JPS6236488A - 強誘電性液晶及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶表示装置に関するものであって、強誘電性
液晶（以下ＦＬＣという）を用いた液晶表示装置を設け
ることにより、マイクロコンピュータ、ワードプロセッ
サー、テレビ等の表示部の薄膜化を図るものであります
。

従来、液晶表示装置としては、ＴＮ型液晶を用いた液晶
表示装置が一般に広く使用されている。

ところが、最近では強誘電性液晶を用いた液晶表示装置
が大変注目を浴びている。

その特徴としては、 ・スイッチング速度が速い。

・双安定性を示すために表示のメモリーが可能。

・視野角を広く取れる。

等があげられる。しかしながらこれらの優れた特徴を活
かして液晶表示装置を作製しようとする場合、工業的に
非常に困難な問題が存在する。

特に、表示のメモリー性を得ようとする場合、液晶表示
装置の基板間隔、（セル間隔）を２μｍ以下に表示部全
体にわたって均一にする必要がある。これは使用する基
板（例えば硝子等）の平面精度等を考えると非常に困難
な問題であった。

本発明はこれらの問題を解決するものであり、電気抵抗
値が１×１０１１Ω以上を有する程までに、高純度化さ
れたＦＬＣを使用することにより、基板間隔が３．５〜
４μｍ程度でも双安定性を示し、メモリーを有する事が
可能となった為、工業的にも非常に有利なものである。

すなわち、各種精製を繰り返し行い、高純度にまでＦＬ
Ｃを精製することにより、ＦＬＣが本来有していた特性
を発揮することができるようになったために、従来は必
要であるとされていた、シビアなセル形成条件の一部を
緩和しても十分な性能が得られることが判明したのであ
る。

例えば、オクチルオキシ、ベンジリデン、アミノ。

メチル、ブチル、ベンゾエイト（以下００ＢＡＭＢＢと
いう）の場合、再結晶性精製３回、ゾーン精製５回の前
後では以下に示すように、電気抵抗値に明らかな差が見
られる。

・精製前　　　　２．５６ｘｌＯ’　　Ω・精製後　　
　　６．０６ｘｌＯ’＋Ωまた第１図（Ａ）　、　（Ｂ
）　、　（Ｃ）　、　（Ｄ）に示すように、ＤＳＣ（示
差走査熱分析）のチャ・−トにおいても、相転移時に現
れるピークが鋭（なっている。

第１図（八）は精製前の温度上昇時のＤＳＣチャートを
示し、第１図（Ｂ）は精製前の温度下降時のＤＳＣチャ
ートを示し、第１図（Ｃ）は精製後の温度上昇時のＤＳ
Ｃチャートを示し、第１図（０）は精製後の温度下降時
のＤＳＣチャートを示す。

また第１図（Ｂ）は３８度付近にＳｍＡ相からＳｍ−相
への転移に伴うピークが見られるはずなのに見られない
、一方第１図（Ｄ）では十分にそのピークが見られる。

また、ＦＬＣの自発分極の発現においても、第２図（＾
）、（Ｂ）に示されるように、精製を十分に行うことに
より自発分極は大きくなり、また現れ方も顕著になる。

また一般に、ＯＯＢＡＭＢＢはモノトロピックなチオド
ロピンクな相転移をすることが判明した。この特性こそ
ＯＯＢＡＭＢＢ自身の本来持っている特性である。

ここで、これほどまでに高純度化されたＦＬＣ例えば、
ＯＯＢＡＭＢＢとへキシルオキシ、ビフェニル、カルボ
ン酸、メチル、ブチル、エステル（以下）１０ＢＧＭＢ
Ｅとする）とのブレンドを用いた、液晶表示装置の特性
の一部を第４図に示す。この時基板間隔は４μｍ程度で
あった。

実線７は液晶表示セルに加えるパルス信号を示し、曲線
８はその時のセルの光の透過量を示す。明らかにメモリ
ー性が得られており、十分なスイッチング特性が得られ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図はＦＬＣ精製前後でのＤＳＣの測定結果を示す。 第２図はＦＬＣ精製前後での自発分極の測定結果を示す
。 第３図はＦＬＣ精製後の自発分極の大きさと温度との関
係を示す。 第４図は液晶表示装置のメモリー性とスイッチング特性
を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、強誘電性液晶を用いた、液晶表示装置において、液
   晶表示装置として必要な素子を形成した基体間に注入す
   る液晶として、電気抵抗値が１×１０＾１＾１Ω以上を
   有しているような強誘電性液晶を用いたことを特徴とす
   る液晶表示装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記高抵抗の強誘
   電性液晶はゾーン精製、カラム精製、再結晶精製等各種
   精製を繰り返し行うことにより得られた強誘電性液晶で
   あることを特徴とする液晶表示装置。