JPS60212768A

JPS60212768A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS60212768A
Application number: JP59069598A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-04-06
Filing date: 1984-04-06
Publication date: 1985-10-25
Also published as: EP0161071A1; AU4077185A; DE3565017D1; AU584888B2; EP0161071B1; CA1258393A; US4701392A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
１例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

丙午ら、感光層を単層構成のＡ−３ｔ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５３１
５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に記
載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、又は
／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とし
たりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案
されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の油長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ　と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１，
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をの層厚差で
不均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２２ｎ　ｄ＝ｍλ（ｍ
は整数、反射光は強め合う）合う）の条件のどちらに合
うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化
を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒色ア
ルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色顔
料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例え
ば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム支
持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブラ
ストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持体表
面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭５７
−１６５５４号公報）等が提案されている。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｔ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３
ｉ感光層形成の際のプラズマによってダメージを受けて
、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化
によるその後のＡ−５ｉ感光層の形成に悪影響を与える
こと等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透
過光１１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｌ、に２．に３・・・・となり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く。

従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが
出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持対３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散して／＼レーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の反射光Ｒ２゜第２層４０３の表面での反射光
Ｒ１，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉し
て、光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防
止することは不可能であったゆ又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍ入また
は２　ｎ　ｄ　１　＝　（ｍ＋３４）λが成立ち、夫々
明部または暗部となる。又、光受容層全体では光受容層
の層厚ｄ１、ｄ２．ｄ３、ｄ４のλ 夫々の差の中の最大が一以上である様な層厚ｎの不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

本発明の光受容部材は、反射防止機能を有する表面層と
、シリコン原子を含む非晶質材料からなる少なくとも１
つの感光層とを有する多層構成の光受容層を支持体上に
有する光受容部材に於て、前記光受容層は酸素原子、炭
素原子、窒素原子の中から選択される原子の少なくとも
一種を層厚方向には、不均一な分布状態で含有と垂直な
面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴と
する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

第６図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有
する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って
、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層を、図
の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の層厚
がｄ５からｄ６と連続的に変化している為に、界面６０
３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。従って
、この微小部分（ショートレンジ）４１に入射した可干
渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な干渉
縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、ｗ１１７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＱに対
する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに
異る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図の
ｒ　（Ｂ）Ｊに較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ｒ　（Ｂ）Ｊよりも非平行な場合「（
Ａ）」は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る
程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、＄２暦６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄ　≠ｄ　）でも同様に云える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、ｊ８８図に示す様に、入射光ＩＯに対
して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３，Ｒ，Ｒが存在する。

その九番々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の暦での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
暦の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない、又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
ることが望ましい。

この様に設計することにより、微小部分の端の回折効果
を積極的に利用することが出来、干渉縞の発現をより一
層抑制することが出来る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
立に於ける層厚の差（ｄ　５−　ｄ　ｓ）は、照射光の
波長を入とすると、であるのが望ましい。（鵠ら因参解・ン本発明に於ては
、多層構造の光受容層の微小部公文の層厚内（以後「微
小カラム」と称す）に於て、少なくともいずれか２つの
層界面が非平行な関係にある様に各層の層厚が微小カラ
ム内に於て制御されるが、この条件を満足するならば該
微小カラム内にいずれか２つの層界面が平行な関係にあ
っても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が −さ−　（ｎ：層の屈折率）ｎ以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法
が採用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さで形成
される。この様な切削加工法によって形成される凹凸が
作り出す逆■字形線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした端線構造を有する。逆■字形突起部の端線
構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺線構造
とされても差支えない。

或いは、端線構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上く直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形実質的に、二等辺三角形、直角三角形成いは不
等辺三角形とされるのが望ましい、これ等の形状の中、
殊に二等辺三角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンションは、以下の点を考慮した上
で１本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１はＡ−３ｉ層は、層形成される表面の状態に
構造敏感であって、表面状態に応じて層品質は大きく変
化する。

従って、Ａ−３ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンションを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００　ｇｍ
−０，３１Ｌｍ、より好ましくは２００ルｍ　−１井ｍ
、最適には５０ｇｍ〜５ＪＬｍであるのが望ましい。

又、四部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５ｐ
ｍ、より好ましくは０．３１Ｌｍ〜３μｍ、最適には０
．６ｇｍ〜２＃Ｌｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好
ましくは１度〜２０度。

より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度と
されるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１ｐｍ〜２ｐｍ、より好ましくは０．１＃Ｌｍ　〜１
．５７ｚｍ、最適には０．２７Ｌｍ−１７ｔｍとされる
のが望ましい。

反射防止機能を持つ表面層の厚さは、次のように決定さ
れる。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長をλとす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、が好ましいものである。

また、表面層の材料としては１表面層を堆積する感光層
の屈折率をｎ＆すると。

ｎ＝ｆｉらの屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２ＩＬｍとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とし
て有効に使用されるものとしては、例えば、ＭｇＦ２．
Ａ　Ｉ２Ｏ３，ＺｒＯ２゜ＴｉＯ２，ＺｎＳ、ＣｅＯ２
，ＣｅＦ２．　。

Ｓ　ｉｏ２．Ｓ　ｉｏ、Ｔａ２０５．ＡｌＦ２゜ＮａＦ
、Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物、無機酸化物や無機窒化物
、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポキシ樹脂
、フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化合物が挙
げられる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
ＣＰＣＶＤ法）。

光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採用される次に、本
発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示す。

第１Ｏ図に示される光受容部材１０００は、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３．感光層１
００４゜表面層１００５が設けられた構成とされている
。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい、導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、
ステアＬ／ス、ＡＩ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ。

Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面を導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、ＮｉＣｒ、ＡＩ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ　ｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２．
　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設
けることによって導電性が何基され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、
ＡＩ。

Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉ　ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を
真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表
面に設け、又は、前記金属でその表面をラミネート処理
して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状と
しては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、
所望によって、その形状は決定されるが、例えば、第１
０図の光受容部材１０００を電子写真用像形成部材とし
て使用するのであれば連続複写の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい、支持体の厚さは、所
望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定されるが
、光受容部材として可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が十分発揮される範囲内であれば可能な
限り薄くされる。しかしながら、この様な場合、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好まし
くは１０μ以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−５ｉ（以後ｒＡ　−９ｉ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと記す）で構成されると共に伝導性を支
配する物質（、Ｃ）が含有される。電荷注入防止層１０
０３に含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）としては
、いわゆる半導体分野で言われる不純物を挙げることが
でき、本発明に於ては、Ｓｉに対して、Ｐ型伝導特性を
与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不純物を
挙げることができる。具体的には、ｐ型不純物としては
周期律表第ｍ族に属する原子（第■族原子）、例えばＢ
（硼素）。

Ａ１１（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に
好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａ、である。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）１例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アン
チモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に好適に用い
られるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００２が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１９０１との接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於いて適宜選択することが出来る。又、前
記電荷注入防止層に直に接触して設けられる他の層領域
の特性や、該量の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３中に含有される
伝導性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好適に
は、０．００１〜５×１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、よ
り好適には０．５〜ｌＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、
最適には１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上、より好適には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
最適にはｉｏ。

ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって、以下に
述べる効果をより顕著に得ることが出来る０例えば含有
させる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場合には、光受
容層の自由表面かの極性に帯電処理を受けた際に支持体
側から感光層中へ注入される電子の移動を、より効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）
が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
θ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ
注入される正孔の移動を、より効果的に阻止することが
出来る。

電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは、３０人
〜１０ｇ、より好適には４０人〜８ル、最適には５０人
〜５ルとされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成され
、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する
電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機
能を有する。

感光層１００４の層厚としては、好ましくは、１〜１０
０終ｍ、より好ましくは１〜８０ＩＬｍ　＋最適には２
〜５０ｐｍとされるのが望ましい。

感光ＦＪ１００４には、電荷注入防止層ｔｏ。

２に含有される伝導特性を支配する物質の極性とは別の
極性の伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、
或いは、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入
防止層１００３に含有される実際の量が多い場合には、
線量よりも一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１−１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

より好適には０．０５〜５００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ
、最適には０．１〜２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層１００３に於ける含有量としては、好ましく
は３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｉｃ％、より
好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、Ｃ１゜Ｂｒ、Ｉが挙
げられ、これ等の中でＦ、Ｃ１が好ましいものとして挙
げられる。

第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止！１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る。所謂、障壁層
を設けても良い、或いは、該障壁層と電荷注入防止層１
００３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａ見２０３，５ｉ０２、Ｓｉ
３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有
機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
含有される。光受容層中に含有されるこの様な原子（Ｏ
ＣＮ）は、光受容層の全層領域に含有されても良いし、
或いは、光受容層の一部の層領域のみに含有させること
で偏在させても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

未発、明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ
）の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の
密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光
受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該量の層領域の特性や、該量の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量は
、形成される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１〜５
０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜４０
ａｔ　ｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔ　ｏ
ｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適
には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
障壁層には、少なくとも含有されるのが望ましい、詰り
、光受容層の支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含
有させることで、支持体と光受容層との間の密着性の強
化を計ることが出来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、感光層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、電荷注入防止層中には
、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含有
させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒
素原子とを共存させる形で含有させても良い。

第１６図乃至第２４図には１本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の分
布状態の典型的例が示される。

第１６図乃至第２４図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔ７は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）はｔＢ側よりｔ７側に向って層形成がなさ
れる。

第１６図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１６図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置まで
は、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を
取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ）
に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ７
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
Ｔにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３と
される。

ＷＪ１７図に示される例においては、含有される原子（
ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢより位Ｉｔ丁に至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位１ｔｖにおい
て濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１８図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第１９図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
１ｔＴＢより位置ｔ７に至るまで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され、位置ｔ７において、実質的に零とさ
れている。

第２０図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＴＢと位置ｔ３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置ｔ７においては濃度ＣＩＯとされる０位
置し３と位置を丁との間では、分布濃度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位１ｔＴに至るまで減少されている。

第２１図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置
ｔ４より位置ｔ７までは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１３まで
は一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２２図に示す例においては、位ＩＴＢより位！ｔＴに
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第２３図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よりＣ１
６まで一次関数的に減少され。

位置ｔ５と位置ｔ７との間においては、濃度Ｃ１６の一
定値とされた例が示されている。

第２４図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位１ｔＢにおいては濃度Ｃ１７であり、位
置ｔ６至る　まではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やかに
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位１ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、
濃度Ｃ２０に至る０位置ｔ８と位置ｔＴの間においては
、濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第１６図乃至第２４図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態の
典型例の幾〈つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に較べて可成り低くされた部分を有する原子（
ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に設けられてい
る。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１６図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃ（
Ｆ）最大値Ｃｍ　ａ　ｘが、好ましくは５００ａｔｏｍ
ｊｃ　ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上。

最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（
ｔＢから５１Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍ
ａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が暦接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又１層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば、ｗ４１６図乃至第１９図、第２２
図及び第２４図に示される分布状態となる様に、原子（
ＯＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望まし
い。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するＡ−５Ｉ　（ｒＡ−５ｉ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊと記す）で構成される感光層を形成するには例え
ばグロー放電法、スパッタリング法。

或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用する
真空堆積法によって成される０例えば、グロー放電法に
よって、ａ−５１（Ｈ。

Ｘ）で構成される感光層を形成するには、基本的には、
シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｆ供給用の原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，
Ｘ）から成る層を形成させれば良い、又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でＳｉで構成されたターゲットを使用して、必要に応
じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰
囲気を形成して前記のターゲットをスパッタリングして
やれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ボー
ドに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用される３１供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ＩＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ
、５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、暦作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｓ、が好ましいものと
して挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７．Ｉｃｅ、ＩＢｒ等ノハロケン間化合物を挙げる
ことが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．ＳｉＦ６゜５ｉＣｉ４．ＳｉＢｒ４等のハロゲ
ン化硅素が好ましいものとして挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−３ｉから成る感光層を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素と／ｋｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス等
を所定の混合比とガス流量になる様にして感光層を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガ
スのプラズマ雰囲気を形成することによって、所望の支
持体上に感光層を形成し得るものであるが、水素原子の
導入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等の
ガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガ
スも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｂ２、或いは前記したシラン類等のガ
ス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス類
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料カスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

ＨＣ文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ
２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＢ２Ｃ文２゜５ｉＨＣＵ３，５
ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅
素、等々のカス状態の或いはガス化し得る物質も有効な
感光層形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む／＼ロゲン化物は、
感光層形成の際に層中にｌ＼ロゲン原子の導入と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導
入用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い、この様
なＭ４ＩＯ族原子導入用の出発物質と成り得るものとし
ては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい
、その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的に
は硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０゜Ｂ
５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２゜Ｂ６Ｈ
１４等の水素化硼素、ＢＦ３．ＢＣＣ５０ＢＢｒ３等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ文Ｃｆ１３
．ＧａＣｌ３．Ｇａ（ＣＨ３）　３．Ｉ　ｎｃｉ３．Ｔ
Ｃ１３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐。

ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３．ＰＦｓ、ＰＣＣ８４ＰＣＪｌｊ５
．ＰＢｒ３．ＰＢｒ３．ＰＩ　３等（７）ハロゲン化燐
が挙げられる。この他、Ａｓ　Ｈ３＋ＡｓＦ３．ＡｓＣ
ｆＬ３．ＡｓＢｒ３．ＡｓＦ５゜ＳｂＨ３，ＳｂＦ３，
５ｂＦｓ、５ｂＣ１３゜５ｂｃｕ５．ＢｉＩ３．Ｂ１Ｃ
ｕ３．Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることが出来る。

本発明に於て、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有された
層領域（ＣＯＮ）を設けるには、光受容層の形成の際に
原子（ＣＯＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層形
成用の出発物質と共に使用して、形成される層φにその
量を制御し乍も含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、　三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化
窒素（Ｎ２０４）。

三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三二酸化窒素（ＮＯ３）、
シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ
ｉＯ３１Ｈ３）。

トリシロキサン（Ｈ３ＳｊＯ５ｉＨ２Ｏ３ｉＨ３）等の
低級シロキサン、メタン（ＣＨ４）。

エタン　（Ｃ２Ｈ６）、プロパ７　（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−
ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロピレン（Ｃ３Ｈｓ）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、
ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。

インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５Ｈｔｏ）等
の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ
２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ
４Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭水素、窒素
（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ
ＮＨ２）。

アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３アジ化アンモニウム（ＨＨ４
Ｎ３）、三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）
等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げるこ
とが出来る。これ等は、Ｓｔ等のターゲットと共にスパ
ッタリング用のターゲットとしての形で使用される。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
　ｅ　ｐ　ｆ　ｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｏ
ＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃
度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質
のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適
宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成さ
れる。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するにに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子
導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積質
中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させ
ることによって成される。第二にはスパッタリング用の
ターゲットを、例えばＳｔと５ｉ０２との混合されたタ
ーゲットを使用するのであれば、ＳｉとＳｉｏ２との混
合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させて
おくことによって成される。

以下本発明の実施例について説明する。

−ザー（波長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−
３ｉ：Ｈを堆積させる円筒状のＡ！Ｌ支持体（長さくＬ
）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ）上に旋盤でピッチ（
Ｐ）２５ルｍで深さくＤ）０．８５で螺線状の溝を作製
した。このときの溝の形を第１Ｏ図に示す。

このＡｌ支持体上に第１１図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１２０４はＡ文支持
体回転用モータ、１２０５はＡ文支持体、１２０６はＡ
ｎ支持体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２０
８は高周波導入用カソード電極、１２０９はシールド板
、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５．１２
４１〜１２４５はバルブ、１２３１〜１２３５はマスフ
ロコントローラー、１２５１〜１２５５はレギュレータ
ー、１２６１は水素（Ｈ２）ボンベ、１２６２はシラン
（Ｓ　ｉ　Ｈ４）ボンベ、１２６３はジポラン（Ｂ２Ｈ
６）ボンベ。

１２６４は耐化窒素（Ｎｏ）ボンベ、１２６７はメタン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。ボンベ１２６１〜１２６５の
元栓をすべてしめた後、すべてのマスフロコントローラ
ー１２３１〜１２３５およびバルブ１２２１〜１２２５
．１２４１〜１２４５を開け、１２０３の拡散ポンプに
より堆積装置内を１（１７Ｔｏｒｒまで減圧した。

それと同時にヒータ１２０６によりＡＪＩ支持体１２０
５を２５０℃まで加熱し、２５０℃で一定に保った。Ａ
文支持体１２０５の温度が２５０℃で一定になった後、
バルブ１２２１〜１２２５．１２４１〜１２４５．１２
５１〜１２５５夫々を閉じボンベ１２６１−１２６５の
元栓を開け、拡散ポンプ１２０３をメカニカルブースタ
ーポンプに代えた。レギュレーター付きバルブ１２５１
〜１２５５の二次圧を１．５ｋｇ／ｃｍ２に設定した。

マスフロコントロラー１２３１を３００ＳＣＣＭに設定
し、バルブ１２４１とバルブ１２２１を順に開き堆積装
置内にＨ２ガスを導入した。

次にボンベ１２６１のＳｉＨ４ガスを、マスフロコント
ローラー１２３２の設定を１５０ＳＣＣＭに設定して、
Ｈ２ガスの導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積装置
に導入しボンベ１２６３のＢ２Ｈ６ガス流量をＳｉＨ４
ガス流量に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐｍになるよう
にマスフローコントローラー１２３３を設定して、Ｈ２
ガスの導入と同様な操作でＢ２Ｈ８ガスを堆積装置内に
導入した。

にマスフロコントローラー１２３４を設定して、Ｈ２ガ
スの導入と同様な操作でＮＯガスを堆積装置内に導入し
た。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、高周波１１１１１２０１のスイッチを入れマツチング
ボックスｌ　２０２を調節して。

Ａ文支持体１２０５とカソード電極１２０８間にグロー
放電を生じさせ、高周波電力を１５０Ｗとし、５層ｍ厚
でＡ−３ｉ：Ｈ：Ｂ：０層（Ｂ、０を含むＰ型のＡ−５
４：Ｈ層となる）を堆積した（電荷注入防止層）、この
際、Ｎ。

カス流量をＳｉＨ４ガス流量に対して、＄２２図に示す
様に変化させ、暦作成終了時にはＮＯバガス量が零にな
るようにした。この様にして５μｍ厚のＡ−３ｉ＋Ｈ：
Ｂ：０層（Ｐ型）層を堆積したのち、放電を切らずに、
バルブ１２２３及び１２２４を閉め、Ｂ２Ｈ１３、Ｎｏ
の流入を止めた。

そして高周波電力１６０Ｗで２０ｐｍ厚の八−５ｉ：Ｈ
層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）層を堆積した（感光層）。そ
の後、高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ、堆
積装置を排気し、ＡＪＪ支持体の温度を室温まで下げて
、層形成した支持体を取り出した。

前記Ａは第１４図のように感光層ＡＬ４０３の表面と支
持体１４０１の表面とは非平行であった。この場合ＡＵ
支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は２ｇｍ
であった。

別に、同一の表面性の円筒状Ａｎ支持体上に高周波電力
を４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製
手順で電荷注入防止層と感光層Ｂとを支持体上に形成し
たところ第１３図に示すように感光層Ｂ１３０３の表面
は、支持体１３０１の平面に対して平行になっていた。

このときＡＭ支持体１３０１の中央と両端部とで全層の
層厚の差は１ルｍであった。

以上の２種類の感光層上に第１７図に示す材料と作製条
件（条件１７０１〜１７２２）で表面層をスパッタリン
グ法で堆積して、各光受容部材を作製した。

表面層の堆積方法は、以下に述べる様に行った。第１２
図の装置で、カソード電極上に第１７表に示す材料の板
（厚さ３ｍｍ）を−面にはり、またＨ２ガスをＡｒガス
に取りかえた。

装置内にＡｒガスを５Ｘ１０−３Ｔｏｒ丁まで導入し、
高周波電力を３００Ｗとしてグロー放電を起し、カンー
ト電極上の材料をスパッタリングして、各感光層上に各
表面層を堆積した。

各試料の表面層は、各々Ａｎ支持体の中央と両端のいず
れでもその層厚はほぼ均一であった。また、微小カラム
内での層厚もほぼ均一であった。

以上の様にして作製した表面層を有する各試料について
、夫々波長７８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８
０　ｐｍで第１５．図に示す装置で画像露光を行い、そ
れを現像、転写して、画像を得た。これ等の試料の中、
感光層Ｂを有する試料では干渉縞模様が観察された。

他方、感光層Ａを有する試料の夫々では、干渉模様は観
察されず、高感度で実用に十分な電子写真特性を示すも
のが得られた。

実施例２シリンダー状のＡｎ支持体の表面を旋盤で。

第１表のように加工した（シリンダＮｏ、１０１〜１．
０８）、これ等の円筒状のＡｎ支持体上に、実施例１の
干渉縞模様の消えた条件（高周波電力１６０Ｗ）と同様
の条件で、感光層まで堆積し、該感光層上に、実施例１
と同様にスパッタリング法て、ＭｇＦ２を、０．４２４
＃Ｌｍ堆積した（試料Ｎｏ、１１２〜１２８）、このと
きのＡｌｌ支持体の中央と両端部で平均層厚の差は２．
２ルｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピッチ内での差を測定したところ、第２
表のような結果を得たゆこれらの光受容部材について、
実施例１と同様に第１５図の装置で波長７８０ｎｍの半
導体レーザーを使い、スポット径８０ＪＬｍで画像露光
を行ったところ第２表の結果を得た。

実施例３電荷注入防止層の層厚を１１０１Ｌとし、ＡＩＬ２０３
，０．３５９７Ｌｍとした以外は、実施例２と同様な条
件で光受容部材を作製した（試料Ｎｏ、１２１〜１２８
）、このときの電荷注入防止層の中央と両端部での平均
層厚の差は１．２ルｍ、感光層の層厚の中央と両端部で
の平均の差は２．３ｇｍであった。試料Ｎｏ。

１２１〜１２８の各層の厚さを電子顕微鏡で測定したと
ころ、第３表のような結果を得た。これらの光受容部材
について、実施例工と同様な像露光装置に於いて、画像
露光を行った結果、第３表の結果を得た。

実施例４第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｉ支持体（シリン
ダＮｏ、１０１−１０８）上に窒素を含有する電荷注入
防止層を設けた光受容部材を第４表に示す条件で作製し
た（試料Ｎｏ。

４０１〜４０８）、その他は、実施例１と同様の条件と
手順に従った。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、博電子ｊＩｉ微鏡で観測した。電荷注入防止層の平均層厚
は、シリンダーの中央と両端で０．０９ＪＬｍであった
。感光層の平均層厚はシリンダーの中央と両端で３ｇｍ
であった・各光受容部材（試料Ｎｏ　、４０１〜４０８）の感光層
のショートレンジ内での層厚差は、第５表に示す値であ
った・各光受容部材（試料Ｎｏ　、４０１〜４０８）について
実施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第５
表に示す結果を得た。

実施例５第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（試料Ｎ
ｏ、１０１−１０８）上に窒素を含￥−′ｆＪ有する電荷注入鳴止層を設けた光受容部材を第６表に示
す条件で作製した（試料Ｎｏ　、　５０１〜５０８）、
その他は、実施例１と同様の条件と手順に従った。

上記の条件で作製した光受容部材（試料Ｎｏ。

５０１〜５０８）の断面を、電子Ｊｌｌ微鏡で観測刈した、電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダーの中央
と両端で０．３ｇｍであった。感光層の平均層厚はシリ
ンダーの中央と両端で３，２ルｍであった。

各光受容部材（試料Ｎｏ　、５０１〜５０８）の感光層
のショートレンジ内での層厚差は、第７表に示す値であ
った・各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光画像
露光したところｗ４７表に示す結果を得た。

実施例６第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（シリン
ダＮｏ　、１０１−１０８）上に炭坊素を含有する電荷注入阻止層を設けた光受容部材を第８
表に示す条件で作製した（試料Ｎｏ。

９０１〜９０Ｂ）、その他は、実施例１と同様の条件と
手順に従った。

上記の条件で作製した光受容部材（試料Ｎｏ。

９０１〜９０８）の断面を、電子顕微鏡で観測した。電
荷注入阻止層の平均層厚は、シリンダーの中央と両端で
０．０８＃Ｌｍであった。感光層の平均層厚はシリンダ
ーの中央と両端で２・５＃Ｌｍであった。

各光受容部材（試料Ｎｏ、９０１〜９０８）の感光層の
ショートレンジ内での層厚差は。

第９表に示す値であった。

各光受容部材（試料Ｎｏ　、９０１〜９０８）について
実施例１と同様にレーザー光画像露光したところ第９表
に示す結果を得た。

実施例７第１表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（試料Ｎ
ｏ、ｌＯ１〜１０８）上に炭素を含坊有する電荷注入阻止層を設けた光受容部材を第１０表に
示す条件で作製した（試料Ｎｏ、１１０１〜１１０８）
、その他は、実施例１と同様の条件と手順に従った。

上記の条件で作製した光受容部材（試料Ｎｏ。

ンダーの中央と両端で１．１ｇｍであった。感光層の平
均層厚はシリンダーの中央と両端で３．４終ｍであった
。

各光受容部材（試料Ｎｏ、１１０１〜ｉｉｏｇ）の感光
層のショートレンジ内での層厚差は、第１１表に示す値
であった。

各光受容部材（試料Ｎｏ、１１０１〜１１０８）につい
て実施例１と同様にレーザー光で画像露光したところ第
１１表に示す結果を得た。

実施例８第１２図に示した製造装置により、シリンダー上のＡｎ
支持体（シリンダＮｏ、１０５）上に第１２表乃至第１
５表に示す各条件でｗ４２５図乃至第２８図に示すガス
流量比の変化率曲線に従ってＮＯとＳｉＨ４とのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行って
電子写真用の光受容部材の夫々（試料Ｎｏ１２０１〜１
２０４）を得た。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手順で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し、本発明の目的に適ったものであった。

実施例９第１２図に示した製造装置により、シリンダーのＡｎ支
持体（シリンダＮｏ、１０５）上に第１６表に示す条件
で第２５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｎ
ＯとＳｉＨ４とのガス流量比を層作成経過時間と共に変
化させて層形成を行って電子写真用光受容部材を得た。

こうして得られた光受容部材を、実施例１と同様の条件
と手順で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼で
は全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を示
し、本発明の目的に適ったものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞の発現
を説明する為の説明図である。第３図は散乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図
である。第４図°は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光によ
る干渉縞発現を説明する為の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞発現を説明する為の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の説明図である
。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合まで展開して説明する為の説
明図である。第９図　はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の説明図である。第１１図は、実施例１で用いた／Ｍｌ支持体の表面状態
の説明図である。第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。ＰＪ１３図、第１４図は夫々、実施例１で作製＆した光受容部材の構造示す模式的説明図である。 Δ 第１５図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。第１６図乃至第２４図は夫々層領域（ＯＣＮ）中の原子
（ＯＣＮ）の分布状態を説明する為の説明図、第２５図
乃至第２８図は夫々本発明の実施例に於けるガス流量比
の変化率曲線を示す説明図である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・光受容部材１
００１．１３０１．１４０１・・・・・・・・・Ａｎ支持体１００２．１３０２．１４０１・・・・・・・・・電荷注入防止層１００３．１３０３．１４０３・・・・・・・・・感光層１００５．１３０４．１４０４・・・・・・・・・表面層１５０１・・・・・・・・・・・・・・・電子写真用光
受容部材１５０２・・・・・・・・・・・・・・・半導
体レーザー１５０３・・・・・・・・・・・・・・・ｆ
θレンズ１５０４・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー１５０５・・・・・・・・・・・・・・・露
光装置の平面図１５０６・・・・・・・・・・・・・・
・露光装置の側面図４Ｋ　、！第３０第４０Ｃし７７”ス３ヒｔｒヒ η′又烹量ｒしケ゛に渣量毘

Claims

【特許請求の範囲】

（１）反射防止機能を有する表面層と、シリコン原子を
含む非晶質材料からなる少なくとも１つの感光層を有す
る多層構成の光受容層を支持体上に有する光受容部材に
於いて、前記光受容層がショートレンジ内に１対以上の
非平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直
な面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴
とする光受容部材。
（２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（４）前記ショートレンジが０．３〜５００ＪＬである
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（６）前記凹凸が逆■字形線状突起によって形成されて
いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。
（７）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
部材。
（８）前記逆■字形線状突起の縦断面形状が実質的に直
角三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
材。
（９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に不
等辺三角形である特許請求の範囲第６項に記載の光受容
部材。
（１０）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
項に記載の光受容部材。
（１１）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
螺線構造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
容部材。
（１２）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
範囲第１１項に記載の光受容部材。
（１３）前記逆■字形線状突起がその稜線方向に於いて
区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容部
材。
（１４）前記逆■字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１Ｏ項に記載
の光受容部材。
（１５）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第５
項に記載の光受容部材。
（１６）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
範囲第１５項に記載の光受容部材。
（１７）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
いる特許請求の範囲第５項に記載の光受容部材。
（１８）前記不均一な分布状態は、分布濃度線が前記光
受容層の自由表面側に向って減少する部分を有する分布
状態である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（１９）前記不均一な分布状態は１分布濃度線が前記支
持体側に向って増大する部分を有す分布状態である特許
請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（２０）前記不均一な分布状態は、前記光受容層の支持
体側端部層領域に最大分布濃度を有する特許請求の範囲
第１項に記載の光受容部材。
（２１）前記不均一な分布状態は、屈折率の緩やかな変
化を形成している特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。