JPS6290624A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は複数の行電極を有する基板と複数の列電極を有
する対向基板間に挟持される液晶を用いた画像表示装置
に関するものである。

［従来の技術］ 従来のマトリックス型の画像表示装置は、大表示８州化
しようとすると、行電極数に応じて駆動デユーティ比が
小さくなり、コントラストが低下し、視覚が狭くなる問
題がありこれを解決する手段として、各画素の画素電極
を個別にダイオードを介して行電極と接続し駆動するこ
とが考えられた。

［発明の解決しようとする問題点］ しかしこの装置は行電極と画素電極間のダイオードが１
個で単方向性であることから液晶の交流駆動に問題があ
った。本発明の目的は、上記欠点を除去した高品質な画
像表示装置を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 各画素の画素電極と行電極間に双方向性となる様にダイ
オードを二個配列し、駆動信号を工夫すれば、液晶を駆
動する電極間に所定の周期で反転電位を与え交流駆動を
することができる。本発明はこの考え方に基づき、複数
の行電極を有する基板と複数の列電極を有する対向基板
間に挟持される液晶を用いて表示を行なう画像表示装置
において、一行の画素における行電極は、画素電極との
間に互いに逆方向のダイオードが形成された対となる第
一、第二の二本の電極から構成され１列電極と画素電極
との間に蓄えられる画素データのサイクルが表示データ
期間と消去データ期間に続き、データの反転する表示デ
ータ期間と消去データ期間を有する様にし１画素毎にダ
イオードで液晶を駆動することにより、デユーティ比を
上げ、表示性能の向上を図ったものである。

第１図は本発明の画像表示装置の液晶表示体の平面図で
あり、（１）は複数の行電極を有する基板、（２）は複
数の列電極を有する対向基板であり、基板（１）（２）
間に液晶を挟持している。列電極群は表示エリアが上、
下半面に二分割される様に（９）　；　（１０）の如く
分離して形成され、（３）（４）　、；　（５）（８）
に示される行電極群とは直交し、（１）上に形成された
上゛ト面の画素電極（７）は（９）との間、下半面の画
素電極（８）は（ｌＯ）との間で、液晶を駆動している
。上半面の（７）を含む一行の画素における行電極は対
となる二本の電極（３）（４）から、下半面の（８）を
含む一行の画素における行電極は同様に二本の電極（５
）ＣＦ３）から構成されている。（２）の（１）に重な
る面内に形成されている幅の広い列電極は透明電極であ
り、基板の端部からその幅の広い電極につながり（２）
の基板半面を走る列電極は金属電極或いは金属電極と透
明電極が積層された電極である。

第２図は第１図と同様に本発明の画像表示装置の液晶表
示体の平面図であり、（１１）、　（１２）。

（１３）、　（１４）、　（１５）、　（１Ｂ）、　（
１７）、　（１８）は（１）。

（２）、　（３）、　（４）、　（５）、　（８）、　
（７）、　（８）に対応し、基板（１１）、　（１２）
間に液晶を挟持している。

対向基板（１２）上の列電極群は表示エリアが上、下の
半面に二分割される様に（２１）　；　（，２２）の如
く分離して形成され、（１３）、（１４）　；　（１５
）（１Ｂ）に示される行電極群とは直交し、（１１）上
に形成された上半面の画素電極（１７）は（１２）上に
形成された上半面の（２１）の幅の広い列電極との間、
下半面の画素電極（１日）は（２２）の幅の広い列電極
との間で、液晶を駆動している。複数の行電極を有する
基板（１１）は、上下の表示エリアに分離されて画素電
極との間で容量を形成する複数の列電極を有し１列電極
（１９）は（１７）を含む一列のＬ′ｈ面の各画素′ｉ
［極との間、列電極（２０）は（１８）を含む一列のト
ド面の各画素電極との間で容μを形成している。複数の
行電極を有する基板（！ｌ）ヒの列電極は、対向基板（
１２）１．の列電極に個々に接続されるか、はぼ同等な
電位が個々にかけられ、（１８）は（２１）と、（２Ｑ
）は（２２）と基板外で接続されるか、はぼ同等なタイ
ミングでほぼ同等な電位がかけられる。これは後で構成
を説明する様に例えば一行の画素群を選択する期間の１
／１０の期間以内のずれで同等のタイミング、１００ｍ
Ｖの範囲内で同等な電位である。

第３図は一画素毎に形成されたダイオードによって駆動
される本発明の画像表示装置の画素の構成図であり、第
２図の液晶表示体の上半面の（Ｉ、　Ｊ）〜（ｔｉｔ、
　Ｊ、１）の４画素を示している。

（２３）（２４）は互いに逆方向のダイオード、　（２
５）は画素データの記憶容Ｒ，（２Ｂ）は画素電極、　
（２７）は（２Ｂ）と対向する基板Ｅの列電極、（２８
）は液品、（２９）は各画素電極との間で記憶容量を形
成する列電極、　（３０）（３１）は（２６）との間に
互いに逆方向のダイオードが形成された対となる二本の
行電極であり、　Ｄ（Ｊ）、　０（Ｊ、１）は上半面の
対向基板（１２）上の１列、　（Ｊ＋１）列の列電極の
信号。

ｄ（Ｊ）、　ｄ（Ｊ＋１）は上半面の基板（１１）上の
１列、（Ｊ＋１）列の列電極のＤ（Ｊ）、　Ｄ（Ｊ、１
）とほぼ同等な信号、　ｄＵ）、　ｄ（ｊ＋１）は下半
面の基板（１１）にのｊ列、（ｊ＋１）列の列電極の信
号、Ｒ（Ｉ）；Ｒ′（＋）とＲ（Ｉ÷１）　、　Ｒ′（
Ｉ−１）は基板（１１）、ｈの１行と（Ｉ÷１）行の対
となる第一：第二の二本の行電極の信号である。（Ｉ、
　Ｊ）＝（１，ｌ）とすれば（３０）、　（３１）が（
１３）、　（１４）に、（２８）が（１９）に、（２７
）が（２１）に、（２６）が（１７）に該当する。画像
表示装置は、（２３）（２４）　（２５）（２Ｂ）（２
９）（３０）（３１）を行電極群と列電極群が互いに直
交する様にマトリックス状に複数配列した基板と、（２
７）の列電極を複数配列した基板との間に液晶（２８）
を注入して表示体を構成する。一行の画素の選択期間、
対となる二本の行電極の一方若しくは双方にかけた電位
をダイオードを通して画素電極（２Ｂ）に導き、列電極
（２７）（２９）に加えられるデータとの差電圧を（２
５）及び（２８）の並列容量に画素データとして？ｈえ
、非選択期間には（２６）に対しく３０）（３１）を（
２３）（２４）が逆方向にバイアスされる電位とし、選
択期間に蓄えた電圧を保持して画像表示する。第１図の
液晶表示体では液晶、第２図の液晶表示体では液晶と記
憶容量からなるこの画素データを蓄える容量は、　（２
３）（２４）のダイオードの行電極と画素電極間の８礒
より充分大きくなる様に構成され、画素の非選択期間の
（２７）（２９）の電位変化に殆ど依存せず（２Ｂ）（
２７）間の表示電圧を定める。

第４図に本発明の画像表示装置の画素の断面図、第５図
に本発明の画像表示装置の画素の平面図を示す。第４図
は第５図Ａ−Ａ　′の切断面を矢印の方向から見た図で
ある。（３３）　、　（５１）。

（５２）はダイオードの一方の電極でＮ型半導体層と接
続し、（３４）　；　（５３）は列電極で画素電極との
間で８賃を形成し、（３５）、　（３Ｂ）、　（３７）
はＮ型、■型、Ｐ型の各゛１導体層で、三層を連続形成
してタイオード（５４）、　（５５）を構成する。（３
８）は絶縁膜で記憶容量の誘電体、（３９）；　（５Ｂ
）、　（５７）。

（４ｏ）　；　（５８）、　（５９）はダイオード（５
４）、　（５５）のＰ型半導体層、電極（３３）　；　
（５１）、　（５２）に接続するコンタクドロ、（４１
）　；　（ＥｉＯ）、　（６３）はダイオードの他方の
′Ｉニ極でＰ型半導体層と接続し、（４２）　。

（８２）、　（８１）の電極は（３３）　；　（５１）
、　（５２）の電極と接続している。（４３）　、　（
ｆ（４）は画素電極で、ダイオード（５４）、　（５５
）のＮ型半導体層、Ｐ型半導体層と接続する電極とつな
がり、（４４）は配向処理層であり、　（３２）の基板
上に形成されている。

（４８）は対向基板（４５）上に形成されたＲ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（Ｗ）三原色カラーフィルターの画素電極
（４３）に対応する層、　（４７）、　（４８）は列電
極、（４９）は配向処理層である。液晶（５０）は基板
（３２）、　（４５）間に封入されている。ガラス基板
（３２）ヒにダイオードの一方の電極及び列電極（３４
）　；　（５３）をＮｉ、　Ｏｒ、　Ｍｏ、　Ｔａ等の
金属で形成後、５ｉＨａガスに添加されるＰＨ３，Ｂ７
Ｈ６等のドーパントガスを切換えてＣＶＤ法でＮ型、■
型、Ｐ型のシリコン層を堆積して（３５）、　（３Ｂ）
、　（３７）の形状にエツチングし、絶縁膜（３８）を
５ｉ０２゜５ｉａＮ４．　ＳｉＯｘＮｙ　５　ｔ’着け
る。コンタクト［］を開けた後ダイオードの一方の電極
に接続する電極（８１）、　（８２）、及びダイオード
他方の電極（ｅｏ）。

（６３）をＡＩ、旧等の金属で形成し、　Ｉｎ、＋　０
３　、５ｎ０２等の画素電極を着け（８４）の形状にし
、ポリイミド等のオーバーコート膜を着はラビング法で
配向処理層を形成する。対向するガラス基板（４５）旧
にはカラーフィルタ一層を印刷後、ＡＩ、旧。

（Ｅｒ、　Ｎｏ、　Ｔａ等の金属で（４７）を、Ｉｎ２
Ｏ３，５ｎ０２等で画素電極に重なる幅の広い透明列電
極（４８）をそれぞれ形成し、ポリイミド等のオーバー
コート膜を着はラビング法で配向処理層を形成する。］
二記におけるＩｎ２Ｏ３、３ｎ０２等の透明電極は、金
属電極（４１）、　（４２）　、或いは（４７）の有る
基板上に、形成すべき透明電極形状とは逆の形状に残さ
れたレジスト層を介して着けた後、レジスト剥離するリ
フトオフ法でパターニングされるか、金属電極上に透明
電極を着けた後。

金属電極を被覆する形状にエツチングされる。

（６０）、　（６１）は画素電極との間に互いに逆方向
のダイオード（５４）、　（５５）の形成された対とな
る第一、第二の二本の電極であり、配り上からは（５１
）、　（ｅｏ）間と（５２）、　（８３）間のダイオー
ドの容量より、（５３）、　（８４）間の記憶容量と液
晶の並列容置が充分大きくなる様に構成され、ダイオー
ドのＮ型及びＰ型半導体層に接続される金属電極（５１
）、　（５２）及び（８０）、　（８３）は遮光膜を兼
ねている。

［作用］ 第６図は本発明の画像表示装置の動作を示すタイミング
チャートである。　Ｄ（Ｊ）は上半面の１列の液晶を駆
動する列電極の画像デ７夕の信号。

ｄ（Ｊ）は上半面の１列の各画素電極との間で記憶容量
を形成する列電極のＤ（Ｊ）と同等な信号であり、　　
Ｒ（１）　　；　　Ｒ’（１）、　Ｒ（Ｍ）；　　Ｒ′
（Ｍ）はＪ：、半面の１行１Ｍ行の対となる第一：第二
の二本の行電極の信号である。　（］（ｊ）、　ｄ（ｊ
）は下半面の５列の液晶を駆動する列電極、記憶容にを
形成する列電極の量子な画像データの信号であり、　Ｒ
（Ｍ−１）；　Ｒ’（Ｍ＋１）　、　Ｒ（Ｍ＋Ｌ）　；
　Ｒ′（Ｍ＋Ｌ）はｒ″ｈ面の１行、Ｌ行の対となる第
一；第二の二本の行゛Ｉ［極の信号である０列電極群に
加えられる画像データのサイクルはＤ（Ｊ）、　ｄ（Ｊ
）及びＤ（ｊ）、　ｄ（Ｄに示される様にｖ−Ｏの電位
の表示データ期間（Ｗｌ　；　Ｗ２）、！＝　Ｖ近傍（
≦Ｖ）の消去データ期間（Ｅｌ；Ｅ２）に続き、Ｏ〜■
の表示データ期間（−１′；ｌ１１２′）とＯ近傍（≧
Ｏ）の消去データ期間（Ｅ１′；Ｅ２’）を有し、Ｗ＋
′；　ｗ７’ノ期間データはＶ／２　（７）電位を基準
としてＷｌ　；　Ｌの期間のデータと反転する表示デー
タであり、Ｅｌ’；Ｅ２′の期間のデータはＶ／２の電
位を基準としてＥｌ　；　Ｅ２の期間のデータと反転す
る消去データである。

ＷＩＥｉ＋　’　Ｅｌ　′は二分割された表示エリアの
一方のごト面の画像データの１サイクルであり、ｗ２Ｅ
２ｗ２’　Ｅ２　’は他方の半面の画像データの１サイ
クルである。　Ｒ（１）　；　Ｒ’（１）〜Ｒ（Ｍ）　
；　Ｒ′（Ｍ）、　Ｒ（Ｍ４１）；　Ｒ’（Ｉｆ−１）
〜Ｒ（Ｍ◆Ｌ）　、　Ｒ’（Ｉ＜＋［、）に示す様に行
毎に画素群を順次選択する信号、即ち行毎にグイオート
群を通して各画素電極に導かれる信号が、二分割された
表示エリアの一方の半面の表示エリアに続いて他方の半
面の表示エリアに加えられている。Ｗ＋Ｅ＋　；Ｗ２Ｅ
２の期間はＲ（Ｉ）、　Ｒ’（１）　ＣＩ＝　１−　Ｍ
＋Ｌ）選択期間の電位が■であり、　Ｗｌ’Ｅｌ’；Ｗ
２’Ｅ２’　の期間はＲ（Ｉ）、　Ｒ’（１）の選択期
間の電位が０であることから、各表示エリアの列電極と
画素電極との間に蓄えられる画素データのサイクルも１
列電極に加えられる画像データと同様に、表示データ期
間と消去データ期間に続き、データの反転する表示デー
タ期間と消去データ期間を有している。一方の半面の　
・表 １行Ｊ列の画素の列電極と画素電極間の画素データＤ（
Ｊ）−Ｄ（１，Ｊ）の１サイクルが表示データ期間町、
消去データ期間ｅｌ、データの反転する表示データ期間
ｗ１′、消去データ期間ｅ＋’から成り、他方の半面の
１行ｊ列の画素データＤ（ｊ）−Ｅｌ（Ｍ＋１．０（７
）　１サイクルがｗ２　ｅ２　ｗ２　’　ａ２　’で構
成されていることでこのことを示している。Ｗｌ、Ｅｌ
’、Ｗ？、Ｅ？’の期間は第３図の画素の（２３）に示
すダイオードが選択期間順バイアスされ、Ｅｌ、Ｗ＋’
；　Ｅ７．　Ｗ２′の期間は（２４）に示すダイオード
が選択期間順バイアスされて画素電極に行信号を導くこ
とから、Ｗ＋Ｅｉ＋’Ｅ＋’　；誓？Ｅ２Ｗ２’Ｅ２’
　の全期間画素群を選択する信号を順次出している第６
図のＲ（Ｉ）、　Ｒ’（Ｉ）をＲ（Ｉ）はＷｌ、　Ｅｌ
′；　Ｗ２．　Ｅ２′の期間画素群を選択する信号を出
し、Ｒ’　（１）はＥｌ、　Ｗ＋′；　Ｅ２．　Ｗ？’
の期間画素群を選択する信号を出す様にしても良い、第
６図ではＷ１Ｅ＋；Ｗ２Ｅ２（７）期間（７）Ｒ（１）
、　Ｒ’（Ｉ）　ノ信ＶｙＬ＊選択期間Ｖ、画像データ
ロ（Ｊ）、　Ｄ（ｊ）はＶ−Ｏであることから画素電極
の電位は２ｖ〜０にあり、非選択期間のＲ（１）ヲ−ａ
、Ｒ’（１）を２Ｖ　＋　７！３　（７）　電位トシテ
画素内の対となるダイオードを逆バイアスし、Ｗ１′Ｅ
ｌ′；訃′Ｅ２′の期間のＲ（Ｉ）、　Ｒ’（Ｉ）の信
号は選択期間０、画像データＥｌ（Ｊ）、　ｏ（ｊ）は
θ〜Ｖであることから画素電極の電位は−・ｖ−■にあ
り。

非選択期間ノＲ（Ｉ）ｔ−−Ｖ−ｙ、　Ｒ′（Ｉ）をＶ
＋δの電位にしてダイオード対を逆バイアスしている、
α＝γ、β＝δ（≧Ｏ）とすれば、留ＩＥ１；Ｗ２　Ｅ
２とＷ＋’Ｅ＋’　；　Ｗ２’Ｅ２’　で選択期間及び
非選択期間のＲ（１）、　Ｒ’（１）は一定量−■変化
し、全期間を通じてダイオードの端子間の逆方向のバイ
アスを２Ｖ程度以内にすることができる。この行毎ｍ　
ＪＴ　（７）　−定Ｉ　Ｖ　ノ変化は、Ｅｌ、Ｅ＋’　
：　Ｅ２．Ｅｌ’の期間、各表示エリアの最終行の画素
群を選択し、消去データを画素に入れた後行なわれる。

一方の半面の１行Ｊ列の画素、他方の半面の１行ｊ列の
画素の列電極と画素電極間の画素データの電位Ｄ（Ｊ）
−Ｄ（１，Ｊ）、Ｄ（ｊ）−Ｄ（Ｍ＋１．　ｊ）は各表
示エリアにおいて２フレーム、液晶表示体の全表示エリ
アからすればＲ（１）　；　Ｒ’（１）〜Ｒ（に＋Ｌ）
；Ｒ′（Ｍ−Ｌ）の行毎に画素群を順次選択する信号を
シークエンシャルに出す、Ｆで示すｌフレームの行駆動
周期と同周期で反転し、液晶はデユーティ５０％の交流
波形で駆動されている。■、α（＝ｌ、Ｆは例えば５Ｖ
、　０．５Ｖ、　１／８０秒であり、各表示エリアの画
素数は等しくＭ＝Ｌに選ばれる。また丘述した行信号の
ｔ＋Ｅ＋　；　Ｗ２Ｅ２とＷ１′Ｅ１’　；　Ｗ２′Ｅ
２’間の変化ｖは、行Ｑ号ヲｌＦＪ力する信号系の各シ
フトレジスターをＶ〜−■−γ、Ｏ〜２ｖ＋βの電源電
圧範囲で、Ｒ（Ｉ）。

Ｒ’　（Ｉ）の信号が第６図の様に出力されるように構
成する他、α＝γ、β；δとして各シフトレジスターの
電源電圧をほぼ全期間を通じて■＋α、■＋βの一定に
保ち、Ｗ、Ｅｌ；讐２Ｅ２と帽′Ｅ１′；Ｗ２’Ｅ２′
でＲ（Ｉ）、　Ｒ’（Ｉ）を出力する各シフトレジスタ
ーの正負の電源電位をＶ変化させることによって作られ
る。

［実施例］ 第７図は本発明の画像表示装置の実施例の液晶表示体の
モ面図である。　（８５）、　（８ｓ）、　（８７）。

（８８）、　（８９）は第１図の（１）、　（２）、　
（３）、　（４）。

（７）に対応し、！！ｉ板（１３５）、　（１３Ｇ）間
に液晶を挟持している。対向基板（６Ｇ）上に形成され
た列電極群と基板（８５）　ｈの記憶容量を形成する列
電極群は、（６５）上の行電極群と直交して表示エリア
全面を走っている。　（８９）を含む−・列の各画素電
極との間で液晶を駆動する列電極（７１）は対向基板（
６Ｇ）　ｆ：に形成され、基板（６５）上の列電極（７
０）は（６９）を含む一列の各画素電極との間に容量を
形成し、（７０）は（７１）と同等な信号が加えられる
。

第８図は本発明の画像表示装置の実施例の画素の断面図
、第９図は本発明の画像表示装置の実施例の画素のモ面
図である。第８図は第９図のＢ−Ｂ　′の切断面を矢印
の方向から見た図である。（７３）　、　（９２）は列
電極（７５）　；　（９５）に接する透明電極で画素電
極（８０）　；　（９８）との間で容量を形成し、（７
４）　；　（９３）、（３４）はＮ型半導体層と接続す
るダイオードの一方の電極、（７Ｂ）、　（７７）。

（７８）は連続形成されたＮ型、■型、Ｐ型の各半導体
層でダイオード（９Ｂ）、　（９７）を構成している。

透明画素電極は、記憶容量の誘電体となる絶縁膜（７９
）上に形成され、（７９）に開口する（８１）；　（９
９）、　（１００）、　（８２）　；　　（ｌｏｔ）、
　（１０２）のコンタクドロで、それぞれダイオード（
９６）のＰ型学導体層（７８）と電極（８３）　；　（
１０３）　、ダイオード（８７）のＰ型゛ト導体層と電
極（ｔｏｅ）　、電極（７４）、　（９３）と電極（８
４）　、　（１０５）　、電極（９４）と電極（１０４
）を接続し、　　（７４）　；　（９３）−（８４）　
；　（１０５）。

（１ｏｅ）はダイオード（９６）のＮ型半導体層、　（
９７）のＰ型半導体層と画素電極（８０）　、　（９８
）を接続している。　（１０３）、　（１０４）が画素
電極との間に互いに逆方向のダイオード（９Ｅｌ）、　
（９？）の形成された対となる第一、第二の二本の電極
である。　（８５）は配向処理層でありＬ記の各層は基
板（７２）上に形成されている。　（８７）は対向基板
（８Ｂ）　ｆに形成されたＲ、Ｇ、ＢＥ原色カラーフィ
ルターの画素電極（８０）に対応する層、（８８）は列
電極（８９）に接する透明列電極で、（９０）は配向処
理層である。液晶（９１）は基板（７２）、　（８Ｂ）
間に注入されている。ガラス基板（７２）ｈにＩｎ２０
３　、５ｎＯｚ　等の透明電極を（９２）の形状に形成
後、ダイオードのＮ型半導体層に接続する一方の電極及
び列電極をＮｉ、　Ｏｒ、　Ｎｏ、　Ｔａ等の金属で、
（９３）、’　（９４）及び（９５）の形状に形成する
。ダイオードのＮ型、■型、Ｐ型の各判導体層を連続堆
積後、（９Ｂ）　。

（９７）の様にエツチングし、絶縁１）２　（７９）に
続いてＩｎ７０３．５ｎ０７　”９で画素電極を着け（
９８）（７）形状にする。（７９）にコンタクドロを開
けた後、ダイオードの一方の電極に接続する電極（１０
４）。

（１０５）及びダイオードのＰ型半導体層に接続する他
方の電極（１０３）、　（１０Ｂ）をＡＩ、旧等の金属
で形成し、ポリイミド等のオーバーコート膜を着けてラ
ビング法で配向処理層を形成する。対向するガラス基板
（８６）上にはカラーフィルタ一層を着けた後、　Ｉｎ
２Ｏ３，５ｎ０２等で画素電極に重なる幅の広い透明列
電極（８８）を形成し、（８９）をＡＩ、　Ｎｉ、　Ｏ
ｒ、　Ｎｏ、　Ｔａ等の金属で（８８）上に構成し、そ
の上にポリイミド等のオーバーコート膜を着はラビング
法で配向処理層を形成する。第５図の構成と同様に、ダ
イオードの行電極と画素電極間の容量より、記憶容量と
液晶の並列容量が充分大きく、ダイオードのＮ型及びＰ
型半導体層に接続される金属電極は遮光膜を兼ねている
。

第１θ図は本発明の画像表示装置の実施例の動作を示す
タイミングチャートである０口（Ｊ）は１列の液晶を駆
動する列電極の画像データの信号、ｄ（Ｊ）は１列の各
画素電極との間で記憶容量を形成する列電極のＤ（Ｊ）
と同等な信号であり、Ｒ（１）　；　Ｒ’（１）、　　
Ｒ（Ｍ）　；　Ｒ′（Ｍ）、　Ｒ（ト１）　　；　Ｒ′
（Ｍ、１）　、Ｒ（Ｍ、Ｌ）　；　Ｒ’　（Ｍ、Ｌ）は
１行１Ｍ行、　（Ｍ−１）行、　（Ｍ−Ｌ）行の対とな
る第一；第二の二本の行電極の信号である０列電極群に
加えられる画像データのサイクルはＤ（Ｊ）、　ｄ（Ｊ
）に示される様にＯ〜−■の電位の表示データ期間Ｗ、
！：Ｏ近傍の消去データ期間Ｅに続き、０〜■の表示デ
ータ期間Ｗ′とＯ近傍の消去データ期間Ｅ′を有し、Ｗ
’Ｅ’の期間のデータはＯを基準としてＷＥの期間のデ
ータと反転している０行毎に画素群を順次選択する信号
はＭ＝Ｌとすると、Ｒ（１）　；　Ｒ’（１）、　Ｒ（
Ｍ、１）　；　Ｒ’（Ｍ　＋ｌ）、・・・・・・、Ｒ（
Ｋ）；　Ｒ’（Ｋ）、　Ｒ（Ｍ−Ｋ）　　；　Ｒ’０１
．Ｋ）、・・・・・・、Ｒ（Ｍ）　、　Ｒ’（Ｍ）、Ｒ
（２Ｍ）　　；　　Ｒ’（２Ｍ）の順に出力され、１行
〜Ｍ行の半面と（ト１）行〜（２Ｍ）行の半面の画素群
を交互に選択している０選択期間のＲ（１）、　Ｒ’（
Ｉ）　　（Ｉ　＝　ｌ　−Ｍ＋　Ｌ）の電位がＯである
ことから、列電極と画素電極との間に蓄えられる画素デ
ータのサイクルも、列電極に加えられる画像データと同
様に表示データ期間と消去データ期間に続き、データの
反転する表示データ期間と消去データ期間を有しており
、１行Ｊ列の画素の列電極と画素電極間の画素データＤ
（Ｊ）−Ｄ（１，Ｊ）の１サイクルは表示データ期間ｗ
１、消去データ期間ｅ１．データの反転する表示データ
期間ｗ１’　、消去データ期間ｅｌ’から成り、同様に
（トｌ）行Ｊ列の画素データＤ（Ｊ）−Ｄ（Ｍ−１，Ｊ
）の１サイクルはｗ２ｅ２ｗ２’ｅ２’で構成され、デ
ユーティ５０％の交流波形となっている。　Ｗ、　Ｅ’
の期間は第３図の画素の（２３）に示すダイオードが選
択期間順バイアスされ、Ｅ、Ｗ’の期間は（２４）に示
すダイオードが選択期間順バイアスされて画素電極に行
信号を導くことから、　Ｒ（Ｉ）は−、Ｅ′　の期間画
素群を選択する信号を出し、Ｒ’（１）はＥ。

ｗ′の期間画素群を選択する信号を出す様にしても良い
。第１Ｏ図では既に説明した様にＲ（Ｉ）。

Ｒ’（１）の信号は選択期間Ｏであり、　１ｌｌＥの期
間の画像データＤ（Ｊ）は０〜−Ｖであることから画素
電極の電位は−ｖ−■にあり、　ｌｌｉ’Ｅ’の期間の
Ｄ（Ｊ）は０〜Ｖであることから画素電極の電位は同様
に−ｖ〜Ｖにある。従って非選択期間のＲ（１）を−Ｖ
−ａ　、Ｒ’（１）　ヲＶ＋βノ電位ニシテダイオード
対を逆バイアスしており、α＝β（≧Ｏ）に設定される
。

ところで第９図に示す画素を、列電極（９５）に対して
対称となる様に、左右にダイオード対を有し、左右のダ
イオード対のＮ型及びＰ型半導体層と画素電極が接続さ
れる構成とすればダイオード対が二重になり、　（９５
）の列電極が第７図の基板（６５）の端辺のリードも独
ケな二本の列電極となる様に列毎の画素に配置し、その
二本の列電極の左右に対称な構成を有し一体の画素電極
から成る画素とし各二本ずつの列電極に同信号を加える
ようにすれば、ダイオード対、記憶容量１列電極が二重
になり、基板（６５）の対となる二本の行電極群の各リ
ード・を左右の基板端辺に構成すれば行電極のリードが
二重となる。

Ｌ足掻に画素を構成すれば行電極と列電極間の短絡欠陥
は、欠陥箇所で列電極若しくは行電極をレーザー等の装
置で分断して欠陥を修正することができ、左右のいずれ
か一方のダイオードの欠陥はそのダイオードへの行電極
又はダイオードと画素電極とを接続する電極を分断し、
他方のダイオード対から行電極の電位を画素電極に導く
ようにして良好な基板を作成し得る。

［発明の効果］ この様に本発明の画像表示装置は、マトリックス型で問
題となっていたことを画素内にダイオード対を挿入し、
画素の構成と駆動信号をＦ失することにより解決したも
のであって、液晶が高デユーテイで駆動されることから
５高品質な表示が得られる。更に各画素のダイオードの
逆方向のバイアス電圧は画像データの最大振幅の２倍程
度までであることから製造上有利であり、行信号を出力
するシフトレジスターの電源電圧は画像データの最大振
幅程度にすれば良いことから表示体の駆動回路を低電圧
にでき、本発明は各種の分野の表示袋ごへの応用に適し
ている。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の画像表示装置の液晶表示体の
平面図である。 第３図は本発明の画像表示装置の画素の構成図である。 第４図は本発明の画像表示装置の画素の断面図である。 第５図は本発明の画像表示装置の画素の平面図である。 第６図は本発明の画像表示装置の動作を示すタイミング
チャートである。 第７図は本発明の画像表示袋δの実施例の液晶表示体の
平面図である。 第８図は本発明の画像表示装置の実施例の画素の断面図
である。 第９図は本発明の画像表示装置の実施例の画素の平面図
である。 第１０図は本発明の画像表示袋この実施例の動作を示す
タイミングチャートである。 基板　　　＝　　１．１１ 対向基板　：　　２．１２ 行電極　　：　　３、４、５、６．１３．１４．１５画
素電極　：　　７、８．１７．１８ 列電極　　＝　　９、１０．１９．２０．２１．２２Ｄ
（丁）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｄ（
アｔｌ）第３図 第４図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の行電極を有する基板と複数の列電極を有す
   る対向基板間に挟持される液晶を用いて表示を行なう画
   像表示装置において、一行の画素における行電極は、画
   素電極との間に互いに逆方向のダイオードが形成された
   対となる第一、第二の二本の電極から構成され、列電極
   と画素電極との間に蓄えられる画素 データのサイクルが、表示データ期間と消去データ期間
   に続き、データの反転する表示 データ期間と消去データ期間を有することを特徴とする
   画像表示装置。
2. （２）表示エリアが二分割される様に列電極群を分離し
   て形成し、各表示エリアの列電極と画素電極との間に蓄
   えられる画素データのサイクルが、表示データ期間と消
   去データ期間に続き、データの反転する表示データ期間
   と消去データ期間を有し、行毎に画素群を順次選択する
   信号が一方の表示エリアに続いて他方の表示エリアに加
   えられる特許請求の範囲第１項記載の画像表示装置。
3. （３）複数の行電極を有する基板は、対向基板の列電極
   に個々に接続される複数の列電極を有し、画素電極と列
   電極との間に容量が形成される特許請求の範囲第１項又
   は第２項記載の画像表示装置。