JPS59116990A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS59116990A JPS59116990A JP22599582A JP22599582A JPS59116990A JP S59116990 A JPS59116990 A JP S59116990A JP 22599582 A JP22599582 A JP 22599582A JP 22599582 A JP22599582 A JP 22599582A JP S59116990 A JPS59116990 A JP S59116990A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
- G11C13/06—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using magneto-optical elements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は新規な層構成を有する書きかえ可能な光磁気記
録媒体に関する。さら釦詳しくは、本発明は断熱性反射
層を有する光磁気記録媒体に関する。
録媒体に関する。さら釦詳しくは、本発明は断熱性反射
層を有する光磁気記録媒体に関する。
従来技術
各種光メモリ装置のうち特に記憶材料として種々の垂直
磁化膜を用いた磁気光学装置は情報の書きかえが可能で
あることから注目されている。
磁化膜を用いた磁気光学装置は情報の書きかえが可能で
あることから注目されている。
しかし、この種の材料は再生信号レベルが低い、特にカ
ー効果再生方式においてはカー回転角が小さいためＳ／
Ｎを高めることが困難であるなどの欠点を有する。そこ
で、上記欠点を解消するために、磁性材料を改良したり
ＳｉＯや８１０２などの断熱層やＡｔなとの反射層を設
けることが提案されている（例えば、特開昭５７−６６
５４９号公報参照）。しかしながら、多層であるため膜
作製が複雑であって制御が困難である。また、断熱層の
膜厚によって記録エネルギーが大きく変動しさらに光学
的干渉効果による吸収、反射および断熱効果が大ぎく変
動するという問題がある。
ー効果再生方式においてはカー回転角が小さいためＳ／
Ｎを高めることが困難であるなどの欠点を有する。そこ
で、上記欠点を解消するために、磁性材料を改良したり
ＳｉＯや８１０２などの断熱層やＡｔなとの反射層を設
けることが提案されている（例えば、特開昭５７−６６
５４９号公報参照）。しかしながら、多層であるため膜
作製が複雑であって制御が困難である。また、断熱層の
膜厚によって記録エネルギーが大きく変動しさらに光学
的干渉効果による吸収、反射および断熱効果が大ぎく変
動するという問題がある。
目 的
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、その
一つの目的は光磁気記録媒体にレーザ記録する場合記録
媒体の特性変動によってし−ザ記録エネルギーが大きく
変動しない光磁気記録媒体を提供することである。
一つの目的は光磁気記録媒体にレーザ記録する場合記録
媒体の特性変動によってし−ザ記録エネルギーが大きく
変動しない光磁気記録媒体を提供することである。
また、本発明の別の目的は記り信号を記録媒体からレー
ザ光で読み出す場合に記録媒体の特性変動によって磁気
光学効果、ファラデー回転角が大きく変動しない光磁気
記録媒体を提供することである。
ザ光で読み出す場合に記録媒体の特性変動によって磁気
光学効果、ファラデー回転角が大きく変動しない光磁気
記録媒体を提供することである。
構成
上記目的を達成するために、本発明は断熱層と反射層と
を兼備した断熱性反射層を用いることを特徴とするもの
である。
を兼備した断熱性反射層を用いることを特徴とするもの
である。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に磁性
膜層および断熱性反射層を順次に設けたものである。必
要に応じて、保護層を断熱性反射層の上に設けてもよい
。
膜層および断熱性反射層を順次に設けたものである。必
要に応じて、保護層を断熱性反射層の上に設けてもよい
。
本発明における磁性膜厚としては、例えば遷移金属（Ｆ
ｅ、 Ｇｏ、Ｎ１、Ｍｎなど）と希土類金属（Ｇａ、Ｔ
ｂ％Ｄｙ％Ｈｏ、Ｅｒ、 Ｙ、 Ｓｍ５Ｅｕなど）との
種々の組合せから得られた磁性合金膜例えばＴｂ−Ｆｅ
、（）ｄ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ
１Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏなどを用いること７５（でき
る。この際これらの磁性合金膜の吸光度が太きいので膜
厚は５ｏｏｎ以下でなければｌよらない。
ｅ、 Ｇｏ、Ｎ１、Ｍｎなど）と希土類金属（Ｇａ、Ｔ
ｂ％Ｄｙ％Ｈｏ、Ｅｒ、 Ｙ、 Ｓｍ５Ｅｕなど）との
種々の組合せから得られた磁性合金膜例えばＴｂ−Ｆｅ
、（）ｄ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ
１Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏなどを用いること７５（でき
る。この際これらの磁性合金膜の吸光度が太きいので膜
厚は５ｏｏｎ以下でなければｌよらない。
また、酸化物磁性体を用いることもできるカニキュリ一
温度が低い物が選ばれる。酸化物磁性体は一般にキュリ
一温度が４００℃以上と高イのでキュリ一温度を下げる
組成に変えねばならない。
温度が低い物が選ばれる。酸化物磁性体は一般にキュリ
一温度が４００℃以上と高イのでキュリ一温度を下げる
組成に変えねばならない。
例えば、ＢａＦｅ１２０１９はキュリ一温度が４５０℃
以上と使用できないのでＢａｃｏｔＯＴｉｌ、０Ｆ１０
ｏ１９のようにＦｅの１部を他の原子に置き換えてキュ
リ一温度を下げる方法がとられる。さらに、本発明の磁
性膜層として以下の酸化物磁性体を用いることもできる
がＦｅの１部を他の原子に置き換えてキュリ一温度を下
げる必要がある。
以上と使用できないのでＢａｃｏｔＯＴｉｌ、０Ｆ１０
ｏ１９のようにＦｅの１部を他の原子に置き換えてキュ
リ一温度を下げる方法がとられる。さらに、本発明の磁
性膜層として以下の酸化物磁性体を用いることもできる
がＦｅの１部を他の原子に置き換えてキュリ一温度を下
げる必要がある。
ＭｅＭｚＦｅ １２−ｚＯ１９、ＭｅＭｘＭｙＦｅ１２
−（ｘ＋ｙ）Ｏ１９またはＣＯＭｚＦｅ２−ＺＯ８ 上記各式中、ＭｅはＢａ、 Ｓｒ、 ！３ｃ、 、Ｐｂ
、 Ｃａなどを示し、ＭｘはＣｏ、 Ｚｎ、 Ａｔ、
Ｃｒ、 Ｍｎ、 Ｎｉ、Ｔ１．３ｎ 、 Ｃｕ。
−（ｘ＋ｙ）Ｏ１９またはＣＯＭｚＦｅ２−ＺＯ８ 上記各式中、ＭｅはＢａ、 Ｓｒ、 ！３ｃ、 、Ｐｂ
、 Ｃａなどを示し、ＭｘはＣｏ、 Ｚｎ、 Ａｔ、
Ｃｒ、 Ｍｎ、 Ｎｉ、Ｔ１．３ｎ 、 Ｃｕ。
ｐｂなどを示し、ＭｙはＣｏ、 Ａｔ、 Ｃｒ、 Ｍｎ
、 Ｎｉ、Ｔｉ。
、 Ｎｉ、Ｔｉ。
Ｓｎ、 Ｃｕ、 Ｐｂなどを示しく但しＭｘＮＭｙ）そ
してＭ２に’１． Ａｔ、 Ｚｎ、 Ｃｒ、 Ｍｎ、
Ｎｉ、３ｎ、 Ｔｉ、ｐｂなどを示す。酸化物磁性体は
磁性合金膜よシ透過性がよく膜厚は６００〜１ｏｏｏｏ
Ｘの範囲である。
してＭ２に’１． Ａｔ、 Ｚｎ、 Ｃｒ、 Ｍｎ、
Ｎｉ、３ｎ、 Ｔｉ、ｐｂなどを示す。酸化物磁性体は
磁性合金膜よシ透過性がよく膜厚は６００〜１ｏｏｏｏ
Ｘの範囲である。
また、本発明における断熱性反射層は２９３°にで測定
したときの熱伝導率Ｋが１００ （ｗ／ｍ、ｄθｇ）以
下および反射率が２０チ以上（８００ｎｍのレーザ光忙
対して）の材料によって構成される。
したときの熱伝導率Ｋが１００ （ｗ／ｍ、ｄθｇ）以
下および反射率が２０チ以上（８００ｎｍのレーザ光忙
対して）の材料によって構成される。
かかる材料の例として、ＢＮ（Ｋ＝１１）、ＺｒＮ（Ｋ
＝１４）、’Ｉ’ａＮ （Ｋ＝ Ｉ Ｏ）、Ｔｌｎ（ｘ
＝２９）、Ａ２Ｎ 、（Ｋ＝１５）、ＭｇＮ （Ｋ中３
０）、ＣｒＮ （Ｋ中５０）、ＨｆＮ （Ｋ中２０）、
ＮｂＮ （Ｋ中２０）などの窒化物をあげることができ
る。
＝１４）、’Ｉ’ａＮ （Ｋ＝ Ｉ Ｏ）、Ｔｌｎ（ｘ
＝２９）、Ａ２Ｎ 、（Ｋ＝１５）、ＭｇＮ （Ｋ中３
０）、ＣｒＮ （Ｋ中５０）、ＨｆＮ （Ｋ中２０）、
ＮｂＮ （Ｋ中２０）などの窒化物をあげることができ
る。
実施例
以下本発明に係る一実施例を従来技術の例と対比して図
面により詳しく説明する。
面により詳しく説明する。
第１図は従来技術に係る光磁気記録媒体の層構成を示す
模式図であり、ガラスまたはプラスチック（例えばポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネートなと）の基板
の上に磁性膜層２（例えばＧｄ−Ｆｅ）、断熱層３（例
えば５ｉ０２ ）、反射層４（例えばＡｔ）を順次スパ
ッタリング、蒸着など延よって積Ｊ＠することにより形
成し基板側からレーザ光を照射する。この場合、断熱層
の膜厚によって記録エネルギーが大きく影響し、膜厚忙
よって光学的干渉効果による吸収、反射および断熱効果
が太き（変動する。また膜作製が多層で複雑であシ制御
することが困難である。
模式図であり、ガラスまたはプラスチック（例えばポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネートなと）の基板
の上に磁性膜層２（例えばＧｄ−Ｆｅ）、断熱層３（例
えば５ｉ０２ ）、反射層４（例えばＡｔ）を順次スパ
ッタリング、蒸着など延よって積Ｊ＠することにより形
成し基板側からレーザ光を照射する。この場合、断熱層
の膜厚によって記録エネルギーが大きく影響し、膜厚忙
よって光学的干渉効果による吸収、反射および断熱効果
が太き（変動する。また膜作製が多層で複雑であシ制御
することが困難である。
第２図は本発明に係る光磁気記録媒体の層構成を示す模
式図であって基板１に磁性膜層２を設けることは第１図
に示したと同様であるが、図示のように本発明では断熱
性反射層５が従来の断熱層と反射層とを兼備している点
が異なりこれによって断熱性反射層の膜厚は例えばディ
スク状に形成した場合その厚さが片面３朋以内であれば
何等制約されないのでディスクの作製が容易である。
式図であって基板１に磁性膜層２を設けることは第１図
に示したと同様であるが、図示のように本発明では断熱
性反射層５が従来の断熱層と反射層とを兼備している点
が異なりこれによって断熱性反射層の膜厚は例えばディ
スク状に形成した場合その厚さが片面３朋以内であれば
何等制約されないのでディスクの作製が容易である。
効果
次に、本発明における断熱性反射層の材料としてＴａＮ
を使用した場合を例にとってその効果を従来技術のもの
と対比して説明する。
を使用した場合を例にとってその効果を従来技術のもの
と対比して説明する。
従来技術に対しては、第１図に示すようにガラス基板に
膜厚２００ＡのＴｂ−Ｆｅ磁磁性膜−と膜厚３０００Ｘ
の反射層を設け、５１０２断熱層の膜厚を変化して記録
媒体を作成し、これに半導体レーザ（７９ｏｎｍ）を用
いてＩ ＭＨｚの周波数で記録した結果を第６図に示す
。第３図において実線は膜厚と記録に必要なエネルギー
（レーザパワー）との関係を示しそして点線は膜厚とフ
ァラデー回転角との関係を示す。これから５１０２膜厚
によって、レーザ記録エネルギーが大きく変動すること
が明らかである。５１０２の膜厚のバラツキを±１０％
に制御することは困難であり、記録エネルギーを高いレ
ベルに設定しなければならない。
膜厚２００ＡのＴｂ−Ｆｅ磁磁性膜−と膜厚３０００Ｘ
の反射層を設け、５１０２断熱層の膜厚を変化して記録
媒体を作成し、これに半導体レーザ（７９ｏｎｍ）を用
いてＩ ＭＨｚの周波数で記録した結果を第６図に示す
。第３図において実線は膜厚と記録に必要なエネルギー
（レーザパワー）との関係を示しそして点線は膜厚とフ
ァラデー回転角との関係を示す。これから５１０２膜厚
によって、レーザ記録エネルギーが大きく変動すること
が明らかである。５１０２の膜厚のバラツキを±１０％
に制御することは困難であり、記録エネルギーを高いレ
ベルに設定しなければならない。
一方、本発明の記録媒体を第２図に示すよう圧力ラス基
板上に膜厚２００ＸのＴｂ−Ｆｅ磁性膜層を設け、Ｔａ
Ｎ断熱性反射層の膜厚を変化して作成し、これに半導体
レーザ（９００ｎｍ ）を用いてＩ ＭＨ２の周波数で
記録しても第４図に示すように’ｌ”ａＮの膜厚てよっ
てレーザパワーは変化しない。ここで第４図における実
線および点線・の意味は第３図と同様である。
板上に膜厚２００ＸのＴｂ−Ｆｅ磁性膜層を設け、Ｔａ
Ｎ断熱性反射層の膜厚を変化して作成し、これに半導体
レーザ（９００ｎｍ ）を用いてＩ ＭＨ２の周波数で
記録しても第４図に示すように’ｌ”ａＮの膜厚てよっ
てレーザパワーは変化しない。ここで第４図における実
線および点線・の意味は第３図と同様である。
また、第３図妃示すように従来技術では５ｉ０２の膜厚
圧よってファラデー回転角（θＦ）が著しく変化するが
、これは５ｔｏ２層の光学的干渉効果によるものであっ
て大きな問題点である。これに対して、第４図に示すよ
うに本発明ではファラデー回転角（θＦ）は殆ど変化し
ない。また、断熱性反射層としてＴａＮに代えて、Ｃｒ
Ｎ、 ＡｔＮおよびＭｇＮにそれぞれを用いて記録媒体
を膜厚な変えて調製し特性を調べたところそれぞれθＦ
が０．５４°、０，４６°およびｏ、６８°であり膜厚
依存性が殆どなかった。
圧よってファラデー回転角（θＦ）が著しく変化するが
、これは５ｔｏ２層の光学的干渉効果によるものであっ
て大きな問題点である。これに対して、第４図に示すよ
うに本発明ではファラデー回転角（θＦ）は殆ど変化し
ない。また、断熱性反射層としてＴａＮに代えて、Ｃｒ
Ｎ、 ＡｔＮおよびＭｇＮにそれぞれを用いて記録媒体
を膜厚な変えて調製し特性を調べたところそれぞれθＦ
が０．５４°、０，４６°およびｏ、６８°であり膜厚
依存性が殆どなかった。
以上本発明の詳細な説明の都合上ＴａＮを例にとって述
べてきたが、他の材料についても同様の結果が得られる
ことはもちろんである。
べてきたが、他の材料についても同様の結果が得られる
ことはもちろんである。
第１図は従来技術の光磁気記録媒体の構成を示す模式図
であシ、第２図は本発明の光磁気記録媒体の構成を示す
模式図であり、第５図および第４図は膜厚と記録エネル
ギーとファラデー回転角との関係を示すグラフである。 １・・・基板、２・・・磁性膜層、３・・・断熱層、４
・・・反射層、５・・・断熱性反射層。
であシ、第２図は本発明の光磁気記録媒体の構成を示す
模式図であり、第５図および第４図は膜厚と記録エネル
ギーとファラデー回転角との関係を示すグラフである。 １・・・基板、２・・・磁性膜層、３・・・断熱層、４
・・・反射層、５・・・断熱性反射層。
Claims (1)
- 透明基板上に磁性膜層および断熱性反射層を順次に設け
たことを特徴とする、光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22599582A JPS59116990A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22599582A JPS59116990A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116990A true JPS59116990A (ja) | 1984-07-06 |
| JPH0583971B2 JPH0583971B2 (ja) | 1993-11-30 |
Family
ID=16838138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22599582A Granted JPS59116990A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116990A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264944A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0323532A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| US5560998A (en) * | 1990-03-27 | 1996-10-01 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| US5576102A (en) * | 1991-07-23 | 1996-11-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto optical recording medium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104602A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 | ||
| JPS57105839A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Ricoh Co Ltd | Photo-thermal magnetic recording medium |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS598150A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-17 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22599582A patent/JPS59116990A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104602A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 | ||
| JPS57105839A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Ricoh Co Ltd | Photo-thermal magnetic recording medium |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS598150A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-17 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0264944A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0323532A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| US5560998A (en) * | 1990-03-27 | 1996-10-01 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| US5576102A (en) * | 1991-07-23 | 1996-11-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583971B2 (ja) | 1993-11-30 |
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