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JPS63166242A - ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 - Google Patents

ウエハプロ−バにおける針圧調整方法

Info

Publication number
JPS63166242A
JPS63166242A JP31410686A JP31410686A JPS63166242A JP S63166242 A JPS63166242 A JP S63166242A JP 31410686 A JP31410686 A JP 31410686A JP 31410686 A JP31410686 A JP 31410686A JP S63166242 A JPS63166242 A JP S63166242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
needle
wafer prober
contact
prober
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31410686A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsuko Suda
須田 篤子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP31410686A priority Critical patent/JPS63166242A/ja
Publication of JPS63166242A publication Critical patent/JPS63166242A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウエハプローバにおける針圧調整方法に関
するものである。
〔従来の技術〕
第4図は、従来のクエハプローパの針圧調整方法を説明
する構成図である。同図において、1は半導体試験装置
、2は半導体ウェハを試験する自動機であるウエハプロ
ーバであり、被試験ウェハ4とグローブカード3の針3
&との接触部分を見るための顕微鏡5を装備している。
このプローブカード3は針3mのついた測定ボードで形
成されウエハプローバ2にとりつけられて被試験ウエノ
・4と半導体試験装置lとの媒体となっている。
このような構成において、針圧調整方法は、被試験ウェ
ハ4の各チップのパッド部分でプローブカード30針3
1先と被試験ウェハ4との間のコンタクト状態を顕微鏡
5で確認しながら、人手によりプローブカード3を徐々
に下げて針3aを降ろし、コンタクトするポイントを見
つける。さらに適切なオーバードライブ量まで針31を
下げることで行なっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の方法では、ウエハプローバ2において被試験ウェ
ハ4とプローブカード30針3a先とのコンタクト状態
を確認しながら、人手で針3aを下げることにより、針
圧調整を行なわなければならなかった。また、そのコン
タクト状態にばらつきが生じるなどの問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、被試験ウェハとプローブカードの針先との
間の針圧調整を高精度で行なうと共に最適なコンタクト
状態をとり得るウエハプローバにおける針圧調整方法を
提供することを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
この発明における針圧調整方法は、半導体試験装置でコ
ンタクトチェックの判定を行ない、その判定結果をウエ
ハプローバにフィードバックすることを繰り返し、プロ
ーブカードの針先と被試験ウェハとの間の針圧調整を自
動で行なうようにするとともに最適なコンタクト状態を
得ることができる。
〔作用〕
この発明におけるウェハプローバの針圧調整方法は、半
導体試験装置でプローブカード上の針先と被試験ウェハ
との間のコンタクトチェックを判定し、その結果をウエ
ハプローバにフィードバックすることを繰り返し行なう
ことによシ、コンタクト開始ポイントが得られるととも
に最適なコンタクト状態の針圧調整が自動的に得られる
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例によるウエハプローバの針
圧調整方法を説明する構成図であシ、前述の図と同一部
分は同一符号を付しである。同図において、プローブカ
ード3は半導体試験装置1の各端子と被試験ウェハ4の
チップの接触部とがその針3aで接触するように配線さ
れている。また、半導体試験装置lは各端子からプロー
ブカード3を通して被試験ウェハ4に必要な入力を与え
ると共に逆に出力の判定を行なう機能を有している。ま
た、プローブカード3とウェハプローバ2と半導体試験
装置1との間は電気的に接続され、被試験ウェハ4とプ
ローブカード3との間は針3aで電気的に導通、非導通
するように構成されており、この間の針圧は適切な状態
に設定する必要があるので、第2図(−)に示すように
針3aが被試験ウェハ4に接触しているショート状態で
あれば、ICテスタでは各端子出力値からショートの判
定を行ない、第2図(b)に示すように接触していない
オープン状態であればオープンの判定を行なう。
次に第3図に示すフローチャートを用いてその針圧調整
方法を説明する。同図において、まず、ステップ11で
被試験ウェハ4をウェハプローバク上にセットし、ステ
ップ12でウェハプローバク上に針3aを十分に離れた
位置、すなわち第2図(b)に示すようなオープン状態
にプローブカード3を配置する。次にステップ13でウ
ェハプローバク上のプローブカード3を下げ、その針3
aを例えば10μmずつ徐々に降ろし、そのたびに半導
体試験装置1でコンタクトチェックの判定を行なう。こ
こで針3aが第2図(b)に示すようにオープン状態で
あれば、ステップ13に戻って前述と同様の動作を再度
行ない、被試験ウェハ4に針3&が接触し、第2図(−
)に示すように全部の針3aでショート状態となりその
ショートの判定が出るまで繰シ返し行なう。次にそのシ
ョートの判定が出た後、ステップ14でウエハプローバ
2上O針3 mの位置から適切なオーバードライブ値X
μm のみさらに下けた位置に針3aをセットすること
によシ、ステップ15でクエハプローパ2の針圧調整を
終了する。この場合、ステップ14の針3a位置から適
切なオーバードライブ値Xμmのみ針3&を下げるプロ
グラムをウエハプローバ2および半導体試験装置1にセ
ットしておけば、常に適切なコンタクト状態となるよう
にウエハプローバ2の針圧調整が自動的に行なわれる。
なお、このウエハプローバ2には針3aの下げ過ぎによ
る摩耗。
折れを防止するために規定値以下には針3aが降りない
保護機能も有している。とのようにして針圧調整を行な
った後、被試験ウェハ4をウエハプローバ2にセットし
、被試験ウェハ4上の各半導体チップの試験を行なう。
また、針圧調整を行なう場合、アルミウェハなどの被試
験ウェハの代りに被試験ウェハチップを使用しても良い
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、半導体試験装置
でコンタクトチェックの判定を行ない、この判定結果を
ウエハプローバにフィードバックすることを繰り返すこ
とで、測定ボードと半導体ウェハとの間の適切なコンタ
クト状態が高精度で得られ自動的に針圧調整を行なうこ
とができるという極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるウエハプローバにお
ける針圧調整方法を説明する構成図、第2図はその動作
状態を示す図、第3図はこの実施例におけるウエハプロ
ーバ及び半導体試験装置の動作を説明するフローチャー
ト、第4図は従来のウエハプローバの針圧調整方法を説
明する構成図である。 1・・・・半導体試験装置、2・・・・ウエハプローバ
、3・・・・プローブカード(針のついた測定ボード)
、3a・・・・針、4・・・・被試験ウエノ・。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 針のついた測定ボードを半導体ウェハに接触させて試験
    を行なうウエハプローバと、前記測定ボードと半導体ウ
    エハとの間のコンタクトチェックの判定を行なう半導体
    試験装置とを備え、前記コンタクトチェックを判定し、
    その結果をウエハプローバにフイードバツクすることを
    繰り返し、前記半導体ウエハと測定ボードとの間のコン
    タクト開始のチェックを行ない、コンタクト部の針圧を
    適切なコンタクト状態に調整することを特徴としたウエ
    ハプローバにおける針圧調整方法。
JP31410686A 1986-12-27 1986-12-27 ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 Pending JPS63166242A (ja)

Priority Applications (1)

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JP31410686A JPS63166242A (ja) 1986-12-27 1986-12-27 ウエハプロ−バにおける針圧調整方法

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JP31410686A JPS63166242A (ja) 1986-12-27 1986-12-27 ウエハプロ−バにおける針圧調整方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63166242A true JPS63166242A (ja) 1988-07-09

Family

ID=18049310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31410686A Pending JPS63166242A (ja) 1986-12-27 1986-12-27 ウエハプロ−バにおける針圧調整方法

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03120741A (ja) * 1989-10-03 1991-05-22 Seiei Kosan Kk デバイスのプリロード並びに導通検査方法
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CN116699369A (zh) * 2023-07-27 2023-09-05 珠海市申科谱工业科技有限公司 一种高低温激光芯片测试设备

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