JPH0583971B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0583971B2 JPH0583971B2 JP57225995A JP22599582A JPH0583971B2 JP H0583971 B2 JPH0583971 B2 JP H0583971B2 JP 57225995 A JP57225995 A JP 57225995A JP 22599582 A JP22599582 A JP 22599582A JP H0583971 B2 JPH0583971 B2 JP H0583971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflective layer
- recording medium
- layer
- film thickness
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
- G11C13/06—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using magneto-optical elements
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は新規な層構成を有する書きかえ可能な
光磁気記録媒体に関する。さらに詳しくは、本発
明は断熱性反射層を有する光磁気記録媒体に関す
る。
光磁気記録媒体に関する。さらに詳しくは、本発
明は断熱性反射層を有する光磁気記録媒体に関す
る。
従来技術
各種光メモリ装置のうち特に記憶材料として
種々の垂直磁化膜を用いた磁気光学装置は情報の
書きかえが可能であることから注目されている。
種々の垂直磁化膜を用いた磁気光学装置は情報の
書きかえが可能であることから注目されている。
しかし、この種の材料は再生信号レベルが低
い、特にカー効果再生方式においてカー回転角が
小さいためＳ／Ｎを高めることが困難であるなど
の欠点を有する。そこで、上記欠点を解消するた
めに、磁性材料を改良したりSiOやSiO2などの断
熱層やAlなどの反射層を設けることが提案され
ている（例えば、特開昭57−66549号公報参照）
が、多層であるため膜作製が複雑であつて制御が
困難である。また、断熱層の膜厚によつて記録エ
ネルギーが大きく変動しさらに光学的干渉効果に
よる吸収、反射および断熱効果が大きく変動する
という問題がある。
い、特にカー効果再生方式においてカー回転角が
小さいためＳ／Ｎを高めることが困難であるなど
の欠点を有する。そこで、上記欠点を解消するた
めに、磁性材料を改良したりSiOやSiO2などの断
熱層やAlなどの反射層を設けることが提案され
ている（例えば、特開昭57−66549号公報参照）
が、多層であるため膜作製が複雑であつて制御が
困難である。また、断熱層の膜厚によつて記録エ
ネルギーが大きく変動しさらに光学的干渉効果に
よる吸収、反射および断熱効果が大きく変動する
という問題がある。
目 的
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであつ
て、その一つの目的は光磁気記録媒体にレーザ記
録する場合に記録媒体の特性変動によつてレーザ
記録エネルギーが大きく変動しない光磁気記録媒
体を提供することである。
て、その一つの目的は光磁気記録媒体にレーザ記
録する場合に記録媒体の特性変動によつてレーザ
記録エネルギーが大きく変動しない光磁気記録媒
体を提供することである。
また、本発明の別の目的は記録信号を記録媒体
からレーザ光で読み出す場合に記録媒体の特性変
動によつて磁気光学効果、フアラデー回転角が大
きく変動しない光磁気記録媒体を提供することで
ある。
からレーザ光で読み出す場合に記録媒体の特性変
動によつて磁気光学効果、フアラデー回転角が大
きく変動しない光磁気記録媒体を提供することで
ある。
構 成
上記目的を達成するために、本発明は断熱層の
機能と反射層の機能と兼備した断熱性反射層を用
いることを特徴とするものである。
機能と反射層の機能と兼備した断熱性反射層を用
いることを特徴とするものである。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体は透明基板
上に磁性膜層および反射率20％以上の窒化物から
なる断熱性反射層を順次に設けたものである。必
要に応じて、保護層を断熱性反射層の上に設けて
もよい。
上に磁性膜層および反射率20％以上の窒化物から
なる断熱性反射層を順次に設けたものである。必
要に応じて、保護層を断熱性反射層の上に設けて
もよい。
本発明における磁性膜厚としては、例えば遷移
金属（Fe、Co、Ni、Mnなど）と希土類金属
（Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Ｙ、Sm、Euなど）と
の種々の組合せから得られた磁性合金膜例えば
Tb−Fe、Gd−Fe、Gd−Tb−Fe、Gd−Dy−
Fe、Tb−Fe−Co、Tb−Dy−Fe−Co、Gd−Tb
−Fe−Coなどを用いることができる。この際こ
れらの磁性合金膜の吸光度が大きいので膜厚は
500Å以下でなければならない。また、酸化物磁
性体を用いることもできるがキユリー温度が低い
物が選ばれる。酸化物磁性体は一般にキユリー温
度が40℃以上と高いのでキユリー温度を下げる組
成に変えねばならない。例えば、BaFe12O19はキ
ユリー温度が450℃以上と使用できないので
BaCoTiF10O19のようにFeの１部を他の原子に置
き換えてキユリー温度を下げる方法がとられる。
さらに、本発明の磁性膜層として以下の酸化物磁
性体を用いることもできるがFeの１部を他の原
子に置き換えてキユリー温度を下げる必要があ
る。
金属（Fe、Co、Ni、Mnなど）と希土類金属
（Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Ｙ、Sm、Euなど）と
の種々の組合せから得られた磁性合金膜例えば
Tb−Fe、Gd−Fe、Gd−Tb−Fe、Gd−Dy−
Fe、Tb−Fe−Co、Tb−Dy−Fe−Co、Gd−Tb
−Fe−Coなどを用いることができる。この際こ
れらの磁性合金膜の吸光度が大きいので膜厚は
500Å以下でなければならない。また、酸化物磁
性体を用いることもできるがキユリー温度が低い
物が選ばれる。酸化物磁性体は一般にキユリー温
度が40℃以上と高いのでキユリー温度を下げる組
成に変えねばならない。例えば、BaFe12O19はキ
ユリー温度が450℃以上と使用できないので
BaCoTiF10O19のようにFeの１部を他の原子に置
き換えてキユリー温度を下げる方法がとられる。
さらに、本発明の磁性膜層として以下の酸化物磁
性体を用いることもできるがFeの１部を他の原
子に置き換えてキユリー温度を下げる必要があ
る。
MeMxFe12-xO19、MeMxMyFe12-(x+y)O19また
はCoMZFe2-zO8 上記各式中、MeはBa、Sr、Sc、Pb、Caなど
を示し、MxはCo、Zn、Al、Cr、Mn、Ni、Ti、
Sn、Cu、Pbなどを示し、MyはCo、Al、Cr、
Mn、Ni、Ti、Sn、Cu、Pbなどを示し（但しMx
≠My）そしてMZはAl、Zn、Cr、Mn、Ni、Ti、
Sn、Pbなどを示す。酸化物磁性体は磁性合金膜
より透過性がよく膜厚は300〜10000Åの範囲であ
る。
はCoMZFe2-zO8 上記各式中、MeはBa、Sr、Sc、Pb、Caなど
を示し、MxはCo、Zn、Al、Cr、Mn、Ni、Ti、
Sn、Cu、Pbなどを示し、MyはCo、Al、Cr、
Mn、Ni、Ti、Sn、Cu、Pbなどを示し（但しMx
≠My）そしてMZはAl、Zn、Cr、Mn、Ni、Ti、
Sn、Pbなどを示す。酸化物磁性体は磁性合金膜
より透過性がよく膜厚は300〜10000Åの範囲であ
る。
また、本発明における断熱性反射層は293°Kで
測定したときの熱伝導率Ｋが30（Ｗ／ｍ・deg）
以下および反射率が20％以上（800nｍのレーザ
光に対して）の窒化物によつて構成される。かか
る窒化物材料の例としえは、BN（Ｋ＝11）、ZrN
（Ｋ＝14）、TaN（Ｋ＝10）、TiN（Ｋ＝29）、AlN
（Ｋ＝15）、MgN（Ｋ≒30）、CrN（Ｋ≒30）、HfN
（Ｋ≒20）、NbN（Ｋ≒20）などをあげることがで
きる。
測定したときの熱伝導率Ｋが30（Ｗ／ｍ・deg）
以下および反射率が20％以上（800nｍのレーザ
光に対して）の窒化物によつて構成される。かか
る窒化物材料の例としえは、BN（Ｋ＝11）、ZrN
（Ｋ＝14）、TaN（Ｋ＝10）、TiN（Ｋ＝29）、AlN
（Ｋ＝15）、MgN（Ｋ≒30）、CrN（Ｋ≒30）、HfN
（Ｋ≒20）、NbN（Ｋ≒20）などをあげることがで
きる。
実施例
以下本発明に係る一実施例を従来技術の例と対
比して図面により詳しく説明する。
比して図面により詳しく説明する。
第１図は従来技術に係る光磁気記録媒体の層構
成を示す模式図であり、ガラスまたはプラスチツ
ク（例えばポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネートなど）の基板１の上に磁性膜層２（例え
ばGd−Fe）、断熱層３（例えばSiO2）、反射層４
（例えばAl）を順次スパツタリング、蒸着などに
よつて積層することにより形成し、基板側からレ
ーザ光を照射する。この場合、断熱層３の膜厚に
よつて記録エネルギーが大きく影響し、膜厚によ
つて光学的干渉効果による吸収、反射および断熱
効果が大きく変動する。また膜作製が多層で複雑
であり制御することが困難である。
成を示す模式図であり、ガラスまたはプラスチツ
ク（例えばポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネートなど）の基板１の上に磁性膜層２（例え
ばGd−Fe）、断熱層３（例えばSiO2）、反射層４
（例えばAl）を順次スパツタリング、蒸着などに
よつて積層することにより形成し、基板側からレ
ーザ光を照射する。この場合、断熱層３の膜厚に
よつて記録エネルギーが大きく影響し、膜厚によ
つて光学的干渉効果による吸収、反射および断熱
効果が大きく変動する。また膜作製が多層で複雑
であり制御することが困難である。
第２図は本発明に係る光磁気記録媒体の層構成
を示す模式図であつて基板１に磁性膜膜２を設け
ることは第１図に示したと同様であるが、図示の
ように本発明では反射率20％以上の窒化物からな
る断熱性反射層５が従来の断熱層の機能と反射層
の機能とを兼備している点が異なり、これによつ
て断熱性反射層の膜厚は例えばデイスク状に形成
した場合その厚さが片面３mm以内であれば何等制
約されないのでデイスクの作製が容易である。
を示す模式図であつて基板１に磁性膜膜２を設け
ることは第１図に示したと同様であるが、図示の
ように本発明では反射率20％以上の窒化物からな
る断熱性反射層５が従来の断熱層の機能と反射層
の機能とを兼備している点が異なり、これによつ
て断熱性反射層の膜厚は例えばデイスク状に形成
した場合その厚さが片面３mm以内であれば何等制
約されないのでデイスクの作製が容易である。
効 果
次に、本発明における反射率20％以上の窒化物
からなる断熱性反射層の材料としてTaNを使用
した場合を例にとつてその効果を従来技術のもの
と対比して説明する。
からなる断熱性反射層の材料としてTaNを使用
した場合を例にとつてその効果を従来技術のもの
と対比して説明する。
従来技術に対しては、第１図に示すようにガラ
ス基板に膜厚２００ÅのTb−Fe磁性膜層と膜厚
3000Åの反射層を設け、SiO2断熱層の膜厚を変
化させて記録媒体を作成し、これに半導体レーザ
（790nｍ）を用いて1MHzの周波数で記録した結
果を第３図に示す。第３図において実線は膜厚と
記録に必要なエネルギー（レーザパワー）との関
係を示しそして点線は膜厚とフアラデー回転角と
の関係を示す。これからSiO2膜厚によつて、レ
ーザ記録エネルギーが大きく変動することが明ら
かである。SiO2の膜厚のバラツキを±10％に制
御することは困難であり、記録エネルギーを高い
レベルに設定しなければならない。
ス基板に膜厚２００ÅのTb−Fe磁性膜層と膜厚
3000Åの反射層を設け、SiO2断熱層の膜厚を変
化させて記録媒体を作成し、これに半導体レーザ
（790nｍ）を用いて1MHzの周波数で記録した結
果を第３図に示す。第３図において実線は膜厚と
記録に必要なエネルギー（レーザパワー）との関
係を示しそして点線は膜厚とフアラデー回転角と
の関係を示す。これからSiO2膜厚によつて、レ
ーザ記録エネルギーが大きく変動することが明ら
かである。SiO2の膜厚のバラツキを±10％に制
御することは困難であり、記録エネルギーを高い
レベルに設定しなければならない。
一方、本発明の記録媒体を、第２図に示すよう
にガラス基板上に膜厚200ÅのTb−Fe磁性膜層
を設け、TaN断熱性反射層の膜厚を変化させて
作成し、これに半導体レーザ（900nｍ）を用い
て1MHzの周波数で記録しても第４図に示すよう
にTaNの膜厚によつてレーザパワーは変化しな
い。ここで第４図における実線および点線の意味
は第３図と同様である。
にガラス基板上に膜厚200ÅのTb−Fe磁性膜層
を設け、TaN断熱性反射層の膜厚を変化させて
作成し、これに半導体レーザ（900nｍ）を用い
て1MHzの周波数で記録しても第４図に示すよう
にTaNの膜厚によつてレーザパワーは変化しな
い。ここで第４図における実線および点線の意味
は第３図と同様である。
また、第３図に示すように従来技術ではSiO2
の膜厚によつてフアラデー回転角（θF）が著しく
変化するが、これはSiO2の光学的干渉効果によ
るものであつて大きな問題点である。これに対し
て、第４図に示すように本発明ではフアラデー回
転角（θF）は殆ど変化しない。また、断熱性反射
層としてTaNに代えて、CrN、AlNおよびMgN
のそれぞれを用いて記録媒体を膜厚を変えて調整
し特性を調べたところ、それぞれθFが0.54°、0.46°
および0.68°であり膜厚依存性が殆どなかつた。
の膜厚によつてフアラデー回転角（θF）が著しく
変化するが、これはSiO2の光学的干渉効果によ
るものであつて大きな問題点である。これに対し
て、第４図に示すように本発明ではフアラデー回
転角（θF）は殆ど変化しない。また、断熱性反射
層としてTaNに代えて、CrN、AlNおよびMgN
のそれぞれを用いて記録媒体を膜厚を変えて調整
し特性を調べたところ、それぞれθFが0.54°、0.46°
および0.68°であり膜厚依存性が殆どなかつた。
以上本発明の効果を説明の都合上TaNを例に
とつて述べてきたが、他の材料についても同様の
結果が得られることはもちろんである。
とつて述べてきたが、他の材料についても同様の
結果が得られることはもちろんである。
第１図は従来技術の光磁気記録媒体の構成を示
す模式図であり、第２図は本発明の光磁気記録媒
体の構成を示す模式図であり、第３図および第４
図は膜厚と記録エネルギーとフアラデー回転角と
の関係を示すグラフである。 １……基板、２……磁性膜層、３……断熱層、
４……反射層、５……断熱性反射層。
す模式図であり、第２図は本発明の光磁気記録媒
体の構成を示す模式図であり、第３図および第４
図は膜厚と記録エネルギーとフアラデー回転角と
の関係を示すグラフである。 １……基板、２……磁性膜層、３……断熱層、
４……反射層、５……断熱性反射層。
Claims (1)
- １ 透明基板上に磁性膜層および反射率20％以上
の窒化物からなる断熱性反射層を順次に設けたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22599582A JPS59116990A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22599582A JPS59116990A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116990A JPS59116990A (ja) | 1984-07-06 |
| JPH0583971B2 true JPH0583971B2 (ja) | 1993-11-30 |
Family
ID=16838138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22599582A Granted JPS59116990A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116990A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264944A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0323532A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| CA2038785C (en) * | 1990-03-27 | 1998-09-29 | Atsushi Oyamatsu | Magneto-optical recording medium |
| DE4223850A1 (de) * | 1991-07-23 | 1993-01-28 | Mitsubishi Chem Ind | Magnetooptisches aufzeichnungsmedium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104602A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 | ||
| JPS57105839A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Ricoh Co Ltd | Photo-thermal magnetic recording medium |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS598150A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-17 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22599582A patent/JPS59116990A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104602A (ja) * | 1974-01-21 | 1975-08-18 | ||
| JPS57105839A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Ricoh Co Ltd | Photo-thermal magnetic recording medium |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS598150A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-17 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59116990A (ja) | 1984-07-06 |
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