JPH0441495B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0441495B2 JPH0441495B2 JP58132179A JP13217983A JPH0441495B2 JP H0441495 B2 JPH0441495 B2 JP H0441495B2 JP 58132179 A JP58132179 A JP 58132179A JP 13217983 A JP13217983 A JP 13217983A JP H0441495 B2 JPH0441495 B2 JP H0441495B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- needle
- chip
- semiconductor wafer
- contact
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は半導体ウエハ測定方法に関するもの
である。
である。
（従来の技術および発明が解決しようとする課
題） 従来の半導体ウエハ測定装置の適用に際して
は、まず、ウエハ内に同一チツプが数百個存在し
ているうちの１個のチツプに対し、オペレーター
がチツプ内のパツドにプローブカード針を接触さ
せて適正な位置であることを顕微鏡、モニターテ
レビ等で確認する。その後、半導体ウエハ測定装
置の機械精度（自動確認装置の精度も含む）とチ
ツプの繰り返し精度のみを信頼し、パツドにプロ
ーブカード針が接触されているという仮定で、プ
ローブカード針と接続されているテスターでチツ
プの良否を判定している。
題） 従来の半導体ウエハ測定装置の適用に際して
は、まず、ウエハ内に同一チツプが数百個存在し
ているうちの１個のチツプに対し、オペレーター
がチツプ内のパツドにプローブカード針を接触さ
せて適正な位置であることを顕微鏡、モニターテ
レビ等で確認する。その後、半導体ウエハ測定装
置の機械精度（自動確認装置の精度も含む）とチ
ツプの繰り返し精度のみを信頼し、パツドにプロ
ーブカード針が接触されているという仮定で、プ
ローブカード針と接続されているテスターでチツ
プの良否を判定している。
上記の判定作業により、不良チプであると判定
された時点では、当該チツプが真実不良なの
か、半導体ウエハの電極パツド面に対しプロー
ブカード針が非接触で不良と判定されたのか、以
上のいずれとも判別することかできない。したが
つて実際のウエハプローバによる測定において連
続的に不良が続いた場合は、不良チツプが続く前
のチツプに戻し、再度プローブカード針列を戻し
た位置のチツプに接触させて試験をやり直してい
る。測定結果が前の結果と同様に不良であればチ
ツプの不良として決定してしまつている。しか
し、プローブカード針と半導体チツプの電極パツ
ド表面との接触不良は依然として救済されていな
い。このように自動の半導体ウエハ測定装置であ
りながら、より多くの人員を介在させて試験を行
つているのが実状である。
された時点では、当該チツプが真実不良なの
か、半導体ウエハの電極パツド面に対しプロー
ブカード針が非接触で不良と判定されたのか、以
上のいずれとも判別することかできない。したが
つて実際のウエハプローバによる測定において連
続的に不良が続いた場合は、不良チツプが続く前
のチツプに戻し、再度プローブカード針列を戻し
た位置のチツプに接触させて試験をやり直してい
る。測定結果が前の結果と同様に不良であればチ
ツプの不良として決定してしまつている。しか
し、プローブカード針と半導体チツプの電極パツ
ド表面との接触不良は依然として救済されていな
い。このように自動の半導体ウエハ測定装置であ
りながら、より多くの人員を介在させて試験を行
つているのが実状である。
また、半導体ウエハのチツプの試験において、
特に高集積された今日，パツド内にぎりぎりの条
件でプローブカード針が接触し、良品として判定
されるチツプが存在する。このようなチツプもウ
エハ状態から個々に切る離してパツケージングす
ることにより、集積回路（IC）製品となるが、
前述のようにぎりぎりの条件で良品となつたチツ
プは、使用している集積回路製品に良品としての
余裕がなく、他の良品で製造される集積回路製品
と比べて早期に故障を起こし、よつて信頼性の低
下につながる。
特に高集積された今日，パツド内にぎりぎりの条
件でプローブカード針が接触し、良品として判定
されるチツプが存在する。このようなチツプもウ
エハ状態から個々に切る離してパツケージングす
ることにより、集積回路（IC）製品となるが、
前述のようにぎりぎりの条件で良品となつたチツ
プは、使用している集積回路製品に良品としての
余裕がなく、他の良品で製造される集積回路製品
と比べて早期に故障を起こし、よつて信頼性の低
下につながる。
この発明は上記の問題点に対処してなされたも
ので、測定時のプローブ針の被測定体との接触状
況を測定後判定できるようにした半導体ウエハ測
定方法を提供するものである。
ので、測定時のプローブ針の被測定体との接触状
況を測定後判定できるようにした半導体ウエハ測
定方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は被測定半導体ウエハ内の各チツプに
ついてプローブ針を順次接触させて電気的測定を
行う方法において、上記各チツプについて電気的
測定後に上記プローブ針により接触針跡を検出す
る工程と、この工程により検出された針跡から上
記測定時におけるプローブ針の接触状況を検査す
る工程と、この工程による検査結果から当該チツ
プの測定結果を確認する工程とを具備してなるこ
とを特徴とする。
ついてプローブ針を順次接触させて電気的測定を
行う方法において、上記各チツプについて電気的
測定後に上記プローブ針により接触針跡を検出す
る工程と、この工程により検出された針跡から上
記測定時におけるプローブ針の接触状況を検査す
る工程と、この工程による検査結果から当該チツ
プの測定結果を確認する工程とを具備してなるこ
とを特徴とする。
（作用）
この発明はプローブ針を接触させて当該チツプ
の測定をした後この測定時の針跡を検出し、この
針跡からプローブ針の電気的接触状況を検査し、
この検査結果からの検査の不否を決定するため、
不良検査時間を減少させるとともに半導体ウエハ
検査結果の信頼性が向上するばかりでなく、良品
を不良品と判定する誤検査を減少させ、歩留りを
向上させる効果を有する。
の測定をした後この測定時の針跡を検出し、この
針跡からプローブ針の電気的接触状況を検査し、
この検査結果からの検査の不否を決定するため、
不良検査時間を減少させるとともに半導体ウエハ
検査結果の信頼性が向上するばかりでなく、良品
を不良品と判定する誤検査を減少させ、歩留りを
向上させる効果を有する。
（実施例）
以下に、本発明の半導体ウエハ測定方法の実施
例を第１図ないし第３図を用いて説明する。
例を第１図ないし第３図を用いて説明する。
第３図の制御部１０の制御により、測定機構１
１の載置台３をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向およびＺ軸
芯における周方向に駆動機構（系）１２で移動さ
せ、ウエハ１を位置決めした後、第１図ｂに示す
載置台３に、被測定半導体ウエハ１を真空吸着し
て仮固定する。次に制御部１０の制御で、プロー
ブカード針２でチツプ４のパツド５上に接触させ
る。このときの位置を第１図ａに示すごとく、Ｏ
点とする。上記接触によりパツド５に形成された
針跡を認識する位置をＰ点とする。すなわち第１
図ｂに示すごとく、プローブカード針２がチツプ
４上に接触した時、パツド５に針跡Ｒが付加す
る。この針跡Ｒが付加されたチツプ４を、第３図
に示した認識装置１３で認識する位置Ｐに移動す
る。この移動は、制御部（系）１０の指示により
駆動機構１２、すなわち載置台３を動かすＸ軸、
Ｙ軸用モータにより指定された位置まで移動させ
る。
１の載置台３をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向およびＺ軸
芯における周方向に駆動機構（系）１２で移動さ
せ、ウエハ１を位置決めした後、第１図ｂに示す
載置台３に、被測定半導体ウエハ１を真空吸着し
て仮固定する。次に制御部１０の制御で、プロー
ブカード針２でチツプ４のパツド５上に接触させ
る。このときの位置を第１図ａに示すごとく、Ｏ
点とする。上記接触によりパツド５に形成された
針跡を認識する位置をＰ点とする。すなわち第１
図ｂに示すごとく、プローブカード針２がチツプ
４上に接触した時、パツド５に針跡Ｒが付加す
る。この針跡Ｒが付加されたチツプ４を、第３図
に示した認識装置１３で認識する位置Ｐに移動す
る。この移動は、制御部（系）１０の指示により
駆動機構１２、すなわち載置台３を動かすＸ軸、
Ｙ軸用モータにより指定された位置まで移動させ
る。
このような操作により第２図ａで示したすでに
記憶（メモリ）１４に記憶されている指定領域
（条件）Ｑの読み出し情報と、第２図ｂに示した
現実に上記手段により付加された針跡を位置Ｐで
認識装置１３により認識することにより得られ
た、付加された針跡Ｒの領域とを比較する。その
際、第２図ｂに示すごとく指定領域Ｑ内に針跡Ｒ
の領域が位置し、この針跡Ｒの領域の面積が予め
定められた許容範囲内である場合には、プローブ
カード針２とパツド５との接触は適切であると認
識装置１３で判断する。この結果を記憶１４に記
憶する。判断の情報が「適切な接触」の場合は連
続して試験することが可能となる。
記憶（メモリ）１４に記憶されている指定領域
（条件）Ｑの読み出し情報と、第２図ｂに示した
現実に上記手段により付加された針跡を位置Ｐで
認識装置１３により認識することにより得られ
た、付加された針跡Ｒの領域とを比較する。その
際、第２図ｂに示すごとく指定領域Ｑ内に針跡Ｒ
の領域が位置し、この針跡Ｒの領域の面積が予め
定められた許容範囲内である場合には、プローブ
カード針２とパツド５との接触は適切であると認
識装置１３で判断する。この結果を記憶１４に記
憶する。判断の情報が「適切な接触」の場合は連
続して試験することが可能となる。
同様にして第２図ｃに示すように、すでに記憶
１４に設定してある指定領域（条件）Ｑ内に現実
に付加した針跡Ｒが位置していないと認識装置１
３で判断される場合には、プローブカード針２と
パツド５とは「不適切な接触」であると認識装置
１３で判断する。もちろんこの際、テスタ１５に
よる試験が不可能であることの信号を制御部１０
から発したり載置台３を制御部１０の、例えばマ
イクロプロセツサ等で制御することにより、自動
的に位置を修正することも可能である。
１４に設定してある指定領域（条件）Ｑ内に現実
に付加した針跡Ｒが位置していないと認識装置１
３で判断される場合には、プローブカード針２と
パツド５とは「不適切な接触」であると認識装置
１３で判断する。もちろんこの際、テスタ１５に
よる試験が不可能であることの信号を制御部１０
から発したり載置台３を制御部１０の、例えばマ
イクロプロセツサ等で制御することにより、自動
的に位置を修正することも可能である。
（発明の効果）
この発明の半導体ウエハ測定方法は以上のよう
なプロセスで行われるので、数百個にわたつて全
てのチツプに針跡を付加した後、従来ならオペレ
ーターによつて顕微鏡、モニターテレビ等で拡大
した当該チツプ内のパツドの針跡を目視検査する
無駄があつたが、本発明ではこのような無駄を除
去できる。したがつて、プローブ針の接触状況の
検査を折り込みながら試験することにより、当該
試験結果の信頼性をその都度確認でき、半導体ウ
エハ測定方法の信頼性の向上は計り知れないもの
がある。
なプロセスで行われるので、数百個にわたつて全
てのチツプに針跡を付加した後、従来ならオペレ
ーターによつて顕微鏡、モニターテレビ等で拡大
した当該チツプ内のパツドの針跡を目視検査する
無駄があつたが、本発明ではこのような無駄を除
去できる。したがつて、プローブ針の接触状況の
検査を折り込みながら試験することにより、当該
試験結果の信頼性をその都度確認でき、半導体ウ
エハ測定方法の信頼性の向上は計り知れないもの
がある。
第１図は本発明の実施例説明図、第２図は第１
図による針跡検査を説明するための略図、第３図
は第１図装置のブロツク図である。 １……半導体ウエハ、２……プローブカード
針、３……載置台、４……チツプ、５……パツ
ド、１０……制御部、１１……測定機構、１２…
…駆動機構、１３……認識装置、１４……記憶、
１５……テスタ、Ｑ……指定面積、Ｒ……針跡。
図による針跡検査を説明するための略図、第３図
は第１図装置のブロツク図である。 １……半導体ウエハ、２……プローブカード
針、３……載置台、４……チツプ、５……パツ
ド、１０……制御部、１１……測定機構、１２…
…駆動機構、１３……認識装置、１４……記憶、
１５……テスタ、Ｑ……指定面積、Ｒ……針跡。
Claims (1)
- １ 被測定半導体ウエハ内の各チツプについてプ
ローブ針を順次接触させて電気的測定を行なう方
法において、上記各チツプについて電気的測定後
に上記プローブ針による接触針跡を検出する工程
と、この工程により検出された針跡から上記測定
時におけるプロープ針の接触状況を検査する工程
と、この工程による検査結果から当該チツプの測
定結果を確認する工程とを具備してなることを特
徴とする半導体ウエハ測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13217983A JPS6024030A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13217983A JPS6024030A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハ測定方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2417697A Division JPH0828408B2 (ja) | 1990-12-15 | 1990-12-15 | 半導体ウエハ測定方法 |
| JP41769690A Division JP2717884B2 (ja) | 1990-12-15 | 1990-12-15 | 半導体ウエハ測定方法 |
| JP14953791A Division JPH0618229B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体ウエハの検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024030A JPS6024030A (ja) | 1985-02-06 |
| JPH0441495B2 true JPH0441495B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=15075226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13217983A Granted JPS6024030A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024030A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713990B2 (ja) * | 1985-04-02 | 1995-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ針とパッドの位置合わせ方法 |
| JPH0714757B2 (ja) * | 1986-09-29 | 1995-02-22 | 株式会社タツノ・メカトロニクス | 燃料油配送車 |
| JPS63265441A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Tokyo Electron Ltd | 測定装置 |
| US5041845A (en) * | 1987-10-13 | 1991-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat transfer recording apparatus with a common drive source for selective plural functions |
| JPH01257074A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Canon Inc | 熱転写記録装置 |
| JPH0828408B2 (ja) * | 1990-12-15 | 1996-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体ウエハ測定方法 |
| JP2726651B2 (ja) * | 1996-04-22 | 1998-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 不良素子へのマーキング方法 |
| WO2010073359A1 (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | プローバ、試験装置、及び半導体チップの検査方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121638A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-20 | Nec Home Electronics Ltd | ウエ−ハプロ−バ用検針のチエツク方法 |
| JPS58169922A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | オ−トプロ−バにおけるウエハ−のアライメント方法 |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP13217983A patent/JPS6024030A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121638A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-20 | Nec Home Electronics Ltd | ウエ−ハプロ−バ用検針のチエツク方法 |
| JPS58169922A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | オ−トプロ−バにおけるウエハ−のアライメント方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6024030A (ja) | 1985-02-06 |
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