JPS63166242A - ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 - Google Patents
ウエハプロ−バにおける針圧調整方法Info
- Publication number
- JPS63166242A JPS63166242A JP31410686A JP31410686A JPS63166242A JP S63166242 A JPS63166242 A JP S63166242A JP 31410686 A JP31410686 A JP 31410686A JP 31410686 A JP31410686 A JP 31410686A JP S63166242 A JPS63166242 A JP S63166242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- needle
- wafer prober
- contact
- prober
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 claims description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウエハプローバにおける針圧調整方法に関
するものである。
するものである。
第4図は、従来のクエハプローパの針圧調整方法を説明
する構成図である。同図において、1は半導体試験装置
、2は半導体ウェハを試験する自動機であるウエハプロ
ーバであり、被試験ウェハ4とグローブカード3の針3
&との接触部分を見るための顕微鏡5を装備している。
する構成図である。同図において、1は半導体試験装置
、2は半導体ウェハを試験する自動機であるウエハプロ
ーバであり、被試験ウェハ4とグローブカード3の針3
&との接触部分を見るための顕微鏡5を装備している。
このプローブカード3は針3mのついた測定ボードで形
成されウエハプローバ2にとりつけられて被試験ウエノ
・4と半導体試験装置lとの媒体となっている。
成されウエハプローバ2にとりつけられて被試験ウエノ
・4と半導体試験装置lとの媒体となっている。
このような構成において、針圧調整方法は、被試験ウェ
ハ4の各チップのパッド部分でプローブカード30針3
1先と被試験ウェハ4との間のコンタクト状態を顕微鏡
5で確認しながら、人手によりプローブカード3を徐々
に下げて針3aを降ろし、コンタクトするポイントを見
つける。さらに適切なオーバードライブ量まで針31を
下げることで行なっている。
ハ4の各チップのパッド部分でプローブカード30針3
1先と被試験ウェハ4との間のコンタクト状態を顕微鏡
5で確認しながら、人手によりプローブカード3を徐々
に下げて針3aを降ろし、コンタクトするポイントを見
つける。さらに適切なオーバードライブ量まで針31を
下げることで行なっている。
従来の方法では、ウエハプローバ2において被試験ウェ
ハ4とプローブカード30針3a先とのコンタクト状態
を確認しながら、人手で針3aを下げることにより、針
圧調整を行なわなければならなかった。また、そのコン
タクト状態にばらつきが生じるなどの問題があった。
ハ4とプローブカード30針3a先とのコンタクト状態
を確認しながら、人手で針3aを下げることにより、針
圧調整を行なわなければならなかった。また、そのコン
タクト状態にばらつきが生じるなどの問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、被試験ウェハとプローブカードの針先との
間の針圧調整を高精度で行なうと共に最適なコンタクト
状態をとり得るウエハプローバにおける針圧調整方法を
提供することを目的とする。
れたもので、被試験ウェハとプローブカードの針先との
間の針圧調整を高精度で行なうと共に最適なコンタクト
状態をとり得るウエハプローバにおける針圧調整方法を
提供することを目的とする。
この発明における針圧調整方法は、半導体試験装置でコ
ンタクトチェックの判定を行ない、その判定結果をウエ
ハプローバにフィードバックすることを繰り返し、プロ
ーブカードの針先と被試験ウェハとの間の針圧調整を自
動で行なうようにするとともに最適なコンタクト状態を
得ることができる。
ンタクトチェックの判定を行ない、その判定結果をウエ
ハプローバにフィードバックすることを繰り返し、プロ
ーブカードの針先と被試験ウェハとの間の針圧調整を自
動で行なうようにするとともに最適なコンタクト状態を
得ることができる。
この発明におけるウェハプローバの針圧調整方法は、半
導体試験装置でプローブカード上の針先と被試験ウェハ
との間のコンタクトチェックを判定し、その結果をウエ
ハプローバにフィードバックすることを繰り返し行なう
ことによシ、コンタクト開始ポイントが得られるととも
に最適なコンタクト状態の針圧調整が自動的に得られる
。
導体試験装置でプローブカード上の針先と被試験ウェハ
との間のコンタクトチェックを判定し、その結果をウエ
ハプローバにフィードバックすることを繰り返し行なう
ことによシ、コンタクト開始ポイントが得られるととも
に最適なコンタクト状態の針圧調整が自動的に得られる
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例によるウエハプローバの針
圧調整方法を説明する構成図であシ、前述の図と同一部
分は同一符号を付しである。同図において、プローブカ
ード3は半導体試験装置1の各端子と被試験ウェハ4の
チップの接触部とがその針3aで接触するように配線さ
れている。また、半導体試験装置lは各端子からプロー
ブカード3を通して被試験ウェハ4に必要な入力を与え
ると共に逆に出力の判定を行なう機能を有している。ま
た、プローブカード3とウェハプローバ2と半導体試験
装置1との間は電気的に接続され、被試験ウェハ4とプ
ローブカード3との間は針3aで電気的に導通、非導通
するように構成されており、この間の針圧は適切な状態
に設定する必要があるので、第2図(−)に示すように
針3aが被試験ウェハ4に接触しているショート状態で
あれば、ICテスタでは各端子出力値からショートの判
定を行ない、第2図(b)に示すように接触していない
オープン状態であればオープンの判定を行なう。
圧調整方法を説明する構成図であシ、前述の図と同一部
分は同一符号を付しである。同図において、プローブカ
ード3は半導体試験装置1の各端子と被試験ウェハ4の
チップの接触部とがその針3aで接触するように配線さ
れている。また、半導体試験装置lは各端子からプロー
ブカード3を通して被試験ウェハ4に必要な入力を与え
ると共に逆に出力の判定を行なう機能を有している。ま
た、プローブカード3とウェハプローバ2と半導体試験
装置1との間は電気的に接続され、被試験ウェハ4とプ
ローブカード3との間は針3aで電気的に導通、非導通
するように構成されており、この間の針圧は適切な状態
に設定する必要があるので、第2図(−)に示すように
針3aが被試験ウェハ4に接触しているショート状態で
あれば、ICテスタでは各端子出力値からショートの判
定を行ない、第2図(b)に示すように接触していない
オープン状態であればオープンの判定を行なう。
次に第3図に示すフローチャートを用いてその針圧調整
方法を説明する。同図において、まず、ステップ11で
被試験ウェハ4をウェハプローバク上にセットし、ステ
ップ12でウェハプローバク上に針3aを十分に離れた
位置、すなわち第2図(b)に示すようなオープン状態
にプローブカード3を配置する。次にステップ13でウ
ェハプローバク上のプローブカード3を下げ、その針3
aを例えば10μmずつ徐々に降ろし、そのたびに半導
体試験装置1でコンタクトチェックの判定を行なう。こ
こで針3aが第2図(b)に示すようにオープン状態で
あれば、ステップ13に戻って前述と同様の動作を再度
行ない、被試験ウェハ4に針3&が接触し、第2図(−
)に示すように全部の針3aでショート状態となりその
ショートの判定が出るまで繰シ返し行なう。次にそのシ
ョートの判定が出た後、ステップ14でウエハプローバ
2上O針3 mの位置から適切なオーバードライブ値X
μm のみさらに下けた位置に針3aをセットすること
によシ、ステップ15でクエハプローパ2の針圧調整を
終了する。この場合、ステップ14の針3a位置から適
切なオーバードライブ値Xμmのみ針3&を下げるプロ
グラムをウエハプローバ2および半導体試験装置1にセ
ットしておけば、常に適切なコンタクト状態となるよう
にウエハプローバ2の針圧調整が自動的に行なわれる。
方法を説明する。同図において、まず、ステップ11で
被試験ウェハ4をウェハプローバク上にセットし、ステ
ップ12でウェハプローバク上に針3aを十分に離れた
位置、すなわち第2図(b)に示すようなオープン状態
にプローブカード3を配置する。次にステップ13でウ
ェハプローバク上のプローブカード3を下げ、その針3
aを例えば10μmずつ徐々に降ろし、そのたびに半導
体試験装置1でコンタクトチェックの判定を行なう。こ
こで針3aが第2図(b)に示すようにオープン状態で
あれば、ステップ13に戻って前述と同様の動作を再度
行ない、被試験ウェハ4に針3&が接触し、第2図(−
)に示すように全部の針3aでショート状態となりその
ショートの判定が出るまで繰シ返し行なう。次にそのシ
ョートの判定が出た後、ステップ14でウエハプローバ
2上O針3 mの位置から適切なオーバードライブ値X
μm のみさらに下けた位置に針3aをセットすること
によシ、ステップ15でクエハプローパ2の針圧調整を
終了する。この場合、ステップ14の針3a位置から適
切なオーバードライブ値Xμmのみ針3&を下げるプロ
グラムをウエハプローバ2および半導体試験装置1にセ
ットしておけば、常に適切なコンタクト状態となるよう
にウエハプローバ2の針圧調整が自動的に行なわれる。
なお、このウエハプローバ2には針3aの下げ過ぎによ
る摩耗。
る摩耗。
折れを防止するために規定値以下には針3aが降りない
保護機能も有している。とのようにして針圧調整を行な
った後、被試験ウェハ4をウエハプローバ2にセットし
、被試験ウェハ4上の各半導体チップの試験を行なう。
保護機能も有している。とのようにして針圧調整を行な
った後、被試験ウェハ4をウエハプローバ2にセットし
、被試験ウェハ4上の各半導体チップの試験を行なう。
また、針圧調整を行なう場合、アルミウェハなどの被試
験ウェハの代りに被試験ウェハチップを使用しても良い
。
験ウェハの代りに被試験ウェハチップを使用しても良い
。
以上説明したようにこの発明によれば、半導体試験装置
でコンタクトチェックの判定を行ない、この判定結果を
ウエハプローバにフィードバックすることを繰り返すこ
とで、測定ボードと半導体ウェハとの間の適切なコンタ
クト状態が高精度で得られ自動的に針圧調整を行なうこ
とができるという極めて優れた効果が得られる。
でコンタクトチェックの判定を行ない、この判定結果を
ウエハプローバにフィードバックすることを繰り返すこ
とで、測定ボードと半導体ウェハとの間の適切なコンタ
クト状態が高精度で得られ自動的に針圧調整を行なうこ
とができるという極めて優れた効果が得られる。
第1図はこの発明の一実施例によるウエハプローバにお
ける針圧調整方法を説明する構成図、第2図はその動作
状態を示す図、第3図はこの実施例におけるウエハプロ
ーバ及び半導体試験装置の動作を説明するフローチャー
ト、第4図は従来のウエハプローバの針圧調整方法を説
明する構成図である。 1・・・・半導体試験装置、2・・・・ウエハプローバ
、3・・・・プローブカード(針のついた測定ボード)
、3a・・・・針、4・・・・被試験ウエノ・。
ける針圧調整方法を説明する構成図、第2図はその動作
状態を示す図、第3図はこの実施例におけるウエハプロ
ーバ及び半導体試験装置の動作を説明するフローチャー
ト、第4図は従来のウエハプローバの針圧調整方法を説
明する構成図である。 1・・・・半導体試験装置、2・・・・ウエハプローバ
、3・・・・プローブカード(針のついた測定ボード)
、3a・・・・針、4・・・・被試験ウエノ・。
Claims (1)
- 針のついた測定ボードを半導体ウェハに接触させて試験
を行なうウエハプローバと、前記測定ボードと半導体ウ
エハとの間のコンタクトチェックの判定を行なう半導体
試験装置とを備え、前記コンタクトチェックを判定し、
その結果をウエハプローバにフイードバツクすることを
繰り返し、前記半導体ウエハと測定ボードとの間のコン
タクト開始のチェックを行ない、コンタクト部の針圧を
適切なコンタクト状態に調整することを特徴としたウエ
ハプローバにおける針圧調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31410686A JPS63166242A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31410686A JPS63166242A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63166242A true JPS63166242A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=18049310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31410686A Pending JPS63166242A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63166242A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120741A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Seiei Kosan Kk | デバイスのプリロード並びに導通検査方法 |
CN103091617A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种半导体测试方法 |
CN103135022A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法 |
CN104407264A (zh) * | 2014-11-10 | 2015-03-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 在晶圆测试中确认探针卡接触性的测试方法 |
CN105699834A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-22 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 探针卡检测方法 |
CN116699369A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-09-05 | 珠海市申科谱工业科技有限公司 | 一种高低温激光芯片测试设备 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31410686A patent/JPS63166242A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120741A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Seiei Kosan Kk | デバイスのプリロード並びに導通検査方法 |
CN103135022A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法 |
CN103091617A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种半导体测试方法 |
CN104407264A (zh) * | 2014-11-10 | 2015-03-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 在晶圆测试中确认探针卡接触性的测试方法 |
CN105699834A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-22 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 探针卡检测方法 |
CN116699369A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-09-05 | 珠海市申科谱工业科技有限公司 | 一种高低温激光芯片测试设备 |
CN116699369B (zh) * | 2023-07-27 | 2023-11-07 | 珠海市申科谱工业科技有限公司 | 一种高低温激光芯片测试设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3996517A (en) | Apparatus for wafer probing having surface level sensing | |
JP3135378B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
JPH04130639A (ja) | プローブカードの触針とウェーハとの接触検出方法および検出装置 | |
CN113759228A (zh) | 验收测试系统及方法 | |
JPS63166242A (ja) | ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 | |
CN108333395A (zh) | 一种基于晶圆测试设计的探针卡基板 | |
JPS5843532A (ja) | プロ−バ装置 | |
JP2005044825A (ja) | プローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法 | |
JP3434946B2 (ja) | 荷電粒子線試験装置 | |
CN210230705U (zh) | 一种芯片级的霍尔器件测试分选装置 | |
JPH08327690A (ja) | 半導体ウエハ検査装置および半導体ウエハ検査方法 | |
JP3106919B2 (ja) | 半導体集積回路の試験方法、試験装置およびウエハプローバ | |
JP3022649B2 (ja) | 半導体検査装置 | |
JPH0729946A (ja) | ウェハープローバー | |
JP3043702B2 (ja) | プローバー装置 | |
JPH04340734A (ja) | 半導体装置用プロービング装置 | |
JPH0346246A (ja) | 検査装置 | |
KR20040096300A (ko) | 탐침의 정렬제어를 개선시킨 프로버 시스템 및 방법 | |
JPH0472645A (ja) | ウエハプローバ | |
JPH05322973A (ja) | ウェハテスト方法 | |
JPS6170735A (ja) | 電気測定用アライメントマ−クを有するウエハまたはチツプ | |
JPS63244855A (ja) | プロ−ブ装置によるウエハの検査方法 | |
JPH01227450A (ja) | ウエハプローバ | |
JPS63211642A (ja) | 半導体試験装置 | |
JP2001021580A (ja) | プローブ装置の製造方法 |