JPS60195552A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可ｆ＃、性光を用い
るのに適した光受容部材に関する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写ｆ（法を使用した画像形成法では、レーザ
ーとしては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原−ｒを含
む非晶質材料（以後ｒ　Ａ　−ＳｉＪと略記する）から
成る光受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を中層構成のＡ−８ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の９範囲で層中に制御された形で構造的に含イＩさせ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、晶り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以］二の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８・０号、同５
８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及
び光受容層の」二部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ　−３ｉ系先光受容材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いはｔＡＡｌ１の管
理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化
に向け−ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるのでボ」記の干渉現象はｗ４著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ｒ□と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１，
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、５折率をｎ、光の波長を入 λとして、ある暦の層厚がなだらかに一以上ｎ の層厚差で不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ
＝ｍλ（ｍは整数、反射光は強め合■ う）と２　ｎ　ｄ　＝（ｍ　＋−）入（ｍは整数、反射
光は弱め合う）の条件のどちらに合うかによって、ある
層の吸収光量および透過光量に変化を生しる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪ｆ＃響が生じる。その為に該干渉縞模様
に対応した干＃縞が転写部材」−に転写、定着された可
視画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンドレノ削して、±５００λ〜±１００００人の凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、
着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法
（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニ
ウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サン
ドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支
持体表面に光ａ＆乱反射防止層を設ける方法（例えば特
開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

同年ら、これ等従来の方法では、画像−１−に現われる
干渉縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方７ノ；は支持体表面を特定の大きさの凹
凸が多数設けられただけである為、確かに光散乱効果に
よるモ渉縞模様の発現Ｖｊ　＋トにはなっているが、光
散乱としては依然として正反射光成分が現存している為
に、該正反射光による干＃ＭＩ様が残存することに加え
て、支持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡
がりが生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
１着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−９ｉ系先光受
容を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
Ａ−３・系光受容層形成の際のプラズマによってタメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のＡ−５ｉ光受容層の形成に悪
影響を与えること等の不都合さを存する。

支持体表面を不規則に荒すｗ４３方法の場合には、ｇＩ
Ｊ３図に示す様に、例えば入射光ＩＱは。

光受容層３０２の表面でその一部が反射されて反射光Ｒ
１となり、残りは、光受容層３０２の内部に進入して透
過光ＩＩとなる。透過光１１は、支持体３０２の表面に
於いて、その一部は、光散乱されて拡散光Ｋｌ　、に２
　、に３ψ・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２と
なり、その一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、
従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが
出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２゜第２層での反射光Ｒ１，支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且っ同一ロットに於いても粗面度に不均一性
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２０ｄ１−ｍ入また
は２　ｎ　ｄ　１＝　（ｍ＋Ｈ）入が成立ち、夫々明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄｌ、ｄ２　、ｄ３、ｄ４の夫々の差の中の最大が
一以上である様ｎ な層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔目　的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性中色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

〔構　成〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層とを有し、前記第１の層及び第２の層の少なくとも
一方に伝導性を支配する物質が含有されてい乙光父；ヤ
部材に於いて、前記光受容層がショートレイシ内に１対
以上の非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向
と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列している事
を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って、
１つ以上の光受容層を有する多層構成の光受容層を第６
図の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の層
厚がｄ５からｄ６と連続的に変化しているために、界面
６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従
って、この微小部分（ショートレンジ）９に入射した可
干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な干
渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３　トｍ２ｐａ７０２１７）自由表面７０４とが
非平行であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＱ
に対する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互
いに異る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７
図のｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する
。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差
が無視しｔｌＩる程度に小さくなる。その結果、微小部
分の入射光Ｉ１３は平均化される。

このことは、ｖｇ６図に示す様に第２層７０２０層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ７＼ｃｉ６）でも同様に云える
為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ
　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層Ｍ成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＱ　に
対して、反射光Ｒ１、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在す
る。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、緻小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現すれることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさＵ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスボシ）　ＦＡをＬとすれば、文≦し
てある。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部公
文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄθ）は、ＦｆｌＡ射光の
波長を入とすると、（ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任厖、の２つの位
置に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層の各層の形成に
は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルでｊＥ確に制御できることからプラ
ズマ気相法（ＰＣＶＤ７Ｊｉ）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の９Ｊ刃を有
するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形
成される。この様な切削加工法によって形成される凹凸
が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした端線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の端
線構造は、二重、三重の多重端線構造、又は交叉蝮線構
造とされても差支えない。

或いは、端線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆■字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状ＩＥ；で支持体表面に設
けられる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮し
た上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定さ
れる。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−９ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ光受容層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

１４記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセスに
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検３・Ｉシた
結果、支持体表面の四部のピッチは、＆了ましくは５０
０ＩＬｍ−０，３ｐｍ、より好ましくは２００井ｍ−１
終ｍ、最適には５０ｇｍ〜５μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１＃Ｌｍ〜５川
ｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３井ｍ、峙適には０．
６終ｍ〜２鉢ｍとされるのが望ましい。支持体表面の四
部のピッチと最大深さがＬ記の範囲にある場合、四部（
又は線に突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜
２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜
ｌＯ度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１ｇｍ〜２　ｐｍ、より好ましくは０．１μｍ−１，５
μｍ、最適には０．２ｇｍ−１ｐｍとされるのが望まし
い。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の例を示す。

第１０図は、本発明の好適な実施態様例である光受容部
材の層構成を説明するために模式的に示した模式的構成
図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００−１の１−に、光受容層１０００を
有し、該光受容層１ＯＯＯは自由表面１００５を一方の
端面に有している。

光受容層１０００は支持体１ｏｏｉ側よりゲルマニウム
原子と水素原子及びハロゲン原子のいずれか一方とを含
有するａ−３ｉ４」Ｌヨ≦Ｕ（以後１’ａ−５ｉＧｅ　
（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１（７）層（
Ｇ）１００２とａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導電
性を有する第２の層（Ｓ）１００３とが順にＩＡｆＦ’
：された層構造を有する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該ｆｆＩＪｌの層（Ｇ）１００２の層厚方向及び
支持体１００１の表面と平行な面内方向に連続的均一に
分布した状態となる様に前記ｍｌのＭ（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明の好適な実施態様例の光受容部材１００４に於い
ては、少なくともｉｌの層（Ｇ）が１００２に伝導特性
を支配する物質（Ｃ）が含イ１されており、第１の層（
Ｇ）１００２に所望の伝導特性が１１．えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２に含有され
る伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）１
００２の全層領域に万一なく均一に含有されても良く、
第１の層（Ｇ）１００２の一部の層に偏在する様に含有
されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）をｔｊ４
１の層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（
Ｇ）中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有さ
れる層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域と
して設けられるのが望ましい、殊に、第１の層（Ｇ）の
支持体側の端部層領域として前記層領域（Ｐ　Ｎ）が設
けられる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前
記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜
選択することによって支持体から光受容層中への特定の
極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万一なく、或いは層厚方向に偏在する様に含イイさせる
のが好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）］
−に設けられる第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含
有させても良い。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、第２の層
（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類やその含有量、
及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層（Ｓ）の
全層領域に万一なく含有させても良いし、或いは、その
一部の層領域に均一に含有させても良い。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合。

第１の層（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されてい
る層領域と、第２の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が
含有されている層領域とが４Ｕいに接触する様に設ける
のが望ましい。

又、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とに含イ１される
前記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）と
に於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含
有量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）中に、伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有
させることにより、該物質（Ｃ）の含有される層領域〔
第１の層（Ｇ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良
い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出
来るものであるが、この様な物質としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ−３ｉＧｅ
（Ｈ，Ｘ）に対して、ρ型伝導特性をケ、えるρ型不純
物及びｎ型伝・ｑ特性を与えるｎ方不純物を挙げること
が出来る。

具体的には、ρ型不純物としては周期律表第ｍ族に族す
る原子（ｒｔＳｍ族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ！
；Ｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イン
ジウム）、Ｔｕ（タリウム）等があり、殊に好適に用い
られるのは、Ｂ。

Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に、
好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適
には０．５〜ｌＸｌ０’　ａｔ　ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、Ｍ
ｔ適には、１−５１−５ＸＩＯ３ａｔｏ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適
には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＯＯ１
００６ｊｏ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該
含有させる物質（Ｃ）が前記のρ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支
持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的にｊｆ
ｌｔヒすることが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）
が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
ｅ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中
への正孔の注入を効果的に阻止することが１１−１来る
。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には。

極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させても良
いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性を支配
する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量
よりも一段と少ない礒にして含有させても良いものであ
る。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは、０．００１　Ｎｌｏｏｏａｔｏｍ＋ｃ　ｐｐｍ
、より好適には０．０５〜５００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐ
ｍ、＠適には０．１〜２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のρ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ρ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層ＡＩＩ造に光受６層を形成することによ
って、比較的可視光領域を含む、比較的短波長から比較
的長波長連の全領域の波長の光に対して光感度が優れて
いる光受容部材として得るものである。

又、ｇ４１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分
布状態は全層にゲルマニウム原子が連続的に分／１１シ
ているので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に
於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使用した場合の
、第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光
を第１の層（Ｃ）に於いて、実質的に完全に吸収するこ
とが出来、支持体面からの反射による干渉を一層効果的
に防止することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の暦（Ｓ）とを構成する非晶質材ネ播の夫々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので、積層
界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている
。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５×１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好
ましくは１００〜８Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐ　ｐ　ｍ
、最適には５００〜７Ｘ１０５ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚ＴＢは、好まし
くは３０λ〜５０ｐ、より好ましくは、４０人〜４０７
ｚ、最適には、５０λ〜３０ｐとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０μ、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０μと
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の！（Ｓ）の層ｆｑＴ
の和（ＴＢ十Ｔ）としては、両層に要求される特性と光
受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性
に基いて、光受容部材のＲ設計の際に所望に従って、適
宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ　＋Ｔ）
の数４ｆ範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より
好適には１〜８０ル、最適には２〜５０−とされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、」二足の
層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴＢ　／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９．最適には
ＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量が、Ｉ　Ｘ４０５ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以」−の場合には、第１の７１　（Ｇ）の層厚ＴＢ
としては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０μ以下、より好ましくは２５８Ｌ以下、最適には２
０終以下とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、ＩＭ素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明において、ａ−Ｓ　ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成
される第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｉ　Ｇｅ　（Ｈ
、Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基
本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
ａ−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成させれば良
い、又、スパッタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合カスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲット
、或いは、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲット
の二枚を使用して、又はＳｆとＧｅの混合されたターゲ
ットを使用して、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガス
で稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
プラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタ
リングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コノ又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々店発源として蒸着ポートに収容
し、この蕉発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓ　ｉ２　Ｈ６、Ｓ　４
３　Ｈ８，Ｓ　ｉ４　）（１０’ｆ”）ガス状態の又は
ガス化し得る水素化硅素（シラン１Ｍ）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い
易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で５ｊＨ４、Ｓｉ２Ｈ
６、が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２　ＨＢ　、Ｇｅ３　ＨＢ　。

Ｇｅ４　ＨＨ，Ｇｅ５　Ｈ１２，ｌＣｅ６　Ｈ１４，Ｇ
ｅ７ＨＩ６．Ｇｅ８　Ｈ１８，Ｇｅ９　Ｈ２０等のガス
状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取
扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇ
ｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢが好ましいものとして挙げら
れる。

本発明において使用される／−ロゲン原子導入用の原料
カスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えば／＼ロゲンガス、／＼ロゲン化物、／Ｓロゲ
ン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。

又、更には、シリコン原子と／Ｓロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げること力く出来る。

本発明において好適に使用し得る／＼ロゲン化合物とし
ては、鋏体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

ＣＩＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７　、ＩＣＱ　、ＩＢｒ等（７）　／＼Ｃｆｆゲン
間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．５１２　Ｆ６　。

ＳＩＣ文４．ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げる嚇か出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、／＼ロゲン原子を含む第１の層
（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用
の原料カスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定のｄシ合几とカスｔｋ昔になる様にして第１
の層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所望の支持体上をと第１の層（Ｇ）を形成し得
るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易
になる様に図る為にこれ等のカスに更に水素ガス又は水
素原子を含む硅素化合物のカスも所望量混合して層形成
しても良い。

又、各カスは申独稀のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリノグ沃、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原ｔを導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロケア原子を含む硅
素化合物のカスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したソラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料カスとし
てＬ記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む層上
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ。

ＨＣｌ２．ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２
Ｆ２，５ｉＨ２１２，５ｉＨ２ＣＱ２゜５ｉＨＣＱ３．
５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化
硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＨ２Ｆ２　、ＧｅＨ３Ｆ、
ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＨ２Ｃ１２、ＧｅＨ３ＣＱ、ＧｅＨＢｒ３゜ＧｅＨ
２Ｂ　Ｉ２　、ＧｅＨ３Ｂ　ｒ、ＧｅＨＩ３　。

ＧｅＨ２Ｉ２　、ＧｅＨ３１等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４　、ＧｅＣｌ４　。

ＧｅＢｒ４　、Ｇｅ　Ｉ４　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣＵ２
゜ＧｅＢ　Ｉ２　、Ｇｅ　Ｉ２　Ｑのハロゲン化ゲルマ
ニウム、等々のカス状態の或いはガス化し得る物質も有
効なｇＩＪｌの層（Ｇ）形成用の出発物質ととして挙げ
るリシが出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む／＼ロゲン化物は、
第１の層（Ｇ）形成の際に層中に７Ｘロゲノ原Ｔの導入
と同時に電気的或いは光電的特Ｈの制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原ネ４として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
−［−記の他にＨ２，或いはＳｉＨ４゜５ｉ２ＨＢ　、
５ｉ３ＨＢ　、５ｉ４）ＩＨ等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、ＧｅＨ４゜Ｇｅ２　Ｈ６、Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ
４　ＨｌＯ，Ｇｅ５Ｈ１２・Ｇ　ｅ８　Ｈ１４’、　Ｇ
　ｅ７　Ｈ１８−Ｇ　ｅ８　Ｈ１８゜Ｇｅ９Ｈ２０等の
水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又は
シリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でもイ１う嘱が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）のに又にはＱ　、　１〜２５　ａｔ
　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

：１Ｉｊｌの層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の嵯を制御するには、例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロケ
ア原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば
良い。

本発明に於いて、ａ−５ｉ（）Ｉ、Ｘ）で構成される第
２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）
形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガ
スとなる出発物質を除いた出発物質（第２の層（Ｓ）形
成用の出発物Ｗ（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ）
を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うこと
が出来る。

即ち、本発明において、ａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオノブレーティング法等の
放電現象を利用するｒｔ空空積積法よって成される０例
えば、グロー放電法によってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にしくする堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳＩで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋　Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｊｃ％、
よりｔｌｆ適にはＦｌ　〜３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、最
適には５〜２５＆ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に
導入して前記物質（Ｃ）の含有された層（ＰＮ）を形成
するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物質
或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室
中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に導入し
てやれば良い、この様な第■族原子導入用の出発物質と
成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少な
くとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発物
質として具体的には硼素原子導入用としては。

Ｂ２　Ｈ８・Ｂ４Ｈ１Ｏ・Ｂ５　Ｂ９　・Ｂ５Ｈ１］−
ＢＢ　Ｈ１Ｏ９Ｂｅ　ＨＩ２１Ｂｅ　Ｂ１４等の水素化
硼素、ＢＦ３．ＢＣｌ２．ＢＢ　ｒ３等の／＼ロゲン化
硼素等が挙げられる。この他、ＡＭＣ見３．Ｇ　ａ　Ｃ
ｌ　３゜Ｇａ　（ＣＨ３）３．Ｉ　ｎｃ１３．ＴＣ１３
等も挙げることが出来る。

ｒｆＳＶ族原子導入用の出発物質として、本発明におい
た有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ
３、Ｐ２　Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、
ＰＦ５　、ＰＣｌ３．ＰＣＪＬ５　。

ＰＢ　ｒ３．ＰＢ　ｒ５　、ＰＩ３等の／Ｘロゲン化燐
が挙げられる。この他、Ａ　ｓＨ３，Ａ　ｓ　Ｆ３．Ａ
　ｓ　Ｃｉ３゜Ａ　ｓ　Ｂ　ｒ３．Ａ　ｓ　Ｆ５．Ｓ　
ｂＨ３，Ｓ　ｂ　Ｆ３．Ｓ　ｂ　Ｆ５゜ｓｂｃ交３．Ｓ
ｂＣ交５．Ｓ　ｉ　Ｂ３．Ｓ　ｉ　Ｃ見３゜Ｂ　ｉ　Ｂ
　ｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることが出来る。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ　、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリＩｎ化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の暦が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ、Ａ文
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３。

５ｎ０２　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）等から成
る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、
ＮｌＣｒ、ＡｆＬ。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｊ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して
、その表面に導電性が付与される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望
によって、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光受容部材１００４を電子写真用光受容部材として使用
するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい、支持体の厚さは、所望
通りの光受容部材が形成される様に適宜決定されるが、
光受容部材として可撓性が要求される場合には、支持体
としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限
り薄くされる。同年ら、この様な場合支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、好ましくはｔｏｐ
以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例のす。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには。

本発明の光受容部材を形成するための原料ガスが密封さ
れており、その−例として例えば１１０２は、ＳｉＨ４
ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０３はＧｅＨ
４ガス（純度９９゜９９９％）ボンベ、１１０４はＳｉ
Ｆ４ガ　ス（純度９９．９９％）ボンベ、１１０５はＨ
２で稀釈されたＢ２Ｈ８Ｚガス（純度９９．９９９％、
以下Ｂ２Ｈ８／Ｈ２と略す、）ボンベ、１１０６はＨｌ
　ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉しられていることを確認し、
又、流入Ｉくルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１
１７〜１１２１、補助／ヘルプ１１３２．１１３３が開
かれていることを確認して、先ずメイン／＜ルブ１１３
４を開いて反応室１１０１．及び各ガス配管内を排気す
る０次に真空計１１３６の読みが約５ＸｌＯ−６ｔｏｒ
ｒになった時点で補助ｌくルブ１１３２，１１３３、流
出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ
４ガス、ガスポンベ１１０３よりＧｅＨ４ガス、ガスポ
ンベ１１０５よりＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス、ガスボンベ１１
０ＢよりＨ２ガスをバルブ１１２２．１１２３゜１１２
５．１１２６夫々を開いて出口圧ゲージ１１２７．１１
２Ｂ、１１３０．１１３１の圧を１Ｋｇ／Ｃｍ２に調整
し、流入／＜）レブ１１１２．１１１３，１１１５．１
１１６を徐々に開てて、マスフロコントローラ１１０７
．１１０８゜１１１１内に夫々を流入させる。引き続い
て流出バルブ１１１７，１１１８，１１２０，１１２１
、補助バルブ１１３２．１１３３を徐々に開いて夫々の
ガスを反応室１１０１に流入させる。この時のＳ　Ｉ　
Ｈ４ガス流量と、Ｇ　ｅ　Ｈ４ガヒ ス流量とＢ２Ｈ８／Ｈ２ガス流１ｔＡ）（２ガス流量の
比が所望の値になるように流出バルブ１１１７゜１１１
Ｂ、１１２０．１１２１を調整し、また、反応室１１０
１内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。

そして、基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８に
より５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていること
を確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定して
反応室１１０１内にグロー放電を生起させて基体１１３
７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所望の層圧に第１の
層（Ｇ）が形成された時点に於て、流出バルブ１１１８
を完全に閉じること及び必要に応じて放電条件を変える
こと以外は、同様な条件と手順に従って所望時間グロー
放電を維持することで、前記の第の層（Ｇ）上にゲルマ
ニウム原子が実質的に有されない第２のＭ　（Ｓ）を形
成することが来る。

第２の層（Ｓ）中に、伝導性を支配する物１（Ｃ）を含
有させるには、第２の層（Ｓ）のｊ成の際に１例えばＢ
２　Ｈｅ　、ＰＨ３等のガス。

堆積室１１０１の中に導入する他のガスに加。

てやれば良い。

この様にして、第１の層（Ｇ）と第２の１（Ｓ）とで構
成された光受容層が基体１１３’１、に形成される。

層形成を行っている間は層形成の均一化をＬるため基体
１１３７はモーター１１３９によ１一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

／／−’−−−〜 ■　実施例Ｉ 含　Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）Ｂ　
８０ｍｍ）を第２表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で電　加工した。（シ
リンダーＮｏ、２０１〜２０４）し　次に、第１表に示
す条ヂしで、第１１図の堆積ヒ　装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光少し　容部材を作製した。（試料
Ｎｏ、２０１〜２ｏ４）このようにして作製した光受容
部材の各層のテ　層厚を電子顕微鏡で測定したところ、
第２表７　（Ｎｏ、２０１〜２０４）　ノ！果ヲｌり。

これらの電子写真用の光受容部材について、く　第１３
図に示す画像露光装置（レーザー光の波Ｊ　長７８０ｎ
ｍ、スポット径８０終ｍ）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

／／ 実施例２ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ　、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第４表に示す条件で、ｗ４１２図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ：深さ）゛に示すように旋盤で加工した。（シリンダ
ーＮｏ、４０１〜４０４）次に、第３表に示す条件で、
第１１図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真
用光受容部材を作製した。（試＄４Ｎｏ、４０１〜４０
４）このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を
電子顕微鏡で測定したところ、第４表（Ｎｏ、４０１〜
４０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３ ＡＪＪ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、ＦＡ　（ｒ）８
０ｍ＋ｎ）を第６表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。（シリン
ダーＮｏ、６０１−６０４）次に、第５表に示す条件で
、第１１図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写
真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、６０１〜６ｏ
４）このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を
電子顕微鏡で測定したところ、第６表（Ｎｏ、６０１〜
６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０　ｎｍ　、
スボｙ　）１８０　ｇｍ）　テ画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例４ ＡＪＪ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（１８０ｍｍ
）を第８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ビッチ５Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加工した。（シリンダーＮｏ
、８０１〜８０４）次に、第７表に示す条件で、第１１
１Ｎの堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真用光
受容部材を作製した。（試料Ｎｏ、８０１〜８０４゛こ
のようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子ｍ
微鏡で測定したところ、第８表（Ｎｏ、８０１−８０４
）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について。

第１３図に示す画像露光装Ｗ（レーザー光の波長７８０
ｎｍ、スポット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例５ ）　Ａｎ支持体（長さく　Ｌ　）　３５７　ｍ　ｍ　、
　径（ｒ　）８０ｍｍ）を第７表に示す条件で、第１２
図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）シこ示すように旋盤で加工
した。

（シリンダーＮｏ、１００１〜１１０４）次に、第７表
に示す条件で、第１１図のＩｌｉ稙１　装置で種々の操
作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試ｌｌＮｏ、１ＯＯ１〜１００４）　。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１０表（Ｎｏ、１００ｆ−
１００４）の結果をｌ’ｉ　タ。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例６ ／Ｍｌ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第１２表に示す条件で、第１２図（Ｐ＋ピッチ、
Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンターＮｏ、１２０１〜ｌ　２０４）次に、第１
１表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手
順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試　ネ４Ｎｏ、１２０１　〜１２０４）　。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表（Ｎｏ、ｌ　２０１
−１２０４）　（７）結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例７ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１４表に示す条件で、第１２ｒＩ！３（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１４０１−１４０４）次に、第１３
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１４０１−１４０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表（Ｎｏ、１４０１〜
１４０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８’Ｏｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった喰 実施例８ Ａｎ支持体、（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ、８０ｍ
ｍ）を第１６表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１６０１〜１６０４）次に、第１５
表に示す条件で、ｗ４１１図の堆積装置で種々の操作手
順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１６０１〜１６０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１６表（Ｎｏ、１６０１〜
１６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例９ ＡＮ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１８０１〜１８０４）次に、第１７
表に不す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１８０１〜１８０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、１ｐＪ１８表（Ｎｏ、１８０
１〜１８０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１０ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２０表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２００１〜２００４）次に、第１９
表に示す条件で、第１１図の堆積！４′置で種々の操作
手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２００１〜２００４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２０表（Ｎｏ、２００１〜
２００４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波７７７８０　ｎ　ｍ
　、スポット径ａｏｇｍ）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１１ ＡＩｌ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）をｗ４２２表に示す条ヂしで、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加］した。

（シリンダーＮｏ、２２０１〜２２０４）次に、第２１
表に示す条件で、第１１１Ｎの堆積装置で種々の操作手
順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試　ネ４Ｎｏ、２　２　０　１　〜２　２　０　４）
　。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２２表（Ｎｏ、２２０１〜
２２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｋｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１２　状 ＡＱ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２４表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
＝深さ）に示すように旋盤で加圧した。

（シリンダーＮｏ、２４０１〜２４０４）次に、第２３
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２４０１〜２４０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２４表（Ｎｏ、２４０１〜
２４０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

施例１３ ＡＭ支持体（長さく　Ｌ　）　３５７　ｍ　ｍ　、　Ｐ
Ａ　（ｒ　）８０　ｍｍ）を第２６表に示す条件で、第
１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ；深さ）に示すように旋盤で加
工した。

（シリンダーＮｏ、２６０１〜２６０４）次に、第２５
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２６０１〜２６０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２６表（Ｎｏ、２６０１〜
２６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について。

第１３図に示す画ｆＩｌ′Ａ光装置（レーザー光の波長
７８０ｎｍ、スポット径８０鉢ｍ）で画像露光を行ない
、それを現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１４ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ　、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第２８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２８０１〜２８０４）次に、第２７
表に示す条件で１．第１ｆ図の堆積装置で種々の操作手
順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２８０１〜２８０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２８表（Ｎｏ、２８０１〜
２８０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０１Ｌｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった・ 実施例１５ 実施例１から実施例１４までについて、Ｂ２で３０００
ｖｏｌ　ＰＰｍに稀釈したＢ２　ＨＣｌ２）。

明 これらの電子写真用光受容部材について第１３図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｍｍ、スポット
径８０ＩＬｍ）で画像露光をものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 ｆｔＳ７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場
合と非平行である場合の反射光強度の比較の説明図であ
る。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）　（Ｂ）　（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の第１１図は、実施例１で用いたＡｌ支持体の表面状
態の説明図である。 第１２図は実施例で用いた光受容層の堆積装置ある。 １ｏｏｏ・・・・・・・・・・・・・旧・・光受容層１
００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＡＭ支持
体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・電荷
注入防止層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・
・・感光層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材の自由表面１３０１・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１３０２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー
１３０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレ
ンズ１３０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー１３０５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・露光装置の平面図１３０６・・・・・・・・・・
・・・・・・・・露光装置の側面図＋１１願人　キャノ
ン株式会社 イ立Ｊ１ 第５［２１ （Ｃ） Ｒ 手続補正書（自発） 昭和６０年２月１４日 昭和５９４「　特許願　第　５１４００　号２　発明の
名称 光受容部材 ３　補正をする者 −１（件との関係　特許出願人 化　１％　東京都大ｍ区下丸子３−３０−２４代理人　
＼〈忙← 居　所　ｍ１４６東京都人口１区下丸子３−３０−２Ｓ
、補正の対象 明細書 α補正の内容 （１）明細書第５６頁第３行の「第７表」を「第１０表
」と補正する。 （２）明細書第５６頁第７行の「第７表」を「第９表」
と補正する。 （３）　１ｊ１１細書第６６頁第２行乃至同第６行の「
実施例１から−・ｓｅｅ作製した。」の所を、［実施例
１から実施例１４１でＩどついて、　Ｈ２で稀釈したＢ
２Ｈ６ガスの代りにＨ２でＢ２Ｈ６の場合に比べて更に
１００倍に稀釈したＰＨｓガスを使用して、電子写真用
光受容部材を作製した０」と補正する。 （４）明細書第６７頁の第１表、第６９頁の第３表、第
７１頁の第５表、第７６頁の第７表、第７５頁の第９表
、第７７頁の第１１我、第７９頁の第１５表、第８５頁
の第１７表を夫々別紙の通〕補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体と／リコン原子とゲルマニウム原子とを含
   む非Ｎ質材料で構成された第１の層と、シリコン原子を
   含む非晶質材料で構成され、光導電性をバす第２の府と
   が前記支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層
   とを有し、前記第１の層及び第２の層の少なくとも一方
   に伝導性を支配する物質が含有されている光受容部材に
   於いて、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の
   非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
   な面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴
   とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材、５ （４）前記ショートレンジが０．３〜５００延である特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆■字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１１）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺締構造を有する特許請求の範囲第１Ｏ項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記螺締構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１１１．Ｑに記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   Ｖ分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
   の光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   頃に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピンチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （１８）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
   方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （１９）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
   方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
   項及び同第１８項に記載の光受容部材。 （２０）伝導性を支配する物質が同期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。 （２１）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。