JPS60185956A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０　ｎｔａの発光波長
を有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５６−
８３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−ＳｉＪと略記する）から成る感
光層を有する光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２ΩＣ履以上の暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−　５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５８号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載さ゛れである様に光受容層を支持体と感光層の間、
又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造
としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が
提案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１．と上部界面　１０２で反射した反射光Ｒ１
、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の４を均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ，，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍ
は整数、この場合反射光は強め場合反射光は弱め合う）
の条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量お
よび透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる−０その為に該干渉縞模様
に対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±　５００人〜±　１００００人の
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２８７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現を低減させてはいるが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
（所謂、滲み現象）、′実質的な解像度低下の要因とな
っていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−Ｓｉ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−Ｓ
ｉ感光層形成の際のプラズマによってダメージを受けて
、本来の吸収機能を低減させると共に。

表面状態の悪化によるその後のＡ−９ｉ感光層の形成に
悪影響を与えること等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光■ｏは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１．となる。透
過光１．は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ、に２．に３−・・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く。

従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが
出来ない６ 又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２，第２層４０３の表面で
の反射光Ｒ１＋支持体４０１の表面での正反射光Ｒ３の
夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって干渉
縞模様が生じる。従って、多層構成の光受容部材におい
ては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉
縞を完全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同−口・ントに於いても粗面度に不均一
性があって、製造管理上具合が悲かった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的な電気的ブレークダウ
ンの原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように１通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面５０３と光受容層５０２の凹凸の傾′斜
面５０４とが平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ　＝ｍ入ま
たは２ｎｄｔ　＝　（ｍ＋３４）入が成立ち。

大々明部または暗部となる。又、光受容層全体では光受
容層の層厚ｄ！、ｄ２、ｄ３、ｄ４の不均一性があるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明の光受容部材は、シリコン原子を含む非晶質材料
からなる少なくとも１つの感光層を有する多層構成の光
受容層を支持体上に有する光受容部材に於て、前記光受
容層は、耐素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択さ
れる原子の少なくとも一種を層厚方向には、不均一な分
布状態で含有し、且つショートレンジ内に１対以上の非
）１７−行な界面を有し、該非平行な界面が、層厚方向
と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列している事
を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するだめの説明図で
ある。

第６図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有
する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って
、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、図
の一部に拡大して示しである。第６図に示されるように
、第２層８０２の層厚がｄ５からｄ６ど連続的に変化し
ている為に、界面６０３と界面６０４とは互いに傾向き
を壱している。従って、この微小部分（ショートレンジ
）文に入射した可干渉性光は、該微小部公文に於て干渉
を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光Ｉｏに対する
反射光Ｒ，とに出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ
　（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（「（Ｂ）」）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差
が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的に不均一（ｄｙ　＃ｄｓ　）でも同様に云える
為、全層領域に於て入射光量が均一・になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光ＩＯに対
して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在する
。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが！１に射光スポット径より小さい為、即ち、解像度
限界より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に
画像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質
的には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
ることが望ましい。

この様に設計することにより、微小部分の端の回折効果
を積極的に利用すること・が出来、干渉縞の発現をより
一層抑制することが出来る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部公
文に於ける層厚の差（ｄ５−　ｄ５　）は、興射光の波
長を入とすると、 であるのが望ましい（第６図参照）。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平二行な層界面を形成する層は、任意の２つの位
置に於る層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺線描造を有する。逆Ｖ字形突起部の螺線
描造は、二重、三重の多重鎖線構造、又は交叉螺線描造
とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に、二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角
形とされるのが望ましい。これ等の形状の中、殊に二等
辺三角形、直角三角形が望ましい・ 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンションは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１はＡ−３ｉ層は、層形成される表面の状態に
構造敏感であって、表面状態に応じて層高質は大きく変
化する。

従って、Ａ−３ｉ層の層高質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンションを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００　ｐ、
　ｍ　〜Ｑ、３　ｐ−ｍ　、より好ましくは２００　Ｊ
Ｌｍ　〜１．　朽−ｍ　、最適には５０ＪＬｍ〜５ＩＬ
ｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくはＱ、１７ｚｍ〜５　
ｐ、　ｍ　、より好ましくは０．３＃Ｌｍ　〜３ｐｍ。

最適には０．６７Ｌｍ〜２ｇｍとされるのが望ましい。

支持体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１　ｇｍ〜２　ＪＬｍ、より好ましくは０．ＩＩＬｍ
〜１．Ｊｔｍ、最適には　０．２７ｔｍ〜Ｌ７ｚｍとさ
れるのが望ましい。

次に１本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１０図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３゜感光層１
００４が設けられた構成とされている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、Ｎｉ（：ｒ
、ステンレス＋　ＡＩ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｎ
ｂ＋Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又
はこれ等の合金が上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面を導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＩ、’Ｃ：ｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　
Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

Ｐｄ、Ｉｒ＋ｚＯ１ｌ、　５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ
２Ｏ３＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けることに
よって導電性がｌ４され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ１Ｇｒ、　ＡＩ、　
Ａｇ、　Ｐｄ。

Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｎ
ｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ。

Ｐｔ９等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パッタリング等でその表面に設け、又は、前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形状としては１円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１０図の光受容部材１００５を電
子写真用像形成部材として使用するのであれば連続複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が十分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしな゛が
ら、この様な１合、支持体の製造上及び取扱い上、機械
的強度等の点から、好ましくはｔｏｐ以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−Ｓｉ（以後ｒＡ　−ｓｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と記す）で構成されると共に伝導性を
支配する物質（Ｃ）が含有される。電荷注入防止層１０
０３に含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）としては
、いわゆる半導体分野で言われる不純物を挙げることが
でき、本発明に於ては、Ｓｉに対して、ｐ型伝導特性を
与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不純物を
挙げることができる。具体的には、ｐ型不純物としては
周期律表第■族に属する族 原子（第■胤原子）、例えばＢ（硼素）１Ｍ（アルミニ
ウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、ＴＩ
（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ
、Ｇａ、である。

ｎ型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第Ｖ
族原子）９例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）。

Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に
好適に用いられるのは、Ｐ、　Ａｓ、である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００３が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１００１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於いて適宜選択することが出来る。又、前
記電荷注入防止層１００３に直に接触して設けられる他
の層領域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける
特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）の含有量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３中に含有される
伝導性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好適に
は、０．００１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃＰＰｍ
ｌより好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ。

最適には１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋＊
とされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏ＋ｍｉｃｐｐ
ｍ以−ヒ、より好適には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、最適には１００　ａｔｏ＋ａｉｃ　ｐｐＨ以上とする
ことによって、以下に述べる効果をより顕著に得ること
が出来る。例えば含有させるｊ物質（Ｃ）が前記のＰ型
不純物の場合には、光受容層１００２の自由表面が■極
性に帯電処理を受けた際に支持体１００１側から感光層
１００４中へ注入される電子の移動を、より効果的己阻
止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前
記のｎ型不純物の場合には、光受容層１００２の自由表
面がθ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から感光層
１００４中へ注入される正孔の移動を、より効果的に阻
止することが出来る。

電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは、３０人
〜１０ｇ、より好適には４０人〜８ｐＬ、最適には５０
人〜５ｐＬとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−Ｓｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成され
、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する
電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機
能を有する。

感光層１００４の層厚としては、好ましくは、１〜１１
００ＪＬ、より好ましくは１〜８０ｇｍ、最適には２〜
５０ｇｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質白日の極性とは別の極性の
伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは
、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層
１００３に含有される実際のｍあ（多い場合には、該量
よりも一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃＰＰｍｌ最適
には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層１００４に於ける含有量としては、好ましく
は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｓ以下とするのが望まし
い。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好
適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、Ｃｉ！、Ｂｒ。

工が挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＩ２が好ましいもの
として挙げられる。

第１Ｏ図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、所謂、障壁層
を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層１
００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａｇ３０３＋　Ｓ　Ｉ０２　
＋Ｓｉ３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には不均一な分布状態で含有される。光受容層
中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、光受容層の
全層領域に含有されても良いし、或いは、光受容層の一
部の層領域のみに含有させることで偏在させても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子 （ＯＣＮ）の量は、形成される光導電部材に要求される
特性に応じて所望に従って適宜法められるが、好ましく
はｏ、ｏｏｔ〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは
、　０．００２〜４０　ａｔｏ＋ｓｉｃ％、最適には０
．００３〜３０　ａｔｏｎ＋ｉｃ％とされるのが望まし
い。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏ■ｉ＋
Ｊ以下、より好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記領域に原子（ＯＣＮ）
を含有させることで、支持体と光受容層との間の密着性
の強化を計ることが出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原れることが
望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、電荷注入防止層中には
、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含有
させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒
素原子とを共存させる形で含有させても良け。

第１６図乃至第２４図には、本発明における光受容部材
の層領域（０（Ｊ）中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１６図乃至第２４図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔ７は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＧ　Ｎ　）はｔ、Ｂ側よりｔ７側に向って層形成
がなされる。

第１６図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１６図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＱＣ：Ｎ）が形成される表面と該層領域（Ｏ
ＣＮ）の表面とが接する界面位ｉｔＢよりｔｌの位置ま
では、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値
を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ
）に含有され、位Ｍｔｌよりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ
Ｔに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
ｔ７においては原子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
３とされる。

第１７図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢより位置を丁に至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ７において
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１８図の場合−には、位置ｔＢより位置ｔ２までは原
子（ＱＣ：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位置ｔ２と位置ｔ７との間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第１８図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ＴＢより位置ｔ７に至、るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位ＭｔＴにおいて、実質的に零とさ
れている。

第２０図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＴＢと位置ｔＢ間においては、濃度Ｃ９と一
定値であり、位置ｔ７においては濃度Ｃ１゜される。位
置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位置ｔ７に至るまで減少されている。

第２１図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位Ｍｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔＴまでは濃度”１２より濃度Ｃ１３まで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２２図に示す例においては、位置ＴＢより位置ｔＴに
至るまで、原子（Ｏｌｌ；Ｎ、）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
Ｉ４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少してい
る。

第２３図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は原子（（０１；Ｎ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より
　Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔ
７との間においては、濃度０１６の一定値とされた例が
示されている。

第２４図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは１位置ｔＢにおいては濃度Ｃ１７であり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やかに
減少され、七〇の位置付近においては、急激に減少され
て位置計〇では濃度Ｃ１８とされる。

位置計〇と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置計８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２ｏに至る。位置計８と位置ｔＴの間においては
、濃度Ｃ２ｏより実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１６図乃至第２４図により、層領域（ＱＣ：Ｎ
）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方行の分布状態
の典型例の幾〈つかを説明した様に、本発明においては
、支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分ＡｓＨ度Ｃの
高い部分を有し、界面ｔ７側においては、前記分布濃度
Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を有する原
子（ＱＣ：Ｎ）の分４Ｊ状態が層領域（０（：Ｎ）に設
けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＱＣ：Ｎ）は、上
記した様に支持体側の方に原子（ＱＣ：Ｎ）が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとし
て設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光
受容層との間の密着性をより一層向上させることが出来
る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１６図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５川以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５ル厚までの全領域（シＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ７）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＱＣ：Ｎ）
の層厚方向の分布状態として原子（０（：Ｎ）分布濃度
Ｃの最大値Ｇｎａｗが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐａ＋以上、より好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐＩ
Ｂ以上とされる様な分ＩＨｒ状ＩＰ４．７となり得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＱＣ：Ｎ）は、支持体側からの層厚で５１Ｌ以
内（ｔＢから５に厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ
ｍａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＱＣ：
Ｎ）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに
変化する様に、原子（ＱＣ；Ｎ）の層厚方向の分布状態
を形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入謝される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＱＣ：Ｎ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続
して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば、第１６図乃至第１８図、ｆｆ５２
２図及び第２４図に示される分布状１ムとなる様に、原
子（ＯＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望
ましい。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するＡ−５ｉ　（ｒ　Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと記す
）で構成される感光層を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティグ法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される感光層を形成するには、基本的には、シリコン
原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧に
し得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
である所定の支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成
する場合には、例えばＡｔ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで
構成されたターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ、
Ａｔ等の稀釈ガスで稀釈された水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成
して前記のターゲットをスパッタリングしてやれば良い
。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ボー
ドに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（Ｅ、Ｂ法）等によって加熱蒸発させ、
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行う
ことが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料カスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓ１２　Ｈ６。

５Ｉ３Ｈ，，５ｉａ−等のガス状態の又はガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ４゜Ｓｉ２　Ｈ６、が好まし
いものとしてげられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。　又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態の又はガス化しイ・する、ハロゲン
原子を含む水素化硅素化合物も、有効なものとして本発
明においては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化−合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、ＧＩＦ　。

（ｕＦ３　、　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３　、　ＩＦ３．
　ＩＦ７．　ＩＣＪＬ　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合
物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、／＼ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．　ＳｉＦ６　、　５ｉ（Ｊｊ、　、　ＳｉＢ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−３ｉから成る感光層を形成する）１ｓが
出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記の／＼ロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガ不のプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｂ２、或いは前記したシラン類等のガ
ス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

Ｈ（ｕ　、　１（Ｂｒ、旧等のハロゲン化水素、ＳｉＨ
２Ｆ２゜５ｉＨ２１２、ＳｉＨ２Ｇｆ１２　、５ｉＨＣ
，９２、５ｉＨ２Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒ２　、　５ｉＨＢｒ３等の／＼ロゲン置換水
素化硅素、等のガス状態の或いはガス化し得る物質も有
効な感光層形成用の出発物質として挙げる４１が出来る
。

これ等の物質の中、水素原子を含む／＼ロゲン化物は、
感光層形成の際に層中に／＼ロゲン原子の導入と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導
入用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状ｆＥで堆積室中に光受容層を形成
する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この
様な第■族原子導入用の出発物質と成り′４［）るもの
としては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成
条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体
的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈｓ　、　ＢＡＨ
ＩＩＩ　、　Ｂ５Ｈ９＋ＢｓＨｕ　、　ＢｅＨ＋ａ　＋
　Ｂ６Ｈ１２、ＥｓＨ＋等の水素化硼素、ＢＦ３　、　
ＢＧＱ３　、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ＡｔＩＣ１！３　、　Ｇａｌ：Ｊ！３　、
Ｇａ（ＣＨ３）３　＋ＩｎＣΩ、　、　ＴＱα３等も挙
げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＩ（４Ｉ。

ＰＦ３　、　ＰＦ５　、　ＰＣＱ３　、　ＰＣＱ５　、
ＰＢｒ３　、ＰＢｒ３　、　ＰＩ３等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他ＡｓＨ３゜ＡｓＦ３　、ＡｓＣＣｌ
２３　、　ＡｔＢｒ３　、ＡｓＦ５　、５ｂＨ２。

ＳｂＦ３　、５ｂＦｓ　、　５ｂＣＱ３　、　ＳｂαＳ
　、　ＢｉＨ）、Ｂｉα３゜Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）　、オゾン（０３）　
、−醇化窒素（ＮＯ）　、二酸化窒素（ＮＯ２）。

−二酸化窒素（Ｎｅｏ）、三二酸化窒素（Ｈｚ　Ｏ３）
　。

四二酸化窒素（Ｎ２０４　）　、三二酸化窒素（Ｎ２０
ｓ　）　＋三二酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓ
ｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とをｋａ構成原
子する、例えば、ジシロキサン（Ｂ３　Ｓ　ｉ　Ｏ５＋
　Ｂ３　）　＋　トリシロキサン（Ｂ３５ｉＯ３ｉＨ２
０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン、メタン（Ｃ：Ｈ４）
、エタン（Ｃ２Ｈｓ）、プロパン（Ｃ３ＨＩ）、ｎ−ブ
タン（ｎ　Ｃ４Ｈ１Ｏ）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の
炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）　
、プロピレンＣＣｚＨｓ）、ブテン−１（Ｃ４ＨＢ）、
ブテン−２（Ｃ４ＨＩ）、インブチレン（Ｃ４Ｈａ　）
　、ペンテン（Ｃｓ　Ｈａ　）等の炭素数２〜５のエチ
レン系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｂ２　）　、メチル
アセチレン（Ｃ３１（４）、ブチン（Ｃ４Ｈｓ　）等の
炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）。

アンモニア（ＮＨゴ）、ヒドラジン（Ｂ２　ＮＮＢ２　
）　、アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３　、アジ化アンモニウ
ム（Ｈ）Ｂ４．ｔ’ｈ）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗
化窒素（Ｆ４Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＱＣ：Ｎ）導入用
の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記
のガス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質として
、Ｓ　”２１　”’　１３　Ｎ４１　カーボンブラック
等を挙げることが出来る。これ等は、６１等のターゲッ
トと共にスパッタリング用のターゲットとしての形で使
用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分ｈ　Ｃ度
Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状ｆ１
．　（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（
ＯＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には、分布
濃度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物
質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って
適宜変化させ乍も、堆積室内に導入することによって成
される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、カス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状ｍ’、　（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成す
るには、第一には、グロー放電法による場合と同様に、
原子４人用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆
積質中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化
させることによって成される。第二にはスパッタリング
用のターゲ−／　トを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合
されたターゲ−／　トを使用するのであれば、Ｓｉと５
ｉ０２との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予
め変化させておくことによって成される。

以Ｆ本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット径８０ＪＬｍの半導体レーサー（
波長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−５ｉ：Ｈ
を堆積させる円筒状のＡ文支持体（長さく　Ｌ　）　３
５７ｍｍ、径（ｒ　）　８０＋＋ｕｓ）上に旋盤でピッ
チ（Ｐ）２５ｇｍで深さくＤ）　０．８Ｓテ螺線状の溝
を作製した。このときの溝の形を第１θ図に示す。

このＡ文支持体上に第１１図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２ｏ１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２ｏ３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１２０４はＡす支持
体回転用モータ、１２０５はＡ文支持体、１２０６はＡ
文支持体加熱用ヒータ、１２ｏ７はガス導入管、１２０
８は高周波導入用カソード電極、１２０８はシールド板
、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５．１２
４１〜１２４５はバルブ、１２３１Ｎ１２３５はマスフ
ロコントローラー、１２５１−１２５５はレギュレータ
ー、　１２６１は水素（Ｂ２）ボンベ、　１２Ｇ２はシ
ラン（Ｓｉｎ）ボンベ、１２６３はジボラン（Ｂ２　Ｈ
ｓ　）ホンへ、１２６４は酸化窒素（Ｎｏ）ボンベ、１
２６７はメタンＣＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。ボンベ１２６１〜１２６５の
元栓をすべてしめた。後に、すべてのマスフロコントロ
ーラー１２３１〜１２３５およびバルブ１２２１〜１２
２５、１２４１−１２４５を開け、の拡散ポンプ１２ｏ
３により堆積装置内を１０−’Ｔａｒｔまで減圧した。

それと同時にヒータ１２０６によりＡｎ支持体１２０５
を　２５０℃まで加熱し、　２５０℃で一定に保った。

ＡｆＬ支持体１２０５の温度が２５０°Ｃで一定になっ
た後、バルブ１２２１〜１２２５；　１２４１〜１２４
５．１２５１−１２５５の夫々を閉し、ボンベ１２６１
〜１２６５の元栓を開け、の拡散ポンプ１２０３をメカ
ニカルブースターポンプに代えた。レギュレーター付き
バルブ１２５１〜１２５５の二次圧を１．５ｋｇ／ｃ−
に設定した。マスフロコントロラー１２３１を３０Ｏ５
ＣＧＨに設定し、／ヘルプ１２４Ｉとバルブ１２２１を
順に開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次にポンベ１２６１の５ｔＨ４ガスを、マスフロコント
ローラー１２３２の設定を１５０５ＧＧＨに設定して、
Ｈ２ガスの導入と同様の操作で５ｔ）１４ガスを堆積装
置に導入しポンベ１２６３のＢ２Ｈ６ガス流量をＳｉＨ
４ガス流量に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐ＋ｇになる
ようにマスフローコントローラー１２３３を設定して、
Ｈ２ガスの導入と同様な操作でＢ、　Ｈ６ガスを咄積装
置内に導入した。

次にボンベ１２Ｂ４のＮＯガス流量をＳｉＨ４ガス流量
に対して、初期値が３．４　Ｖｏ１％になるようにマス
プロコントローラー１２３４を設定して、Ｈｚカスの導
入と同様な操作でＮＯガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２　Ｔｏｒｒで安定した
ら、高周波電源１２０１のスイッチを入れマツチングボ
ックス１２０２を調節して、Ａｎ支持体１２０５とカソ
ード電極１２０８間にグロー放電を生じさせ、高周波電
力を　１６０Ｗとし５層ｍ厚にＡ−３ｉ：Ｈ：Ｂ：０層
（Ｂ、０を含むＰ型のＡ−Ｓｉ：０層となる）を堆積し
た（電荷注入防止層）。この際、ＮＯガス流量をＳｉＨ
４ガス流量に対して、第２２図に示す様に変化させ、層
作成終了時にはＮＯガス流量が零になるようにしたにの
様にして５ｇ、ｍ厚のＡ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂ：Ｏ（Ｐ型）層
を堆積したのち、放電を切らずに、バルブ１２２３及び
１２２４を閉めＢ２Ｈ６，ＮＯの流入を止めた。

そして高周波電力１６０Ｗで２０ｐｍ厚のＡ−Ｓｔ：０
層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層）。その
後高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積装置
を排気し、Ａｎ支持体の温度を室温まで下げて、光受容
層を形成した支持体を取り出した。（試料Ｎｏ、　１−
１） 別に、同一の表面性の同筒状ＡＪ２．支持体上に高周波
電力を４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と
作製手順で電荷注入防止層と感光層とを支持体上に形成
したところ第１３図に示すように感光層１３０３の表面
は、支持体１３０１の平面に対して平行になっていた。

このときＡＭ支持体１３０１の中央と両端部とで全層の
層厚の差は１μｍであった。（試料Ｎｏ、　ｌ　−２）
また、前記の高周波電力を１８０Ｗにした場合（試料Ｎ
ｏ、ｌ−１）には、第１４図のように感光層１４０３の
表面と支持体１４０１の表面とは非平行であった。この
場合Ａｎ支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差
は２ＩＬｍであった。、以上２種類の電子写真用の光受
容部材について、波長７８０ｎｍの半導体レーザーをス
ポット径８０７ｐｍで第１４図に示す装置で画像露光を
行い、それを現像、転写して画像を得た。層作製時の高
周波電力４ＱＷで、第１４図に示す表面性の光受容部材
（試料Ｎｏ、　１−２）では、干渉縞模様が観察された
。

一方、第１４図に示す表面性を有する光受容部材（試料
Ｎｏ、　１−　１）では、干渉縞模様は、観察されず、
実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状ＡＭ支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（シリンダＮｏ。

１０１〜１０８）の円筒状のＡｌｌ支持体上に、実施例
１の干渉縞模様の消えた条件（高周波電力１６０Ｗ）と
同様の条件で、電子写真用光受容部材を作製した（試料
Ｎｏ、１１２〜１２８）。このときの電子写真用光受容
部材のＡｎ支持体の中央と両端部での平均層厚の差は２
．２ｇｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピッチ内での差を測定したところ、第２
表のような結果を得た。これらの光受容部材について、
実施例１と同様に第１５図の装置で波長７８０ｎｍの半
導体レーザーを使い、スポット径８０島ｍで画像露光を
行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３ 以下の点を除いて実施例２と同様な条件で光受容部材を
作製した（試料Ｎｏ１２１〜１２８）。そのとき電荷注
入防止層の層厚を１０ｐＬｍとした。

このときの電荷注入防止層の中央と両端部での平均層厚
の差は１．２ルｍ、感光層の層厚の中央と両端部での平
均の差は２．３ｐｍであった。試料Ｎｏ、１２１〜１２
８の各層の厚さを電子顕微鏡で測定したところ、第３表
のような結果を得た。これらの光受容部材について、実
施例１と同様な像露光装置に於いて、画像露光を行った
結果。

第３表の結果を得た。

実施例４ ’ｊ’ｒ　’１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持
体（シリンダＮｏ、１０１〜１０８）上に窒素を含有す
る上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微
鏡で８測した。電荷注入阻止層の平均層厚は、シリンダ
ーの中央と両端で０．０９＃Ｌｍであった。感光層の平
均層厚はシリンダーの中央と両端で３ｐＬｍであった。

各光受容部材（試料Ｎｏ、４０１〜４０８）の感光層の
ンヨートレンジ内での層厚差は、第５表に示す値であっ
た。

各光受容部材（試料Ｎｏ、４０１〜４０８）について実
施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第５表
に示す結果を得た。

実施例５ 第１表に示す表面性のシリンダー状Ａ文支持体（試料Ｎ
ｏ１０１〜１０８）上に窒素を含有する電荷上記の条件
で作製した光受容部材（試料Ｎ０８５０１〜５０８）の
断面を、電子顕微鏡で観測した。電荷注入阻止層の平均
層厚は、シリンダーの中央と両端で０．３ルｍであった
。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端で３．２
ＩＬｍであった。

各光受容部材（試料Ｎｏ、５０１〜５０８）の感光層の
ショートレンジ内での層厚差は、第７表に示すイ＋ｔｊ
であった・ 各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第７表に示す結果を得た。

実施例６ ｆｆｉ’１表に示す表面性のシリンダー状Ａｌｌ支持体
（シリンダＮｏ、１０１〜１０８）上に炭素を含有する
ミ。

上記の条件で作製した光受容部材（試料Ｎｏ。

９０１〜９０８）の断面を、電子顕微鏡で観測した。電
荷注入阻止層の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で
０．０８ｐＬｍであった。感光層の平均層厚はシリンダ
ーの中央と両端で２．５７Ｌｍであった。

各光受容部材（試料Ｎｏ、８０１〜８０８）の感光層の
ショートレンジ内での層厚差は、第９表に示す値であっ
た。

各光受容部材（試料Ｎｏ、！３０１〜９０８）について
実施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第９
表に示す結果 を得た。

ガ流側７ 第１表に示す表面性のシリンダー状ｋｌ支持体（試料Ｎ
ｏ、ｌＯ１〜１０８）上に炭素を含有する電荷上記の条
件で作製した光受容部材（試料Ｎ　ｏ　ａ１１０１〜ｔ
ｔｏ８）の断面を、電子顕微鏡で観測した。電荷注入阻
止層の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で１．ｌＩ
Ｌｍであった。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と
両端で３．４ＩＬ、ｍであった。

各光受容部材（試料Ｎｏ、１１０１〜１１０８）　（７
）感光層のショートレンジ内での層厚差は、第１１表に
示す値であった。

各光受容部材（試料Ｎｏ、１１０１〜ｔｔｏ８）につい
て実施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第
１１表に示す結果を得た。

実施例８ 第１２図に示した製造装置により、シリンダーｚ 上のＭ支持体（シリンダＮｏ、１０５）　Ｊ−に第失表
５ 乃至第蚕表に示す各条件で第２５図乃至第２８図に示す
ガス流量比の変化率曲線に従ってＮＯとＳｌ亀とのガス
流量比を像作成経過時間と共に変化させて層形成を行っ
て電子写真用の光受容部材の夫々（試料Ｎｏ、１２０１
−１２０４）を得た。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手順で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し、未発明の目的に適ったものであった。

実施例９ 第１２図に示した製造装置により、シリンダーのＭ支持
体（シリンダＮｏ、１０５）上に第す表に示す条件で第
２５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、ＮＯと
ＳｉＨ４とのガス流量比を像作成経過時間と共に変化さ
せて層形成を行って電子写真用光受容部材を得た。

こうして得られた光受容部材を、実施例１と同様の条件
と手順で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼で
は全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を示
し、本発明の目的に適ったものであった。

第　１　表 第２表 Ｘ　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である ０　実用に最適である 第３表 夕　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良ｉｆｆである ■　実用に最適である 第５表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である ０　実用的に良好である ■　実用に最適である 第　７　表 ×　実用には適さない △　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である Ｏ　実用に最適である 第　８　表 第　９　表 Ｘ　実用には適さない Δ　実用的に充分である ０　実用的に良＆Ｔである ＠　実用に最適である 第　ｌＯ表 第１１表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である ０　実用的に良好である ０　実用に最適である

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞の発現
を説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図
である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞発現を説明する為の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞発現を説明する為の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の説明図である
。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合まで展開して説明する為の説
明図である。 第９図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ：）はそれぞれ代表的な支持体
の表面状態の説明図である。 第１Ｏ図は、光受容部材の説明図である。 第１１図は、実施例１で用いたＡｕ支持体の表面状態の
説明図である。 ｆｆ５１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の
説明図である。 第１３図、第１４図は夫々、実施例１で作製した光受容
部材の構造示す模式的説明図である。 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 第１６図乃至第２４図は夫々層領域（ＯＣＮ）中の原子
（ＱＣ：Ｎ）の分ＩＨ５状態を説明する為の説明図、第
２５図乃至第２８図は夫々本発明の実施例に於けるガス
流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容層１００１．１３．０１，１４０１・・・
・・・・・・Ａ文支持体１００２．１３０２，１４０２
・・・・・・・・・電荷注入防止層１００３．１３０３
．１４０３・・・・・・・・・感光層１００５・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容部材
１５０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・電子写真用光受容部材１５０２・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー１５
０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ｆＯレンズ１５０４・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ポリゴンミラー１５０５・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露光装置の平
面図１５０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・露光装置の側面図第、５日 （０） 工く Ｃ ７７’ス茅ト響を乙

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　シリコン原子を含む非晶質材料からなる少なく
   とも１つの感光層を有する多層構成の光受容層を支持体
   上に有する光受容部材に於いて、前記光受容層は酸素原
   子、炭素原子、窒素原子の中から選択される原子の少な
   くとも一種を層厚方向には、不均一な分布状態で含有し
   、且つショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有
   し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくと
   も一方向に多数配列している事を特徴とする光受容部材
   。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００舊である特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （７）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
   角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （８）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
   等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （ｌＯ）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１１）逆■字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線構造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１２）前記螺線描造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１１項に記載の光受容部材。 （１３）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
   区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
   材。 （１０前記逆■字形線状突起の稜線方向が円筒状支持体
   の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１Ｏ項に記載の
   光受容部材。 （１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
   項に記載の光受容部材。 （１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材。 （１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
   いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。 （１８）前記不均一な分布状態は、分布濃度線が前記光
   受容層の自由表面側に向って減少する部分を有する分布
   状態である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （１９）前記不均一な分布状態は、分布濃度線が前記支
   持体側に向って増大する部分を有す分布状態である特許
   請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （２０）前記不均一な分布状態は、前記光受容層の支持
   体側端部層領域に最大分布濃度を有する特許請求の範囲
   第１項に記載の光受容部材。 （２１）前記不均一な分布状態は、屈折率の緩やかな変
   化を形成している特許請求の範囲第１項に記載の光受容
   部材。