[go: up one dir, main page]

KR100468827B1 - 비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법 - Google Patents

비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100468827B1
KR100468827B1 KR1019980011891A KR19980011891A KR100468827B1 KR 100468827 B1 KR100468827 B1 KR 100468827B1 KR 1019980011891 A KR1019980011891 A KR 1019980011891A KR 19980011891 A KR19980011891 A KR 19980011891A KR 100468827 B1 KR100468827 B1 KR 100468827B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alloy
rare earth
transition metal
light rare
sign
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1019980011891A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990079347A (ko
Inventor
김재영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019980011891A priority Critical patent/KR100468827B1/ko
Priority to US09/225,447 priority patent/US6132567A/en
Publication of KR19990079347A publication Critical patent/KR19990079347A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100468827B1 publication Critical patent/KR100468827B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/187—Amorphous compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 경희토류-천이 금속(RE-TM)과 반금속의 합금의 제조 방법은, 물리 증착법 중 스퍼터링 방법에 의해 경희토류-천이 금속에 반금속을 증착시키는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법에 있어서, 수식 (λS는 포화 자왜 정수이며, σ는 응력)으로 표현되는 자기 탄성 에너지 성분을 포함하는 수직 자기 이방성 에너지가 증가되도록, 상기 합금의 포화 자왜 정수의 부호에 따라 Ar 스퍼터링 압력을 다르게 가하여 상기 포화 자왜 정수와 상기 응력의 부호가 반대가 되도록 하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.

Description

비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금 및 제조 방법
본 발명은 수직 자기 이방성 합금에 관한 것으로서, 상세하게는 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금 및 제조 방법에 관한 것이다.
현재, 비정질 경희토류-천이 금속(LRE-TM, Light Rare Earth-Transition Metal) 합금은 단파장 영역에서 커(Kerr) 회전각이 증가되는 특성으로 인하여, 단파장용 광자기 기록 매체의 기록막 재료로서 주목받고 있다.
종래에는, 광자기 기록 매체의 기록막 재료로서, 비정질 중희토류-천이 금속(HRE-TM, Heavy Rare Earth-Transition Metal)을 주로 사용하였다. 이 HRE-TM 합금, 예컨대 TbFe는 적색 레이저 파장에서 커 회전각이 증가되는 특성을 갖고 있어서, 적색 레이저 다이오드용 광자기 기록 매체의 재료로서 주류를 이루고 있었다. 즉, 도 1의 그래프에 나타난 바와 같이, TbFe는 500nm의 파장 이상에서 커 회전각이 증가되므로, 600nm-700nm대의 파장을 지닌 적색 레이저 다이오드용 광자기 기록 매체로서 적합하였다. 그러나, 광자기 기록 매체에서의 기록 밀도는 레이저 파장의 역수의 제곱에 비례하므로, 기록 밀도를 향상시키기 위해서는 단파장의 청색 레이저 다이오드의 사용이 대두된다. 그런데, 도 1의 그래프에 나타난 바와 같이, TbFe는 청색 레이저 파장에서 커 회전각이 감소되는 특성으로 인하여 에러 발생율이 증가되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하고자 단파장 영역에서 커 회전각을 증가시키는 경희토류-천이 금속(LRE-TM) 합금이 단파장용 광자기 기록 매체의 기록막 재료로서 주목을 받았다. 즉, 도 1의 그래프에 나타난 바와 같이, LRE-TM 합금 중 하나인 비정질 NdFe 금속 합금은 다파장 영역에서 높은 커 회전각을 나타내므로, 단파장용 광자기 기록 매체의 기록막 재료로서 적합하다. 그러나, 상기 NdFe 금속 합금과 같은 LRE-TM 합금은 경희토류의 자기 모멘트와 천이 금속의 자기 모멘트 사이에서 페로 자기 결합(Ferro-magnetic coupling)을 형성하고 있으므로 반자기 에너지(Demagnetizing Energy)가 크다. 따라서, 막면에 대해 수직 자기 이방성은 나타내지 못하고, 면내 자기 이방성을 나타내어 단파장용 광자기 기록 매체의 기록막 재료로서 이용될 수 없었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창출된 것으로서, 막면에 대하여 수직 자기 이방성을 증가시키는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법은, 물리 증착법 중 스퍼터링 방법에 의해 경희토류-천이 금속에 반금속을 증착시키는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법에 있어서, 수식 (λS는 포화 자왜 정수이며, σ는 응력)으로 표현되는 자기 탄성 에너지 성분을 포함하는 수직 자기 이방성 에너지가 증가되도록, 상기 합금의 포화 자왜 정수의 부호에 따라 Ar 스퍼터링 압력을 다르게 가하여 상기 포화 자왜 정수와 상기 응력의 부호가 반대가 되도록 하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
또한, 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금은, 물리 증착법 중 스퍼터링 방법에 의해서 경희토류-천이 금속에 반금속을 증착시키되, 포화 자왜 정수의 부호가 포지티브인 경우 상기 합금의 내부 응력 상태가 네가티브 부호인 압축 응력 상태가 되도록 낮은 Ar 스퍼터링 압력을 가하고, 상기 포화 자왜 정수가 네가티브인 경우 상기 합금의 내부 응력 상태가 포지티브 부호인 인장 응력 상태가 되도록 높은 Ar 스퍼터링 압력을 가하여 증착 형성된 점에 그 특징이 있다.
이하, 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금 및 제조 방법을 설명한다.
본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금은, 청색 레이저 다이오드용 광자기 기록 매체로서 이용될 수 있도록, 수직 자기 이방성을 나타냄과 동시에 청색 레이저 파장에서 높은 커 회전각을 유지한다. 이를 위하여, 비정질 경희토류-천이 금속 합금에 반금속을 첨가하여 정자기 에너지(Magneto Static Energy)를 감소시키는 한편, 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 단계에서 자기 탄성 에너지(Magneto Elastic Energy)를 증가시킴으로써 수직 자기 이방성을 증가시킨다.
이와 같은 내용을 첨부된 도면을 참조하면서 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 비정질 경희토류-천이 금속(NdFe 금속)에 첨가되는 반금속(B)의 양에 따른 포화 자화 및 유효 수직 자기 이방성 에너지 변화를 나타내는 그래프이다. 이 그래프에 도시된 바와 같이, NdFe 금속에 대한 B 금속의 첨가량이 2∼3 atom %일 때 NdFeB 합금의 포화 자화가 급속히 감소된다. 이 포화 자화의 감소는 유효 수직 자기 이방성을 감소시키는 정자기 에너지를 감소시키며, 이 정자기 에너지의 감소에 따라 유효 수직 자기 이방성 에너지가 증가된다. 그 이유를 설명하면 다음과 같다.
경희토류-천이 금속에 첨가된 반금속으로부터 방출된 자유 전자는 경희토류 금속의 자기 모멘트를 결정하는 4f궤도와는 결합하지 못하고, 천이 금속의 3d 궤도와 결합한다. 그 이유는 경희토류 금속의 4f 궤도 외부에 있는 5s 및 5p 궤도가 보호 작용을 하고 있는 반면에, 천이 금속의 3d 궤도 외부에는 이와 같이 보호 작용을 하고 있는 궤도가 없기 때문이다. 따라서, 반금속으로부터 방출된 자유 전자가 천이 금속의 3d 궤도와 결합함에 따라 천이 금속의 자기 모멘트가 감소되고, 이로 인하여 합금 전체의 자기 모멘트도 감소된다. 그 결과, 합금 전체의 반자계 에너지의 감소에 의한 정자기 에너지 감소로 인하여 유효 수직 자기 이방성 에너지가 증가된다.
한편, 상기와 같은 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금을 박막 증착시키는 방법으로서, 물리적 증착 방법(PVD) 중 스퍼터링(Sputtering) 방법을 사용한다. 즉, 경희토류-천이 금속 합금에 반금속을 첨가하여 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금 타겟(target)을 만든다. 그리고, 이 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금 타겟이 있는 고전압이 인가된 진공 챔버 내에 Ar 가스를 주입시키고, 이 비활성 기체인 Ar 기체를 플라즈마 상태로 만든다. 그러면, Ar 가스 이온이 높은 에너지를 가지면서 타겟 쪽으로 움직여 타겟의 물질을 튕겨내어 박막을 증착시킨다.
이 경우에 있어서, 유효 수직 자기 이방성 에너지를 증가를 위한 포지티브 자기 탄성 에너지를 유도하기 위하여, 합금의 포화 자왜 정수에 따라 Ar 스퍼터링 압력을 다르게 가한다. 즉, 합금의 포화 자왜 정수가 포지티브인 경우에는, 합금의 내부 응력 상태가 압축 응력 상태가 되도록 낮은 Ar 스퍼터링 압력을 가한다. 그리고, 합금의 포화 자왜 정수가 네가티브인 경우에는, 합금의 내부 응력 상태가 인장 응력 상태가 되도록 높은 Ar 스퍼터링 압력을 가한다. 이와 같이, 합금의 포화 자왜 정수의 부호에 따라 합금의 박막 증착시 압축 응력 상태 또는 인장 응력 상태를 선택적으로 합금에 유발함으로써, 자기 탄성 에너지의 부호가 포지티브가 되어 유효 수직 자기 이방성 에너지가 증가한다. 이 과정을 수식을 이용하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
유효 수직 자기 이방성 에너지는 일축 자기 이방성 에너지, 정자기 에너지 및 자기 탄성 에너지의 합으로 나타낼 수 있다. 이때, 정자기 에너지(KMS)는 아래의 수학식 1과 같다.
[수학식 1]
여기서, MS는 포화 자화이다.
그리고, 자기 탄성 에너지(KME)는 아래의 수학식 2와 같다.
[수학식 2]
여기서, λS는 포화 자왜 정수이며, σ는 응력이다.
위 수학식 1 및 수학식 2에 나타난 바와 같이, 수직 자기 이방성 에너지를 증가시키기 위해서는 정자기 에너지를 감소시키고, 자기 탄성 에너지의 부호를 포지티브로 유지해야 한다.
정자기 에너지를 감소시키기 위하여 반금속을 첨가시키는 방법은 이미 설명한 바와 같다. 그리고, 자기 탄성 에너지의 부호를 포지티브로 유지하기 위해서는 포화 자왜의 부호와 응력의 부호가 서로 달라야 한다. 일반적으로 압축 응력은 네가티브이고, 인장 응력은 포지티브이다. 따라서, 포화 자왜의 부호가 포지티브인 경우에는 압축 응력을 가하고, 포화 자왜의 부호가 네가티브인 경우에는 인장 응력을 가하면, 자기 탄성 에너지의 부호를 포지티브로 유지할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금(NdFeB 합금)의 제조 방법에 있어서 Ar 스퍼터링 압력에 따른 유효 수직 자기 이방성 에너지의 변화를 나타낸 그래프이다. 이 그래프에 도시된 바와 같이, Ar 스퍼터링 압력이 감소함에 따라 수직 자기 이방성 에너지가 증가된다. 즉, 비정질 NdFeB 합금의 포화 자왜 정수의 부호가 포지티브이므로, 낮은 Ar 스퍼터링 압력에서 적층하여 박막에 압축 응력을 인가하면, 자기 탄성 에너지의 부호가 포지티브가 되어 합금 전체의 수직 자기 이방성 에너지가 증가된다.
도4는 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금(NdFeB 합금)의 제조 방법에 있어서 Ar 스퍼터링 압력에 따른 커 회전각의 변화를 나타낸 그래프이다. 이때, 사용된 레이저 파장은 400㎚이다. 이 그래프에서 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 커 회전각은 Ar 스퍼터링 압력이 감소함에 따라 증가한다. 즉, 비정질 NdFeB 합금의 포화 자왜 정수의 부호가 포지티브이므로, 낮은 Ar 스퍼터링 압력에서 적층하여 박막에 압축 응력을 인가하면, 자기 탄성 에너지를 증가시키어 합금의 전체 수직 자기 이방성 에너지를 증가시킨다. 그리고, 이 증가된 수직 자기 이방성 에너지에 비례하여 낮은 Ar 스퍼터링 압력에서 제조된 비정질 NdFeB 합금의 커 회전각이 증가된다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금 및 제조 방법은 합금의 포화 자왜 정수의 부호에 따라 Ar 스퍼터링 압력을 다르게 가함으로써, 수직 자기 이방성 에너지를 증가시켜 청색 레이저 다이오드용 광자기 기록 매체의 기록막 재료로서 사용할 수 있다.
도 1은 종래 광자기 기록막의 재료로서 이용되었던 비정질 TbFe 합금 및 비정질 NdFe 합금의 파장에 따른 커 회전각의 변화를 나타난 그래프이다. 단, TbFe 합금은 면의 수직 방향에서 측정하였고, NdFe 합금은 면내 방향에서 측정하였다.
도 2는 비정질 경희토류-천이 금속에 첨가되는 반금속의 양에 따른 포화 자화 및 유효 수직 자기 이방성 에너지 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법에 있어서 Ar 스퍼터링 압력에 따른 유효 수직 자기 이방성 에너지의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조방법에 있어서 Ar 스퍼터링 압력에 따른 커 회전각의 변화를 나타낸 그래프이다.

Claims (7)

  1. 물리 증착법 중 스퍼터링 방법에 의해 경희토류-천이 금속에 반금속을 증착시키는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법에 있어서,
    수식 (λS는 포화 자왜 정수이며, σ는 응력)으로 표현되는 자기 탄성 에너지 성분을 포함하는 수직 자기 이방성 에너지를 증가시키기 위하여, 상기 합금의 포화 자왜 정수의 부호에 따라 Ar 스퍼터링 압력을 다르게 가하여 상기 포화 자왜 정수와 상기 응력의 부호가 반대가 되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 합금의 포화 자왜 정수의 부호가 포지티브인 경우, 상기 합금의 내부 응력 상태가 네가티브 부호인 압축 응력 상태가 되도록 낮은 Ar 스퍼트링 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 합금의 포화 자왜 정수의 부호가 네가티브인 경우, 상기 합금의 내부 응력 상태가 포지티브 부호인 인장 응력 상태가 되도록 높은 Ar 스퍼터링 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금의 제조 방법.
  4. 물리 증착법 중 스퍼터링 방법에 의해서 경희토류-천이 금속에 반금속이 증착되되, 포화 자왜 정수의 부호가 포지티브인 경우 상기 합금의 내부 응력 상태가 네가티브 부호인 압축 응력 상태가 되도록 높은 Ar 스퍼터링 압력을 가하고, 상기 포화 자왜 정수의 부호가 네가티브인 경우 상기 합금의 내부 응력 상태가 포지티브 부호인 인장 응력 상태가 되도록 높은 Ar 스퍼터링 압력을 가하여 증착 형성된 것을 특징으로 하는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 경희토류 금속은 란탄 계열의 Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 천이 금속은 Fe, Ni, Co로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 반금속은 B, Si, P로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비정질 경희토류-천이 금속과 반금속의 합금.
KR1019980011891A 1998-04-03 1998-04-03 비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법 Expired - Fee Related KR100468827B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980011891A KR100468827B1 (ko) 1998-04-03 1998-04-03 비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법
US09/225,447 US6132567A (en) 1998-04-03 1999-01-06 Fabrication method of amorphous light rare earth-transition metal and metalloid alloy films

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980011891A KR100468827B1 (ko) 1998-04-03 1998-04-03 비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990079347A KR19990079347A (ko) 1999-11-05
KR100468827B1 true KR100468827B1 (ko) 2005-08-31

Family

ID=19535823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980011891A Expired - Fee Related KR100468827B1 (ko) 1998-04-03 1998-04-03 비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6132567A (ko)
KR (1) KR100468827B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US742A (en) * 1838-05-17 Perigrine williamson
JPS621151A (ja) * 1985-06-26 1987-01-07 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
US4889607A (en) * 1987-09-14 1989-12-26 U.S. Philips Corporation Method of producing the magnetic metallic layers having a low thermal coefficient of expansion

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63107008A (ja) * 1986-07-18 1988-05-12 Res Dev Corp Of Japan 高カ−回転角を有する薄膜及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US742A (en) * 1838-05-17 Perigrine williamson
JPS621151A (ja) * 1985-06-26 1987-01-07 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体
US4889607A (en) * 1987-09-14 1989-12-26 U.S. Philips Corporation Method of producing the magnetic metallic layers having a low thermal coefficient of expansion

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990079347A (ko) 1999-11-05
US6132567A (en) 2000-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Quandt Multitarget sputtering of high magnetostrictive Tb‐Dy‐Fe films
Quandt et al. Giant magnetostrictive spring magnet type multilayers
JPS6274048A (ja) 永久磁石材料及びその製造方法
Hayashi et al. Dependence of magnetostriction of sputtered Tb-Fe films on preparation conditions
Tsoukatos et al. Giant magnetoresistance in magnetically inhomogeneous thin films
Parhofer et al. Magnetic properties and growth texture of high-coercive Nd–Fe–B thin films
Den Broeder et al. Co/Ni multilayers with perpendicular magnetic anisotropy: Kerr effect and thermomagnetic writing
Cadieu et al. High coercivity SmCo based films made by pulsed laser deposition
Ohkoshi et al. Effects of Air pressure and substrate bias on magnetic properties and microstructure in amorphous TbCo sputtered films
KR100468827B1 (ko) 비정질경희토류-천이금속과반금속의합금및제조방법
JPS62188745A (ja) 永久磁石材料及びその製造方法
Hegde et al. Film Sm–Co permanent magnets for the biasing of thin permalloy strips
Prados et al. High magnetostriction in low applied magnetic fields in amorphous Tb-Fe (hard)/Fe-B (soft) multilayers
JP3150401B2 (ja) 垂直磁化膜及び磁気記録媒体
Honda et al. Magnetization properties of bias modulated TbCo films with short periodic modulation
KR0183938B1 (ko) 비정질 경희토류-천이금속과 반금속의 합금,이로부터 형성되는 광자기 기록막 및 이 기록막을 채용한 광자기 디스크
Hoshi et al. Deposition of Fe‐N films by means of an opposed targets sputtering type plasma source
Bannykh et al. Thin-film magnetically soft Fe-Zr-N alloys with high saturation induction
Sbiaa et al. Ferro-and antiferromagnetic exchange coupling in magnetooptical bilayers with planar and perpendicular anisotropy
JPH09198732A (ja) 二層膜構造の光磁気記録膜及びこれを採用した光磁気ディスク
JPH04219912A (ja) 希土類薄膜磁石の形成方法
JPS62285253A (ja) 光磁気記録媒体の製造方法
Hoshi et al. Magnetic properties of Fe-Co-M (M: Mn, V) films by ion beam sputtering
JPH0384755A (ja) 光磁気記録媒体
CN110735119A (zh) 一种磁控溅射制备巨大矫顽力Mn3Ga薄膜的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19980403

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20020624

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19980403

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20040430

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20041223

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20050120

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20050121

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080115

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090102

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100114

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110103

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120203

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120203

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130108

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130108

Start annual number: 9

End annual number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee