JPS60221761A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ｉ（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜Ｂ２Ｏｎｍの発光波長番有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
梅類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点て
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒ　Ａ　−、ＳｉＪと略記する）から
放る光受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ　−ｓｔ層とすると、
その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求され
る工０　Ω譚以上の暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成シ
の制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰シ、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えは、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とした多し
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。

この様な提案によってｍＡ−８ｔ系光受容部材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー元照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がおる。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少しているので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第一図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光■。と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ９を示している。

層の平均層厚をｄ１屈折率をｎ１光の波長をλ層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ□、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍ
は整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋Ｔ）λ（
ｍは整数、反射光は弱や合う）の条件のどちらに合うか
によって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を生
じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層が起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１０００ＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）アルミニウム支
持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブラ
ストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体表
面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５７
−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様Ｏ発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
要部での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりがへし
、実質的な解１象度低下の要因になっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度でり。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ　−Ｓ
ｉ層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成
される光受容層０層品質が著しく低下すること、樹脂層
がＡ−ＳｉＪ−形成の際のプラズマによってダメージを
受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態
の悪化によるその後のＡ−８ｉ層の形成に悪影響を与え
ること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光重。は、光受容層３０２０表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容量３０２の内部に進入して透過光量１となる。透
過光量、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に工、に２．に３・・となシ、残
シが正反射されて反射光Ｒ２となシ、その一部が出射光
Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ１と干
渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然として
干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１０表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーシロンを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２ｒ第２層での反射光Ｒ
１＋支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防する
ことは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて比較的大き
な突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大き
な突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因となっ
ていた◎又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場
合、第５図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹
凸形状に沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持
体５０１の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜
面とが平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ　１＝１７１
２’ｉｊたは２　ｎ　ｄ　１　＝　（ｍ−１−１／２）
λが成立ち、夫夫明部または暗部となる。また、光受容
層全体では光受容層の層厚ｄ　１　＋　ｄ　２　＋　ｄ
３　＋　ｄ　４の夫々の差の中の最大が２’ｎ以上であ
る様な層厚の不均一性がおるため明暗の縞模様が現われ
る。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合よシ一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のお
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもおる
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことである。

本発明の更にもう１つの目的は、層厚が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像厚の高い、高本発明の更に他
のもう１つの目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第
２の層と反射防止機能を有する表面層とが支持体側よシ
順に設けられた多層構成の光受容層とを有する光受容部
材に於いて、前記第１の層及び前記第２の層の少なくと
も一方に伝導性を支配する物質が含有され、該物質が含
有されている層領域に於いて、該物質の分布状態が層厚
方向に不均一であると共に前記光受容層がショートレン
ジ内に１対以上の非平行な界面を、有し、該非平行な界
面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配
列している事を％徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よシも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の−Ｓに
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５か
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）ｔに入射した可干渉性光は、
該微小部分ｔに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生
ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２自由表面７０４とが非平行であ
ると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光量。に対する反
射光Ｒ工と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ（Ｂ
）ｊ）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）ｌ　）よシも非平行な場
合（「（４）」）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が
無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の入
射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均一（ｄ７＼ｄａ　）であっても同様に云
える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図
の「（２）」参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉｇに対
して、反射光Ｒ１−Ｒ２・Ｒ３・Ｒ４・Ｒ５が存在する
。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明し／ヒこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での・
相釆効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成す
る層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止す
ることが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、！≧Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
Ｅに於ける層厚の差（ｄ　５−ｄ　６　鉱、照射光の波
長をλとすると、 λ ｄ５−ｄ６≧□ ｎ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於て・は、多層構造の光受容層の微小部分ｌの
層厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくと
もいずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層
の層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を
満足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面
が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面ケ形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が。

λ □　（ｎ：層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成するシリコン原子とゲルマニウム原子を
含む第１の層とシリコン原子を含む第２の層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ４光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法スパッタリ
ング法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。

この様な切削加工法によって形成される凹凸が作り出す
逆■字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸を中心に
した綿線構造を有する。逆■字形突起部の綿線構造は、
二重、三重の多重綿線構造、又は父叉螺締構造とされて
も差支えない。

或いは、螺締構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と支持体と該支持体上に直接設けられる層との間
の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に逆
Ｖ字形とされる７５ζ好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各デイメンシヨンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−８ｉ層は。

層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態
に応じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−８ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンシロンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉・縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ
〜０．３μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最
適には５０μ＋ｎ　〜５μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ最適には０．６μ
ｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部の
ピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は
線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０
度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０
度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μｍ〜２μｍ、よ抄好ましくは０．１μｍ〜１．５
μｍ１最適には０．２μｍ〜１μｍとされるのが望まし
い。

反射防止機能を持つ表面層の厚さは、次のように決定さ
れる。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長をλとす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは λ、 が好ましいものである。

また、表面層の材料としては、表面層を堆積すｎ　＝　
Ｖ１５− の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波梃が近赤外から可視光の波酪域にあるもの
として０．０Ｓ〜２μｍとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例え　・ば、ＭｇＦ
２．　ＡＪ２０３．　ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，ＺｎＳ、　
ＣｅＯ２，ＣｅＦ２．５ｉ０２Ｓ　ｆ　Ｏ，Ｔａ　２０
５．　ＡＪＦ　３．　ＮａＦ、　Ｓ　ｉＮ４等の無機弗
化物、無機酸化物や無機窒化物、或いは、ポリ塩化ビニ
ル、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニソデン
、メラミン樹脂、エポキ７樹脂、フェノール樹脂、酢酸
セルロース等の有機化合物が挙げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スノくツタリング法、プラズマ気相
法（ＰＣＶＤ法）光ＣＶＤ法。

熱ＣＶＤ法、塗布法が採用される。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム赤子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶材料で構成され、
光導電性を示す第２の層とが支持体側より順に設けられ
た多層構成となっているため極めて優れた電気的、光学
的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示
すＯ 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお少高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得るととができる。

更に、本発明の光受容部材は、全同視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光受容部材に就て詳細に
説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上、光受容層１０００を有し、
該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面に
鳴している。

光受容量１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）とを含有するａ　−Ｓ　ｉ（以後「ａ　−５ｉＧｅ
（Ｈ，ｘ）Ｊと略記する）で、構成された第１の層（Ｇ
）１００．２．と必要に応じて水素原子又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）とを含量するａ−５ｉ（以後ｒ　ａ−ｓ
ｉ（Ｈ，ｘ　）　Ｊと略記する）で構成され、光導電性
を有する第２の層（Ｓ）１００３と反射防止覇能を有す
る表面層１００６とが順にｆ＊層された層構造を肩する
。第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の層（Ｇ）１ｏ０２の層厚方向及び支持
体の表面と平行な面内方向に連続的であって且つ均一な
分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含
有される。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１００
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており、
該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与えら
れている。

本発明に於いそは、第１の層（Ｇ）１００２又は／及び
第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）は、物質（Ｃ）が含有される層の全層領域
に含有されても良く、物質（Ｃ）が含有される層の一部
の層領域に偏在する様に含有されても良い。

しかし、いずれの場合に於いても、前記物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＰＮ）に於いて該物質の層厚方向の分
布状態は不均一とされる。諸り、例えば、第１の層（Ｇ
）の全層領域に前記物質（Ｃ）を含肩させるのであれば
、第１の層（Ｇ）の支持体側の方に多く分布する様に前
記物質（Ｃ）が第１の層（Ｇ）中に含有される。

この様に層領域（ＰＮ）に於いて、前記物質（Ｑの層厚
方向の分布濃度を不均一にすることで、他の層との接触
界面での光学的、電気的接触を良好にすることが出来る
。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられる。その都度、所望に応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層（Ｇ）に
於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、第２
の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ましい。

又、第１の層（Ｃ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）と忙於
いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有量
は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍収本発明に於いては、各層に含有される前記物質（
Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層（
Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性の
異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有させ
るのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）中に、伝導特性を
支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質（
Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）の又は第２の
層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の
伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来るも
のであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ−５ｉ（Ｈ
，Ｘ）又は／及びａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）に対してＰ
型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を与え
るｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■素）、Ａ
Ｊ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）Ｉ　ｎ、　（イ
ンジウム）、Ｔｊｌ（タリウム）等があり殊に好適に用
いられるのは、ＢＱａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）１例えばＰ（燐）Ａｓ　（砒素）ｓｂ（アン
チモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり殊に、好適に用い
られるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃｐｐｍ１より好適に
は０．５〜ｌＸｌ０　ａｔｍｉｃｐｐｍ、最適には、１
〜５ｘｉｏ　ａｉｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい
。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適
には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１
００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えば該
含有させる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場合には、
光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支
持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的に阻止
することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記
のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が○極性
に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中への正
孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有させ
ても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝導特性
を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量
よりも一段と少ない量にして含有させても良いものであ
る。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
、０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好
適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適に
は０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望
まし〜）。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所趙空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けてＦＡ開ｐ−ｎ接合を形成して、空
乏層を設けることが出来る。

第１１図乃至第１９図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＰＭ）中に含有される伝導性を支配する物質
（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１１図乃至第１９図において、横軸は物質（Ｃ）の分
布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置を示す。即
ち、物質（Ｃ）の含有される第１の層（Ｇ）はｔＢ側よ
りｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）に含有される物質（Ｃ）
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、物質（Ｃ）の含有される第
１の層（Ｇ）が形成される表面と該第１の層（Ｇ）の表
面とが接する界面位置ｔＢよりｔＩの位置までは、物質
（Ｃ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値を取り乍ら物質
（Ｃ）が形成される第１の層（Ｇ）に含有され、位置ｔ
１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては物質（
Ｃ）の分布濃度ＣはＣ２とされる。

第１２図に示される例においては、含有される物質（Ｃ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的玲減少して位置ｔＴにおいて濃度
Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、物
質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的の減少さ
れ、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている。（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第１４図の場合には、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々
に減少され、位置ｔ１において実質的に雰とされている
。

第１５図に示す例に於いては、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢと位置Ｃ３間においては、濃度Ｃ９と一定
値であり、位置ｔＴに於いては濃度ＣＩＧとされる。位
＃ｔ３と位＃ｔ、との間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位Ｉｆ
ｔＢより位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り、位
置ｔ４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２より濃度’ＣＩ３
まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４より実
質的に雰に至る様に一次関数的に減少している。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は物質（Ｃ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より濃度Ｃ］
６まで一次関数的に減少され１位置ｔ５と位置ｔＴとの
間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示され
ている。

第１９図に示される例において、物質（Ｃ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であり位置ｔ６　に
至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっくりと減少さ
れ、ｔ６　の位置付近においては、急激に減少されて位
置ｔ６では濃度０１ｇとされる。

位置ｔ６　と位＃ｔ７との間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位Ｆｊ
ｔｙ　で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７　と位置ｔ８　と
の間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８
　において、濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔＴと
の間においては濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、層領域（ＰＮ）に
含有される物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典型例の
幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側に
おいて、物質（Ｃ）の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べ
て可成り低くされた部分を有する物質（Ｃ）の分布状態
が第１の層（Ｇ）又は第２の層（Ｓ）に設けられるのが
望ましい。

本発明における光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層（Ｇ）又は第２の層（Ｓ）は好ましくは上記
した様に支持体側の方に物質（Ｃ）が比較的高濃度で含
有されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は、第１１図乃至第１
９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又５層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）′中には、ゲルマニウム原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、可視光領域をふくむ比較的ものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の層
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層７（Ｇ）
と第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜状められるが、好ましくは１
〜９．５　Ｘ　１０５ａｔｏ１０５ａｔｏ、より好まし
くは１００〜８．Ｘ　１０　ａ　ｔｏｍｉｃｐｐｍＴｈ
最適には５００〜１．７Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要があるっ 本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、〜４０
μ、最適には、５０λ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μ
とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（ＴＢ十Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基づいて、光受容部材の層設針の際に所望に従って
、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９％最適には
ＴＢ／Ｔ〈０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏ１０５ａｔ
ｏ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ネしくは３０μ以
下、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下と
されるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には。

フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、
塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，
Ｘ　）で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基
本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ
、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
ａ　５ｉＧｅ（ＨＩＸ）から成る層を形成させれば良い
。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ％Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットと
Ｇｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又はＳ
ｉとＧｅの混合されたターゲットを使用してスパッタリ
ングする際、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆
積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスき成り
得る物質としては＋　Ｓ　ｉＨ４１Ｓ　ｉ　２Ｈ６。

Ｓ　ｉ　３Ｈｇ　、Ｓ　ｉ　４Ｈ１ｏ等のガス状態の又
ガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用され
るものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易
さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，５ｉ２Ｈい
が好ましいものとして挙げられる。

ｏｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４＋　Ｇｅ　２Ｈ６％　Ｇｅ　３Ｈｇ　、Ｇｅ　４Ｈ１
０，ｏｅ５　Ｈ１２％Ｇ、ｅ　６Ｈ１４１Ｇｅ７Ｈ１６
、ＧｅｇＨｌｇ　、　ＧｅｇＨ２０等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｇｅ供給効率の良さ等の点で＊　ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６
，Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多（のハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、史には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、）・ロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものととして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フン素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、Ｂ　ｒ　Ｆ　、　Ｃｔ　Ｆ　、
　ＣｔＦ　３ＢｒＦ５．ＢｒＦ３　、ＩＦ３．ＩＦ７．
ＩＣｚ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を皐げることか出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ・ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
５ＩＦ４，５１２Ｆ６，５ＩＣｔ４゜ＳｉＢｒ４等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出来る。

〜部材を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共
にＳｉを供給し得る原料ガスとしての水素硅素ガスを使
用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ
−８ｉＧｅから成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳ１供給用の
原料ガスとなるノ・ロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡ　ｒ　＋　Ｈ２、Ｈｅ
等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第
１の層（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって、所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成し得
るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層溶易
になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水
素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層構成
しても良い。

又、各ガスは単独棟のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−８ｉＱｅ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層領域
（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合
にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いは８ｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法或いはエレクト
ロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行
う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硼素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、ＨＣｌ。

ＨＢ　ｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉ）（２１
ｉ”２゜Ｓ　Ｉ　Ｈ２■　２　、　Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｃｔ　
２　、　Ｓ　Ｉ　ＨＣｔ　３　。

８ｉＨ２’Ｂｒ２．８ｉＨＢｒ３　、等のハロゲン置換
水素化硼素、及びＧｅＨＦ３．ＧｅＨ２Ｆ２゜ＧｅＨ３
Ｆ、ＧｅＨＣｔ３．ＧｅＨ２Ｃｚ２゜ＧｅＨａＣｔ、Ｇ
ｅＨＢｒ　３　、ＧｅＨ２Ｂｒ　２　。

Ｇ　ｅ　Ｈ３Ｂ　ｒ　、　Ｇ　ｅ　ＨＩ　３　ｅ　Ｇ　
ｅ　Ｈ２Ｉ　２　。

ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素
原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４＊
ＧｅＣｔ４．ＧｅＢｒ４．ＱｅＩ４１ＧｅＦ２＋ＧｅＣ
ｔ２　＋ＧｅＢｒ２．ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニ
ウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効
な第１の層（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出
来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、８
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２、或いはＳ　ｒ　Ｈ４＋Ｓ　ｉ　２Ｈ６
，Ｓ　ｉ　３Ｈ８，Ｓ　ｉ　、Ｈｌ。等の水素化硅素を
Ｇｅを供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合
物と、或いは、Ｇ　ｅ　Ｈ４，Ｇ　ｅ　２Ｈ６゜Ｇ　ｅ
　３　ＨＢ　＋　Ｇ　ｅ４　Ｈｓｏ　、　Ｇ　ｅ　Ｂ　
Ｈ１２１Ｇｅａ　Ｈ１’＋Ｇｅ　、Ｈｔｇ、　Ｇｅ　、
　Ｈ’、、１．　Ｇｅ　、　Ｈ２゜等の水素化ゲルマニ
ウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコン化合物
とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う
事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はノ・ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロ
ゲン原子の量の和（、Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１
〜４０ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には０．０５〜３０ａ
　ｔ　ｏｍｉ、ｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（、Ｉ）の中より、Ｇ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質口Ｄ〕を使用して、第１の層（Ｇ）を形成
する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが出来
る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（８）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）、導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ　−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒ。

Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混
合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパ
ッタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に
導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２層
（８）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（
Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃチ、よ
シ好適には５〜３゜ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃチ、最適に
は５〜２　Ｓ　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ優とされるのが
望ましい。

光受容層を構成する層中に伝導特性を制御する物質（Ｃ
）、例えば第１族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入
して海記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）を形成
するには、層形成の際に第１族原子導入用の出発物質或
いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、各層を形成する為の他の出発物質と共に導入してや
れば良い。この様なＨ’　Ｉ族原子導入用の出発物質と
成シ得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少な
くとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。その様な第１族原子導入用の出発物
質として、具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ
６，Ｂ４Ｈ，。、Ｂ５Ｈ，。

Ｂ　ｓＨｎ、Ｂ　６Ｈ１０；　Ｂ　６Ｈ１２−Ｂ　６Ｈ
１４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＯｎ　、、ＢＢｒ　３
．等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｆｉ
Ｏｆｉ３１Ｇａｏ１３．Ｇａ（Ｇ！Ｈ３）　３．ｌＮ０
ｎ３゜Ｔｕｒｎ３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ。

ＰＦ３．ＰＦ、、ＰＯｉ３．’ＰＣＩ＋、、ＰＢｒ３゜
Ｐ　Ｂ　ｒ　ｓ　、Ｐ　Ｉ　ｓ等のハロゲン比隣が挙げ
られる０この他、Ａ　ｓ　Ｈｓ　、　Ａ　ｓ　Ｆ　３　
、　Ａ　ｓ　Ｏ１３、Ａ　５Ｂｒ３．ＡｓＦ、、ＳｂＨ
３，ｓｂＦ、、５ｂｏｆ３゜５ｂｃ１．、　Ｂｉ）（３
，Ｂ１０ｎ−、、Ｂ１Ｂｒ３゜等も第Ｖ族原子導入用の
出発物質の有効なものとして埜げることか出来る。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、Ｎｉ０ｒ、ステンレス、Ａｎ。

Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ　ｉ、Ｐ　ｔ。

Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ１Ｃｒ　＋
　Ａｔ＋　Ｃｒ　＋　ＭＯ＊　Ａｕ＋　Ｉｒ　＋　Ｎｂ
＋Ｔａ、Ｖ、Ｔｊ　、Ｐｔ　、Ｐｄ、Ｉｎｔ　Ｏｓ　、
５ｎＯｔ。

Ｉ　Ｔｏ　（Ｉ　ｎ　２０ｎ　＋Ｓｎ　Ｏｘ　）等から
成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或い
はポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば
、Ｎｉ　Ｃｒ　、Ａｄ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ。

ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００４を電
子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成
される様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性
が要求される場合には、支持体とじての機能が充分発揮
される範囲内であれば可能な限り薄（される。面乍ら、
この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点から、好ましくは１０ｓ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２０図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成するための原料ガスが密封されており、
その−例としてたとえば２００２は、５ｉＨａガス（純
度９９．９９９％、以下５ＩＨ４と略す）ボンへ、２０
０３はＧ　ｅ　Ｈ４ガス（純度９９．９９９９６．以下
ＧｅＨ，と略す）ボンベ、２００４は５ＩＦ４ガス（純
度９’９．９９％、以下Ｓ　ｉＦ　４　と略す）ボンベ
、２００５はＢ２で稀釈されたＢ！Ｈａガス（純度９９
．９９９％。

以下Ｂ＊Ｈａ／Ｈｔと略す）ボンベ、２００６はＨ，ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００６のバルブ２ｏ２２〜２０２６、
！Ｉ−クバルブ２ｏ３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ２０１２〜２０１６、流出バルブ２０
１７〜２ｏ２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を
開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計２０３６の読みが約５　Ｘ　１０　’ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ２０３２，２０３３、流出
バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２よりｓｔｎ
、ガス、ガスポンへ２ｏｏ３ヨリＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００５よりＢ　２　Ｈａ　／　Ｈｔガス、２００
６よりＨｚ　カフ、をバルブ２０２２．２０２３゜２０
２５．２０２６を開いて出口圧ゲージ２０２７゜２０２
８．２０３０．２０３１の圧を１　ｋｇ　／　ｃｎｌに
調整し、流入バルブ２０１２．　２０１３．　２０１５
゜２０１６を徐々ニ開ケて、マスフロコントローラ２０
０７．２００８，２０１０．２０１１内に夫夫流入させ
る。引き続いて流出バルブ２０１．７゜２０１８、　２
０２０．　２０２１．　補助バルブ２０３２゜２０３３
を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に流入させ
る。このときの５ＩＨ４ガス流量、ＧｅＩ（４ガス流量
、ＢＩＨｓ／Ｈｚガス流量、Ｌ　Ｈｔガス流量の比が所
望の値になるように流出バルブ２０１７　。

２０１８．２０２０．２０２１を調整し、また、反応室
２００１内の圧力が所望の値になるように真空計２０３
６の読みを見ながらメインバルブ２０３４の開口を調整
する。そして、基体２０３７の温度が加熱ヒーター２０
３８により５０〜４００°Ｃの範囲の温度に設定されて
いることを確認された後、電源２０４０を所望の電力に
設定して反応室２００１内にグロー放電を生起させ、同
時にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＧ　ｅ　
Ｈ４ガスの流量を手動ある−いは外部駆動モータ等の方
法によってバルブ２０１８の開口を漸次変化させる操作
を行って形成される層中に含有されるゲルマニウム原子
の分布濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の層（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。又、第１の層（Ｓ）及び第２
の層（Ｇ）の各層には、流出バルブ２０２０を適宜開閉
すること、硼素を含有させたり、含有させなかったり、
或いは各層の一部の層領域にだけ硼素を含有させること
も出来る。

上記第２の層（Ｓ）まで形成した光受容部材上に、スパ
ッタリング法で表面層は形成される。

第２０図の装置でカソード電極上に表面層の材料を一面
にはり、またＨ、ガスをＡｒガスに取りかえる。次に装
置内に第２の層（Ｓ）まで形成した光受容部材を設置し
、装置内を十分に排気し、Ｎガスを所定の内圧まで導入
する。そして所定の高周波電力を導入して、カソード電
極上の材料をスパッタリングし第２の層上に表面層を形
成する。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
２０３７はモーター２０３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 旋盤で、Ａｔ支持体を第１表のＮα１０１の表面性に加
工した。　゛ 次に、第２０図の堆積装置を使用し、第２表に示す条件
で種々の操作手順にしたがって、Ａ−３ｉ系電子写真用
光受容部材を前述のＡ７支持体上に堆積した。

このようにして作製したＡ−Ｓｔ系電子写真用光受容部
材の層厚分布を電子顕微鏡で測定したところ、平均層厚
差は、第１の層の中央と両端で０．１第２の層で０．３
μｍであった。

以上のような電子写真用の光受容部材について、第２６
図に示す装置（レーザー光の波長７８Ｑｎｍ。

スポット径８０μｍ）で、画像露光を行い、それを現像
、転写して画像を得た。画像には、干渉縞模様は観察さ
れず、実用に十分なものであった。

実施例２ 実施例１と同様に、旋盤で、Ａｌ支持体を第１表のＮａ
　１０２の表面性に加工した。

次に、第２０図の膜堆積装置を使用し、第３表に示す条
件で、実施例１と同様な操作手順にしたがって、Ａ−３
ｉ系電子写真用光受容部材を前述の、ｋｌ支持体上に堆
積した。

このようにして作製したＡ−３ｉ系電子写真用光受容部
材の層厚分布を電子顕微鏡で測定したところ、平均層厚
差は、第１の層の中央と両端で０．１の層で０．３μｍ
であった。

以上のような、電子写真用の光受容部材について、第２
６図に示す装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０μｍ）で画像露光を行い、それを現像、転写し
て画像を得た。画像には干渉縞模様は観測されず、実用
に十分なものであった。

実施例３ 実施例１と同様に、旋盤で、Ａｌ支持体を第１表のＮα
１０３の表面性に加工した。

次に、第２０図の膜堆積装置を使用し、第４表に示す条
件で、実施例１と同様な操作手順にしたがって、Ａ−８
ｉ系電子写真用光受容部材を前述のＡｉ支持体上に堆積
した。

このようにして作製したＡ−Ｓｉ系電子写真用光受容部
材の層厚分布を電子顕微鏡で測定したところ、平均層厚
差は第１の層の中央と両端で０．６μｍ、第２の層の中
央と両端で２μｍであり、また、微小部分の層厚差は第
１の層で０，１μｍ、第一　２の層で０．３μｍであっ
た。

以上のような電子写真用の光受容部材について、第２６
図に示す装置（レーザー光の波長７８Ｑｎｍ。

スポット径８０μｍ）で画像露光を行い、それを現像、
転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観測されず
、実用に十分なものであった。

実施例４ 実施例１と同様に旋盤でＡｔ支持体を第１表のＮα１０
４の表面性に加工した。

次に、第２０図の膜堆積装置を使用し、第５表に示す条
件で、実施例１と同様な操作手順にしたがって、Ａ−３
ｉ系電子写真用光受容部材を前述のＡｌ支持体上１こ堆
積した。

このようにして作製したＡ−Ｓｔ系電子写真用光受容部
材の層厚分布を電子顕微鏡で測定したところ、平均層厚
差は、第１の層の中央と両端で０．８μｍ、第２の層の
中央と両端で２μｍｎであり、又、微小部分の層厚差は
第１の層で０．１５／１ｍ、第２の層で０．３μｍであ
った。

以上のような電子写真用の光受容部材について、第２６
図に示す装置（レーザー光の波長７８０ｎ　ｍ。

スポット径８０μｍ）で画像露光を行い、それを現像、
転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず
、実用に十分なものであった。

実施例５ Ａｌ支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ　＋径（ｒ）８０
韻）ヲ第７表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第６表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材全作製した（
試料座７０１〜７０４）。

なお、硼素含有層は、Ｂ２Ｈ６／ｌ−１２の流量を第２
２図のようになるように、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２のマスフロコ
ントローラー２０１０’にコンピューター、（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第７表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画像露光装置ぐレーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０μｍ）で画像露光全行ない、それ全現像、転
写して画像金得た。画像には干渉縞模様は観察されず、
実用に十分なものであった。

実施例６ Ａｌｌ支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ　＋径（ｒ）ｓ
。

ｍｍ）を第９表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第８表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した（
試料１ＩＶｋＬ９０１〜９０４）。

なお、硅素含有層は、Ｂ　ｚ　Ｈｓ　／　Ｈ２の流量を
第２３図のようになるように、Ｂ　２　Ｈｓ　／　Ｈ２
のマスフロコントローラー２０１０ｉコンピユーターＨ
Ｐ９８４５Ｂ）により制御して形成した。

このよ５１ＣＬで作製した光受容部材の各層の層厚を電
子顕微鏡で測定したところ、第９表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画１象露光装置（レーザー光の波長７３　Ｑ　ｎ　
ｍ　、スポット径８０μｍ）で画像露光を行ない、それ
を現像、転写して画像を得た。画像には干渉縞模様は観
察されず、実用に十分なものであった。

実施例７ ｋｌ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ　）　８０
ｍｍ）ｆ第１１表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ビ・ソ
チ、Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１０表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料１’ｌｈｌ　１０１〜１１０４）。

なお、硼素含有層は、Ｂ　２　Ｈ６／　Ｈ２の流量を第
２４図のようになるように、Ｂ　２　Ｈｓ　／　Ｈ２マ
スフロコントローラー２０１０ｉコンピユーター（ＭＰ
９ｓ４５Ｂ）により制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１１表の結果を得た。

これらの電子写真用の光受容部について、第２６図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０μｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。画像には干渉縞模様は観察されず、実
用に十分なものであった。

実施例８ Ａ／支持体（長さくＬ）　３５７ｍ＋ｘ　を径（ｒ）ｓ
。

順）を第１３表に示す条件で、第２１図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ＝深さ）に示すように旋盤で加工した。

次に、第１２表に示す条件で、第２０図の堆積装置で種
々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した
（試料遅１３０１〜１３０４）。

なお、硅素含有層は、Ｂ　ｚ　Ｈａ　／　Ｈｚの流量金
弟２５図のようになるように、Ｂ２Ｈ６，／Ｈ２マスフ
ロコントローラー２０１０全コンピューター（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御して形成した。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１３表の結果全碍た。

これらの電子写真用の光受容部材について、第２６図に
示す画１象露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ
　、スポット径８０μｍ）で画１象露光金行ない、・、
そ；【れ＝を・現１等、転写して画像を得た。画１象に
は干渉縞模様は観、察されず、実用に十分なものであっ
た。

実施例９ 実施例１から実施例８までについて、Ｈ２で３０００　
ｖｏｌ　酵に稀釈したＢ　２　Ｈｓガスの代りにＨ２で
３０００　ｖｏｌ　９％　に稀釈したＰＨ３ガスヲ使用
して、電子写真用光受容部材を作製した（試料１４２０
０１〜２０２０）。

なお、他の作製条件は、実施例１から実施例８までと同
様にした。

これらの電子写真用光受容部材について第２６図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０闘、スポット径
８０μｍ）で画像露光を行い、それ全現像転写して画像
を得た。いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず実用
に十分なものであった。

実施例１０ 実施例１の第２９１’４１０１のＡ／支持体上に第２表
の条件で第２の層まで形成し、表面層は第１４表（条件
１’！１１４０１〜１４２２）にしたがって形成した。

実用に十分な電子写真特性が得られた。

第　１　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図で
ある。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第２１図は、実施例で用いたＡ７支持体の表面状態の説
明図である。 第２２図から第２５図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。 第２６図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・光受容層１０
０１・・・・・・・・・・・・・・・ｈｌｌ支持体１０
０２・・・・・・・・・・・・・・・第１の層１００３
・・・・・・・・・・・・・・・第２の層１００４・・
・・・・・・・・・・・・・光受容部材１００５・・・
・・・・・・・・・・・・光受容部材の自由表面１００
６・・・・・・・・・・・・・・・表面層２６０１・・
・・・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６
０２・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレンズ２６
０４・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラー２
５０５・・・・・・・・・・・・・・・露光装置の平面
図２６０６・・・・・・・・・・・・・・・露光装置の
側面図第３０ 第４園 （Ｃ） 工Ｒ ００５ 第１３図 Ｃ １１ｅｒＭＡ（Ｑｐ） 閏１１１１０η

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す果２の層と反射防止
   機能を有する表面層とが支持体側より順に設けられた多
   層構成の光受容層を有する光受容部材に於いて、前記第
   １の層及び前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支
   配する物質が含有され、該物質が含有されている層領域
   に於いて、該物質の分布状態が層厚方向に不均一でるる
   と共に、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の
   非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
   な面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴
   とする光受容部材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記シミートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面゛形；状亦実′質
   的江直角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光
   受容部材。 （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （ｌの前記支持体が円筒状である％　ｉｆ詞求の範囲第
   １功に記載の光受容部材。 （１１）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   綿線構造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記綿線構造が多重螺線構造である特許時いて
   区分されている特許請求の範囲第６項に記支持体の中心
   軸に沿っている特￥Ｌｆ請求の範囲第１０項に記載の光
   受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材、。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲給５項に記載の光受容部材。