JP3043702B2 - プローバー装置 - Google Patents
プローバー装置Info
- Publication number
- JP3043702B2 JP3043702B2 JP10036122A JP3612298A JP3043702B2 JP 3043702 B2 JP3043702 B2 JP 3043702B2 JP 10036122 A JP10036122 A JP 10036122A JP 3612298 A JP3612298 A JP 3612298A JP 3043702 B2 JP3043702 B2 JP 3043702B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- polishing
- tip
- prober
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ上
に形成された半導体装置（チップ）の電気的試験を行う
ためのプローバー装置に関する。
に形成された半導体装置（チップ）の電気的試験を行う
ためのプローバー装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プローバー装置では、半導体ウェーハ上
に形成された半導体装置（チップ）の電気的試験を行う
場合、プローブカードのプローブ先端と半導体ウェーハ
に形成された電極（以下、パッドという）とを接触させ
ることによって電気的試験を行っている。
に形成された半導体装置（チップ）の電気的試験を行う
場合、プローブカードのプローブ先端と半導体ウェーハ
に形成された電極（以下、パッドという）とを接触させ
ることによって電気的試験を行っている。
【０００３】電気的試験を行う際に、例えばプローブ先
端に付着したアルミ屑等の異物の影響によるパッドとの
接触不具合があった場合、あるいはプローブ先端をパッ
ドに接触させる場合のプローブ先端のパッドに対する圧
下力（以下、オーバードライブ量という）の不足による
接触不具合があった場合、本来は良品である半導体装置
が誤認されて不良品と判定されてしまう場合（以下、測
定不具合という）がある。
端に付着したアルミ屑等の異物の影響によるパッドとの
接触不具合があった場合、あるいはプローブ先端をパッ
ドに接触させる場合のプローブ先端のパッドに対する圧
下力（以下、オーバードライブ量という）の不足による
接触不具合があった場合、本来は良品である半導体装置
が誤認されて不良品と判定されてしまう場合（以下、測
定不具合という）がある。
【０００４】このような測定不具合を防止する手段とし
て、従来では図５に示すように、例えば連続で不良とな
った場合（ステップ５０６）、自動でプローバー装置を
停止させることによって（ステップ５０８）、プローブ
先端の異物の除去あるいはオーバードライブ量の増減を
マニュアル（手動）操作可能にしている（ステップ５０
９）。
て、従来では図５に示すように、例えば連続で不良とな
った場合（ステップ５０６）、自動でプローバー装置を
停止させることによって（ステップ５０８）、プローブ
先端の異物の除去あるいはオーバードライブ量の増減を
マニュアル（手動）操作可能にしている（ステップ５０
９）。
【０００５】また、他の方法として特開平７−１６９８
０１号公報に開示されているように、プローブカードの
プローブ先端と半導体ウェーハのパッドとの接触回数を
カウントすることによって、その接触回数が設定値に達
した時点で自動的にオーバードライブ量を補正してい
る。
０１号公報に開示されているように、プローブカードの
プローブ先端と半導体ウェーハのパッドとの接触回数を
カウントすることによって、その接触回数が設定値に達
した時点で自動的にオーバードライブ量を補正してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たいずれの従来のプローバー装置においても、測定不具
合に対しては、連続して不良が発生したときのみに対応
している。従って、この場合、所定の連続不良数に達し
ない限り測定不具合は防止されずに、良品を不良として
判定される半導体装置が少なくとも所定の連続不良数だ
け発生してしまうという問題がある。さらに、プローブ
カードのプローブ先端と半導体ウェーハのパッドとの接
触が不安定である場合、連続で不良とはならずに、良品
判定と不良品判定とが交互に繰り返される場合があり、
この場合には、測定不具合が発生しているにもかかわら
ず、その測定不具合を検出することができないという問
題がある。
たいずれの従来のプローバー装置においても、測定不具
合に対しては、連続して不良が発生したときのみに対応
している。従って、この場合、所定の連続不良数に達し
ない限り測定不具合は防止されずに、良品を不良として
判定される半導体装置が少なくとも所定の連続不良数だ
け発生してしまうという問題がある。さらに、プローブ
カードのプローブ先端と半導体ウェーハのパッドとの接
触が不安定である場合、連続で不良とはならずに、良品
判定と不良品判定とが交互に繰り返される場合があり、
この場合には、測定不具合が発生しているにもかかわら
ず、その測定不具合を検出することができないという問
題がある。
【０００７】近年は半導体装置が多様化してきており、
品種数が増加する傾向にある。それに伴って試験項目も
多様化しているため、測定不具合によって不良となるの
は、その品種ではある程度不良項目が決まっているもの
の、品種間では不良項目が違う場合が多い。この場合、
全ての不良項目に対して連続不良時にプローバー装置を
停止させることは、半導体装置の製造途中で不良品とし
て判定される場合でも、プローバー装置が停止すること
になり、無駄な停止が電気的試験のスループットを低下
させる要因となる。
品種数が増加する傾向にある。それに伴って試験項目も
多様化しているため、測定不具合によって不良となるの
は、その品種ではある程度不良項目が決まっているもの
の、品種間では不良項目が違う場合が多い。この場合、
全ての不良項目に対して連続不良時にプローバー装置を
停止させることは、半導体装置の製造途中で不良品とし
て判定される場合でも、プローバー装置が停止すること
になり、無駄な停止が電気的試験のスループットを低下
させる要因となる。
【０００８】本発明の目的は、測定不具合による不良数
の増加を低減すると共に、不要な停止状態を低減するプ
ローバー装置を提供することにある。
の増加を低減すると共に、不要な停止状態を低減するプ
ローバー装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るプローバー装置は、プローブカードの
プローブ先端を半導体ウェハー上に形成された半導体チ
ップの電極に電気的に接触させて前記半導体チップの電
気的特性試験を行う、複数品種の半導体装置を測定対象
とするプローバー装置であって、前記半導体チップの電
気的特性試験にて不良となったときの不良項目を検知す
る検知器と、その不良項目が、接触不良に対応する、各
品種ごとに指定された当該品種に固有な不良項目である
場合、前記プローブカードのプローブ先端と半導体ウェ
ハーの電極との接触状態を改善する指令を発する制御部
とを含むものである。
め、本発明に係るプローバー装置は、プローブカードの
プローブ先端を半導体ウェハー上に形成された半導体チ
ップの電極に電気的に接触させて前記半導体チップの電
気的特性試験を行う、複数品種の半導体装置を測定対象
とするプローバー装置であって、前記半導体チップの電
気的特性試験にて不良となったときの不良項目を検知す
る検知器と、その不良項目が、接触不良に対応する、各
品種ごとに指定された当該品種に固有な不良項目である
場合、前記プローブカードのプローブ先端と半導体ウェ
ハーの電極との接触状態を改善する指令を発する制御部
とを含むものである。
【００１０】また前記制御部からの指令に基づいて前記
プローブ先端の電極に対する圧下力を調整する圧下力調
整部を含むものである。
プローブ先端の電極に対する圧下力を調整する圧下力調
整部を含むものである。
【００１１】また前記制御部からの指令に基づいて前記
プローブ先端を研磨する研磨部を含むものである。また
前記圧下力調整部が圧下力を調整する工程、又は前記研
磨部が研磨する工程の後に、再度半導体ウェハの同一チ
ップの電気的特性試験を行うように前記制御部が制御す
るものである。また前記制御部からの指令に基づいて研
磨部が研磨する回数をカウントするカウンタ部を含み、
所定の回数研磨しても良品にならないときには、不良品
と判定するものである。
プローブ先端を研磨する研磨部を含むものである。また
前記圧下力調整部が圧下力を調整する工程、又は前記研
磨部が研磨する工程の後に、再度半導体ウェハの同一チ
ップの電気的特性試験を行うように前記制御部が制御す
るものである。また前記制御部からの指令に基づいて研
磨部が研磨する回数をカウントするカウンタ部を含み、
所定の回数研磨しても良品にならないときには、不良品
と判定するものである。
【００１２】
【作用】各品種毎に不良項目を指定し、電気的試験にお
いて指定した不良が発生した場合は直ちに不良判定は行
わずに、プローブカードのプローブ先端の半導体ウェー
ハの電極に対するオーバードライブ量を段階的に変化さ
せる、またはプローブ先端を研磨し、しかる後に再度電
気的試験を実施するようにすることにより、測定不具合
による不良数の増加を低減すると共に、本物の不良の発
生時の不要なプローバーの停止を低減する。
いて指定した不良が発生した場合は直ちに不良判定は行
わずに、プローブカードのプローブ先端の半導体ウェー
ハの電極に対するオーバードライブ量を段階的に変化さ
せる、またはプローブ先端を研磨し、しかる後に再度電
気的試験を実施するようにすることにより、測定不具合
による不良数の増加を低減すると共に、本物の不良の発
生時の不要なプローバーの停止を低減する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１４】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係るプローバー装置を示す構成図である。
１に係るプローバー装置を示す構成図である。
【００１５】図に示す本発明の実施形態１に係るプロー
バー装置は、不良項目検知器１０と、制御部９とを有
し、プローブカード４に設けたプローブ５の先端を半導
体ウェーハ６の電極（パッド）に電気的に接触させて、
半導体ウェーハ６の電気的試験を行なうようになってい
る。
バー装置は、不良項目検知器１０と、制御部９とを有
し、プローブカード４に設けたプローブ５の先端を半導
体ウェーハ６の電極（パッド）に電気的に接触させて、
半導体ウェーハ６の電気的試験を行なうようになってい
る。
【００１６】具体的に説明すると、図１に示すように本
発明の実施形態１に係るプローバー装置では、ヘッド２
とステージ７とが上下に配置して設けられている。ヘッ
ド２は、下面にテストボード５を介してプローブカード
４を取付けており、一方、ステージ７は、上面にウェー
ハ６を支持するようになっている。
発明の実施形態１に係るプローバー装置では、ヘッド２
とステージ７とが上下に配置して設けられている。ヘッ
ド２は、下面にテストボード５を介してプローブカード
４を取付けており、一方、ステージ７は、上面にウェー
ハ６を支持するようになっている。
【００１７】プローブカード４は、複数のプローブ５を
下向きに取付けており、プローブ５の先端を半導体ウェ
ーハ６の電極（パッド）に電気的に接触するようになっ
ており、プローブカード４のプローブ先端の半導体ウェ
ーハ６の電極（パッド）に対するオーバードライブ量
は、ステージ７を昇降させることにより、調整するよう
になっている。
下向きに取付けており、プローブ５の先端を半導体ウェ
ーハ６の電極（パッド）に電気的に接触するようになっ
ており、プローブカード４のプローブ先端の半導体ウェ
ーハ６の電極（パッド）に対するオーバードライブ量
は、ステージ７を昇降させることにより、調整するよう
になっている。
【００１８】またＩＣテスター１には、ヘッド２の出力
端子が接続されており、プローブカード４のプローブ先
端と半導体ウェーハ６の電極（パッド）とが電気的に接
触した状態で半導体ウェーハ６から出力される電気信号
を入力として、半導体ウェーハ６が良品或いは不良品で
あるかを検出するようになっている。
端子が接続されており、プローブカード４のプローブ先
端と半導体ウェーハ６の電極（パッド）とが電気的に接
触した状態で半導体ウェーハ６から出力される電気信号
を入力として、半導体ウェーハ６が良品或いは不良品で
あるかを検出するようになっている。
【００１９】またステージ７は、直交する３軸方向Ｘ，
Ｙ，Ｚに移動するＸＹＺ軸８に連結されており、ＸＹＺ
軸８によって直交する３軸方向Ｘ，Ｙ，Ｚに移動されて
プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ６の
電極（パッド）と位置合わせが行なわれるようになって
いる。
Ｙ，Ｚに移動するＸＹＺ軸８に連結されており、ＸＹＺ
軸８によって直交する３軸方向Ｘ，Ｙ，Ｚに移動されて
プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ６の
電極（パッド）と位置合わせが行なわれるようになって
いる。
【００２０】さらに本発明の実施形態１に係るプローバ
ー装置は、不良項目検知器１０と制御部９とを有してい
る。
ー装置は、不良項目検知器１０と制御部９とを有してい
る。
【００２１】検知器１０は、ＩＣテスター１による半導
体ウェーハ６の電気的試験にて不良となったときの不良
項目を検知するようになっている。
体ウェーハ６の電気的試験にて不良となったときの不良
項目を検知するようになっている。
【００２２】制御部９は、前記検知器が検知した不良項
目の判定を行ない、その不良項目が指定した不良項目で
ある場合に直ちに不良判定を行なわずに、プローブカー
ドのプローブ先端と半導体ウェーハのパッドとの接触状
態を改善する指令を発するようになっている。
目の判定を行ない、その不良項目が指定した不良項目で
ある場合に直ちに不良判定を行なわずに、プローブカー
ドのプローブ先端と半導体ウェーハのパッドとの接触状
態を改善する指令を発するようになっている。
【００２３】図１に示す本発明の実施形態１において
は、プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ
６のパッドとの接触状態を改善する指令が制御部９から
発せられた場合に、プローバー装置の本体は、制御部９
からの指令に基づいてプローブ先端のパッドに対するオ
ーバードライブ量を段階的に変化させるようになってい
る。具体的には、制御部９からの制御指令に基づいてヘ
ッド２を昇降させることにより、プローブカード４のプ
ローブ先端の半導体ウェーハ６のパッドに対するオーバ
ードライブ量を段階的に変化させるようになっている。
ここに、ステージ７，ＸＹＺ軸８，制御部９，不良項目
検知器１０等からプローバー１１が構成されている。
は、プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ
６のパッドとの接触状態を改善する指令が制御部９から
発せられた場合に、プローバー装置の本体は、制御部９
からの指令に基づいてプローブ先端のパッドに対するオ
ーバードライブ量を段階的に変化させるようになってい
る。具体的には、制御部９からの制御指令に基づいてヘ
ッド２を昇降させることにより、プローブカード４のプ
ローブ先端の半導体ウェーハ６のパッドに対するオーバ
ードライブ量を段階的に変化させるようになっている。
ここに、ステージ７，ＸＹＺ軸８，制御部９，不良項目
検知器１０等からプローバー１１が構成されている。
【００２４】次に、本発明の実施形態１に係るプローバ
ー装置の動作を図１及び図２に基づいて説明する。
ー装置の動作を図１及び図２に基づいて説明する。
【００２５】図１及び図２において、プローバー装置の
本体にパラメータを入力した（ステップ２０１）後に、
プローバー１１のステージ７上に搭載された半導体ウェ
ーハ６のアライメントを実施し（ステップ２０２）、プ
ローバー１１のステージ７によるプローブカード４のプ
ローブ先端の半導体ウェーハ６のパッドに対する位置合
わせ（ステップ２０３）、プローブカード４のプローブ
先端の半導体ウェーハ６のパッドに対するオーバードラ
イブ量の初期設定（ステップ２０４）をそれぞれ行な
い、ＩＣテスター１により半導体ウェーハ６の電気的試
験を行う。
本体にパラメータを入力した（ステップ２０１）後に、
プローバー１１のステージ７上に搭載された半導体ウェ
ーハ６のアライメントを実施し（ステップ２０２）、プ
ローバー１１のステージ７によるプローブカード４のプ
ローブ先端の半導体ウェーハ６のパッドに対する位置合
わせ（ステップ２０３）、プローブカード４のプローブ
先端の半導体ウェーハ６のパッドに対するオーバードラ
イブ量の初期設定（ステップ２０４）をそれぞれ行な
い、ＩＣテスター１により半導体ウェーハ６の電気的試
験を行う。
【００２６】ＩＣテスター１による電気的試験におい
て、半導体ウェーハ６が良品であるか不良品であるかを
判定し（ステップ２０６）、不良判定の場合、不良項目
をプローバー１１の不良項目検知器１０にて検知する
（ステップ２０７）。
て、半導体ウェーハ６が良品であるか不良品であるかを
判定し（ステップ２０６）、不良判定の場合、不良項目
をプローバー１１の不良項目検知器１０にて検知する
（ステップ２０７）。
【００２７】プローバー１１の制御部９には、あらかじ
め、検知した不良が指定した不良項目があった場合は、
自動的にオーバードライブ量を増加させ、再度半導体ウ
ェーハ６上の同じチップにて電気的試験を実施するよう
に設定してある。
め、検知した不良が指定した不良項目があった場合は、
自動的にオーバードライブ量を増加させ、再度半導体ウ
ェーハ６上の同じチップにて電気的試験を実施するよう
に設定してある。
【００２８】したがって、制御部９は、検知器１０が検
知した不良項目の判定を行ない、その不良項目が指定し
た不良項目である場合に直ちに不良判定を行なわずに、
プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ６の
パッドとの接触状態を改善する指令、実施形態１では、
オーバードライブ量を増加させる指令を発する。例え
ば、ステップ２０４でのオーバードライブ量の初期設定
値が８０μｍであれば、ステップ２０８にて、１０μｍ
の増加分だけオーバードライブ量を自動的に増加させ
（ステップ２０８）、再度同一チップの電気的試験を実
施させる（ステップ２０９）。
知した不良項目の判定を行ない、その不良項目が指定し
た不良項目である場合に直ちに不良判定を行なわずに、
プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ６の
パッドとの接触状態を改善する指令、実施形態１では、
オーバードライブ量を増加させる指令を発する。例え
ば、ステップ２０４でのオーバードライブ量の初期設定
値が８０μｍであれば、ステップ２０８にて、１０μｍ
の増加分だけオーバードライブ量を自動的に増加させ
（ステップ２０８）、再度同一チップの電気的試験を実
施させる（ステップ２０９）。
【００２９】オーバードライブ量の自動変更による同一
チップの再測定は、再測定結果が良品となるか（ステッ
プ２１０）、あるいはオーバードライブ量が設定した最
大値、例えば１００μｍに達するまで行われ（ステップ
２１１）、再測定の結果を判定し（ステップ２１２）、
次の試験のチップに進む（ステップ２１３）。
チップの再測定は、再測定結果が良品となるか（ステッ
プ２１０）、あるいはオーバードライブ量が設定した最
大値、例えば１００μｍに達するまで行われ（ステップ
２１１）、再測定の結果を判定し（ステップ２１２）、
次の試験のチップに進む（ステップ２１３）。
【００３０】ここで、半導体ウェーハ６のパッド（パッ
ド）上に刻設されるプローブカード４のプローブ５先端
の跡が半導体ウェーハ６のパッドからはみ出す場合，プ
ローブ５の先端が異常に変形することから、オーバード
ライブ量の最大値は予め設定しておき、その初期値から
徐々に増加させて再度半導体ウェーハ６上の同一チップ
の電気的試験を実施させる（ステップ２０９）。
ド）上に刻設されるプローブカード４のプローブ５先端
の跡が半導体ウェーハ６のパッドからはみ出す場合，プ
ローブ５の先端が異常に変形することから、オーバード
ライブ量の最大値は予め設定しておき、その初期値から
徐々に増加させて再度半導体ウェーハ６上の同一チップ
の電気的試験を実施させる（ステップ２０９）。
【００３１】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２に係るプローバー装置を示す構成図、図４は、本発明
の実施形態２に係るプローバー装置の動作を説明するフ
ロー図である。
２に係るプローバー装置を示す構成図、図４は、本発明
の実施形態２に係るプローバー装置の動作を説明するフ
ロー図である。
【００３２】図１に示す本発明の実施形態１において
は、プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ
６のパッドとの接触状態を改善する指令が制御部９から
発せられた場合に、プローバー装置の本体は、制御部９
からの指令に基づいてプローブ先端のパッドに対するオ
ーバードライブ量を段階的に変化させるようになってい
るが、本発明の実施形態２では、プローバー装置本体に
研磨部として研磨台１２を装備しており、研磨部１２に
よって、制御部９からの指令に基づいてプローブカード
４のプローブ５先端を研磨するようにしたことを特徴と
するものである。その他の構成は、実施形態１と同様に
なっている。
は、プローブカード４のプローブ先端と半導体ウェーハ
６のパッドとの接触状態を改善する指令が制御部９から
発せられた場合に、プローバー装置の本体は、制御部９
からの指令に基づいてプローブ先端のパッドに対するオ
ーバードライブ量を段階的に変化させるようになってい
るが、本発明の実施形態２では、プローバー装置本体に
研磨部として研磨台１２を装備しており、研磨部１２に
よって、制御部９からの指令に基づいてプローブカード
４のプローブ５先端を研磨するようにしたことを特徴と
するものである。その他の構成は、実施形態１と同様に
なっている。
【００３３】図３に示す本発明の実施形態２の場合は、
不良が指定した不良項目であった場合（ステップ４０
６）、プローバー１１に取り付けた研磨台１２によって
自動でプローブ５の先端を研磨し（ステップ４０７）、
再度半導体ウェーハ６上の同一チップの電気的試験を実
施する（ステップ４０８）。
不良が指定した不良項目であった場合（ステップ４０
６）、プローバー１１に取り付けた研磨台１２によって
自動でプローブ５の先端を研磨し（ステップ４０７）、
再度半導体ウェーハ６上の同一チップの電気的試験を実
施する（ステップ４０８）。
【００３４】本発明の実施形態２において、プローブカ
ード４のプローブ５先端を研磨することは、プローブ５
の先端の摩耗を増長させることになるため、回数を重ね
ることは好ましくない。そこで、本発明の実施形態２で
は、カウンター１３によってプローブカード４のプロー
ブ５先端の研磨回数をカウントし、例えば所定の研磨回
数を２回とすることによって研磨回数を管理し（ステッ
プ４１０）、２回の研磨でも良品とならなければ、良品
・不良品の判定を行ない（ステップ４１１）、半導体ウ
ェーハ６上の次のチップに対して試験を行なう（ステッ
プ４１２）。
ード４のプローブ５先端を研磨することは、プローブ５
の先端の摩耗を増長させることになるため、回数を重ね
ることは好ましくない。そこで、本発明の実施形態２で
は、カウンター１３によってプローブカード４のプロー
ブ５先端の研磨回数をカウントし、例えば所定の研磨回
数を２回とすることによって研磨回数を管理し（ステッ
プ４１０）、２回の研磨でも良品とならなければ、良品
・不良品の判定を行ない（ステップ４１１）、半導体ウ
ェーハ６上の次のチップに対して試験を行なう（ステッ
プ４１２）。
【００３５】なお、図１に示す本発明の実施形態１およ
び図３に示す本発明の実施形態２では、オーバードライ
ブ量の変更およびプローブカード４のプローブ５先端の
研磨をそれぞれ個別に行なっているが、このオーバード
ライブ量の変更およびプローブカード４のプローブ５先
端の研磨を連続して実施するようにしてもよいものであ
る。
び図３に示す本発明の実施形態２では、オーバードライ
ブ量の変更およびプローブカード４のプローブ５先端の
研磨をそれぞれ個別に行なっているが、このオーバード
ライブ量の変更およびプローブカード４のプローブ５先
端の研磨を連続して実施するようにしてもよいものであ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
プローブカードのプローブ先端と半導体ウェーハのパッ
ドとの接触不良などによって発生する電気的試験の不良
は各製品毎によってまちまちであり、かつ製品固有の不
良項目で不良となることが大半を占めることに着眼し、
特定の不良項目で不良となった場合は直ちに判定を行わ
ずに、オーバードライブ量を増加する、或いはプローブ
カードのプローブ先端を研磨し、再度半導体ウェーハの
同一チップの電気的試験を実施することによって、測定
不具合による不良数を低減することができ、かつ不良発
生時の不要なプローバー装置の停止を低減し、電気的試
験のスループットの低下を防止することができる。
プローブカードのプローブ先端と半導体ウェーハのパッ
ドとの接触不良などによって発生する電気的試験の不良
は各製品毎によってまちまちであり、かつ製品固有の不
良項目で不良となることが大半を占めることに着眼し、
特定の不良項目で不良となった場合は直ちに判定を行わ
ずに、オーバードライブ量を増加する、或いはプローブ
カードのプローブ先端を研磨し、再度半導体ウェーハの
同一チップの電気的試験を実施することによって、測定
不具合による不良数を低減することができ、かつ不良発
生時の不要なプローバー装置の停止を低減し、電気的試
験のスループットの低下を防止することができる。
【図１】本発明の実施形態１に係るプローバー装置を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るプローバー装置の動
作を示すフロー図である。
作を示すフロー図である。
【図３】本発明の実施形態２に係るプローバー装置を示
す構成図である。
す構成図である。
【図４】本発明の実施形態２に係るプローバー装置の動
作を示すフロー図である。
作を示すフロー図である。
【図５】従来例に係るプローバー装置の動作を示すフロ
ー図である。
ー図である。
１ ＩＣテスター ２ ヘッド ３ テストボード ４ プローブカード ５ プローブ ６ 半導体ウェーハ ７ ステージ ８ ＸＹＺ軸 ９ 制御部 １０ 不良項目検知器 １１ プローバー １２ 研磨台 １３ カウンター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66 G01R 1/06 G01R 31/28
Claims (5)
- 【請求項１】 プローブカードのプローブ先端を半導体
ウェハー上に形成された半導体チップの電極に電気的に
接触させて前記半導体チップの電気的特性試験を行う、
複数品種の半導体装置を測定対象とするプローバー装置
であって、 前記半導体チップの電気的特性試験にて不良となったと
きの不良項目を検知する検知器と、 その不良項目が、接触不良に対応する、各品種ごとに指
定された当該品種に固有な不良項目である場合、前記プ
ローブカードのプローブ先端と半導体ウェハーの電極と
の接触状態を改善する指令を発する制御部とを含むこと
を特徴とするプローバー装置。 - 【請求項２】 前記制御部からの指令に基づいて前記プ
ローブ先端の電極に対する圧下力を調整する圧下力調整
部を含むことを特徴とする請求項１に記載のプローバー
装置。 - 【請求項３】 前記制御部からの指令に基づいて前記プ
ローブ先端を研磨する研磨部を含むことを特徴とする請
求項１又は２に記載のプローバー装置。 - 【請求項４】 前記圧下力調整部が圧下力を調整する工
程、又は前記研磨部が研磨する工程の後に、再度半導体
ウェハの同一チップの電気的特性試験を行うように前記
制御部が制御することを特徴とする請求項１、２、又は
３のいずれか１項に記載のプローバー装置。 - 【請求項５】 前記制御部からの指令に基づいて研磨部
が研磨する回数をカウントするカウンタ部を含み、所定
の回数研磨しても良品にならないときには、不良品と判
定することを特徴とする請求項３に記載のプローバー装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036122A JP3043702B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | プローバー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036122A JP3043702B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | プローバー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233573A JPH11233573A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3043702B2 true JP3043702B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=12460988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10036122A Expired - Fee Related JP3043702B2 (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | プローバー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043702B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5372679B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-12-18 | 日置電機株式会社 | コンタクトプローブのプロービング方法およびプロービング装置 |
| US9322874B2 (en) * | 2012-04-11 | 2016-04-26 | Advantest Corporation | Interposer between a tester and material handling equipment to separate and control different requests of multiple entities in a test cell operation |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP10036122A patent/JP3043702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11233573A (ja) | 1999-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110045269A (zh) | 一种芯片测试装置及方法 | |
| JP2005538562A (ja) | ウェーハレベルでの短縮されたチップテスト方式 | |
| JP3028095B2 (ja) | プロービング装置および方法 | |
| JP2944056B2 (ja) | 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置 | |
| JP3043702B2 (ja) | プローバー装置 | |
| JP4207690B2 (ja) | プローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法 | |
| US6600329B2 (en) | Method for inspecting electrical properties of a wafer and apparatus therefor | |
| US6943573B1 (en) | System and method for site-to-site yield comparison while testing integrated circuit dies | |
| JPH0441495B2 (ja) | ||
| JPS63166242A (ja) | ウエハプロ−バにおける針圧調整方法 | |
| JP3434946B2 (ja) | 荷電粒子線試験装置 | |
| US6512390B1 (en) | Detecting device for a switch matrix | |
| KR100615086B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 칩 검사장치 및 이를 이용한 검사방법 | |
| JP3106919B2 (ja) | 半導体集積回路の試験方法、試験装置およびウエハプローバ | |
| KR100532396B1 (ko) | 칩의 핀 접촉저항 판정방법 및 이를 이용한 웨이퍼 테스트방법 | |
| JPH0921841A (ja) | 半田付け検査方法 | |
| CN118098331A (zh) | 晶圆的测试方法 | |
| JP3261723B2 (ja) | 半導体ウェーハのペレット検査方法 | |
| KR20240107533A (ko) | 반도체 테스트 장치 및 이를 이용한 반도체 테스트 방법 | |
| KR200156141Y1 (ko) | 프로빙 검증 칩이 구비된 웨이퍼 | |
| KR100797318B1 (ko) | 프로브 카드 니들의 접촉저항 측정장치 및 측정방법 | |
| JPS6030147A (ja) | 半導体ウェ−ハ | |
| JPH07169801A (ja) | プローバ | |
| JPH04106944A (ja) | ウエハの試験方法 | |
| CN116973602A (zh) | 针压装置、半导体测试设备及其测试方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |