JPS63107008A - 高カ−回転角を有する薄膜及びその製造方法 - Google Patents
高カ−回転角を有する薄膜及びその製造方法Info
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- JPS63107008A JPS63107008A JP61168093A JP16809386A JPS63107008A JP S63107008 A JPS63107008 A JP S63107008A JP 61168093 A JP61168093 A JP 61168093A JP 16809386 A JP16809386 A JP 16809386A JP S63107008 A JPS63107008 A JP S63107008A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気光学材料のＮ膜、特に大きなカー回転角を
有する薄膜、及び透光性垂直磁気異方性膜とその製造方
法に関するものである。
有する薄膜、及び透光性垂直磁気異方性膜とその製造方
法に関するものである。
カー回転角を利用する光技術としては、現在光磁気記録
があり、本発明はその光記録媒体にも十分に使用し得る
ものである。
があり、本発明はその光記録媒体にも十分に使用し得る
ものである。
［従来の技術］
高いカー回転角を有する磁気光学材料としてはハロゲン
化合物系でＣｒＸ３（ＸはＣ１、Ｂｒ、Ｉ）があり、１
．５°にの低温において４２５、５ｎｍ付近でθに＝３
．５″という大きな回転角を示している。
化合物系でＣｒＸ３（ＸはＣ１、Ｂｒ、Ｉ）があり、１
．５°にの低温において４２５、５ｎｍ付近でθに＝３
．５″という大きな回転角を示している。
酸化物系においては大きなカー回転角を有する物質は少
なく、ＣｏＦｅ２Ｏ４、 Ｅｕ３ＦｅｓＯ＋ｚがあるが、ＣｏＦｅ２Ｏ４において
は７８０ｎｍにおいてθＦ ＝ ３．３ｘ１０４ｄｅｇ
／ｃｍ、反射膜を付はエンハンスさせた場合θに＝ｏ、
６°という値が報告されている。又Ｅｕ３ＦｅｓＯ＋２
においては２９７ｎｍ波長でθｋ ＝０．１７°という
値が報告されている。
なく、ＣｏＦｅ２Ｏ４、 Ｅｕ３ＦｅｓＯ＋ｚがあるが、ＣｏＦｅ２Ｏ４において
は７８０ｎｍにおいてθＦ ＝ ３．３ｘ１０４ｄｅｇ
／ｃｍ、反射膜を付はエンハンスさせた場合θに＝ｏ、
６°という値が報告されている。又Ｅｕ３ＦｅｓＯ＋２
においては２９７ｎｍ波長でθｋ ＝０．１７°という
値が報告されている。
金属系については多種あり、多結晶材料ではＭｎＢ１合
金薄膜、ＰｔＭｎＳｂホイスラー合金薄膜があり、この
ＰｔＭｎＳｂ薄膜は７２５〜７１Ｂ、 ７ｎｍでθに＝
１，８２° （ａｔ５ｋ（：＞ｅ ）という値を室温で
示している。しかしながら垂直磁化膜はまだ作製されて
いない。
金薄膜、ＰｔＭｎＳｂホイスラー合金薄膜があり、この
ＰｔＭｎＳｂ薄膜は７２５〜７１Ｂ、 ７ｎｍでθに＝
１，８２° （ａｔ５ｋ（：＞ｅ ）という値を室温で
示している。しかしながら垂直磁化膜はまだ作製されて
いない。
次にアモルファス材料では希土類系で垂直磁化膜が得ら
れているがθに＝０．３〜０．４゜の値を示している。
れているがθに＝０．３〜０．４゜の値を示している。
金属材料ではＭｎの様な半金属を含んだ材料の場合でも
、１０００λ程度で透光性を失ってしまうのが問題であ
る。
、１０００λ程度で透光性を失ってしまうのが問題であ
る。
（光磁気材料に要求される特性）
光磁気記録媒体に要求される性質としては次の項目が挙
げられる。
げられる。
（１）垂直磁化膜：高い記録密度を得るには垂直磁化膜
であることが必要であり、Ｋ土〉２πＭＳ’ ＜Ｋ土
：垂直磁気異方性定数、ＭＳ：飽和磁化ｉ）という関係
が要求される。
であることが必要であり、Ｋ土〉２πＭＳ’ ＜Ｋ土
：垂直磁気異方性定数、ＭＳ：飽和磁化ｉ）という関係
が要求される。
（２）書き込みパワー二垂直磁化膜に熱的に情報を書き
込む方法にはキューリ一点書き込み、補償点書き込みな
どがあるが記録された情報の熱的安定性と書き込みパワ
ーの低下との兼合いから、この温度上昇はおよそ１００
〜２００℃が適切と考えられる。
込む方法にはキューリ一点書き込み、補償点書き込みな
どがあるが記録された情報の熱的安定性と書き込みパワ
ーの低下との兼合いから、この温度上昇はおよそ１００
〜２００℃が適切と考えられる。
（３）ＳＮ比：光磁気ディスク装置の雑音源としては次
のものが考えられる。
のものが考えられる。
■光源の変動、■媒体から発生する雑音、■検光子、偏
光子の不完全からくる雑音、■電気信号の増幅回路の増
幅器雑音、 Ｓ／Ｎ比を上げるには５ｌＮＣｃｌθｋ（Ｒ：膜の反射
率、θに二カー回転角〉となるのでノイズを下げ、材料
の反射率を上げ、実効的なカー回転角を上昇させる必要
がある。
光子の不完全からくる雑音、■電気信号の増幅回路の増
幅器雑音、 Ｓ／Ｎ比を上げるには５ｌＮＣｃｌθｋ（Ｒ：膜の反射
率、θに二カー回転角〉となるのでノイズを下げ、材料
の反射率を上げ、実効的なカー回転角を上昇させる必要
がある。
（４）安定性及び作製容易であること。
■機械的、熱的、化学的に媒体が安定で多数回の書き込
み、長期保存が可能であること。
み、長期保存が可能であること。
■ディ２９作製が容易、１ビット当りの単価が妥当なこ
と、 等である。
と、 等である。
（光磁気材料の長所、短所）
カー効果を利用する場合、その目的は光磁気記録媒体に
使用するのが主流で、これまでに開発された材料は極め
て多い。
使用するのが主流で、これまでに開発された材料は極め
て多い。
最初にＭｎ［３ｉが注目され、その欠点であるキューリ
ー湿度が高いことや相転移のあることを改善する目的で
ＭｎＳｂ。
ー湿度が高いことや相転移のあることを改善する目的で
ＭｎＳｂ。
ＭｎＡ Ｉ Ｇｅ、 Ｍｎ１−ｘ Ｔ ｉｘＢ ｉが開
発されたが、多結晶媒体で光磁気ディスクとじて最も良
いデーターを与えた材料は ＣｕＭｎＢ ｉである。しかしこの材料は多結晶のため
、最大の欠点は媒体雑音が多いのが欠点であると占われ
ている。又空温で最高のカー回転角を示すＰｔＭｎＳｂ
はホイスラー合金としての規則合金を形成させるために
高温長時間の焼鈍が必要であり、さらに、前にも述べた
ように垂直磁化膜とならないので、直ちに実用に供せら
れるという材料ではない。
発されたが、多結晶媒体で光磁気ディスクとじて最も良
いデーターを与えた材料は ＣｕＭｎＢ ｉである。しかしこの材料は多結晶のため
、最大の欠点は媒体雑音が多いのが欠点であると占われ
ている。又空温で最高のカー回転角を示すＰｔＭｎＳｂ
はホイスラー合金としての規則合金を形成させるために
高温長時間の焼鈍が必要であり、さらに、前にも述べた
ように垂直磁化膜とならないので、直ちに実用に供せら
れるという材料ではない。
Ｃ０Ｆｅ２ｏ４もエンハンスメントを使用して大きなカ
ー回転角を示すものとして注目されるが、やはり高温に
耐える蒸＠基板が必要である。又ウラン化合物の中に非
常に大きな性能指数 爪−ａ ｋの材料が見出されてい
るが、キューリ一温度が空温以下であり実用的でない。
ー回転角を示すものとして注目されるが、やはり高温に
耐える蒸＠基板が必要である。又ウラン化合物の中に非
常に大きな性能指数 爪−ａ ｋの材料が見出されてい
るが、キューリ一温度が空温以下であり実用的でない。
多結晶の欠点である粒界雑音を無くすためには単結晶を
用いるか、アモルファス材料を使用することが考えられ
る。単結晶材料ではＧｄＩＧ（及びＢｉＹＩＧの垂直磁
化膜）の補償温度が空温に近く、かつファラデーデバイ
スとしての性能指数 ２Ｆ／α（Ｆはファラデー回転係
数、αは光の吸収率）が十分大きいがαが小さいため、
厚い膜が必要となり、ビット寸法を小さくすることが難
しいことや大きなディスク記録媒体の作製が困難で、か
つ、高価なものとなりそうである、という問題がある。
用いるか、アモルファス材料を使用することが考えられ
る。単結晶材料ではＧｄＩＧ（及びＢｉＹＩＧの垂直磁
化膜）の補償温度が空温に近く、かつファラデーデバイ
スとしての性能指数 ２Ｆ／α（Ｆはファラデー回転係
数、αは光の吸収率）が十分大きいがαが小さいため、
厚い膜が必要となり、ビット寸法を小さくすることが難
しいことや大きなディスク記録媒体の作製が困難で、か
つ、高価なものとなりそうである、という問題がある。
現在多層膜を作製して原子を数原子ずつ積層することで
、サブストレートに所望の媒体を作製する研究が金属及
び酸化物で行われているが、実用になるまでには至って
いない。
、サブストレートに所望の媒体を作製する研究が金属及
び酸化物で行われているが、実用になるまでには至って
いない。
この様にして実用性という観点から希土類−Ｃｏ、Ｆｅ
（遷移金属）合金アモルファスが現在、研究の主流であ
り、実用的データーを出しつつある。
（遷移金属）合金アモルファスが現在、研究の主流であ
り、実用的データーを出しつつある。
次に希土類−遷移金属アモルファス膜について説明する
。
。
（１）飽和磁化ＭＳ：希土類及び鉄族遷移金属の原子磁
気モーメントは両者のスピンが反平行に結合し、軽希土
類では両側格子の和、重希土類では差となる。このため
重希土類においては組成を選ぶことでＭβ及びｌ（ｃ。
気モーメントは両者のスピンが反平行に結合し、軽希土
類では両側格子の和、重希土類では差となる。このため
重希土類においては組成を選ぶことでＭβ及びｌ（ｃ。
Ｔｃを調整することができ、垂直磁化膜の条件、Ｋ土〉
２πｊｖｌ ｓ ２を満たすことが可能となり、垂直磁
化膜の作成が容易である。
２πｊｖｌ ｓ ２を満たすことが可能となり、垂直磁
化膜の作成が容易である。
（２）垂直磁気異方性に１：希土類−遷移金属膜は大き
な垂直磁気異方性エネルギーを有するが、この起源につ
いては、 ■希土類原子に起因した原子対の方向性配列、及び異方
性 ■柱状構造などの膜構造による形状異方性、及び膜の内
部応力、磁気ひずみ などが挙げられるが、垂直磁気異方性はＡｒ分圧、及び
組成により容易に変化するので十分な起源の説明はでき
ていない。
な垂直磁気異方性エネルギーを有するが、この起源につ
いては、 ■希土類原子に起因した原子対の方向性配列、及び異方
性 ■柱状構造などの膜構造による形状異方性、及び膜の内
部応力、磁気ひずみ などが挙げられるが、垂直磁気異方性はＡｒ分圧、及び
組成により容易に変化するので十分な起源の説明はでき
ていない。
（３）保磁力ＨＣ：保磁力の発生機構は明らかでないが
、垂直磁化膜中に１つの円筒状の逆磁化の磁区がある時
、安定に存在できる最少の磁区直径ｄｍｉｎは ｄｍｉｎ＝ （７Ｗ ／Ｍ Ｓ −ＨＣ（σＷ：磁壁の
エネルギー密度、ＨＣ：膜の保磁力）と近似され、高密
度記録材料には、垂直磁気異方性の大きな値と数ｋ＜５
ｅの保磁力が必要である。この点希土類系は良く条件を
満足する。
、垂直磁化膜中に１つの円筒状の逆磁化の磁区がある時
、安定に存在できる最少の磁区直径ｄｍｉｎは ｄｍｉｎ＝ （７Ｗ ／Ｍ Ｓ −ＨＣ（σＷ：磁壁の
エネルギー密度、ＨＣ：膜の保磁力）と近似され、高密
度記録材料には、垂直磁気異方性の大きな値と数ｋ＜５
ｅの保磁力が必要である。この点希土類系は良く条件を
満足する。
（４）カー回転角θに：希土類−遷移金属膜のカー回転
角の磁場依存性はＭ−８曲線と相似形となることが多い
ので、カー回転角はＭに比例すると考えられるが０．３
〜０．４゜と余り大きくない。
角の磁場依存性はＭ−８曲線と相似形となることが多い
ので、カー回転角はＭに比例すると考えられるが０．３
〜０．４゜と余り大きくない。
希土類−遷移金属アモルファス膜の最大の欠点は酸化に
弱いことであり、保３１Ｑなしに放置すると変質しやす
いことである。
弱いことであり、保３１Ｑなしに放置すると変質しやす
いことである。
又最適成膜条件が狭いことも問題である。
［発明が解決しようとする問題点］
現在の光磁気記録媒体はこれまで述べてきた様に希土類
遷移金属系が主流になっている。
遷移金属系が主流になっている。
しかしながらこの媒体はカー回転角がθに〜０．３〜０
．４°であり、他の光記録装置である、媒体の凹凸を利
用して反射の明暗を読み取るシステムに比較するとＳ／
Ｎ比が６０ｄＢ以下と小さい欠点がある。このためエラ
ーが生じやすく、使用分野が狭く、門き変え可能という
長所を生かしきれないでいる。
．４°であり、他の光記録装置である、媒体の凹凸を利
用して反射の明暗を読み取るシステムに比較するとＳ／
Ｎ比が６０ｄＢ以下と小さい欠点がある。このためエラ
ーが生じやすく、使用分野が狭く、門き変え可能という
長所を生かしきれないでいる。
そこでカー回転角の大きい記録材料、及びカー回転角を
大きくする膜の開発が待たれていた。
大きくする膜の開発が待たれていた。
本発明の目的とするところはハロゲンとの結合によって
もその軟Ｘ線スペクトルにおいてＦｅに比較してピーク
シフトをあまり生じない、つまり金属的であり強磁性を
維持し、反射光量も多く、かつＦを含有することで透光
性もあり、ファラデー係数が大きく、かつ、カー回転角
の大きいハロゲン含有強磁性光透過膜、及びハロゲン含
有光透過垂直磁気異方性膜とその製造方法を提供するこ
とである。
もその軟Ｘ線スペクトルにおいてＦｅに比較してピーク
シフトをあまり生じない、つまり金属的であり強磁性を
維持し、反射光量も多く、かつＦを含有することで透光
性もあり、ファラデー係数が大きく、かつ、カー回転角
の大きいハロゲン含有強磁性光透過膜、及びハロゲン含
有光透過垂直磁気異方性膜とその製造方法を提供するこ
とである。
Ｌ問題点を解決するための手段］
上記問題点を解決するため、本発明は下記の構成を有す
るものである。
るものである。
（１）下記式１で示される成分組成の化合物よりなる高
力−回転角を有する薄膜。
力−回転角を有する薄膜。
ＪＸ ＬＶ Ｑ（１００−ｘ−ｙ） ””””’■た
だし、上記１式中 Ｊ：元素記号Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれかで表わされ
る１種または２種以上の元素の組合せ、 Ｌ：元素記号Ｂ、Ｃ，ＡＩ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎ ｉ 、（
３ａ、 Ｇｅ、 Ｚｒ、 Ｎｂ。
だし、上記１式中 Ｊ：元素記号Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれかで表わされ
る１種または２種以上の元素の組合せ、 Ｌ：元素記号Ｂ、Ｃ，ＡＩ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎ ｉ 、（
３ａ、 Ｇｅ、 Ｚｒ、 Ｎｂ。
Ｍｏのいずれかで表わされる１種または２種以上の元素
の組合せ、 Ｑ：Ｆｅ（鉄〉またはＣｏ（コバルト）のいずれか１種
または両者の組合せ、 Ｘ： ３〜８０の数値、 ｙ：下記式ＩＩを満足する数値である。
の組合せ、 Ｑ：Ｆｅ（鉄〉またはＣｏ（コバルト）のいずれか１種
または両者の組合せ、 Ｘ： ３〜８０の数値、 ｙ：下記式ＩＩを満足する数値である。
３≦ｘ＋ｙ≦８０ ・・・・・・・・・■ 、（２
）上記成分組成を有する透光性垂直磁気興方性を示す、
高力−回転角を有する薄膜。
）上記成分組成を有する透光性垂直磁気興方性を示す、
高力−回転角を有する薄膜。
（３）ハロゲン化合物を分解して発生したハロゲンまた
はハロゲン含有ガスを金属またはハロゲン含有金属プラ
ズマと反応させて生成する化合物を基板上に薄膜として
析出させることを特徴とする上記式第（１）項に示され
る成分組成の化合物よりなるハロゲン元素含有高力−回
転角を有する薄膜の製造方法。
はハロゲン含有ガスを金属またはハロゲン含有金属プラ
ズマと反応させて生成する化合物を基板上に薄膜として
析出させることを特徴とする上記式第（１）項に示され
る成分組成の化合物よりなるハロゲン元素含有高力−回
転角を有する薄膜の製造方法。
以下、上記第（１） 、（２） 、（３）項に記載され
た構成について詳しく説明する。
た構成について詳しく説明する。
まず、第（１）項および第（２）項のハロゲン含有高力
−回転角を有する膜及び垂直磁化膜は、その結晶構造が
非晶質、結晶質、準安定相と各種あり、又その原子間の
結合が３ｄ軌道に大きな影響を与えない結合のため、磁
気特性への影響が少なく、このため金属的、強磁性的で
あり、かつハロゲン元素を含有することで、透光性を有
し、又金属的な故に反射光量も大きく、反射の際に膜表
面及び内部での光偏向角の回転も加わり、大きなカー回
転角を示す様になる。
−回転角を有する膜及び垂直磁化膜は、その結晶構造が
非晶質、結晶質、準安定相と各種あり、又その原子間の
結合が３ｄ軌道に大きな影響を与えない結合のため、磁
気特性への影響が少なく、このため金属的、強磁性的で
あり、かつハロゲン元素を含有することで、透光性を有
し、又金属的な故に反射光量も大きく、反射の際に膜表
面及び内部での光偏向角の回転も加わり、大きなカー回
転角を示す様になる。
この高力−回転角を有する腹は、磁気光学のカー効果を
利用した光変調素子として光通信用スイッチ、光アイソ
レーター、サーキュレータ−などの光集積回路に応用可
能である。
利用した光変調素子として光通信用スイッチ、光アイソ
レーター、サーキュレータ−などの光集積回路に応用可
能である。
更にカー効果を利用した光磁気ディスクメモリにおいて
、カー効果とファラデー効果を組合せた多層膜構造によ
り、カー回転角を増大させることができるなどその用途
はこれからの光技術にはなくてはならないものがある。
、カー効果とファラデー効果を組合せた多層膜構造によ
り、カー回転角を増大させることができるなどその用途
はこれからの光技術にはなくてはならないものがある。
本発明（１）の高力−回転角を有する膜の特性としては
ａ１元元素を５０ａｔ％程度を含有しても、軟Ｘ線発光
スペクトルのＬα線ピークの化学シフトを生じない化学
結合である。
スペクトルのＬα線ピークの化学シフトを生じない化学
結合である。
ｂ、そのため磁気特性も大ぎく、透光性を示す材料とし
ては５０ａｔ％Ｆ程度の含有で６０ｅｍｕ／ｇ以上、又
Ｆｅ １原子当りの平均磁気モーメントμＦｅも１μ８
程度である。
ては５０ａｔ％Ｆ程度の含有で６０ｅｍｕ／ｇ以上、又
Ｆｅ １原子当りの平均磁気モーメントμＦｅも１μ８
程度である。
Ｃ，カー回転角はＦの含有量と伴に増加し、５０ａｔ％
Ｆの含有でＨｅ−Ｎｅレーザー波長域ｒ ０．５’の回
転角を示す。７００〜８０００ｍでは０．７６を示した
。
Ｆの含有でＨｅ−Ｎｅレーザー波長域ｒ ０．５’の回
転角を示す。７００〜８０００ｍでは０．７６を示した
。
本発明（２）のハロゲン元素含有透光性垂直磁気異方性
膜は上記特性を満足した上に次の特性を有する。
膜は上記特性を満足した上に次の特性を有する。
ｄ０作製条件である背圧の到達真空度、Ａｒ分圧、成膜
時の温度、スパッタパワーを調節することで垂直磁気異
方性膜となる。
時の温度、スパッタパワーを調節することで垂直磁気異
方性膜となる。
更に詳しく説明する。
ａ、ハロゲン元素はすべての金属と反応し、又多くの非
金属とも反応する。中でもＦは最も反応性に富み、反応
性は原子番号が増加するにつれて減少する。このＦ元素
の大きな反応性はＦ−Ｆ結合のエネルギーが低いこと、
Ｍ生方がきわめて強いこと、及び電気陰性度が高いこと
による。
金属とも反応する。中でもＦは最も反応性に富み、反応
性は原子番号が増加するにつれて減少する。このＦ元素
の大きな反応性はＦ−Ｆ結合のエネルギーが低いこと、
Ｍ生方がきわめて強いこと、及び電気陰性度が高いこと
による。
この激しい反応性のためこれまでハロゲンガスそのもの
は金属内に含有量を変化して含まれることはなく、主に
ドライエツチング技術の反応性ガスとか、化学蒸着法の
キャリアガスとして使用されるだけであった。
は金属内に含有量を変化して含まれることはなく、主に
ドライエツチング技術の反応性ガスとか、化学蒸着法の
キャリアガスとして使用されるだけであった。
ハロゲン元素は金属と化学結合した場合に透光性を有す
る結晶となるが、第１図に示したＦｅＦ２．ＦｅＦ：＋
の様にＬαの大幅なピークシフトとピーク幅の拡がりを
見せ、Ｆｅの電子状態の３ｄ準位に大きな影響を与え、
反強磁性、寄生強磁性となるのがハロゲン化合物の一般
的特性である。
る結晶となるが、第１図に示したＦｅＦ２．ＦｅＦ：＋
の様にＬαの大幅なピークシフトとピーク幅の拡がりを
見せ、Ｆｅの電子状態の３ｄ準位に大きな影響を与え、
反強磁性、寄生強磁性となるのがハロゲン化合物の一般
的特性である。
本発明の製造方法においてはＬαのピークシフトが少な
いのが特徴である。本発明によるハロゲン元素含有高力
−回転角を有りる膜中のＦｅの軟Ｘ線発光スペクトルＬ
α、Ｌβのプロファイルをハロゲン含有量を変えて第１
図に示した。又第２図にはＬα、Ｌβのピークシフト、
Ｌα、Ｌβのピーク高さ比Ｌβ／Ｌα（強度比）とＬα
のピークの半値幅のＦ元素の組成依存性をＦｅ、ＦｅＦ
２、ＦｅＦ３に比較して示す。
いのが特徴である。本発明によるハロゲン元素含有高力
−回転角を有りる膜中のＦｅの軟Ｘ線発光スペクトルＬ
α、Ｌβのプロファイルをハロゲン含有量を変えて第１
図に示した。又第２図にはＬα、Ｌβのピークシフト、
Ｌα、Ｌβのピーク高さ比Ｌβ／Ｌα（強度比）とＬα
のピークの半値幅のＦ元素の組成依存性をＦｅ、ＦｅＦ
２、ＦｅＦ３に比較して示す。
第１図及び第２図より明らかな様に本発明のハロゲン含
有高力−回転角を有する膜はＦｅ−Ｂ−Ｆ膜を例に示す
と、ＦＣと同じＬα、Ｌβのピーク位置、ピークの半値
幅を示し、Ｌβ／Ｌαの高さ比はＦ元素を含有するほど
増加している。つまりＦｅＦ２、ＦｅＦ３の様にはＬα
のピークシフトを生じていないことが分る。このことは
Ｆｅ−Ｆの化学結合が外殻軌道の結合になっており内殻
軌道の光磁気効果に影響の大きい３ｄ軌道には影響して
いないことを意味している。そのため本発明の高力−回
転角を有する膜は強磁性的であり、３ｄ準位の軌道モー
メントの作用により大きな磁気光学効果を生ずる一因と
なっている。
有高力−回転角を有する膜はＦｅ−Ｂ−Ｆ膜を例に示す
と、ＦＣと同じＬα、Ｌβのピーク位置、ピークの半値
幅を示し、Ｌβ／Ｌαの高さ比はＦ元素を含有するほど
増加している。つまりＦｅＦ２、ＦｅＦ３の様にはＬα
のピークシフトを生じていないことが分る。このことは
Ｆｅ−Ｆの化学結合が外殻軌道の結合になっており内殻
軌道の光磁気効果に影響の大きい３ｄ軌道には影響して
いないことを意味している。そのため本発明の高力−回
転角を有する膜は強磁性的であり、３ｄ準位の軌道モー
メントの作用により大きな磁気光学効果を生ずる一因と
なっている。
ｂ、第３図にＦｅ−Ｂ−Ｆ膜の飽和磁化Ｍｓと鉄１原子
当りの平均磁気モーメントμＦｅのＦｅ依存性を示した
が、ａ、に示したような電子状態を有するため、５０ａ
ｔ％Ｆ程度の含有でも良好な透光性と高い磁気特性を示
す。
当りの平均磁気モーメントμＦｅのＦｅ依存性を示した
が、ａ、に示したような電子状態を有するため、５０ａ
ｔ％Ｆ程度の含有でも良好な透光性と高い磁気特性を示
す。
Ｆ元素はアモルファス形成元素であり、Ｆ含有量が増加
してもキューリ一温度、結晶化温度に大きな変化を生じ
ない。しかしながら飽和磁化量Ｍ Ｓ Ｇ、ｔ Ｆ含有
量と共に低下し、フロライドがアモルファス相内に成長
してくるとＭＳの低下の程度は減少する。７７にのμＦ
ｅはアモルファス相内ではＦの増加と供に低下するがフ
ロライド相が含有してくるとμＦｅは約１μＢとなり、
これはＦｅ−Ｆの結合の特徴を表わしている。
してもキューリ一温度、結晶化温度に大きな変化を生じ
ない。しかしながら飽和磁化量Ｍ Ｓ Ｇ、ｔ Ｆ含有
量と共に低下し、フロライドがアモルファス相内に成長
してくるとＭＳの低下の程度は減少する。７７にのμＦ
ｅはアモルファス相内ではＦの増加と供に低下するがフ
ロライド相が含有してくるとμＦｅは約１μＢとなり、
これはＦｅ−Ｆの結合の特徴を表わしている。
Ｃ０以上の様な金属−ガス元素の特徴的な電子状態に起
因して、反射光量も多く、カー回転角はＦの含有量と供
に増加し４０〜５０ａｔ％Ｆの含有でＨｅ−Ｎｅレーザ
ー波長域でθに＝０．５° ７００〜８００ｎｍでθに
−０，７°という高い値を示した。
因して、反射光量も多く、カー回転角はＦの含有量と供
に増加し４０〜５０ａｔ％Ｆの含有でＨｅ−Ｎｅレーザ
ー波長域でθに＝０．５° ７００〜８００ｎｍでθに
−０，７°という高い値を示した。
第４図は例としてＦｅ−Ｂ−Ｆｌｌｌのカー回転角θに
波長依存性と磁場依存性を示した。
波長依存性と磁場依存性を示した。
ここに示した膜は面内磁化膜であり、磁場依存性は磁場
の上昇と共に回転角は増加する。
の上昇と共に回転角は増加する。
Ｆの含有量が多い程θｋが高い値を示し、長波長側では
ざらに高くなる傾向を示している。
ざらに高くなる傾向を示している。
これはＦｅ−Ｆの特殊な結合とＦ元素の透光性が組み合
わされ膜表面、及び膜内部での回転が大きなカー回転角
を生み出しているものと考えられる。通常、酸化物など
では反射膜を付けない反射によるカー回転角は極端に少
ないのであるが、本発明の膜は反射膜なしで大きなカー
回転角を示している。
わされ膜表面、及び膜内部での回転が大きなカー回転角
を生み出しているものと考えられる。通常、酸化物など
では反射膜を付けない反射によるカー回転角は極端に少
ないのであるが、本発明の膜は反射膜なしで大きなカー
回転角を示している。
ｄ０本発明（２）について説明すると、上記の膜は面内
磁化膜であるが、成膜条件を選ぶことにより、透光性垂
直磁気異方性膜となる。
磁化膜であるが、成膜条件を選ぶことにより、透光性垂
直磁気異方性膜となる。
第５図に１例としてｌ”ｅ−Ｆｎ膜のＭＳ−Ｈ曲線を示
した。面内方向と垂直方向では明らかに垂直方向に異方
性を示し、垂直磁気異方性エネルギーは正の値を示して
いる。
した。面内方向と垂直方向では明らかに垂直方向に異方
性を示し、垂直磁気異方性エネルギーは正の値を示して
いる。
本発明（３）の高力−回転角を有する膜の製造方法は反
応性成膜法によるものであり、この方法はそれによって
生成される化合物薄膜の少なくとも１つの組成が気相と
なっている状態で行われる。
応性成膜法によるものであり、この方法はそれによって
生成される化合物薄膜の少なくとも１つの組成が気相と
なっている状態で行われる。
使用する製造装置は例えば反応性Ｒｆ、ＤＣスパッタリ
ング装置である。この反応性スパッタリングでは物理ス
パッタリングと化学スパッタリングの両方が生じており
、基板では低温度で、かつ基板への衝突エネルギーが低
い状態で薄膜が形成される。反応性スパッタのためガス
分圧とターゲットにかかる出力を変えることができ、こ
れにより非晶質、結晶質又は準安定相と各種構造の光透
過膜ができる。又化学結合の程度（イオン化度）もいろ
いろ変えることができる。
ング装置である。この反応性スパッタリングでは物理ス
パッタリングと化学スパッタリングの両方が生じており
、基板では低温度で、かつ基板への衝突エネルギーが低
い状態で薄膜が形成される。反応性スパッタのためガス
分圧とターゲットにかかる出力を変えることができ、こ
れにより非晶質、結晶質又は準安定相と各種構造の光透
過膜ができる。又化学結合の程度（イオン化度）もいろ
いろ変えることができる。
本発明（３）ではハロゲン化合物を分解することにより
反応性ガスとしてハロゲンガス及びその化合物ガスを発
生させる。これらハロゲンガスを金属プラズマ、及び同
種のハロゲンガス含有金属プラズマと反応させて生成化
合物を基板上に薄膜として析出させる。この方法により
反応性の高いハロゲンガスを配管系から導入する危険か
ら逃れることができ、更に不純物の混入も防止できると
いう利点がある。
反応性ガスとしてハロゲンガス及びその化合物ガスを発
生させる。これらハロゲンガスを金属プラズマ、及び同
種のハロゲンガス含有金属プラズマと反応させて生成化
合物を基板上に薄膜として析出させる。この方法により
反応性の高いハロゲンガスを配管系から導入する危険か
ら逃れることができ、更に不純物の混入も防止できると
いう利点がある。
［実施例コ
以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例１
第６図に示す様に対向ターゲット型ＤＣ１Ｒｆスパッタ
リング装置を使用して対向ＤＣターゲット１にＦｅ９ｓ
Ｂ＋１ （ａｔ％）を取り付ける。ＤＣターゲット１
は水冷されている。
リング装置を使用して対向ＤＣターゲット１にＦｅ９ｓ
Ｂ＋１ （ａｔ％）を取り付ける。ＤＣターゲット１
は水冷されている。
Ｒｆツタ−ット２にはｌ”ｅｌ”ｘハロゲン化合物をプ
レス成型して使用する。真空槽３内を５Ｘ １Ｏ−７Ｔ
ｏｒｒまで減圧した後、Ａｒガスを導入して槽内がＩＸ
１０’ ｒｏｒｒになる様に調節する。４は直流電源
、５は基板、６はアルゴンガスの供給口、７は排気口、
８は水冷サブストレート、９はＲｆ電源、１０はマツチ
ング回路である。
レス成型して使用する。真空槽３内を５Ｘ １Ｏ−７Ｔ
ｏｒｒまで減圧した後、Ａｒガスを導入して槽内がＩＸ
１０’ ｒｏｒｒになる様に調節する。４は直流電源
、５は基板、６はアルゴンガスの供給口、７は排気口、
８は水冷サブストレート、９はＲｆ電源、１０はマツチ
ング回路である。
ハロゲンガス発生用Ｒｆ出力を例えば３００Ｗにしてｌ
”ｅｓａＢ＋ａの付いている対向ＤＣターゲット１側の
ＤＣ出りを変更することによって容易に基板５上に生成
する光透過膜のＢとＦの含有量を変動させることが可能
である。それらの結晶構造はＦの含有量が２５８ｔ％Ｆ
以下では非晶質であるが、２５ａｔ％Ｆ以上ではＸ線回
折においてフッ化物結晶のピークが出てくる。
”ｅｓａＢ＋ａの付いている対向ＤＣターゲット１側の
ＤＣ出りを変更することによって容易に基板５上に生成
する光透過膜のＢとＦの含有量を変動させることが可能
である。それらの結晶構造はＦの含有量が２５８ｔ％Ｆ
以下では非晶質であるが、２５ａｔ％Ｆ以上ではＸ線回
折においてフッ化物結晶のピークが出てくる。
第７図にはＦｅ−Ｂスパッタ膜、及び
Ｆｅ５ｏＢ＋＋＋ターゲツトから作製したＦｅ−Ｂ−Ｆ
ＩＩＩのＨｅ−Ｎｅレーザーでのカー回転角のＦｅ依存
性を示した。Ｆｅが５０ａｔ％程度でθに＝０．５°の
値を示す。
ＩＩＩのＨｅ−Ｎｅレーザーでのカー回転角のＦｅ依存
性を示した。Ｆｅが５０ａｔ％程度でθに＝０．５°の
値を示す。
このＦｅ−Ｂ−Ｆ膜に、Ｇｏ他、特許請求の範囲に示さ
れた元素を含有することでθにの値が改善される。
れた元素を含有することでθにの値が改善される。
実施例２
第６図に示す様なスパッタリング装置を使用して８の水
冷サブストレートを１８０°回転し、５の基板をＲｆ電
掻側にセットする。
冷サブストレートを１８０°回転し、５の基板をＲｆ電
掻側にセットする。
Ｒｆツタ−ット２には１例としてＦｅＦ３ハロゲン化合
物をプレス成型して使用する。
物をプレス成型して使用する。
真空槽３内を５ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒに減圧後、Ａｒガ
スを導入して槽内が５Ｘ １０’ Ｔｏｒｒになる様に
調節する。
スを導入して槽内が５Ｘ １０’ Ｔｏｒｒになる様に
調節する。
ＦｅＦｘプレス粉末ターゲットのＲｆ比出力例えば２５
０Ｗにして基板５上にスパッタ膜を堆積させる。得られ
たスパッタ膜の磁気特性をＶＳＭで測定した結果、第５
図に１例として示した様に膜面の垂直方向に大きな異方
性を有する垂直磁気異方性膜となった。又このＦｅ−Ｆ
膜の反射におけるカー回転角の磁場依存性を求めると第
８図に示すようなθに一日曲線となり、θにの値はＨｅ
−Ｎｅレーザー光で０．３２°を示した。長波長側では
ざらにこの値は向上し、反射膜を付けた場合でも向上す
る。
０Ｗにして基板５上にスパッタ膜を堆積させる。得られ
たスパッタ膜の磁気特性をＶＳＭで測定した結果、第５
図に１例として示した様に膜面の垂直方向に大きな異方
性を有する垂直磁気異方性膜となった。又このＦｅ−Ｆ
膜の反射におけるカー回転角の磁場依存性を求めると第
８図に示すようなθに一日曲線となり、θにの値はＨｅ
−Ｎｅレーザー光で０．３２°を示した。長波長側では
ざらにこの値は向上し、反射膜を付けた場合でも向上す
る。
次にＦｅ−Ｆ膜のＨｅ−Ｎｅレーザー光透過におけるフ
ァラデー回転角、及び磁化量の磁場依存性を求めると第
１３図に示す様なθＦ−１−１曲線となり、ファラデー
係数は２．２ｘ１０４ ｄｅｇ／ｃｍを示した。θＦ−
Ｈ曲線の形は上のＭ−Ｈ曲線のＭｌに類似している。反
射膜を付けてθに−Ｈ曲線を求めるとθにの値は７ｋＯ
ｅの磁場において２．２０を示した。
ァラデー回転角、及び磁化量の磁場依存性を求めると第
１３図に示す様なθＦ−１−１曲線となり、ファラデー
係数は２．２ｘ１０４ ｄｅｇ／ｃｍを示した。θＦ−
Ｈ曲線の形は上のＭ−Ｈ曲線のＭｌに類似している。反
射膜を付けてθに−Ｈ曲線を求めるとθにの値は７ｋＯ
ｅの磁場において２．２０を示した。
このＦｅ−Ｆ膜にＣＯ他特許請求の範囲に示された元素
を含有することで垂直磁気異方性エネルギーの向上及び
θにの向上が計られる。
を含有することで垂直磁気異方性エネルギーの向上及び
θにの向上が計られる。
実施例３
実施例２と同様の方法において、Ｒ［ターゲット２には
１例としてＮｉＦ２ハロゲン化合物をプレス成型して使
用する。真空槽３内を５Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒに減圧後
、Ａｒガスを導入して槽内が５Ｘ １０’ Ｔｏｒｒに
なる様に調節する。
１例としてＮｉＦ２ハロゲン化合物をプレス成型して使
用する。真空槽３内を５Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒに減圧後
、Ａｒガスを導入して槽内が５Ｘ １０’ Ｔｏｒｒに
なる様に調節する。
Ｎ ｉ Ｆ２プレス粉末ターゲットのＲｆ比出力例えば
２５０Ｗにして基板５上にスパッタ膜を堆積させる。得
られたスパッタ膜の磁気特性、及びファラデー回転角を
測定した結果、第１４図に示す様に膜面の垂直方向に正
の垂直磁気異方性エネルギーを有する垂直磁化膜となっ
た。又このＮ１−Ｆ膜の透過におけるファラデー回転角
の磁場依存性を求めると第１４−下図の様になり上図の
Ｍｌの曲線と類似形となる。
２５０Ｗにして基板５上にスパッタ膜を堆積させる。得
られたスパッタ膜の磁気特性、及びファラデー回転角を
測定した結果、第１４図に示す様に膜面の垂直方向に正
の垂直磁気異方性エネルギーを有する垂直磁化膜となっ
た。又このＮ１−Ｆ膜の透過におけるファラデー回転角
の磁場依存性を求めると第１４−下図の様になり上図の
Ｍｌの曲線と類似形となる。
このＮ１−Ｆ膜に反射膜を付けてカー回転角を測定する
とＨｅ−Ｎｅレーザー光で１．２１°となりＨ＝Ｏにお
けるカー回転角は０．７°を示した。
とＨｅ−Ｎｅレーザー光で１．２１°となりＨ＝Ｏにお
けるカー回転角は０．７°を示した。
このＮ１−Ｆ膜にＦｅ、Ｇｏ他の特許請求の範囲に示さ
れた元素を含有することで垂直磁気異方性エネルギーの
向上、及びθにの向上が計られる。
れた元素を含有することで垂直磁気異方性エネルギーの
向上、及びθにの向上が計られる。
つぎに、ハロゲン元素を含有した特許請求の範囲（１）
に記載した成分組成を有し、かつ透光性垂直磁気異方性
を示す、高力−回転角を有する薄膜の組成変更したサン
プルとそのカー回転角を下記の表に実施例として示す。
に記載した成分組成を有し、かつ透光性垂直磁気異方性
を示す、高力−回転角を有する薄膜の組成変更したサン
プルとそのカー回転角を下記の表に実施例として示す。
実施例１３
第６図に示すようなスパッタリング装置を使用して８の
水冷サブストレートに第９図に示す様な２００φ×３５
φＸ１．２ｍｍｔのガラス及び′ 樹脂ディスクをセ
ットし、真空槽３の外から２０〜２０Ｏｒｐｍでディス
クを回転させる。Ｒｆｆｆ極に１例としてＣＯｌ［３ｉ
、Ｔｅなどの金属微粒子を含有したＦｅＦコ粉末を設置
して、ガラスディスクに透光性垂直磁化膜を５００人堆
積させる。その後Ｒｆ電極にＴ’ｂｌ：ｅｃ。
水冷サブストレートに第９図に示す様な２００φ×３５
φＸ１．２ｍｍｔのガラス及び′ 樹脂ディスクをセ
ットし、真空槽３の外から２０〜２０Ｏｒｐｍでディス
クを回転させる。Ｒｆｆｆ極に１例としてＣＯｌ［３ｉ
、Ｔｅなどの金属微粒子を含有したＦｅＦコ粉末を設置
して、ガラスディスクに透光性垂直磁化膜を５００人堆
積させる。その後Ｒｆ電極にＴ’ｂｌ：ｅｃ。
を設置して１ｓｏｏｚ堆積する。その上にＳｉＯの保′
Ｗ１膜を１００人堆積する。
Ｗ１膜を１００人堆積する。
以上の様にして作製した光磁気ディスクの各種特性は次
の様になる。
の様になる。
第１０図にＴｂＦｅＣｏ単体の垂直磁化膜のθに−）１
曲線を示した。θにのヒステリシスがＶＳＭによるＭｓ
−８曲線と相似形であり、垂直磁化膜となっている。そ
の時のカー回転角はＨｅ−Ｎｅではθｋ ＝ ０．２°
であった。
曲線を示した。θにのヒステリシスがＶＳＭによるＭｓ
−８曲線と相似形であり、垂直磁化膜となっている。そ
の時のカー回転角はＨｅ−Ｎｅではθｋ ＝ ０．２°
であった。
次に本発明になる光透過垂直磁化ｌｌ５００Ａを先にデ
ィスクに堆積させ、その上に ＴｂＦｅＣｏ１５００人を堆積した膜のθに−）１曲線
は第１１図に示すようにＴｂＦｅＣｏのθに−）１曲線
のヒステリシスを大きく反映した曲線となっている。そ
の時のθにはＨｅ−Ｎｅ領域で０．７°を記録した。こ
の値は長波長側でさらに向上する。さらに光磁気ディス
クのＳ／Ｎ比を求めた。光源はＬＥＤ（８００ｎｍ）で
あり、その時のＳ／Ｎ比は６０ｄ８以上を記録した。
ィスクに堆積させ、その上に ＴｂＦｅＣｏ１５００人を堆積した膜のθに−）１曲線
は第１１図に示すようにＴｂＦｅＣｏのθに−）１曲線
のヒステリシスを大きく反映した曲線となっている。そ
の時のθにはＨｅ−Ｎｅ領域で０．７°を記録した。こ
の値は長波長側でさらに向上する。さらに光磁気ディス
クのＳ／Ｎ比を求めた。光源はＬＥＤ（８００ｎｍ）で
あり、その時のＳ／Ｎ比は６０ｄ８以上を記録した。
以上の様に本発明の透光性垂直磁化膜はカー回転角のエ
ンハンス効果があり、θにの値が増大する。
ンハンス効果があり、θにの値が増大する。
実施例１４
次に本発明の透光性垂直磁化膜を光記録媒体として使用
する例を示す。
する例を示す。
第１２図に本発明の媒体を使用した垂直磁気ヘッドによ
る書き込み、光による読出しのシステム図を示す（垂直
磁気記録、光磁気読出しシステム）。１１はガラス及び
樹脂のディスクである。１２は本発明になる透光性垂直
磁化膜、１３は希土類Ｆｅ、Ｃｏ系の垂直磁化膜であり
、この膜は必要としない場合もある。
る書き込み、光による読出しのシステム図を示す（垂直
磁気記録、光磁気読出しシステム）。１１はガラス及び
樹脂のディスクである。１２は本発明になる透光性垂直
磁化膜、１３は希土類Ｆｅ、Ｃｏ系の垂直磁化膜であり
、この膜は必要としない場合もある。
１４は反射膜及び垂直磁気ヘッドの湿潤膜である。１５
は垂直磁気記録ヘッドである。
は垂直磁気記録ヘッドである。
本システムを詳しく説明する。本システムは現在の光磁
気記録方式の欠点を補う為に改良された。１１〜１４の
ディスクは１０００〜１８００ｒｐｍで高速回転してお
り、垂直磁気ヘッドは５０人程度のギャップを保持して
浮いている。このヘッドから１２．１３の記録層に垂直
方向に高周波書き込みをする。１３は希土類ＦｅＣ０系
の垂直磁化膜でめるが、１２も同様の性質を持っており
、主として１２の透光性垂直磁化膜に直接書き込んでも
よい。書き込まれた磁区は多層膜の方が安定である。次
に書き込まれた磁区は第１２図のレーザー光により読取
るがレーザーシステムは読出し専用に利用する。
気記録方式の欠点を補う為に改良された。１１〜１４の
ディスクは１０００〜１８００ｒｐｍで高速回転してお
り、垂直磁気ヘッドは５０人程度のギャップを保持して
浮いている。このヘッドから１２．１３の記録層に垂直
方向に高周波書き込みをする。１３は希土類ＦｅＣ０系
の垂直磁化膜でめるが、１２も同様の性質を持っており
、主として１２の透光性垂直磁化膜に直接書き込んでも
よい。書き込まれた磁区は多層膜の方が安定である。次
に書き込まれた磁区は第１２図のレーザー光により読取
るがレーザーシステムは読出し専用に利用する。
そのため半導体レーザーの出力も低くてすみ、レーザー
光源の安定性は高い。又媒体の温度も補償点記録、及び
キュリ一点記録する必要がないので温度上昇が余りない
。そのため、記録媒体の安定性は現在の光磁気記録方式
に比べて格段に向上する。さらに熱拡散を伴わない記録
方式であるので、書ぎ込み、読出し、オーバーライドの
スピードが現在のハードディスク並にまで上げることが
できる。
光源の安定性は高い。又媒体の温度も補償点記録、及び
キュリ一点記録する必要がないので温度上昇が余りない
。そのため、記録媒体の安定性は現在の光磁気記録方式
に比べて格段に向上する。さらに熱拡散を伴わない記録
方式であるので、書ぎ込み、読出し、オーバーライドの
スピードが現在のハードディスク並にまで上げることが
できる。
さらに垂直磁気記録方式の欠点も解消することができる
。垂直磁気記録の欠点は書き込みのビット面積を小さく
すると、読出しの際のＳ／Ｎ比が十分に確保できないこ
とであるが、本発明になるシステムでは光磁気による読
出しのため、ビット面積が小さくてすみ、記録密度は現
在の光磁気と同程度を保つことができる。
。垂直磁気記録の欠点は書き込みのビット面積を小さく
すると、読出しの際のＳ／Ｎ比が十分に確保できないこ
とであるが、本発明になるシステムでは光磁気による読
出しのため、ビット面積が小さくてすみ、記録密度は現
在の光磁気と同程度を保つことができる。
以上の様に本発明になる透光性垂直磁気異方性膜を使用
すると、高速、高密度書き込み、高速読出し、高速消去
の高安定性の記録システムを作ることができる。
すると、高速、高密度書き込み、高速読出し、高速消去
の高安定性の記録システムを作ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明（１）、（２）、（３）に
より得られる効果は次の通りである。
より得られる効果は次の通りである。
■ 本発明（１）のハロゲン元素含有高力−回転角を有
する膜は、そのカー回転角が５０ａｔ％「の含有でＨｅ
−Ｎｅレーザー波長域でθｋ ＝ ０．５６である。７
００〜８００ｒｒｍではθに＝ｏ、７°を得た。したが
ってカー効果を利用する光磁気記録媒体として好適に使
用される。
する膜は、そのカー回転角が５０ａｔ％「の含有でＨｅ
−Ｎｅレーザー波長域でθｋ ＝ ０．５６である。７
００〜８００ｒｒｍではθに＝ｏ、７°を得た。したが
ってカー効果を利用する光磁気記録媒体として好適に使
用される。
■ 前記本発明光透過膜は、そのハロゲン含有膜が多く
ても、そのＸ線発光スペクトルのＬα、Ｌβ線にピーク
シフトを起こさない化学結合であり、強磁性と光透過性
を合せ持つものである。
ても、そのＸ線発光スペクトルのＬα、Ｌβ線にピーク
シフトを起こさない化学結合であり、強磁性と光透過性
を合せ持つものである。
■ 本発明（２）の透光性垂直磁化膜はθに一日曲線の
ヒステリシスが垂直磁化膜特有の曲線を示し、それ自体
でも光磁気記録材料となるがＴｂＦｅＣｏなとの垂直磁
化膜と組合せることで、エンハンスメント、及びファラ
デー回転の組合せでざらに大きなカー回転角を得られ、
光磁気ディスクメモリー媒体として非常に利用価値が大
きい。
ヒステリシスが垂直磁化膜特有の曲線を示し、それ自体
でも光磁気記録材料となるがＴｂＦｅＣｏなとの垂直磁
化膜と組合せることで、エンハンスメント、及びファラ
デー回転の組合せでざらに大きなカー回転角を得られ、
光磁気ディスクメモリー媒体として非常に利用価値が大
きい。
■ 本発明（３）の製造方法により、前記ハロゲン元素
含有高力−回転角を有する膜が非晶質、結晶質、又は準
安定相の各構造のものが得られる。また化学結合の程度
を任意にして得ることもできる。更に前記式１の化合物
におけるＪとＬの成分比率を任意に変えて前記高力−回
転角を有する膜を製造することができる。
含有高力−回転角を有する膜が非晶質、結晶質、又は準
安定相の各構造のものが得られる。また化学結合の程度
を任意にして得ることもできる。更に前記式１の化合物
におけるＪとＬの成分比率を任意に変えて前記高力−回
転角を有する膜を製造することができる。
■ 本発明（３）の製造方法によれば反応性の高いハロ
ゲンガスを直接装置内に導入しないため、装置の材料を
侵すことがなく、かつ堆積薄膜中に不純物が混入するの
を防止することができる。
ゲンガスを直接装置内に導入しないため、装置の材料を
侵すことがなく、かつ堆積薄膜中に不純物が混入するの
を防止することができる。
第１図はＦｅ及びＦｅ−）”ｎ化合物と本発明の高力−
回転角を有する膜の軟Ｘ線スペクトルプロファイル、 第２図はＦｅＦ２、ＦｅＦｓ、Ｆｅと本発明の高力−回
転角を有する膜のＦｅの軟Ｘ線スペクトルのＬα、Ｌβ
のピーク位置及び、ピーク強度比Ｌα／ＬβとＬαのピ
ーク半価幅の比較を示すグラフ、 第３図はＦｅ−Ｂ−Ｆ膜の飽和磁化ＭＳと鉄１原子当り
の平均磁気モーメントμＦｅのＦｅ依存性を示すグラフ
、 第４図はＦｅ−Ｂ−Ｆ膜のカー回転角θにの波長依存性
とＦｅ４４．ＯＢ３．６ Ｆ５２．４のＨｅ−Ｎｅレー
ザーでのθにの磁場依存性を示すグラフ、 第５図はｌ”ｅ−Ｆｎ膜の透光性垂直磁気異方性膜のＢ
−Ｈ曲線を示すグラフ、 第６図は本発明の実施例で使用した対向ターゲットＤＣ
，Ｒｆスパッタ装置の模式図、第７図はＦｅＢスパッタ
膜、及び Ｆｅｓ ａ Ｂ＋−より作成したＦｅ−Ｂ−Ｆｌ！の１
−１ｅ−Ｎｅレーザーでのカー回転角のＦｅ依存性を示
すグラフ、 第８図はｌ”ｅ−１”ｎの透光性垂直磁化膜のＨｅ−Ｎ
ｅレーザーでのθに一日曲線を示すグラフ、 第９図はガラス及び樹脂製のディスクの平面図、 第１０図はＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜のθに一日曲線を示
すグラフ、 第１１図はＦｅ−Ｆｎ＋ＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜のθに
一日曲線を示すグラフ、 第１２図は本発明の媒体を使用した垂直磁気ヘッドによ
る書き込み、光磁気による読出しのシステム模式図、 第１３図はＦｅ−Ｆ膜のｌ−１ｅ−Ｎｅレーザー光透過
におけるθＦ−Ｈ曲線を示すグラフ、第１４図は、Ｎ１
−Ｆ膜の磁気特性およびθＦ−Ｈ曲線を示すグラフであ
る。
回転角を有する膜の軟Ｘ線スペクトルプロファイル、 第２図はＦｅＦ２、ＦｅＦｓ、Ｆｅと本発明の高力−回
転角を有する膜のＦｅの軟Ｘ線スペクトルのＬα、Ｌβ
のピーク位置及び、ピーク強度比Ｌα／ＬβとＬαのピ
ーク半価幅の比較を示すグラフ、 第３図はＦｅ−Ｂ−Ｆ膜の飽和磁化ＭＳと鉄１原子当り
の平均磁気モーメントμＦｅのＦｅ依存性を示すグラフ
、 第４図はＦｅ−Ｂ−Ｆ膜のカー回転角θにの波長依存性
とＦｅ４４．ＯＢ３．６ Ｆ５２．４のＨｅ−Ｎｅレー
ザーでのθにの磁場依存性を示すグラフ、 第５図はｌ”ｅ−Ｆｎ膜の透光性垂直磁気異方性膜のＢ
−Ｈ曲線を示すグラフ、 第６図は本発明の実施例で使用した対向ターゲットＤＣ
，Ｒｆスパッタ装置の模式図、第７図はＦｅＢスパッタ
膜、及び Ｆｅｓ ａ Ｂ＋−より作成したＦｅ−Ｂ−Ｆｌ！の１
−１ｅ−Ｎｅレーザーでのカー回転角のＦｅ依存性を示
すグラフ、 第８図はｌ”ｅ−１”ｎの透光性垂直磁化膜のＨｅ−Ｎ
ｅレーザーでのθに一日曲線を示すグラフ、 第９図はガラス及び樹脂製のディスクの平面図、 第１０図はＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜のθに一日曲線を示
すグラフ、 第１１図はＦｅ−Ｆｎ＋ＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜のθに
一日曲線を示すグラフ、 第１２図は本発明の媒体を使用した垂直磁気ヘッドによ
る書き込み、光磁気による読出しのシステム模式図、 第１３図はＦｅ−Ｆ膜のｌ−１ｅ−Ｎｅレーザー光透過
におけるθＦ−Ｈ曲線を示すグラフ、第１４図は、Ｎ１
−Ｆ膜の磁気特性およびθＦ−Ｈ曲線を示すグラフであ
る。
Claims (3)
- （１）下記式 I で示される成分組成の化合物よりなる
高力−回転角を有する薄膜。 Ｊ＿ｘＬ＿ｙＱ＿（＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿）
……… I ただし、上記I式中 Ｊ：元素記号Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれかで表わされ
る１種または２種以上の元素の組合せ、 Ｌ：元素記号Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれかで表わされる１種ま
たは２種以上の元素の組合せ、 Ｑ：ＦｅまたはＣｏのいずれか１種または両者の組合せ
、 ｘ：３〜８０の数値、 ｙ：下記式IIを満足する数値である。 ３≦ｘ＋ｙ≦８０………II - （２）特許請求の範囲（１）に記載の成分組成を有する
透光性垂直磁気異方性を示す、高力−回転角を有する薄
膜。 - （３）ハロゲン化合物を分解して発生したハロゲンまた
はハロゲン含有ガスを金属またはハロゲン含有金属プラ
ズマと反応させて生成する化合物を基板上に薄膜として
析出させることを特徴とする下記式 I で示される成分
組成の化合物よりなるハロゲン元素含有高力−回転角を
有する薄膜の製造方法。 Ｊ＿ｘＬ＿ｙＱ＿（＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙ＿）
……… I ただし、上記I式中 Ｊ：元素記号Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれかで表わされ
る１種または２種以上の元素の組合せ、 Ｌ：元素記号Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれかで表わされる１種ま
たは２種以上の元素の組合せ、 Ｑ：ＦｅまたはＣｏのいずれか１種または両者の組合せ
、 ｘ：３〜８０の数値、 ｙ：下記式IIを満足する数値である。 ３≦ｘ＋ｙ≦８０………II
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168093A JPS63107008A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 高カ−回転角を有する薄膜及びその製造方法 |
| EP87109803A EP0253282B1 (en) | 1986-07-18 | 1987-07-07 | Thin-film having large kerr rotation angle and production process thereof |
| DE8787109803T DE3782460T2 (de) | 1986-07-18 | 1987-07-07 | Duenner film mit grossem kerr-rotationswinkel und verfahren zu seiner herstellung. |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168093A JPS63107008A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 高カ−回転角を有する薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107008A true JPS63107008A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=15861714
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61168093A Pending JPS63107008A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 高カ−回転角を有する薄膜及びその製造方法 |
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| JP (1) | JPS63107008A (ja) |
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- 1986-07-18 JP JP61168093A patent/JPS63107008A/ja active Pending
-
1987
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-
1988
- 1988-10-18 US US07/259,489 patent/US4925742A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0253282A2 (en) | 1988-01-20 |
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| DE3782460T2 (de) | 1993-03-18 |
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| US4925742A (en) | 1990-05-15 |
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