JPS60130806A - 非晶質磁気光学層 - Google Patents
非晶質磁気光学層Info
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- JPS60130806A JPS60130806A JP23898283A JP23898283A JPS60130806A JP S60130806 A JPS60130806 A JP S60130806A JP 23898283 A JP23898283 A JP 23898283A JP 23898283 A JP23898283 A JP 23898283A JP S60130806 A JPS60130806 A JP S60130806A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光磁気記録媒体に用いられる非晶質磁気光学層
に関する。
に関する。
従来、磁気光学ディスク、磁気バブルメモリーなどに用
いられる膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する強磁性
薄膜としてはＭｎＢ１に代表される多結晶金属薄膜、Ｇ
ａ−００％Ｇｄ−Ｆｅの非晶質金属薄膜、 ＧＩＧに代
表される化合物単結晶薄膜が知られている。これらの薄
膜は種々の利点を有するが、ＭｎＢ１はキューリ一点が
高いために薄膜の作製が技術的に困難であり、また磁気
光学ディスクに利用した場合書き込みに大きなエネルギ
ーを必要とするという欠点がある。また、Ｇｄ−Ｃｏ
、 Ｇｄ−Ｆｅの非晶質金属薄膜は室温における保磁力
が小さく （３００〜５０００ｅ）記録された情報が不
安定であるという欠点を有している。
いられる膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する強磁性
薄膜としてはＭｎＢ１に代表される多結晶金属薄膜、Ｇ
ａ−００％Ｇｄ−Ｆｅの非晶質金属薄膜、 ＧＩＧに代
表される化合物単結晶薄膜が知られている。これらの薄
膜は種々の利点を有するが、ＭｎＢ１はキューリ一点が
高いために薄膜の作製が技術的に困難であり、また磁気
光学ディスクに利用した場合書き込みに大きなエネルギ
ーを必要とするという欠点がある。また、Ｇｄ−Ｃｏ
、 Ｇｄ−Ｆｅの非晶質金属薄膜は室温における保磁力
が小さく （３００〜５０００ｅ）記録された情報が不
安定であるという欠点を有している。
そこで、上記のような従来の磁性薄膜記録媒体の欠点を
除去する新しい磁性薄膜記録媒体として膜面と垂直方向
に磁化容易軸を有し１８〜２８ ａｔｏｍ俤のＢ７を含
む非晶質Ｄｙ−Ｆｅ系合金膜を備えた磁気光学記憶媒体
が提案されている（特公昭５７−２０６９２号公報参照
）。しかしながら、上記の合金膜はキュリ一温度Ｔｃが
７０℃前後で低いがカー回転角θｋがＯ，１５ｄｅｇ前
後で小さく十分な再生出力を得ることができないという
問題がちった。
除去する新しい磁性薄膜記録媒体として膜面と垂直方向
に磁化容易軸を有し１８〜２８ ａｔｏｍ俤のＢ７を含
む非晶質Ｄｙ−Ｆｅ系合金膜を備えた磁気光学記憶媒体
が提案されている（特公昭５７−２０６９２号公報参照
）。しかしながら、上記の合金膜はキュリ一温度Ｔｃが
７０℃前後で低いがカー回転角θｋがＯ，１５ｄｅｇ前
後で小さく十分な再生出力を得ることができないという
問題がちった。
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであって、その
目的はカー回転角θｋが大きくかつ保磁力Ｈａが大きい
非晶質磁気光学Ｉｖ１を提供することである。
目的はカー回転角θｋが大きくかつ保磁力Ｈａが大きい
非晶質磁気光学Ｉｖ１を提供することである。
本発明の非晶質磁気光学層は膜面と垂直な方向に磁化容
易軸を有するＤｙ−Ｆｅ膜に少なくとも０．５原子−の
銅またはクロムを含むものである。
易軸を有するＤｙ−Ｆｅ膜に少なくとも０．５原子−の
銅またはクロムを含むものである。
本発明において銅およびクロムの含有量をそれぞれ少な
くとも０．５原子チと限定するのは、大きなカー回転角
を得るためであり、一方０．５原子チ未満では充分なカ
ー回転角が得られず本発明の効果が達成されない。一方
、銅およびクロムの含有量をあまり大きくすると保磁力
Ｈａが小さくなりかつカー回転角θにも小さくなるから
それぞれ０．５〜５原子−の範囲が好ましい。
くとも０．５原子チと限定するのは、大きなカー回転角
を得るためであり、一方０．５原子チ未満では充分なカ
ー回転角が得られず本発明の効果が達成されない。一方
、銅およびクロムの含有量をあまり大きくすると保磁力
Ｈａが小さくなりかつカー回転角θにも小さくなるから
それぞれ０．５〜５原子−の範囲が好ましい。
本発明の磁気光学層はガラス、プラスチック、セラミッ
クなどからなる非磁性基板上にスパッタ法、蒸着法、イ
オンブレーティング法などにより、少なくとも０．５原
子−のＯｕを含むＤｙ−Ｆｅ−Ｃｕ膜または少なくとも
０．５原子−のＯｒを含むＤｙ−Ｆｅ−Ｏｒ膜を形成さ
せることにより作製することができる。膜の作製はスパ
ッタ法によって行うのが望ましい。ターゲットは例えば
コンポジット法を用い、２８円板の上Ｋ ＤｙおよびＯ
ｕチップまたはＯｒチップをのせて溝成しそして組成は
ターゲット表面の面積比でコントロールする。
クなどからなる非磁性基板上にスパッタ法、蒸着法、イ
オンブレーティング法などにより、少なくとも０．５原
子−のＯｕを含むＤｙ−Ｆｅ−Ｃｕ膜または少なくとも
０．５原子−のＯｒを含むＤｙ−Ｆｅ−Ｏｒ膜を形成さ
せることにより作製することができる。膜の作製はスパ
ッタ法によって行うのが望ましい。ターゲットは例えば
コンポジット法を用い、２８円板の上Ｋ ＤｙおよびＯ
ｕチップまたはＯｒチップをのせて溝成しそして組成は
ターゲット表面の面積比でコントロールする。
また、本発明の磁気光学層を光磁気記録媒体に使用する
場合はそれを単独で用いてもよいしちるいは他の膜と一
緒に用いてもよい。例えば保護膜例えば５１０２．５ｉ
Ｏ１Ｓｉ３Ｎ４などからなる膜をＤｙ−Ｆｅ−０ｕ膜ま
たはＤｙ−Ｆｅ−０ｒ膜の上または下にスパッタ法、蒸
着法、イオンブレーティング法などにより設けることが
できる。
場合はそれを単独で用いてもよいしちるいは他の膜と一
緒に用いてもよい。例えば保護膜例えば５１０２．５ｉ
Ｏ１Ｓｉ３Ｎ４などからなる膜をＤｙ−Ｆｅ−０ｕ膜ま
たはＤｙ−Ｆｅ−０ｒ膜の上または下にスパッタ法、蒸
着法、イオンブレーティング法などにより設けることが
できる。
以下に実施例をあげ、て本発明を具体的に説明するが、
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
実施例 １
本実施例では以下のスパッタ条件下でスライドガラス基
板上に約２０００λの膜厚のＤｙ−Ｆｅ−０ｕ膜を、Ｄ
ｙ−Ｆｅ膜のＤ７の一部をＯｕで置換するという形でＦ
ｅ０．７８ （Ｄｙ１−ＸＯｕｘ）０．２２の中のＸを
変化して作製した。なお、Ｄｙ−Ｆｅ膜の場合１８〜２
８原子チのＤｙのとき垂直磁気異方性を示し補償組成は
およそ２２原子チのＤｙ付近にある。
板上に約２０００λの膜厚のＤｙ−Ｆｅ−０ｕ膜を、Ｄ
ｙ−Ｆｅ膜のＤ７の一部をＯｕで置換するという形でＦ
ｅ０．７８ （Ｄｙ１−ＸＯｕｘ）０．２２の中のＸを
変化して作製した。なお、Ｄｙ−Ｆｅ膜の場合１８〜２
８原子チのＤｙのとき垂直磁気異方性を示し補償組成は
およそ２２原子チのＤｙ付近にある。
くスパッタ条件〉
残留ガス圧 ニア×１０ＴＯｒｒ
Ａｒガス圧 ： ２Ｘ１０ ’ｒｏｒｒ放電電力 ：
４００Ｗ プレスパツタ時間 ： ６０分 メインスパッタ時間 ： １０分 上述のようにして作製した記録媒体について基板側から
Ｈθ−Ｍｅレーザ（λ＝ ６５５ ｎｍ ）を照射して
カー効果によりカー回転角θにおよび保磁力Ｈｃをめた
。その結果０ｕの添加量に対するカー回転角θにおよび
保磁力Ｈｃの変化は第１図のようになった。この図から
Ｏｕの添加量を増していくとＨｃは小さくなるがθには
大きくなることがわかる。
４００Ｗ プレスパツタ時間 ： ６０分 メインスパッタ時間 ： １０分 上述のようにして作製した記録媒体について基板側から
Ｈθ−Ｍｅレーザ（λ＝ ６５５ ｎｍ ）を照射して
カー効果によりカー回転角θにおよび保磁力Ｈｃをめた
。その結果０ｕの添加量に対するカー回転角θにおよび
保磁力Ｈｃの変化は第１図のようになった。この図から
Ｏｕの添加量を増していくとＨｃは小さくなるがθには
大きくなることがわかる。
本実施例ではＤ７を０ｕで置換していったためＯｕを増
すと異方性に寄与しているＤ７が減りＨａは急激に小さ
くなることからＯｕの添加量を七１１はど上げられなか
ったがＤｙとＦｅとの比を一定にしてＯｕを添加するよ
うにすればＨａの急激な減少はなくなりＯｕの添加量を
多くできる。実際にθにの比較を行ったところ、 ？”０．７８Ｄ７０．．２２のときθに−０，１５ｄｅ
ｇＦｅｏ、７ｓ（Ｄ７ｏ、９６０ｕｏ、ｏ４）ｏ、２２
のときθに＝ ０．２２ ｄｅｇとなり、θｋがｃｕを
添加することくよシ４７ダ大きくなることが明ら、がで
あった。
すと異方性に寄与しているＤ７が減りＨａは急激に小さ
くなることからＯｕの添加量を七１１はど上げられなか
ったがＤｙとＦｅとの比を一定にしてＯｕを添加するよ
うにすればＨａの急激な減少はなくなりＯｕの添加量を
多くできる。実際にθにの比較を行ったところ、 ？”０．７８Ｄ７０．．２２のときθに−０，１５ｄｅ
ｇＦｅｏ、７ｓ（Ｄ７ｏ、９６０ｕｏ、ｏ４）ｏ、２２
のときθに＝ ０．２２ ｄｅｇとなり、θｋがｃｕを
添加することくよシ４７ダ大きくなることが明ら、がで
あった。
実施例 ２
本実施例では以下のスパッタ条件下でスライドガラス基
板上に約２０００λの膜厚のＤｙ−Ｆｅ −Ｏｒ膜を、
Ｄｙ−Ｆｅ膜のＤｙの一部をＯｒで置換するという形で
７８Ｃ１，７８（Ｄ７１−ｘｃｒｘ）０−２２ の中の
Ｘを変化して作製した。なお、Ｄｙ７Ｐｅ膜の場合１８
〜２８原子チのＤｙのとき垂直磁気異方性を示し補償組
成はおよそ２２原子優のＤ７付近にある。
板上に約２０００λの膜厚のＤｙ−Ｆｅ −Ｏｒ膜を、
Ｄｙ−Ｆｅ膜のＤｙの一部をＯｒで置換するという形で
７８Ｃ１，７８（Ｄ７１−ｘｃｒｘ）０−２２ の中の
Ｘを変化して作製した。なお、Ｄｙ７Ｐｅ膜の場合１８
〜２８原子チのＤｙのとき垂直磁気異方性を示し補償組
成はおよそ２２原子優のＤ７付近にある。
〈スパッタ条件〉
残留ガス圧 ： ７ Ｘ １０−’ＴｏｒｒＡｒガス圧
： ２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ 放電電力 ＋ ４００Ｗ プレスノリタ時間 ： ６ｓ分 メインスパッタ時１′！１： １ｓ分 上述のようにして作製した記録媒体について基板側から
Ｈｅ−Ｎｅレーザ（λ＝６３６ｔｕｎ・）を照射してカ
ー効果によりカー回転角θにおよび保磁力Ｈｃをめた。
： ２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ 放電電力 ＋ ４００Ｗ プレスノリタ時間 ： ６ｓ分 メインスパッタ時１′！１： １ｓ分 上述のようにして作製した記録媒体について基板側から
Ｈｅ−Ｎｅレーザ（λ＝６３６ｔｕｎ・）を照射してカ
ー効果によりカー回転角θにおよび保磁力Ｈｃをめた。
その結果Ｏｒの添加量に対するカー回転角θにおよび保
磁力Ｈｃの変化は第２図のようＫなった。この図からＯ
ｒの添加量を増していくとＨａは小さくなるがθには大
きくなることがわかる。
磁力Ｈｃの変化は第２図のようＫなった。この図からＯ
ｒの添加量を増していくとＨａは小さくなるがθには大
きくなることがわかる。
本実施例ではＤ７をＯｒで置換していったためＯｒを増
すと異方性に寄与しているＤｙが減りＨａは急激に小さ
くなることからＯｒの添加量をそれを１と上げられなか
ったがＤ７とＦｅとの比を一定にしてＯｒを添加するよ
うにすればＨａの急激な減少はなくなりＯｒの添加量を
多くできる。実際にθにの比較を行ったところ、 Ｆｅｎ、７８Ｄ７０．２２のときθに±０．１５ｄｅｇ
Ｆ′８０．７８（Ｄ７０．９４Ｏｒ０．０６）０．２２
のときθに−０，１８ｄｅｑとなり、θｋがＯｒを添加
することによ＃）２０％大きくなることが明らかであっ
た。
すと異方性に寄与しているＤｙが減りＨａは急激に小さ
くなることからＯｒの添加量をそれを１と上げられなか
ったがＤ７とＦｅとの比を一定にしてＯｒを添加するよ
うにすればＨａの急激な減少はなくなりＯｒの添加量を
多くできる。実際にθにの比較を行ったところ、 Ｆｅｎ、７８Ｄ７０．２２のときθに±０．１５ｄｅｇ
Ｆ′８０．７８（Ｄ７０．９４Ｏｒ０．０６）０．２２
のときθに−０，１８ｄｅｑとなり、θｋがＯｒを添加
することによ＃）２０％大きくなることが明らかであっ
た。
本発明の非晶質磁気光学層はカー回転角θにの大きいか
っ保磁力Ｈａの大きい光磁気記碌媒体を提供できる。
っ保磁力Ｈａの大きい光磁気記碌媒体を提供できる。
第１図および第２図は本発明の磁気光学層の最適条件を
決定するにあたっての組成変化に対するカー回転角と保
磁力との関係を示す図である。 特許出願人 株式会社 リ コ − 第１図 Ｆｅ０．７８ ＣＤｙ＋−ｘ Ｃ（Ｌｘ ）ｏ、２２中
の工第２図
決定するにあたっての組成変化に対するカー回転角と保
磁力との関係を示す図である。 特許出願人 株式会社 リ コ − 第１図 Ｆｅ０．７８ ＣＤｙ＋−ｘ Ｃ（Ｌｘ ）ｏ、２２中
の工第２図
Claims (1)
- 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有するＤｒ−Ｆｅ膜に
少なくとも０．５原子−の銅またはクロムを含むことを
特徴とする、非晶質磁気光学層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23898283A JPS60130806A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 非晶質磁気光学層 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23898283A JPS60130806A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 非晶質磁気光学層 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130806A true JPS60130806A (ja) | 1985-07-12 |
Family
ID=17038168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23898283A Pending JPS60130806A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | 非晶質磁気光学層 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130806A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625585A (en) * | 1985-01-09 | 1986-12-02 | Tractech, Inc. | Torque-proportioning differential with sectional housing |
| JPS62132254A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP23898283A patent/JPS60130806A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625585A (en) * | 1985-01-09 | 1986-12-02 | Tractech, Inc. | Torque-proportioning differential with sectional housing |
| JPS62132254A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
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