An optical device |
| JPH04111761U (ja) * | 1991-03-14 | 1992-09-29 | ホーヤ株式会社 | 受光素子 |
| US6004046A (en) * | 1996-11-29 | 1999-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module and method of making the same |
| US6213650B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of making optical module |
| US6257773B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-07-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module and optical reflecting member |
| US6929405B2 (en) | 2002-01-15 | 2005-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical communication module and single fiber bi-directional optical communication module |
| JP2010217142A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Yamatake Corp | 光学センサ |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236507A patent/JPS6390866A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0404053A2 (en) * | 1989-06-19 | 1990-12-27 | Fujitsu Limited | Photo-semiconductor module |
| US5023447A (en) * | 1989-06-19 | 1991-06-11 | Fujitsu Limited | Photo-semiconductor module employing semi-spherical lens to enhance detection |
| EP0450560A2 (en) * | 1990-04-03 | 1991-10-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | An optical device |
| US5045908A (en) * | 1990-09-25 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Vertically and laterally illuminated p-i-n photodiode |
| JPH04111761U (ja) * | 1991-03-14 | 1992-09-29 | ホーヤ株式会社 | 受光素子 |
| US6004046A (en) * | 1996-11-29 | 1999-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module and method of making the same |
| US6213650B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of making optical module |
| US6257773B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-07-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module and optical reflecting member |
| US6929405B2 (en) | 2002-01-15 | 2005-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical communication module and single fiber bi-directional optical communication module |
| JP2010217142A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Yamatake Corp | 光学センサ |
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