JPS60207149A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ピンカース硬度か高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０１２ΩＣｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したもの°としては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、Ａ−５ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚にＵ（がある為に、レ
ーザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレ
ーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び
支持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び
層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射
して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

グー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現象は顕著
である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光ＩＱと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１，
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入として、
ある層の層厚がなだらかに□以上ｎ の層厚差で不均一であると、反射光Ｒ１、Ｒ２が２ｎｄ
＝ｍ入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２　ｎ　ｄ　
＝（ｍ　＋−）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条
件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量および
透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第Ｌ　ＩＮに示す干
渉効果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの
干渉による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模
様に対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可
視画像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００λ〜士ｌ’ｃｉ　ｏ　ｏ　
ｏ　Ａの凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば
特開昭５８−１６２９７５号公報）、アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）
、アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理し
たり、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けた
りして、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１６５５４号公報）等、が提案され
ている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポ・ントに拡がりが生
じ、実質的な解像度・低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｉ系先光受
容を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層高質が著しく低下すること、樹脂層が
Ａ−Ｓｉ系光受容層形成の際のプラズマによってタメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のＡ−８１光受容層の形成に悪
影響を与えること等の不都合さを存する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光ＩＱは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光Ｉｌとなる。透
過光ＩＩは、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光Ｋｉ、に２．に３　・・となり、
残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出射
光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ１と
干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然とし
て干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してノ＼レーションを生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２゜第２層での反射光Ｒ１，支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト世に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一性
があって、製造管理上具合か悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄｌ＝ｍ入また
は２　ｎ　ｄ　１　＝　（ｍ＋Ｈ）入が成立ち夫々明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚ｄ１．ｄ２．ｄ３、な層厚の不均一性があるため明
暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔目　的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。゛ 〔構　成〕 本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウムｊ
！；（子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、
シリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を
示す第２の層とが支持体側より順に設けられた多層構成
の光受容層とを有し、前記第１の層及び第２の層の少な
くとも一方に伝導性を支配する物質が含有されている光
受容部材に於いて、前記光受容層は、酸素ｊ５；（子、
炭素原子、窒素原子の中から選択される原子の少なくと
も一種を含有し、且つショートレンジ内に１対以上の非
平行な界面を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な
面内の少なくとも一方向に多数配列している事を特徴と
する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾ネ１面に沿って
、１つ以上の光受容層を有する多層構成の光受容層を第
６図の一部に拡大して示されるように、第２層６０２の
層厚がｄ５からｄＢと連続的に変化しているために、界
面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを崩してイル。

従って、この微小部分（ショートレンジ）文に入射した
り干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表＋ｎ１７０４とが非平
行であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光量０に対
する反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに
異る為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図の
ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小
部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様しこ第２層６０２０層厚か
マクロ的にも不均一（ｄ７＼ｄ８）でも同様に云える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ　
（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光か透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉｏに対
して、反射光Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在する
。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことか
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、未発りＪによれば、光受容層を構成す
る層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止す
ることが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない。又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には側副支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ見（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部公
文に於ける層厚の差（ｄ５−ｄＢ）は、照射光の波長を
入とすると、 入 ｄ５−ｄ６≧　乙 （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、との条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任、ａ、の２つの
位置に於ける層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層の各層の形成に
は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズ
マ気相υ（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採
用される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の１ｉＩＪ刃
を有するバイトをフライス盤、旋盤等の９Ｊ削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピンチ、深
さで形成される。この様なりノ削加工法によって形成さ
れる凹凸が作り出す逆■字形線状突起部は、円筒状支持
体の中心軸を中心にした螺線描造を有する。逆Ｖ字形突
起部の螺線描造は、二重、三重の多重Ｎ線構造、又は交
叉螺線構造とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい。これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましし＼６ 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を老成した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に、？Ｑ定さ
れる。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−３ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって１表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ光受容層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のティメンジョンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

」二足した層堆積上の問題点、電子写真Ｄ、のプロセス
上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結
果、支持体表面の四部のピ・ンチは、好ましくは５００
　ｐｍ−０、３ｇ、ｍ、　ヨり好ましくは２００ｐｍ〜
ｌｐｍ、最適には５０ｐ−ｍ〜５μｍであるのが望まし
い。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３ｇｍ〜：３ｇｍ、最適には０　
、６７ｐｍ　〜２　ｇｍとされるのが望ましい。支持体
表面の四部のピ１．チと最大深さが上記の範囲にある場
合、凹部（又は線上突起部）の傾刺面の傾きは、好まし
くは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適
には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはｏ、
ｉ、ｍ〜２　ｐ−ｍ　、より好ましくはＯ，ｌｐｍ−１
，５ｇｍ、最適ニハ０．２μｍ〜１μｍとされるのが望
ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の例を示す。

第１Ｏ図は、本発明の好適な実施態様例である光受容部
材の層ａ成を説明するために模式的に示した模式的構成
図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と水素原子及びハロゲン原子のいずれか一方とを含
有するａ−３ｉ（以後「ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）Ｊと略
記する）で構成された第１の層（Ｇ）１００２とａ−３
ｉ（Ｈ。

Ｘ）で構成され、光導電性を有する第２の層（Ｓ）１０
０３とが順に積層された層構造をイ１する。

第１の層（Ｇ）１００２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層（Ｇ）１００２の層・厚方向及び支持
体ｔｏｏｌの表面と平杓な面内方向に連続的均一に分布
した状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中に含
有される。

本発明の好適な実施態様例の光受容部材１Ｏ０４に於い
ては、少なくとも第１の層（Ｇ）が１００２に伝導特性
を支配する物質（Ｃ）が含有されており、第１の層（Ｇ
）１００２に所望の伝導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）１００２に含有され
る伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）１
００２の全層領域に万遍なく均一に含有されても良く、
第１の層（Ｇ）１００２の一部の層に偏在する様に含有
されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の含有される
層領域（Ｐ　Ｎ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域とし
て設けられるのが望ましい。殊に、第１の層（Ｇ）の支
持体側の端部層領域として前記層領域（Ｐ　Ｎ）が設け
られる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含イ１される前
記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜
選択することによって支持体から光受容層中への特定の
極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導４．Ｎｉ性を制御
することの出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成
する第１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の
全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有さ
せるのが好ましいものであるか、更には、第１の層（Ｇ
）Ｊ−に設けられる第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含イ１させても良い。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含イｊさせる場合
には、第１の層（Ｇ）中に含イＪＳれる前記物質（Ｃ）
の種類やその含イ４　、ｉ、Ｉ、、及びその含イ］の仕
方に応じて、第２の層（Ｓ）中に含イＪさせる物質（Ｃ
）の種類やその含有量、及びその含有の仕方が適宜法め
られる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層（Ｓ）の
全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、その
一部の層領域に均一に含有させても良い。

第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合。

第１の層（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が含イＪされて
いる層領域と、第２の層（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）
が含有されている層領域とが、互いに接触する様に設け
るのが望ましい。

又、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物質（Ｃ）は、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）とに
於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その含有
量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層に含イＪされる前記物
質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の
層（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特
性の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有
させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（°Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）又は第２
の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕
の伝導４．＋ｒ性を所望に従って任意に制御することか
出来るものであるが、この様な物質としては、所謂、半
心体分野で云われる不純物を挙げることか出来、本発明
に於いては、形成される光受容層を構成するａ−３ｉＧ
ｅ（Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純
物及びｎ型伝導特性を与えるｎ方不純物を挙げることが
出来る。

基体的には、ｐ型不純物としては周期律表第厘 ■族に銖する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）
、ＡＭ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イ
ンジウム）、Ｔ４（タリウム）等があり、殊に好適に用
いられるのは、Ｂ。

Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■放に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ　
（アンチモン）、Ｂｉ（ヒスマス）等であり、殊に、好
適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（Ｐ　Ｎ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することか出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含；ｋｍ
が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含イＪされる伝導
特性を制御する物質（Ｃ）の含イ］量としては、好まし
くは０，０１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より
好適には０．５〜ｌＸｌ０’　ａｔ　ｏｍｉ　ｃ　ｐｐ
ｍ、最適には、１〜５　Ｘ　１０３ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ
　ｃ　ｐ　ｐ　ｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適
には５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１
００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とすることによって、例えは詠
含イラさせる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場合には
、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に
支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的に阻
止することか出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）か前
記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面かｅ極
性に帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中への
正孔の注入を効果的に阻止することか出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ　Ｎ）
に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含イ］させても良いし、或いは、同極性の伝導型
を有する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を層領域（ＰＮ
）に含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含
有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応して所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは、０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、
より好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最
適には０．１〜２００ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍとＳれる
のか望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ’）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
きせた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所３１１空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることか出来る。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）」二に設けられる第
２の層（Ｓ）中には、ゲルマニウト原子は含有されてお
らず、この様な層構造に光受容層を形成することによっ
て、比較的可視光領域を含む、比較的短波長から比較的
長波長糸の全領域の波長の光に対して光感度が優れてい
る光受容部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層にゲルマニウム原子が連続的に分布している
ので、第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に於ける
親和性に優れ、半導体レーザ等を使用した場合の、第２
の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１
の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を一層効果的に防止
することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜９．５Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好
ましくはＺｏｏ　〜８Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐ　ｐ　
ｍ、最適には５００〜７ＸＩＯ５ａｔ　ｏｍｉ　ｃｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との層
厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因
子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢは、好まし
くは′３０λ〜５０．、より好ましくは、４ｏＡ　〜４
０ｇ、最適には、５０人〜３０Ｗとされるのが望ましい
。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０．．より好ましくは１〜８０用最適には２〜５０ルと
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚”ｒＢと第２の層（Ｓ）の層厚Ｔ
の和（ＴＢ　＋Ｔ）としては、両層に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１−１００　ｇ　、より
好適には１〜８０μ、最適には２〜５０ルとされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴＢ　／Ｔ≦１なる
関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選
択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ、／Ｔ≦０．９．最適に
はＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量が、１×ｌＯ５１０５ａｔｏ　ｐｐ
ｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚ＴＢとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ル以
下、より好ましくは２５に以下、最適には２０ＡＬ以下
とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフン素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成され
る第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によッテ、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）
で構成される第１の層（Ｇ）を形成するには、基本的に
は、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料カスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供
給用の原料カスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部か減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ−
３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のカスをヘースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲット、或
いは、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲットの二
枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたターゲット
を使用して、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀
釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）！入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスプラ
ズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタリン
グしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々法発源として蒸着ポートに収容
し、このＥ発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のカスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ２　Ｈ６、Ｓｉ３　
ＨＢ　、Ｓｉ４　Ｈｌｏ等のガス状ｊＥの又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）か有効に使用されるものと
して挙げられ。

殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ
等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、が好ましいものとして
挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成すイ１）る物質としては、Ｇ
ｅＨ，３、Ｇｅ２　Ｈ８，Ｇｅ３　ＨＢ　。

Ｇｅ４　Ｈｌｏ、Ｇｅ５　Ｈ１２，ＧｅＢ　Ｈ１４，Ｇ
ｅ７Ｈ１ｅ、　Ｇ　ｅ８　Ｈ１８，Ｇ　ｅ９　Ｈ２０等
のガス状ｆＬの又はカス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、Ｇ　
ｅ　Ｈ４、Ｇ　ｅ２　ＨＢ　、　Ｇ　ｅ３　ＨＢが好ま
しいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はカス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＪＩＦ。

Ｃ文Ｆ３　、ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、ＩＦ３　。

ＩＦ７．ＩＣ文、ＩＢｒ等の／＼ロゲン間化合物を挙げ
ることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体とじては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、Ｓｉ２　ＦＢ　。

ＳｉＣ文４．ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げる事が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体」−にハロゲン原子を含むａ−３ｉＧｅ
から成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

クロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とカス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層ＣＧ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のカス類をスパッタリング法
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料カスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロケンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

Ｈｅ文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ
２　、ＳｉＨ２Ｉ２　、ＳｉＨ２Ｃ文２゜ＳｉＨＣｌ２
．５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素
化硅素、及びＧｅＨＦ３゜ＧｅＢ２　Ｆ２　、ＧｅＢ３
　Ｆ、ＧｅＨＣ文３゜ＧｅＨ２Ｃ文２．ＧｅＨ３Ｃ文、
ＧｅＨＢｒ３゜ＧｅＢ２　Ｂｒ２　、ＧｅＢ３　Ｂｒ、
ＧｅＨＩ３　。

ＧｅＢ２　Ｉ２　、ＧｅＢ３　Ｉ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物、ＧｅＦ４　、ＧｅＣｌ４　。

ＧｅＢ　ｒ４　、Ｇｅ　Ｉ４　、ＧｅＦ２　、ＧｅＣ文
２゜ＧｅＢｒ２　、ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のカス状態の或いはガス化しｆｊ）る物質も有
効な第１の層ＣＧ）形成用の出発物質ととして挙げる事
が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素
原子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ４゜Ｓｉ２　ＨＢ　、Ｓ
ｉ３　ＨＢ　、Ｓｉ４　Ｈｌｏ等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４゜Ｇｅ２　ＨＢ　、Ｇｅ３　ＨＢ　、
Ｇｅ４　Ｈｌｏ、Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ８　Ｈｌ４・Ｇｅ
７　Ｈｌ［ｉ、Ｇｅ８　Ｈｌ８゜Ｇｅ３Ｈ２ｏ等の水素
化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリ
コン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。

原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０
．０ｌ−４０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好適には０．０
５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適にはＯ、１〜２５　ａ　
ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされるのか望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（、Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層（Ｇ）形
成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原料ガス
となる出発物質を除いた出発物質〔第２の層（Ｓ）形成
用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１の層（Ｇ）を
形成する場合と、同様の方法と条件に従って行うことが
出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ　（Ｈ’、　Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には
前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　
ｉ　ｃ％、よりｌｌｆ適には５〜３０ａｔＯｍｉｃ％、
最適には５〜２５　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％とされる
のが望ましい。

光受容層を構成する層中に、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に
導入して前記物質（Ｃ，）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには１層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でカス状の又は
、少なくとも層形成条件下で容易にカス化し得るものが
採用されるのが望ましい。その様な第■族原子導入用の
出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ
２．Ｈ６・Ｂ４　ＨＩＯ，Ｂ５　Ｂ９　・Ｂ５Ｈ１１゜
Ｂ６Ｈ１０１Ｂ８　Ｂ１２．　Ｂｉｔ　Ｂ１４等の水素
化硼素。

ＢＦ３．ＢＣｌ２．ＢＢ　ｒ３等のハロゲン化硼素等が
挙げられる。この他、Ａ！；ＬＣ１３，Ｇ　ａｃ見３゜
（、ａ　（ＣＨ３）３．Ｉ　ｎｃ文３．ＴＣＪ１３等も
挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２　Ｈ４等の水素他項、ＰＨ４Ｉ　、？Ｆ３　、ＰＦ
５　、ＰＣｌ３．ＰＣｌ５　。

ＰＢ　ｒ３．ＰＢ　ｒ５　、ＰＩ３等のハロゲン他項が
挙げられる。この他、Ａ　ｓＨ３，Ａ　ｓ　Ｆ３．Ａ　
ｓ　Ｃ１３゜Ａ　ｓ　Ｂ　ｒ３．Ａ　ｓ　Ｆ５．Ｓ　ｂ
Ｈ３，Ｓ　ｂ　Ｆ３．Ｓ　ＢＦ５゜ｓｂｃ文３．Ｓ　ｂ
　Ｃｌ　５．Ｓ　ｉ　Ｂ３．Ｓ　ｉ　Ｃ文３゜Ｂ１Ｂｒ
３等も第Ｖ放原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一または不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状７ｇ　ハ分Ｉｔｊａ度Ｃ（ＯＣ
Ｎ）が、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いて
は均一であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子 （ＯＣＮ）の量は、形成される光受容部材に要求される
特性に応じて所望に従って適宜法められるが、好ましく
は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは
、０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．０
０３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有、量の上限は、前記の値より充
分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の１−限としては、好ましくは３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％以下、より好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下
、最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望まし
い。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい。詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させ、第２の層中には、窒素原子を含有させ
たり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒素原
子とを共存させる形で含有させても良い。

第１４図乃至第２２図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分４ｊ状態が不均一な場合の典型的例が示され
る。

第１４図乃至第２２図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を
、ｔＴは支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面
の位置を示す。即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなさ
れる。

第１４図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状ｆＥ、の第１の典型例が示
される。

第１４図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置まで
は、原子（ＯＣ，Ｎ）の分布濃度Ｃが０２なる一定の値
を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＯＣＮ
）に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ
Ｔに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
ｔＴにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３
とされる。

第１５図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ＴＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第１６図の場合には、位置ＥＢより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分１ａ濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、
位置ｔ２と位置ｔ７との間において、徐々に連続的に減
少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１７図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ＴＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置ｔ−１−において、実質的に零と
されている。

第１８図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＴＢと位置ｔＢ間においては濃度Ｃ９と一定
値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１ｏされる。位置
ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第１９図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ４までは濃度ｃｔｉの一定値を取り、位置
ｔ４より位ｆＪ−ｔ　Ｔまでは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１
３までは一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２０図に示す例においては、位：ｉ（Ｔ　Ｂより位置
を丁に至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
Ｉ４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少してい
る。

第２１図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よりＣ１
６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴとの
間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示され
ている。

第２２図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいては濃度Ｃ１？であり、位
置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めは緩やかに
減少され、七６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置し８との間では、
極めてゆっくりと□徐々に減少されて位置ｔ８において
、濃度Ｃ２０に至る。位置上８と位置ｔＴの間において
は、濃度Ｃ２Ｑより実質的に零になる様に図に示す如き
形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１４図乃至第２２図により、層領域（ｏ　ｃ　
Ｎ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状
態が不均一な場合の典型例の幾〈つかを説明した様に、
本発明においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ＬＴ側においては
、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた
部分を有する原子（ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣ
Ｎ、）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の電着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１４図乃至第２２図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５ル以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５ｐ厚までの全領域（ＬＴ、）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＱＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上。

最適にはｌｏｏｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５に以内（
ｔＢから５ＪＬ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍ
ａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＯＣ’Ｎ）の層厚方向の分布状態を
形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第１４図乃至第１７図、第２０図及
び第２２図に示される分布状態となるように、原子（Ｏ
ＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい
。

本発明に於て、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有された
層領域（ＣＯＮ）を設けるには、光受容層の形成の際に
原子（ＣＯＮ）導入用のに出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電Ｊ去を用い
る場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入
用の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酪化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒
素（Ｎ２０４）。

三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三二酸化窒素０３）。

シリコン原子（Ｓｉ）と酩素原子（０）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ
　１Ｏ３ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ
２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈｇ）、ｎ−ブ
タ７　（ｎ　−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタ７（Ｃ５Ｈ１２）
等（７）　ｉ＆素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（
Ｃ２Ｈ４）、プロピレン　（Ｃ３Ｈ６’）、ブテン−１
（Ｃ４Ｈ８）。

ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、
ペンテン（Ｃ５ＨＩＯ）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）。

メチルアセチレン（Ｃ３）１４）、ブーＦ−ン（ｃ４Ｈ
６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒素（
Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮ
Ｈ２）、アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３゜アジ化アンモニウ
ム（ＨＨ４Ｎ３）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素
（Ｆ　４　Ｎ）等々を挙げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
カス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質として、
Ｓ　ｉ０２．Ｓ　ｉ　３Ｎ４・カーホンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用され
る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｆｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）を
形成する場合には、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ
を変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガ
スを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変
化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成される
。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って１ｉ量を制御し、所望の含有率
曲線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成する場合
には、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原
子導入用の出発物質をガス状＃゛、で使用し、該ガスを
堆積室中へ導入する際のカス流量を所望に従って適宜変
化させることによって成される。第二にはスパッタリン
グ用のターゲ７１・を、例えばＳｉと５ｉ０２との混合
されたターゲントを使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０
２との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変
化させておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ文、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリｊｎ化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｎ
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜５ｎ０２．
ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）’Ｊから成る薄膜を設
けることによって導電性が付与され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、
ＡＭ。

Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して
、その表面に導電性が付与される。支持体の形状として
は１円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望
によって、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光受容部材１００４を電子写真用光受容部材として使用
するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円“筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所
望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定されるが
、光受容部材として可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な
限り薄くされる。面乍ら、この様な場合支持体の製造上
及び取扱い上、機械的強度等の点から、好ましくは１０
ＩＬ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例のす。

図中１１０２〜１１０６のガスポンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが客月されており、そ
の−例としてたとえば１１０２は、ＳｉＨ４ガス（純度
９９．９９９％。

以下ＳｉＨ４と略す）ボンベ、１１０３はＧｅＨ４ガス
（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４と略す）ボンベ、
１１０４はＮｏガス（純ンベ、１１０６はＨ２ガス（純
度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスポ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ４１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０−Ｅｌｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、カスボンベ１１０２よりＳｉＨ
４ガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨ４ガス、ボンベ
１１０４よりＮｏガス、ガスポンベ１１０５よりＢ２Ｈ
１ｌ／Ｈ２ガス、ガスポンベ１１０６よりＨ２ガスをバ
ルブ１１２２，１１２３，１１２４，１１２５．１１２
６を開いて出口圧ゲージ１１ｊ７゜１１２８．１１２９
．１１３１の圧を１Ｋｇ／Ｃｍ２に調整し、流入バルブ
１１１２，１１１３．１１１４，１１１５．１１１６を
徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７，１１０
８．１１０９，１１１０．ｆｉｌｌ内に夫々流入させる
。引き続いて流出バルブ１１１７，１１１８、’１１１
９，１１２０，１１２１、補助バルブ１１３２．１１３
３を徐々に開いて夫々ガス流量と、Ｂ２Ｈ８／Ｈ２ガス
流量と、Ｈ２ガス流星の比が所望の値になるように流出
バルブ１１１７，１１１８，１１１９，１１２０゜１１
２１を調整し、また、反応室１１０１内の圧力が所望の
値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして、基体　１１
３７の温度が加熱１ニー’！２−１１３８［より５０〜
４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認され
た後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１
０１内にグロー放電を生起させて基体１１３７上に第１
の層（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層（Ｇ）が形
成された段階に於て、流出バルブ１１１８を完全に閉じ
ること及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様
な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持するこ
とで、前記の第１の層（Ｇ）上にゲルマニウム原子が実
質的に含有されない第２の層（Ｓ）を形成することが出
来る。

第２の層（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させるには、第２の層（Ｓ）の形成の際に、例えばＢ
２　Ｈ６、ＰＨ３、等のガスを堆積室１１０１の中に導
入する他のガスに加えてやれば良い。

この様にして、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とで構
成された光受容層が基体１１３７上に形成される。

層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため基体
１１３７はモーター１１３９により一定速度で回転させ
てやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例Ｉ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ＝
深　さ）に示すように旋盤で加工した。（Ｎｏ、２０１
〜２０４）次に、第１表に示す条件で、第１１図の堆積
装置で種々の操作手順に従っての電子写真用光受容部材
を作製した。

（試料Ｎｏ、２０１〜２０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２表（試料Ｎｏ、２０１〜
２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例２ Ａｌｌ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第４表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深　さ）に示すように旋盤で加工した。（Ｎｏ、４０
１〜４０４）次に、第３表に示す条件で、第１１図の堆
積装置で種々の操作手順に従っての電子写真用光受容部
材を作製した。

（試料Ｎｏ、４０１〜４０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第４表（試料Ｎｏ、４０１〜
４０４）（７）結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第６表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピンチ
、Ｄ：深　さ）に示すように旋ｆｆｉテ加工シタ。（Ｎ
ｏ、６０１〜６０４）次に、第５表に示す条件で、第１
１図の堆積装置で種々の操作手順に従っての電子写真用
光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、６０１〜６０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第６表（試料Ｎｏ、６０１〜
６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例４ Ａｎ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ
、Ｄ：深　さ）に示すように旋盤で加工した。（Ｎｏ、
８０１〜８０４）次に、第２表に示す条件で、第１１図
の堆積装置で種々の操作手順に従っての電子写真用光受
容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、８０１〜８０４） このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第を表（試料Ｎｏ、８０１〜
８０４）　（７）結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例５ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）０ ８０ｍｍ）を第孕表に示す条件で、第１２図（Ｐ；ピッ
チ、Ｄ：ｆｆｉ　さ）＆へ示すようにｋ　’−ｈで加工
した。

（シリンダーＮｏ、１００１〜１１０４）次に、第９表
に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順に
従っての電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１Ｏ００〜１００４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１０表（試料Ｎｏ、１００
１”１００４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０　ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例６ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ　、径（ｒ）８０ｍ
ｍ）を第１２表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、
Ｄ＝深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンターＮｏ、１２０１〜１２０４）次に、第１１
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、１２００〜１２０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１２表（試料Ｎｏ、１２０
１〜１２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スボント径８０ルｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例７ ＡＩ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１４表に示す条件で、第１２１Ａ（Ｐ：ピッチ、
Ｄ：深　さ）に示すようにに盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１４０１〜１４０４）次に、第１３
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。なお層作
成中、ＣＨ４カスのＳｉＨ４ガスに対する流量比を第２
３１Ａに示す変化率曲線に従って変化させた。

（試料Ｎｏ、１４０１〜１４０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１４表（試料Ｎｏ、１４０
１〜１４０４）ｃ）結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例８ Ａｎ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ　、ｑｉ　（ｒ）８
０ｍｍ）を第１６表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ＝深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１６０１〜Ｌ６０４）次に、第１５
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。なお層作
成中、ＮＯガスのＧ　ｅ　Ｈ４ガ久とＳｉＨ４ガスとの
和に対する流量比を第２４図に示す変化率曲線に従って
変化させた。

（試料Ｎｏ、１６０１〜１６０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１６表（試料Ｎｏ、ｌ　６
０１−１６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０弘工）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例９ ＡＭ支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第１８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッチ、Ｄ
：深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、１８０１〜１８０４）次に、第１７
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。なお層作
成中、ＮＨ３ガスのＧ　ｅ　Ｈ４ガスとＳｉＨ４ガスと
の和に対する流星比を第２５図に示す変化率曲線に従っ
て変化させた。

（試料Ｎｏ、１８０１〜１８０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第１８表（試料Ｎｏ、１８０
１〜１８０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１Ｏ Ａ文支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第２０表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ：深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２００１〜２００４）次に、第１９
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。なお層作
成中、ＣＨ４カスのＧ　ｅ　Ｈ４ガスとＳ　ｉ　Ｈ４カ
スとの和に対する流量比を第２６図に示す変化率曲線に
従って変化させた。

（試料Ｎｏ、２００１〜２００４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２０表（試料Ｎｏ、２００
１〜２００４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１１ ＡＭ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第２２表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピン
チ、Ｄ、深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２２０１〜２２０４）次に、第２１
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。なお層作
成中、ＮｏガスのＧ　ｅ　Ｈ４ガスとＳｉＨ４ガスとの
和に対する流量比を第２７図に示す変化率曲線に従って
変化させた。

（試料Ｎｏ、２２０１〜２２０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２２表（試料Ｎｏ、２２０
１〜２２０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１２ ＡＩ支持体（長さくＬ）　３５７ｍｍ　、径（ｒ）８０
ｍｍ）を第２４表に示す条件で、第１２図（Ｐ・ピッチ
、Ｄ＝深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２４０１〜２４０４）次に、第２３
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。なお層作
成中、Ｎ　Ｈ３ガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガスとの
和に対する流量比を第２８図に示す変化率曲線に従って
変化させた。

（試料Ｎｏ、２４０１〜２４０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２４表（試料Ｎｏ、２４０
１〜２４０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０ｇｍ）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に（−分なもの
であった。

実施例１３ Ａ文支持体（長さくＬ）３５７ｍｍ、径（ｒ）８０ｍｍ
）を第２６表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピ、チ、Ｄ
：深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２６０１〜２６０４）次に、第２５
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２６０１〜２６０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２６表（試料Ｎｏ；、２６
０１〜２６０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｐｍ）で画像露光を行ない、それを現像
、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１４ ＡＭ支持体（長さくＬ）　３５７　ｍｍ　、径（ｒ）８
０ｍｍ）を第２８表に示す条件で、第１２図（Ｐ：ピッ
チ、Ｄ＝深　さ）に示すように旋盤で加工した。

（シリンダーＮｏ、２８０１〜２８０４）次に、第２澄
表に示す条件で、第１１図の堆積装置で種々の操作手順
に従っての電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ、２８０１〜２８０４）。

このようにして作製した光受容部材の各層の層厚を電子
顕微鏡で測定したところ、第２８表（試料Ｎｏ、２８０
１〜２８０４）の結果を得た。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ｐＬｍ）で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった・ 実施例１５ 実施例１から実施例１４までについて、Ｈ２で３０００
ｖｏｌ　ｐｐｍに椙釈したＢ２Ｈ６カスの代りにＨ２で
３０００ｖｏ　ｌ　ｐＰｍに稀釈したＰＨ３ガスを使用
して、電子写真用受容光部材を作製した。（試料Ｎｏ、
２９０１〜ｙ′ ２９１＋）。

なお、他の作製条件は、実施例１から実施例１４までと
同様にした。

これらの電子写真用光受容部材について、第１３図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０　ｎ　ｍ　、
スポット径８０ルｍ）、で画像露光を行ない、それを現
像、転写して画像を得た。

いずれの画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合のｌｉｉ乱光による
干渉縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞か現われないことの説明図である。 負′５７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場
合と非平行である場合の反射光強度の比較の説明図であ
る。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の千８縞か現
われないことの説明１４である。 第９図はそれぞれ代表的な支持体の表面状態の説明図で
ある。 第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第１宇図は、実施例１で用いたＡ文支持体の表面状ｊル
の説明図である。 を 第１芒図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。 第１３図は、実施例で使用した画像露光装置での説明で
ある。 第１４図及至第２２図は、夫々層領域（ＯＣＮ）中の原
子（ＯＣＮ）の分布状態を説明する為の説明図、第２３
図及至第２８図は、本発明の実施例に於れるガス流量比
の変化率曲線を示す説明図である。 １０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層ｆｏｏｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａｎ
支持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・
電荷注入防止層１００３・・・・・・・・・・・・・・
・・・・感光層１００４・・・・・・・・・・・・・・
・・・・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・
・・・・・・光受容部材の自由表面１３０１・・・・・
・・・・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１３
０２・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レー
ザー１３０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆ
θレンズ１３０４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ポリゴンミラー１３０５・・・・・・・・・・・・・
・・・・・露光装置の平面図１３０６・・・・・・・・
・・・・・・・・・・露光装置の側面図出願人　キャノ
ン株式会社 イ立Ｊ１ 第３０ 第４閲 Ｃ ｔｒ θＣｔｃｍｃ 力０ス適量比 力°ス咬量を乙 ｔλ斃ｆ７ｔ か゛ズ庶量ｒし 手続補正書（自発） 昭和６０年２月１．４’ｉ日 １、事件の表示 昭和５９年　特許願　第　６４９７０　号２、発明の名
称 光受容部材 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願大 佐　所　東京都大田区下丸子３−３０−２居所　田１４
６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノン株式会社内
（電話７５８−２１１１）氏名　（６９Ｂ？）弁理士丸
島儀二潔コ稽５補正の対象 明　細　書 ６、補正の内容 （１）明細書の第８１頁第１６行のｒ２９１４Ｊをｒ２
９５６Ｊと補正する。 （２）明細書の第８６頁の第１表、第８５頁の第１表、
第８７頁の第５表、第８９頁の第７表、口９１頁の第９
表、第９６頁の第１１表、第９ご頁の第１３表、第９９
頁の第１７表、第１０３頁の第２６表を夫々別紙の通り
補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体とシリコン原子とゲルマニウム原子とを含
   む非晶質材料で構成された第１の層と、−シリコン原子
   を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す第２の層
   とが前記支持体側より順１こ設けられた多層構成の光受
   容層とを有し、前記第１の層及び第２の層の少なくとも
   一方に伝導性を支配する物質が含有されている光受容部
   材に於いて、前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、窒
   素原子の中から選択される原子の少なくとも一種を含有
   し、且つショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を
   有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なく
   とも一方向に多数配列している事を特徴とする光受容部
   材。 （２）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する先受。 古層に於いて、該含有される原子の分布状態が、層厚方
   向に均一である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
   材。 （３）酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択され
   る原子の少なくとも一種を含有する光受容層に於いて、
   該含有される原子の分布状態が層厚方向に不均一である
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （６）前記ショートレンジが０．３〜５００弘である特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第各項に記載の光受容部材。 （８）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質と 的に二等辺三角形である特許請求の範囲第各項に記載の
   光受容部材。 （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質と 的に直角三角形である特許請求の範囲ｆＪｔ巷項に記載
   の光受容部材。 （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質お 的に不等辺三角形である特許請求の範囲第各項に記載の
   光受容部材。 （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
   項に記載の光受容部材。 （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
   鎖線構造を有する特許請求の範囲第１０項に記載の光受
   容部材。 （１４）前記鎖線構造が多重螺線構造である特許請求の
   範囲第１．１項に記載の光受容部材。 （Ｉ５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於と いて区分されている特許請求の範囲第各項に記載の光受
   容部材。 （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
   体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１０項に記載
   の光受容部材。 （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第与
   項に記載の光受容部材。 （１８）　＃記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求
   の範囲第１８項に記載の光受容部材。 （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸°７ が形成されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。 （２０）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
   方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （２１）第１の層及び第２の層の少な゛くともいずれ部
   材。 （２２）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。 （２３）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
   。