JPS60213957A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応して変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応して転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは１パ
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半４体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１Ｑ１２Ωｃｍ以」−の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要＋１がある為に、層形成のコントロールを厳密に
行う必要がある等、光受容部材の設計に於ける１、′Ｉ
許容度ｉｑ成りの制限がある。

この設工１」−の許容度を拡大出来る、詰り、ある程１
■低暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来
る様にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１
７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５
７−４１７２吋公報に記載されである様に光受容層を伝
導特性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、
光受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７
−５２１７８号、同５２１７９す、Ｉｒｒｌ　５２１８
０号、同５８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１
号の各公報に記載されである様に支持体と光受容層の間
、又は／及び光受容層の」１部表面に障壁層を設けた多
層構造としたりして、見掛け−１−４の暗抵抗を高めた
光受容部材が提案されている。

この様な提案によって、Ａ　−Ｓｉ系光受容部材はその
商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光がり干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界、面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所ｉ！
ｉ’ｌ　、干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因
となる。殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合
には、画像の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

ｆｆ５１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層
に入射した光ＩＱと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ
１，下部界面ｌｏｔで反射した反射光Ｒ２を示している
。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入 λとして、ある層の層厚がなだらかに□以上　ｎ の層厚差で不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ
＝ｍ入（ｍはＭｌ、反射光は強め合う）と２　ｎ　ｄ＝
（ｍ　＋−）入（ｍは整数１反射光は弱め合う）の条件
のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量および透
過光量に変化を生しる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に、ｉｋ干＃編模
様に対ｊもした干渉縞が転写部材」―に転写、定着され
た可視画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をタイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１ｏｏｏｏＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーホン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えは特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干＃縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光によるｌ′−渉縞模様が残存することに加えて、支
持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりか
生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する６又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｉ系先光受
容を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
Ａ−３ｉ系先光受容形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のＡ−３ｉ光受容層の形成に悪
影響を与えること等の不都合さを存する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射ネれて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透
過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その−ｆτ
トは、光散乱されて拡散光Ｋｌ　、に２　、に３　・・
となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一
部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射
光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、
依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してノ％レージ！ンを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４（４に示
すように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第
１層４０２での反射光Ｒ２゜第２層での反射光Ｒ１，支
持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受
容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生しる。従っ
て、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表
面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止するこ
とは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面瓜に不均一性
があって、製造管理」二其合が悪かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。

又、中に支持体表面５０１を規則的に亮した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ−ｍ入また
は２　ｎ　ｄ　ｌ＝　（ｍ＋３／７）λが成立ち。

夫々明部または暗部となる。また、光受容層全体では光
受容層の層厚ｄ１、ｄ２、ｄ３、入 ｄ４の夫々の差の中の最大が一層１．である様ｎ な層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現欧合より一層複雑となる。

〔１１的〕 本発明の１」的は、前述の欠点を解消した光に感受性の
ある新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

未発１！１１の更に別の１」的は、画像形成時に現出す
る干渉縞模様と反転現像時のＤＩ点の現出を同１１１ｒ
にしかも完全に解消することができる光受容部利を提供
することでもある。

本発明のまた更に別の目的は、光受容部材の表面におけ
る光反射を低減し、入射光を効率よ〈利用できる光受容
部材を提供することでもある。

〔構　成〕

本発明の光受容部材は１反射防止機能を有する表面層と
シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で
構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶質材料
で構成され、光導・心性を示す第２の層とが支持体側よ
り順に設けられた多層構成の光受容層とを有し、前記第
１の層及び第２の層の少なくとも一力に伝導性を支配す
る物質か含イ１されている光受容部材に於いて、１ｉ１
１記光受霧光受容ョートレンジ内に１対以」−のＪ１平
行な界面を有し、該Ｊ１平行な界面が層厚方向と垂直な
面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴と
する。

以下、本発明を図面に従って其体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って、
１つ以上の光受容層を有する多層構成の光受容層を第６
図の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の層
厚がｄ５からｄ６と連続的に変化しているために、界面
６０３と界面６０４とは芽いに傾向きを有している。従
って、このＩｉ小部分（ショートレンジ）見に入射した
１＋（干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微
小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に、１＼す様に第１層７０１と第２層７０２
の界面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平
行であると、第７図の（Ａ）にボす様に入用光ＩＱに対
する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに
異る為、界＋ｎｉ　７０３と７０４とが平行な場合（第
７図のｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少す
る。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）　よりもＪｌ　
ｆ行な場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても七＃縞模
様の明暗の差が無視し得る程度に小さくなる。その結果
、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７＼ｃｔ６）でも同様に云える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、ｆｉ’、８図に示す様に、入射光Ｉ
Ｑ　に対して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、、Ｒ５
が存在する。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ。

より一層干渉効果を防Ｉ卜することか出来る。

又、微小部分内に於て生ずる−１渉縞は、微小部分の大
きさが照射光スポント（条より小さい為、即ち、解像度
限界より小さい為、画像に現われることはない。又、仮
に画像に現われているとしても眼の分解能リートなので
実質的には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポーット径をＬとすれば、文くＬで
ある。

又本発明の［１的をより効果的に達成する為には微小部
公文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、 λ ｄ５−ｄ６　≧　７１ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非・１１行な関係にある様に各
層の層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件
を満足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界
面が・］ｉ行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層の各層の形成に
は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ス
パッタ’）フグ法、が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃をイＩ
するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定
位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って
設計されたプログラムに従って回転させながら規則的に
所定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に
切削加工することで所望の凹凸形状、ピンチ、深さで形
成される。この様な切削加工法によって形成される凹凸
が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺線構造を有する。逆Ｖ字形突起部の螺
線構造は、二重、三重の多重螺線描造、又は交叉螺線描
造とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体」、に直接設けられる層と
の間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為
に逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様
に実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺
三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状７ｇで支持体表面に設け
られる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−５ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状ｙａ′、
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−８ｉ光受容層の層品質の低ドを招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設
定する必要がある。

：ｊＳ２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると
、画像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全
に行なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層１４５積上の問題点、電子写真法のプロセス
上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結
果、支持体表面の凹部のピンチは、＆ｆましくは５００
ｇｍ−０，３ｇｍ、より好ましくは２００　ｇｍ−１ｇ
ｍ、最適には５０ｇｍ〜５ＩＬｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｐｍ〜５　ｇ
　ｍ　、より好ましくは０．３ｇｍ〜３　ｐ、　ｍ　、
最適には０　、６　＃Ｌｍ、−２ｇｍとされるのが望ま
しい。支持体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範
囲にある場合、四部（又は線上突起部）の傾斜面の傾き
は、好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１
５度、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピ１．チ内で好ましくはＯ
，１４ｍ〜２　ｇ　ｍ　、より好ましくはＯ’、　ｌ　
ｐｍ　−１、５ｐｍ、最適には０．２ｐ−ｍ−１ｇｍと
されるのが望ましい。

反射防止機能を持つ表面層の厚さは、次のように決定Ｘ
れる。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、 か好ましいものである。

また、表面層の材料としては、表面層を堆積する感光層
の屈折率をｎａすると、 −ｎ　ａ の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２ＪＬｍとされるのが好適である。

木発明に於いて、反射防１１−機能を持つ表面層の材料
として有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ
２．Ａｌ１．０３．ＺｒＯ２゜ＴｉＯ２，ＺｎＳ、Ｃｅ
Ｏ２，ＣｅＦ２゜Ｓ　ｉＯ２，Ｓ　ｉＯ，Ｔａ２０５．
ＡＪＩＦ３゜ＮａＦ、Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物、無機
酸化物や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース
等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的几つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、へ着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法）。

光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採用される。

次に、木発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１Ｏ図は、本発明の好適な実施態様例である光受容部
材の層構成を説明するために模式的に示した模式的構成
図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由人血１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子及び又は、ハロゲン原子
とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ）１００２
と、必要に応して水素原子又は／及びハロゲン原子とを
含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと
略記する）で構成され、光導電性を有する第２の層（Ｓ
）１００３と反射防止の機能を有する表面層１００６と
が順に積層された層構造をイｆする。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層厚方向及び支持体
１００１の表面と平行な面内方向に連続的均一に分１１
ｉ　した状態となる様に前記第１の層（Ｇ）ｉＯ０２中
に含有される。

本発明の好適な実施態様例の光受容部材１００４に於い
ては、少なくとも第１の層（Ｇ）１００２に伝導特性を
支配する物質（Ｃ）が含有されており、第１の層（Ｇ）
１００２に所望の伝導特性がＪｊ−えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２に含有され
る伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）１
００２の全層領域に万遍なく均一に含有されても良く、
第１の層（Ｇ）１００２の一部の層に偏在する様に含有
されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい。殊に、第１の層（Ｇ）の支持
体側の端部層領域として前記層領域（ＰＮ）が設けられ
る場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記物質
（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応して適宜選択す
ることによって支持体から光受容層中への特定の極性の
電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性をＩＪｌ　（
Ｊ’ｕすることの出来る物￥Ｉ（Ｃ）を、光受容層の＝
・部を構成する第１の層（Ｇ）中に、前記したように該
層（Ｇ）の全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する
様に含有させるのが好ましいものであるが、更には、第
１の層（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ）中に１１１
記物質（Ｃ）を含イＪさせても良い。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される＋ｉｉｊ記物質（Ｃ
）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、第
２の層（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類やその含
有量、及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層（Ｓ）の
全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、その
一部の層領域に均一１こ含有させても良い。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）か含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とか、互いに接触する様に設けるのが望ましり＼。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、父、その含イ
１１−は各層重こ於１．）て、同しでも異っていても白
い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（’Ｇ　＞又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該
物質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）又は第
２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い
〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来
るものであるが、この様な物質としては。

所謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来
、本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ
−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与える
Ｐ型不純物及びｎ型伝導４．ν性を与えるｎ型不純物を
挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第ｍ族に族す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（ＩＩ素）　、　Ａ
　ｌ　（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イ
ンジウム）、Ｔｕ（タリウム）等があり、殊に好適に用
いられるのは、Ｂ。

Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ヒスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（Ｐ　Ｎ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することか出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有Ｓｌｌとしては、々ｆま
しくは０．０１〜５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ、よ
り好適には０．５〜ｌＸｌ０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適には、１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適
には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、較適には１００１
００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該
含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面が（モ極性に帯電処理を受けた際に
支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的に阻
止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前
記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が１÷
中極性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中
への止孔の注入を効果的に阻にすることが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、１００記層領域（
ＰＮ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ
）に含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性
とは別の伝導型の極性の伝導４￥性を支配する物質（Ｃ
）を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有
する伝導特性を支配する物質を層領域（Ｐ　Ｎ）に含イ
１させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有させ
ても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含イ１吊としては、層領域（Ｐ
Ｎ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じ
て所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましく
は、０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好適には０．０５〜５００ａｔ　ｏｍｉｃｐｐｍ、最適
には０．１−２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、７７（視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波
長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光
受容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状ｆ出は全層にゲルマニウム原子が連続的に分布してい
るので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に於け
る親和性に優れ、半導体レーザ等を使用した場合の、第
２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第
１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を一層効果的に防
屯することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

本発明において、第１のＰ：Ｉ（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、好
ましくは１〜９．５×１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、よ
り好ましくは１００〜８Ｘ１０５ａｔ＊ｍｉｃ　ｐ　ｐ
　ｍ、最適には５００〜７Ｘ１０５ａｔ　ｏｍｉｃｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

未発り１に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚丁日は、好ま
しくは３０人〜５０）ｂ、より＆Ｉ’ましくは、４０人
〜４０ｐ、最適には、５０人〜３０舊とされるのが望ま
しい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０川、より好ましくは１〜８０ｊＬ最適には２〜５０ル
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚１日と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔｓ＋Ｔ）としては、両層に要求される特性と光受
容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連性に
基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、適宜
決定される。

本発明の光受容部材に於いては、−］二記の（Ｔ　ｅ　
＋　Ｔ）の数（＋Ｃｉ範囲としては、好ましくは１〜１
００　ｌＬ、　ヨＬＪ　ｔｌｒ適には１〜８０ｐＬ、最
適には２〜５０．とされるのがＷましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚１日及び層厚Ｔとしては、通常はＴｅ／Ｔ≦１なる関
係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。

」−記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数（１ｅｉ
の選択に於いて、より好ましくは、Ｔ　ｓ／Ｔ≦０．９
．最適にはＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係か満足される様に
層厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもの
である。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量が、ｌＸ１ｌＸ１０５ａｊｏ　ｐｐ
ｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚丁巳としては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０用以
下、より好ましくは２５．以下、最適には２０川以下と
されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリングｌノ１．或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放′屯Ｄ、によってａ−Ｓ　ｉＧｅ　（
Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、
基本的には、シリコンｊ！−−子（Ｓｔ）を供給しイｌ
ＩるＳｉ−供給用の原料カスとゲルマニウム原子（Ｇｅ
）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて
水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし４４する
堆積室内に所望のカス圧伏ｙｎ；で導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面」二にａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法
で形成する場合には１、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性カ
ス又はこれ等のカスをペースとした混合ガスの雰囲気中
でＳｉで構成されたターゲット、或いは、該ターゲット
とＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又は
ＳｉとＧｅの７７シ合されたターゲットを使用して、必
要に応してＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供
給用の原料ガスを、必要に応して、水素原子（Ｉ（）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のカスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を
形成して前記のターゲットをスパッタリングしてやれば
良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）￥によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事か出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉＨ４＋Ｓ　ｉ　２Ｈ！３．Ｓ
　ｉ　３Ｈ９，Ｓ　１４Ｈ１０等のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業蒔の取扱い易さ、
Ｓｔ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，が
＆Ｔましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇ’ｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ。

Ｇ　ｅ　ａ　Ｈ１ｏ　、Ｇ　ｅ　５　Ｈ１２、Ｇ　ｅ　
６　Ｈ１４。

Ｇｅ　７Ｈ１６，Ｇｅ　ｅｌｌｓ、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガ
ス状態の又はガス化し１１する水素化ゲルマニウムか有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に層作成作業時
の取扱い易さ、Ｇｅ供給効・Ｖの良さ等の点で、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げ
られる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のカス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状ｆｇの又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明においてなｆ適に使用し得るハロゲン化合物とし
ては、具体的には、フン素、塩素、臭ふ、ヨウ素のハロ
ゲンカス、ＢｒＦ、Ｃ見Ｆ。

ＣｌＦ３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＨＦ３゜ＩＦ７．ＩＣ
ｕ、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る
。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、／＼ロケン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には１例え
ば、ＳｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６゜ＳｉＣ，Ｑ４．ＳｉＢｒ４
等のハロゲン化硅素か好ましいものとして挙げる事が出
来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料カスと共にＳｉを供給し
得る原料カスとしての水素化硅素カスを使用しなくとも
、所望の支持体」二にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
から成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、＾（本釣には、例えばＳｉ供給用
の原料ガスとなるハロケン化硅素とＧｅ供給用の原ネ゛
１ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等
のガス等を所定の混合比とカス流量になる様にして第１
の層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放７［を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得
るものであるか、水素原子の導入割合の制御を−・層容
易になる様に１図る為にこれ等のカスに更に水素ガス又
は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層
形成しても良い。

又、各カスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリングＵ１．イオンブレーティング法の何れの
場合にも形成される層中にハロゲン原ｆを導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のカス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれは良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

ＨＣｆＬ、ＨＢｒ、ＨＩ等（７）ハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ見２ＳｉＨＣ文３
，５ｉＨ２Ｂｒ２．ＳｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素
化硅素、及びＧｅＨＦ３ＧｅＨ２Ｆ２．ＧｅＨ３Ｆ、Ｇ
ｅＨＣｕ３゜ＧｅＦ２．Ｃ１２，ＧｅＨ３ＣＭ、ＧｅＨ
Ｂ’ｒ３ＧｅＨ２Ｂｒ２．ＧｅＨ３Ｂｒ、ＧｅＨＩ３゜
ＧｅＨ２Ｉ　２．ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
原子、ＧｅＦ４．ＧｅＣｌ４゜ＧｅＢｒ４．ＧｅＩ４．
ＧｅＦ２．ＧｅＣｕ２゜ＧｅＢｒ２．ＧｅＩ２等のハロ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し
得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質とと
して挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む／＼ロゲン化物は、
第１の層（Ｇ）形成の際に層Φに／＼ロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原ネ°ｌとして使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
」−記の他にＦ２、或いはＳｉＨ４゜Ｓ　ｉ　２Ｈｅ、
Ｓ　ｉ　３ＨＢ、Ｓ　１４Ｈｘｏ等の水素化硅素をＧｅ
を供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と
、或いはＧｅＨ４゜Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ、Ｇｅ４Ｈ
１０，’Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ　６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６
，Ｇｅ　ｅ）（ｔｅ。

Ｇｅ９Ｈ２０等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する
為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に）（
存させて放電を生起させる事でも行う１１１が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層（Ｇ）中に含有される水素ＢＫ　子（Ｈ）　（
７）　量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と／
Ｓロゲン原子の星の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０
１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０
ａｔｏｍｉｃ％。

最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の与、を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ’）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。

本発明に於いて、ａ　ｓ、　１　（Ｈ＋　Ｘ　）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の
層（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用
の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層
（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の
層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って
行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。゛例
えば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料カスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面一ににａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性カス又はこれ等のカ
スをヘースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成され
たターゲフトをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて形成される光受容層を構成する第２の層
（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）のｈ）−又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋　Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％
、より好適には５〜３０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、
最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされるのか望ましい
。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に
導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）を
形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発
物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆
積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に導
入してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出発物
質と成り得るものとしては、畠温常圧でカス状の又は、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出
発物質として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２
Ｈ６，Ｂ４１−１１０．Ｂ５Ｈ９゜Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ
１Ｏ，ＢＢ１−１１２．Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ３．ＢＣｌ３．ＢＢ　ｒ３等のハロゲン化硼素等が挙
げられる。この他、ＡｌＣｌ３．ＧａＣｌ３．Ｇａ　（
ＣＨ３）。

Ｉｎ０文３．Ｔｃ文３等も挙げることが出来る。　第Ｖ
族原子導入用の出発物質として、本発明においた有効に
使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，Ｐ２
Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３．ＰＦ５．ＰＣｌ
３゜ＰＣｌ５．ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．ＰＩ３等（７）ハ
ロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ　ｓＨ３。

ＡｓＦ３．Ａｓ０Ｍ３．ＡｓＢｒ３．ＡｓＦ５゜ＳｂＨ
３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ５，５ｂＣｕ３゜ｓｂｃ見５　、
Ｓ　ｉＨ３、Ｓ　１ｃｕ３．Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
１１又はシート。

ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えばカラスであれば、その表面にＮｉＣｒ。

ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ
（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄１１りを設け
ることによって導電性が伺グ、され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ　ｉＣｒ
、Ａｎ、Ａｇ、Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸漬、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が伺与される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光受容部材１
００４を電子写真用光受容部材として使用するのであれ
ば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容
部材が形成される様に適宜決定されるが、光受容部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。面乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、　ｋｒましくはｔｏｇ以」−と
される。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光受容部材の製造装置の一例を示す。図中の
１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の光受容
部材を形成するための原料カスが密封されており、その
−例として例えば１１０２は、ＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％）ボンベ、１１０３はＧｅＨ４ガス（純度９
９．９９９％）ボンベ、１１０４はＳｉＦ４ガス（純度
９９．９９％）ボンベ、１１０５はＨ２で稀釈されたＢ
２Ｈ６ガス（純度９９゜９９９％、以ＦＢ２Ｈ６，／Ｈ
２と略す。）ボンベ、１１０６はＨ２カス（純Ｗｔ９９
．９９９％）ボンベである。

これらのカスを反応室１１０１に流入させるにはガスポ
ンベ１１０２〜１１０６　ａ）ハル；ｆ１１２２〜１１
２６、リークバルブ１１３５が閉じられていることを確
認し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ
１１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が
開かれていることを確認して、先ずメインバルブ１１３
４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内をｖト気
する。次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０−６ｔｏ
ｒｒになった時点で補助／＜ルブ１１３２，１１３３、
流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７１に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ
４カス、カスボンベ１１０３よりＧｅ１（４ガス、カス
ポンベ１１０５よりＢ　２　Ｈ６／Ｈ２カス、カスポン
ベ１１０６よりＨ２ガスをバルブ１１２２゜１１２３．
１１２５．１１２６夫々を開いて出口圧ゲージ１１２７
．１１２−８．１１３０゜１１３１（７）川をｌ　Ｋ　
ｇ　／　ｃ　〜２に調整し、流入バルブ１１１２，１１
１３，１１１５．１１１６を徐々に開いてマスフロコン
トローラ１１０７゜１１０８．１１１０．１１１１内に
夫々を流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７゜１
１１８．１１２０，１１２１、補助バルブ１１３２．１
１３３を徐々に開いて、夫々のガスを反応室１１０１に
流入させる。この時のＳｉＨ４ガス流邦と、ＧｅＨ４ガ
ス流量とＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量とＨ２ガス流量の比が
所望の伯になる様に流出バルブ１１１７．１１１８゜１
１２０．１１２１を調整し、また、反応室１１０１内の
圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読みを見
ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。そして
、基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５
０〜４００°Ｃの範囲の温度に設定されていることを確
認された後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応
室１１０１内にグロー放電を生起させて基体１１．３７
上に第１の層（Ｇ）を形成する。所望の層圧に第１の層
（Ｇ）が形成された時点に於て、流出バルブ１１１８を
完全に閉じること及び必要に応して放電条件を変えるこ
と以外は、同様な条件と手順に従って所望時間グロー放
電を維持することで、前記の第１の層（Ｇ）上にゲルマ
ニウム原子が実質的に含有されない第２の層（Ｓ）を形
成することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させるには、第２の層（Ｓ）の形成の際に、例えばＢ
２Ｈ６，ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中に導入す
る他のガスに加えてやれば良い。

この様にして、第１の層（Ｇ）とｆｔ５２の層（Ｓ）と
で構成された光受容層が基体１１３７１、に形成ネれる
。

その後、製造装置内を十分に排気し、第２層（Ｓ）まで
形成した基本１１３７を製造装置から取り出す。

Ｈ２ガスをＡｒガスに取りかえ、製造装置を十分に詰掃
し、カソード電極上に表面層の材料の板を一面に接着す
る。そして、前記基体１１３７を製造装置内にセットし
、Ａｒガスを１０−３〜１０−２Ｔ　ｏ　ｒ　ｒに導入
し、所定の放電電力で表面層の材料をスパッタして、基
体１１３７　Ｊ−；に所定の層厚に堆積される。

層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため基体
１１３７はモーター１１３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍ’ｍ）を第２表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピン
チ、Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。（シリン
ダーＮｏ、２０１−２０４）次に、：ｔＳ１表に示す条
件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順に従って電
子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、２０１〜２
０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表（Ｎｏ、２０１〜２０
４）の結果を１’）た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐＬｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例２ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０　ｍ　ｍ　）を第４表に示す条件で、第１２図（Ｐ：
ピッチ、Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。（シ
リンダーＮｏ、４０１〜４０４）次に、第３表に示す条
件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順に従って電
子写真用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、４０１〜４
０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第４表（Ｎｏ、４０１〜４０
４）（７）結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　
、スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０　ｍ
　ｍ　）を第６表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。（シリンダ
ーＮｏ、６０１〜６０４）次に、第５表に示す条件で、
第１１図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真
用光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、６０１〜６ｏ４）
。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表（Ｎｏ、６０１〜６０
４）（７１！結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ＩＬｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例４ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加工した。（シリンダーＮｏ
、８０１〜８０４）次に、第７表に示す条件で、第１１
図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真用光受
容部材を作製した（試料Ｎｏ、８０１〜８ｏ４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第８表（Ｎｏ、８０１〜８０
４）　（７）結果を得た。

どれらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８αｎｍ、スポ
ット径８０１Ｌｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例５ ＡＭ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第７表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：
深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１００１Ｎｌ１０４）次に、第７表
に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順に
従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１００１〜Ｉ　Ｏ−０４）このようにして
作製した光受容部材の各層の層厚を電子ｍ微鏡で測定し
たところ、第１０表（Ｎｏ、１Ｏ０１−１００４）＋７
）結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例６ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１２表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋福で加工した。

（シリンターＮｏ、１２０１”１２０４）次に、第１１
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、ｌ　２０１−１２０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表（Ｎｏ、ｌ　２０１
−１２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０１ｍ、スポ
ット径８０７ｚｍ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例７ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１４表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１４０１−１４０４）次に、第１３
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１４０１−１４０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表（Ｎｏ、１４０１−
１４０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　
、スポット径８０終ｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例８ ＡＵ支持体（長さく　Ｌ　）　３５７　ｍ　ｍ　、　ｉ
’ｌ　（ｒ　）８０ｍｍ）を第１６表に示す条件で、第
１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加
工した。

（シリンターＮｏ、１６０１〜１６０４）次に、第１５
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１６０１＝１６０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１６表（Ｎｏ、１６０１＝
１６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０用ｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には］−渉縞模様は観察されず、実用に十分なもの
であった。

実施例９ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第１８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１８０１〜１８０４）次に、第１７
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１８０１−１８０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１８表（Ｎｏ、１８０１−
１８０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　
、スポット径８０ｊＬｍ）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た１画像には干渉縞模様は観察
されず、実用に十分なものであった。

実施例１０ Ａ’ｆｆｉ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、　径（ｒ）
８０ｔｎｍ）をｔｉｓ　２０表に示す条件で、５１２図
（Ｐ：ピッチ、Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した
。

（シリンダーＮｏ、２００１〜２００４）次に、第１９
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２００１〜２００４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２０表（Ｎｏ、２００１〜
２００４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波＆　７８０　ｎ　ｍ
　、スポット径８０ＩＬｍ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た４画像には干渉縞模様は観
察されず、実用に十分なものであった。

実施例１１ Ａｌ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を１２２表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２２０１〜２２０４）次に、第２１
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２２０１〜２２０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２２表（Ｎｏ、２２０１〜
２２０４）（７）結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１２ Ａｌ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第２４表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２４０１〜２４０４）次に、第２３
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２４０１〜２４０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２４表（Ｎｏ、２４０１〜
２４０４）（７）結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に１分なもので
あった。

実施例１３ Ａ文支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２６表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２６０１〜２６０４）次に、第２５
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２６０１〜２６０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２６表（Ｎｏ、２６０１〜
２６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第１３図に
示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　
、スポット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった・ 実施例１４ Ａ文支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０　ｍ
ｍ）を第２８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ：深さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２８０１〜２８０４）次に、第２７
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２８０１〜２８０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２８表（Ｎｏ、２８０１〜
２８０４）の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について。

第１３図に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０
　ｎ　ｍ　、スポット径８０＃Ｌｍ）で画像露光を行な
い、それを現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観察されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１５ 実施例１から実施例１４までについて、Ｂ２で３’０Ｏ
Ｏｖｏｌ　ｐｐｍに稀釈したＢ２Ｈ６ガスノ代りにＢ２
で３０００ｖｏｌ　ＰＰｍに稀釈したＰＨ３ガスを使用
して、電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２９０１〜２９１３） なお、他の作製条件は、実施例１から実施例１４までと
同様にした。

これらの電子写真用光受容部材について第１３図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｍ　ｍ、スポ
ット径８０川ｍ）で画像露光を行い、それを現像転写し
て画像を得た。いずれの画像にも干渉縞模様は観察され
ず実用に十分なものであった。

実施例１６ 第２の層まで、実施例１の試料Ｎｏ、２０１と同様な層
構成の光受容部材２２本を作製した。

その上に第２９表（条件Ｎｏ、２９０１〜２９２２）の
条件で表面層を各々堆積した。

これらの゛ｉＴｉ子写真用光受容部材について第１３図
に示す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ
　、スポット径８０ｋｍ）で画像露光を行い、それを現
像転写して画像を得た０画像には干渉縞模様は観察され
ず実用に十分なものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による七り
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面がモ行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持体の
表面状態の説明図である。 第ｉｏ図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１［’４は、実施例工で用いたＡＭ支持体の表面状
態の説明図である。 第１２図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第１３図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＡＩ
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
電荷注入防＋１７．層１００３・・・・・・・・・・・
・・・・・・・感光層１００４・・・・・・・・・・・
・・・・・・・光受容部材１００５・・・・・・・・・
・・・・・・・・・光受容部材の自由表面１００６・・
・・・・・・・・・・・・・・・・表面層１３０１・・
・・・・・・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部
材１３０２・・・・・・・・・・・・・・・用土導体レ
ーザー１３０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
ｆθレンズ１３０４・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ポリゴンミラー１３０５・・・・・・・・・・・・
・・・・・・露光装置の平面図１３０６・・・・・・・
・・・・・・・・・・・露光装置の側面図イＸＪ、。 第２図 イ立夏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）反射防止機能を有する表面層と支持体とシリコン
   原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
   た第１の層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
   れ、光導電性を示す第２の層とが前記支持体側より順に
   設けられた多層構成の光受容層とを有し、前記第１の層
   及び第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物質
   が含有されている光受容部材に於いて、前記光受容層が
   ショートレンジ内に１対以４二の非平行な界面を有し、
   該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一
   方向に多数配列している事を特徴とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００経である４
   、ν訂請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に゛記載の光受容部材。 （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に′記載の光受
   容部材。 （８）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺五角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１１）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造をイ１する特許請求の範囲第１０項に記載の光
   受容部材。 （１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１１項に記載の光受容部材６（１３）前記逆Ｖ字
   形線状突起がその稜線方向に於いて区分されている特許
   請求の範囲第６項に記載の光受容部材。 （１４）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている４￥訂請求の範囲第１０項に記
   載の光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する４￥詐請求の範囲第
   ５項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲ｉ１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （１８）第１の層及び第２の層の少な′くともいずれか
   一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。 （１８）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
   方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
   項及び同第１８項に記載の光受容部材。 （２０）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。 （２１）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。