JPS60253310A - マイクロ波アナログ分周器 - Google Patents
マイクロ波アナログ分周器Info
- Publication number
- JPS60253310A JPS60253310A JP11016684A JP11016684A JPS60253310A JP S60253310 A JPS60253310 A JP S60253310A JP 11016684 A JP11016684 A JP 11016684A JP 11016684 A JP11016684 A JP 11016684A JP S60253310 A JPS60253310 A JP S60253310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- dual
- electrode
- fet
- dual gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロ波アナログ分周器に関するものであ
る。
る。
マイクロ波通信装置、レーダ装置、測定装置等において
は周波数″安定度の良い局部発振器が必要でおる。特に
近年直接衛星放送実用化に伴って、この種の安定化発振
器の１１２が急激に増大している。このため、量産に適
し大構成の安定化発振器の研究開発が各所で活発に行な
われている。モノリシックＩＣ構成によれば量産低価格
化が可能であるが、モノシリツクＩＣ構成で局部発振周
波数を安定させるには、局部発振周波数を分周して安定
な周波数と位相比較した結果とを局部発振器にフィード
バックする方法が最も適していると考えられる。この方
法を実現するに′は局部発振周波数（マイクロ波帯）で
動作する分局器が必要となる。
は周波数″安定度の良い局部発振器が必要でおる。特に
近年直接衛星放送実用化に伴って、この種の安定化発振
器の１１２が急激に増大している。このため、量産に適
し大構成の安定化発振器の研究開発が各所で活発に行な
われている。モノリシックＩＣ構成によれば量産低価格
化が可能であるが、モノシリツクＩＣ構成で局部発振周
波数を安定させるには、局部発振周波数を分周して安定
な周波数と位相比較した結果とを局部発振器にフィード
バックする方法が最も適していると考えられる。この方
法を実現するに′は局部発振周波数（マイクロ波帯）で
動作する分局器が必要となる。
従来は、このためにアナログ分局器が用いられていたが
分局帯域が狭いのが欠点であった。
分局帯域が狭いのが欠点であった。
第１図は従来用いられているアナログ分局器の構成図で
ある。図において、５は周波数ｆの被分局信号が入力さ
れる端子、１は′ミキサ、２はｆ／２以下の信号を通す
フィルタ、３は／／２の信号を増幅する増幅器、４はｆ
／２の分周信号の出力端子、６は帰還回路である。この
構成によれば帰還ループ内にｆ／２の信号が現われる。
ある。図において、５は周波数ｆの被分局信号が入力さ
れる端子、１は′ミキサ、２はｆ／２以下の信号を通す
フィルタ、３は／／２の信号を増幅する増幅器、４はｆ
／２の分周信号の出力端子、６は帰還回路である。この
構成によれば帰還ループ内にｆ／２の信号が現われる。
このような従来のアナログ分局器では、帰還ループにｆ
／２の発振回路が構成されているが、発振が可能となる
ためにはミキサ１、フィルタ２、増幅器３、帰還回路６
を含めた位相遅れがｆ／２での発振条件を満足していな
ければならない。このため発振条件を満足する周波数範
囲はせまく、比帯域で高々２０チ程度にすぎなかった。
／２の発振回路が構成されているが、発振が可能となる
ためにはミキサ１、フィルタ２、増幅器３、帰還回路６
を含めた位相遅れがｆ／２での発振条件を満足していな
ければならない。このため発振条件を満足する周波数範
囲はせまく、比帯域で高々２０チ程度にすぎなかった。
本発明の目的は分局帯域が狭いという従来のアナログ分
局器の欠点を解消し、帯域の広いマイクロ波アナログ分
周器を提供することにある。
局器の欠点を解消し、帯域の広いマイクロ波アナログ分
周器を提供することにある。
本発明はソース接地された第１のデュアルグー） ＦＥ
Ｔのドレイン電極に並列抵抗回路を設け、該ドレイン電
極をドレイン接地された第２のデュアルグー） ＦＥＴ
の第２ゲート電極に交流的に接続し、第２のデュアルグ
ー） Ｆｌｌｉｌ’ｒのソース電極に一端が接地された
直列抵抗回路を設けるとともに、第２のデュアルゲート
Ｆ］ｉｖｒのソース電極を第１のデュアルグー） ＦＥ
Ｔの第１ゲートに接続して抵抗帰還回路を構成し、第１
のデュアルグー） ＦＥＴの第２ゲートおよび第２のデ
ュアルグー） ＦＥＴの第１ゲートに互いに位相の異な
った被分局信号を入力する端子を設けたことを特徴とす
るマイクロ波アナログ分局器である。
Ｔのドレイン電極に並列抵抗回路を設け、該ドレイン電
極をドレイン接地された第２のデュアルグー） ＦＥＴ
の第２ゲート電極に交流的に接続し、第２のデュアルグ
ー） Ｆｌｌｉｌ’ｒのソース電極に一端が接地された
直列抵抗回路を設けるとともに、第２のデュアルゲート
Ｆ］ｉｖｒのソース電極を第１のデュアルグー） ＦＥ
Ｔの第１ゲートに接続して抵抗帰還回路を構成し、第１
のデュアルグー） ＦＥＴの第２ゲートおよび第２のデ
ュアルグー） ＦＥＴの第１ゲートに互いに位相の異な
った被分局信号を入力する端子を設けたことを特徴とす
るマイクロ波アナログ分局器である。
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第２図は本発明の一実施例を示すマイクロ波アナログ分
周器の高周波等価回路である。第２図において、ソース
電極１３が接地された第１のデュアルグ−） ＦＩＥＴ
１１のドレイン電極１２には並列抵抗１７が備えられ
、前記ドレイン電極臣は、ドレイン電極２１が埠地され
た第、２のデュアルグー） ＦＥＴ １８の第２ゲート
電極２０に接続されている。第２のデュアルグ〜） Ｆ
ＥＴ １８のソース電極２２には直列に他端が接地され
た抵抗２３が備えられ、該ソース電極２２と、前記第１
のデュアルゲートＦＥＴ １１の第１ゲート電極１４と
の間は抵抗冴で結ばれている。１６および郷は位相の異
なった被分局信号を入力する端子で、端子１６は第２ゲ
ート電極１５に接続され、端子２５は第１ゲート電極１
９に接続されている。
周器の高周波等価回路である。第２図において、ソース
電極１３が接地された第１のデュアルグ−） ＦＩＥＴ
１１のドレイン電極１２には並列抵抗１７が備えられ
、前記ドレイン電極臣は、ドレイン電極２１が埠地され
た第、２のデュアルグー） ＦＥＴ １８の第２ゲート
電極２０に接続されている。第２のデュアルグ〜） Ｆ
ＥＴ １８のソース電極２２には直列に他端が接地され
た抵抗２３が備えられ、該ソース電極２２と、前記第１
のデュアルゲートＦＥＴ １１の第１ゲート電極１４と
の間は抵抗冴で結ばれている。１６および郷は位相の異
なった被分局信号を入力する端子で、端子１６は第２ゲ
ート電極１５に接続され、端子２５は第１ゲート電極１
９に接続されている。
ここで第１のデュアルグー） ＦＥＴ １１の第１ゲー
ト電極１４に正相の信号が表われたとすると、ドレイン
電極１２には逆相が現われ、第２のデュアルグ−） Ｆ
ＥＴ ２１のソース電極２２には同じく逆相が現われ、
この逆相が第１ゲート電極１４に帰還される。
ト電極１４に正相の信号が表われたとすると、ドレイン
電極１２には逆相が現われ、第２のデュアルグ−） Ｆ
ＥＴ ２１のソース電極２２には同じく逆相が現われ、
この逆相が第１ゲート電極１４に帰還される。
もし帰還回路の利得が１より大きければこの回路は発振
する。ゲート長が１．ＯＩｔｍ〜０．５１１ｍ程度のＧ
αルデュアルゲー） ＦＥＴを用いると６ ＧＨｚ程度
までは、ソース接地回路では、出力側には入力の＃ｔ
＃？［’逆相の信号が表われ、ドレイン接地回路では出
力側に入力とほぼ同相の信号が表われ、かつ利得もソー
ス接地の場合５ｄＢ程度、ドレイン接地の場合０ｄＢＱ
度とれるため回路は発振可能となる。このため第２図の
回路はＧａＡａデュアルゲート眉を用いると低周波〜６
ＧＨｚ程度までは発、振可能となっている。したがっ
て、ゲート端子１６および２５を用いてミキシングを行
うと、この回路では／＝６ＧＨｚ〜１２ ＧＨｚの１オ
クターブに渡って第１図の従来の回路と同等の動作を行
い分周が可能になる。
する。ゲート長が１．ＯＩｔｍ〜０．５１１ｍ程度のＧ
αルデュアルゲー） ＦＥＴを用いると６ ＧＨｚ程度
までは、ソース接地回路では、出力側には入力の＃ｔ
＃？［’逆相の信号が表われ、ドレイン接地回路では出
力側に入力とほぼ同相の信号が表われ、かつ利得もソー
ス接地の場合５ｄＢ程度、ドレイン接地の場合０ｄＢＱ
度とれるため回路は発振可能となる。このため第２図の
回路はＧａＡａデュアルゲート眉を用いると低周波〜６
ＧＨｚ程度までは発、振可能となっている。したがっ
て、ゲート端子１６および２５を用いてミキシングを行
うと、この回路では／＝６ＧＨｚ〜１２ ＧＨｚの１オ
クターブに渡って第１図の従来の回路と同等の動作を行
い分周が可能になる。
端子１６および２５に入力される被分局信号は１２ Ｇ
Ｈｚ程度までは巨いに逆相であればよい。ただし前述、
のように完全逆相とせず、適度な位相関係を保てば第２
図の帰還ループの発振可能周波数は６ ＧＨｚよりも高
くすることができる。このことは最高分周周波数が１２
ＧＨｚ以上になることを意味する。
Ｈｚ程度までは巨いに逆相であればよい。ただし前述、
のように完全逆相とせず、適度な位相関係を保てば第２
図の帰還ループの発振可能周波数は６ ＧＨｚよりも高
くすることができる。このことは最高分周周波数が１２
ＧＨｚ以上になることを意味する。
以上のように本発明によるときには分局比帯域が高々２
０チ程度であったマイクロ波アナログ分局器の分局帯域
を１オクターブ（比帯域６７％）以上に広げることが可
能となり、放送衛星受信用ＩＣ等各種のマイクロ波シス
テムなどに広く応用できる効果を有するものである。
０チ程度であったマイクロ波アナログ分局器の分局帯域
を１オクターブ（比帯域６７％）以上に広げることが可
能となり、放送衛星受信用ＩＣ等各種のマイクロ波シス
テムなどに広く応用できる効果を有するものである。
第１図は従来のマイクロ波アナログ分局器のブロック図
、第２図は本発明の一実施例を示すマイクロ波アナログ
分局器のブロック図である。 １１・−・第１のデュアルゲートＰＥＴ、１２・・・ド
レイン電極、１３・・・ソース電極、１４・・・第１ゲ
ート電極、１５・・・第２ゲート電極、１６・・・入力
端子、１７・・・並列抵抗、１８・・・給２のデュアル
ゲー）ＦＥＴ、１９・・・第１ゲート電極、２０・・・
第２ゲート電極、２１・・・ドレイン電極、２２・・・
ソース電極、２３・・・抵抗、２４・・・抵抗、２５・
・・入力端子 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 貴 簡１図 第２図 ４ （
、第２図は本発明の一実施例を示すマイクロ波アナログ
分局器のブロック図である。 １１・−・第１のデュアルゲートＰＥＴ、１２・・・ド
レイン電極、１３・・・ソース電極、１４・・・第１ゲ
ート電極、１５・・・第２ゲート電極、１６・・・入力
端子、１７・・・並列抵抗、１８・・・給２のデュアル
ゲー）ＦＥＴ、１９・・・第１ゲート電極、２０・・・
第２ゲート電極、２１・・・ドレイン電極、２２・・・
ソース電極、２３・・・抵抗、２４・・・抵抗、２５・
・・入力端子 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 貴 簡１図 第２図 ４ （
Claims (1)
- （１）ソース接地された第１のデュアルゲー） ＦＥＴ
のドレイン電極に並列抵抗回路を設け、該ドレイン電極
をドレイン接地され大筒２′のデュアルゲー） ＦＥＴ
の第２ゲート電極に交流的に接続し、第２のデュアルゲ
ート４灯のソース電極に一端が接地された直列抵抗回路
を設けるとともに、第２のデュアルゲートｎ汀のソース
電極をＭｌのデュアルゲニ） ＦＥＴの第１ゲートに接
続して抵抗帰還回路を構成し、第１のデュアルゲー）
ＦＥＴの第２ゲートおよび第２のデュアルゲー） ＦＥ
Ｔの第１ゲートに互いに位相の異なった被分局信号を入
力する端子を設けたことを特徴とするマイクロ波アナロ
グ分局器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110166A JPH0712144B2 (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | マイクロ波アナログ分周器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110166A JPH0712144B2 (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | マイクロ波アナログ分周器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253310A true JPS60253310A (ja) | 1985-12-14 |
| JPH0712144B2 JPH0712144B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=14528721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59110166A Expired - Fee Related JPH0712144B2 (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | マイクロ波アナログ分周器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712144B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299115A (ja) * | 1985-05-13 | 1987-12-26 | プレッシー セミコンダクターズ リミテッド | 周波数分割装置 |
| JP2007208589A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Univ Of Tokyo | 周波数分周器 |
| JP2007528657A (ja) * | 2004-03-11 | 2007-10-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 分周器 |
| JP2009055548A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 受信器およびトランシーバ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135423A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-22 | Nec Corp | Driving method for semiconductor logic device |
| JPS567527A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High speed frequency division circuit |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59110166A patent/JPH0712144B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135423A (en) * | 1979-04-09 | 1980-10-22 | Nec Corp | Driving method for semiconductor logic device |
| JPS567527A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High speed frequency division circuit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299115A (ja) * | 1985-05-13 | 1987-12-26 | プレッシー セミコンダクターズ リミテッド | 周波数分割装置 |
| JP2007528657A (ja) * | 2004-03-11 | 2007-10-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 分周器 |
| JP4734510B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2011-07-27 | エスティー‐エリクソン、ソシエテ、アノニム | 分周器 |
| JP2007208589A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Univ Of Tokyo | 周波数分周器 |
| JP2009055548A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 受信器およびトランシーバ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712144B2 (ja) | 1995-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |