JPS5978787A - 細線溶接方法 - Google Patents
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- 238000003466 welding Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 210000004894 snout Anatomy 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、例えば、電子機器部品のリード細線の溶接に
好適な細線溶接方法に関するものである。
好適な細線溶接方法に関するものである。
最近、電子機器部の実装密度の高密度比、信頼性の向上
及び配線溶接の自動化等に対応するため接合技術は、半
田付けや抵抗溶接代等から電子ビームやレーザ光線等の
非接触熱源全使用して溶接する方法に変シっつぁる。こ
の方法は、高密度エネルギーであるため熱影響部の少な
いきわめ−C理想的な溶接部組織が得られ、′よた、非
接触であるため自動化も比較的容易でおる。しがし、欠
点としては、〃用10に対してビームを工1((芽J・
〕る七、アンダカットの大きな溶接部となシ強Eat
(D低下が著しい。また、 JK手形状によっては溶断
に至ることも必見健全な溶接部?得ると占ができない。
及び配線溶接の自動化等に対応するため接合技術は、半
田付けや抵抗溶接代等から電子ビームやレーザ光線等の
非接触熱源全使用して溶接する方法に変シっつぁる。こ
の方法は、高密度エネルギーであるため熱影響部の少な
いきわめ−C理想的な溶接部組織が得られ、′よた、非
接触であるため自動化も比較的容易でおる。しがし、欠
点としては、〃用10に対してビームを工1((芽J・
〕る七、アンダカットの大きな溶接部となシ強Eat
(D低下が著しい。また、 JK手形状によっては溶断
に至ることも必見健全な溶接部?得ると占ができない。
これに対し、w・静電976614号のように外周部に
Δ11j/1i51径よシも深い溝を設けてこの部多上
にπ山線金挿入して溶融する方法がめるが、この方法は
実vA作業面では数十ミクロンオーダーのt411線分
溝に挿入することは難かしく、また、細線の取扱い及び
自動化に対しても不利であり、かつ、溶接結果も100
%の成功確率はない。一方、特i′r第855899号
は、1前線ど位置決めし、かつ、溶断を防止するための
SA起を、蒸着によって形成丈る方法であるが、この場
合は祿径が大きくなると突起の高さを高くしなけれはな
らず、蒸着によってこれを形成することは時間的に不合
理であり実用的ではない。
Δ11j/1i51径よシも深い溝を設けてこの部多上
にπ山線金挿入して溶融する方法がめるが、この方法は
実vA作業面では数十ミクロンオーダーのt411線分
溝に挿入することは難かしく、また、細線の取扱い及び
自動化に対しても不利であり、かつ、溶接結果も100
%の成功確率はない。一方、特i′r第855899号
は、1前線ど位置決めし、かつ、溶断を防止するための
SA起を、蒸着によって形成丈る方法であるが、この場
合は祿径が大きくなると突起の高さを高くしなけれはな
らず、蒸着によってこれを形成することは時間的に不合
理であり実用的ではない。
本発明は上記の状況に鑑みなされたものであシ、溶接継
手部のU溝の形成が簡単、容易で作用工数を低減でき、
良好な溶接部が得られ、自動溶接が可能な細線溶接方法
を提供することを目的としたものである。
手部のU溝の形成が簡単、容易で作用工数を低減でき、
良好な溶接部が得られ、自動溶接が可能な細線溶接方法
を提供することを目的としたものである。
本発明の細線溶接方法は、被溶接物に細線が挿入可能な
溝を設け、線溝に細線を挿入して該細線と上記被溶接物
とを一体に溶接する場合に、上記被溶接物の溶接しよう
とする位置に深さが上記細線径とほぼ等しく溝低が上記
細線の半径とほぼ等しい上記Sを形成し、線溝に上記細
線を加圧挿入し加圧状態で、溶融接合に必要なエネルギ
ーを有する電子ビームまたはレーザビームを照射し細線
と被溶接物とを溶融し溶接する方法である。
溝を設け、線溝に細線を挿入して該細線と上記被溶接物
とを一体に溶接する場合に、上記被溶接物の溶接しよう
とする位置に深さが上記細線径とほぼ等しく溝低が上記
細線の半径とほぼ等しい上記Sを形成し、線溝に上記細
線を加圧挿入し加圧状態で、溶融接合に必要なエネルギ
ーを有する電子ビームまたはレーザビームを照射し細線
と被溶接物とを溶融し溶接する方法である。
以下本発明の細線溶接方法を、−実施例音用いて第1図
及び第2図により説明する。第1図は被溶接部のU溝に
細線を挿入し押圧しながら溶接する状態の説明図、第2
図は第1図の細線溶接方法によって実際の製品を溶接し
た状態の斜視図である。図において、1は被溶接物、2
は被溶接物1上に形成されたU溝であシ、所定の個所に
細線3が完全に挿入できる細線3の直径と同じ深さに形
成され、溝底が細、wJ3の半径と等しく形成されてい
る。即ち、U溝2の深さは細線3の直径dと等しく溝底
は細線3の半径比と等しく形成されている。そして、U
溝2に細41J3t−挿入位置決めし上部から加圧治具
4によシ抑圧した状態で、ビーム照射方向5から電子ビ
ームまたはレーザビームを照射し細線3を被溶接物1に
溶接部6によシ一体化溶接する。即ち、本実施例では、
細線3の直径と深さが同じで、U溝2の溝底が細fIM
3の丸味と一致しているため、細線3を挿入後上部から
抑圧固定した状態で溶接すれば、溶接で最も嫌われる細
線3と被溶接物1とが非接触の状態で溶接することが避
けられる。このため、細線3の溶断の心配は全く無く、
かつ、細線3が完全にU溝2に埋ってしまうため溶接強
度を低下させるアンダカット金最小限にすることができ
る。また、U#2への細線3の挿入も細線径とほぼ同一
の深さであるため比較的容易である。従って、自動配線
溶接も可能である。一方、U溝2の形成は、プレス加工
で溶接に十分な程度の溝を作ることが可能である。
及び第2図により説明する。第1図は被溶接部のU溝に
細線を挿入し押圧しながら溶接する状態の説明図、第2
図は第1図の細線溶接方法によって実際の製品を溶接し
た状態の斜視図である。図において、1は被溶接物、2
は被溶接物1上に形成されたU溝であシ、所定の個所に
細線3が完全に挿入できる細線3の直径と同じ深さに形
成され、溝底が細、wJ3の半径と等しく形成されてい
る。即ち、U溝2の深さは細線3の直径dと等しく溝底
は細線3の半径比と等しく形成されている。そして、U
溝2に細41J3t−挿入位置決めし上部から加圧治具
4によシ抑圧した状態で、ビーム照射方向5から電子ビ
ームまたはレーザビームを照射し細線3を被溶接物1に
溶接部6によシ一体化溶接する。即ち、本実施例では、
細線3の直径と深さが同じで、U溝2の溝底が細fIM
3の丸味と一致しているため、細線3を挿入後上部から
抑圧固定した状態で溶接すれば、溶接で最も嫌われる細
線3と被溶接物1とが非接触の状態で溶接することが避
けられる。このため、細線3の溶断の心配は全く無く、
かつ、細線3が完全にU溝2に埋ってしまうため溶接強
度を低下させるアンダカット金最小限にすることができ
る。また、U#2への細線3の挿入も細線径とほぼ同一
の深さであるため比較的容易である。従って、自動配線
溶接も可能である。一方、U溝2の形成は、プレス加工
で溶接に十分な程度の溝を作ることが可能である。
第2図において、7はハイブリッドICの回路基板で、
回路基板7上には半田フロー炉によって半田((Jけさ
れているFe−Ni製パッド8から0.3蛸φNiリー
ド線の細m3’!!:用いて外部接続ターミナル10に
溶接接続するようになっている。そ鰭の頃i’l 2
全形成しである。Un2と、細線3とのクリアランスは
軽圧入程度がよく、パッド8及び外部接続ターミナル1
0のU溝2に細線3全挿入し互に接触する圧接状態でビ
ーム金照射し一体溶接する。そして、溶接強度は、溶断
もなく、溝底部から側面にかけて良好な溶融部が見られ
、抵抗溶接と変らない結果が得られた。
回路基板7上には半田フロー炉によって半田((Jけさ
れているFe−Ni製パッド8から0.3蛸φNiリー
ド線の細m3’!!:用いて外部接続ターミナル10に
溶接接続するようになっている。そ鰭の頃i’l 2
全形成しである。Un2と、細線3とのクリアランスは
軽圧入程度がよく、パッド8及び外部接続ターミナル1
0のU溝2に細線3全挿入し互に接触する圧接状態でビ
ーム金照射し一体溶接する。そして、溶接強度は、溶断
もなく、溝底部から側面にかけて良好な溶融部が見られ
、抵抗溶接と変らない結果が得られた。
第4図は自動配線溶接作業の状態を示し、回路基板7上
のパッド8に対しキャピラリチューブ12によル案内さ
れる細線3は、キャピラリチューブエ2が固定された自
動制御装置によって駆動し制御される位置決め加圧治具
13によシU溝2に押圧挿入されるようになっている。
のパッド8に対しキャピラリチューブ12によル案内さ
れる細線3は、キャピラリチューブエ2が固定された自
動制御装置によって駆動し制御される位置決め加圧治具
13によシU溝2に押圧挿入されるようになっている。
そして、位置決め加圧治具13によって加圧された状態
で、位置決め加圧治具13の軸線位置にあけられたビー
ム通過用穴14全通されたビームが照射され、被溶接物
のパッド8とabaaとが一体溶接される。
で、位置決め加圧治具13の軸線位置にあけられたビー
ム通過用穴14全通されたビームが照射され、被溶接物
のパッド8とabaaとが一体溶接される。
次に位置決め加圧治具13を上昇させ、外部接続ターミ
ナル10に溶接するU溝2位置まで移動させ、パッド8
に溶接した場合と同様の手順によシ溶接金行なう。溶接
後の細線3の切断は、機械的な切断゛または細線3に直
接ビームを照射することによって可能である。そして、
上記の動作金繰り返えすことによって溶接と配線を自動
的に行なうことができる。この自動溶接の方法において
細線3とU溝2を設けであるパッド8及び外部接続り−
ミナルlOとの位置合せは、U溝2が単純でらるため画
像認識技術全応用した数値制御を行えば十分に可能であ
る。
ナル10に溶接するU溝2位置まで移動させ、パッド8
に溶接した場合と同様の手順によシ溶接金行なう。溶接
後の細線3の切断は、機械的な切断゛または細線3に直
接ビームを照射することによって可能である。そして、
上記の動作金繰り返えすことによって溶接と配線を自動
的に行なうことができる。この自動溶接の方法において
細線3とU溝2を設けであるパッド8及び外部接続り−
ミナルlOとの位置合せは、U溝2が単純でらるため画
像認識技術全応用した数値制御を行えば十分に可能であ
る。
このように本実施例のaiu線溶接方法においてはプレ
ス加工によt)UPik形成するので作業工数全低減し
て溶接継手部を形成でき、溝底が細線と同形状でElの
深さが細線と同じく形成され、?/a線を加圧挿入し加
圧状態でビーム金照射し細線と被溶接物とを溶融し一体
溶接するので、細線と被溶接物とが非接触の状態で溶接
させることが避けられ、細線の溶断のおそれがなく溶接
部6度を低下させるアンダーカット全最小限にし良好な
溶接がイ儲られる。更に、自動配線溶接も可能である。
ス加工によt)UPik形成するので作業工数全低減し
て溶接継手部を形成でき、溝底が細線と同形状でElの
深さが細線と同じく形成され、?/a線を加圧挿入し加
圧状態でビーム金照射し細線と被溶接物とを溶融し一体
溶接するので、細線と被溶接物とが非接触の状態で溶接
させることが避けられ、細線の溶断のおそれがなく溶接
部6度を低下させるアンダーカット全最小限にし良好な
溶接がイ儲られる。更に、自動配線溶接も可能である。
以上記述した如く本発明の細IYilil浴接方法にお
いてe、」1、溶接継手部のり?/=7の形成が簡単容
易で作業工数全低減でき、良好な溶接部が得られ自動溶
接も容易である効果を有するものである。
いてe、」1、溶接継手部のり?/=7の形成が簡単容
易で作業工数全低減でき、良好な溶接部が得られ自動溶
接も容易である効果を有するものである。
第1図は本発明の細線溶接方法を実施する被溶接部のU
溝に細線全挿入し押圧しながら溶接する状態の説明図、
第2図は第1図の方法による溶接後の被溶接品の斜視図
、第3図は第2図の溶接を自動溶接による実施状態の要
部断面図である。 1・・・被溶接物、2・・・U溝、3・・・細線、4・
・・カロ圧治具、5・・・ビーム照射方向、6・・・溶
接部、13・・・位第1(2) 第 2図 力3図
溝に細線全挿入し押圧しながら溶接する状態の説明図、
第2図は第1図の方法による溶接後の被溶接品の斜視図
、第3図は第2図の溶接を自動溶接による実施状態の要
部断面図である。 1・・・被溶接物、2・・・U溝、3・・・細線、4・
・・カロ圧治具、5・・・ビーム照射方向、6・・・溶
接部、13・・・位第1(2) 第 2図 力3図
Claims (1)
- 1、被溶接?吻に細線が挿入可能な溝を設け、線溝に1
(11線を挿入して該細線と上記被溶接物とを一体に溶
接する方法において、上記被溶接物の溶接しようとする
位置に深さが上記細線径とほぼ等しく溝底が上記乳1線
の早径とほぼ等しい上記溝を形成し、該溝に上記細線を
加圧挿入し加圧状態で、溶融接合に必要なエネルギーを
有する電子ビームまだはレーザビームを照射し細線と被
#接物とを溶融し溶接することi/特徴とする細線溶接
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57187554A JPS5978787A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 細線溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57187554A JPS5978787A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 細線溶接方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5978787A true JPS5978787A (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=16208106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57187554A Pending JPS5978787A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 細線溶接方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5978787A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5300755A (en) * | 1991-08-12 | 1994-04-05 | Yazaki Corporation | Structure for welding electrical connecting portions to each other using laser light beam |
US5452841A (en) * | 1993-07-23 | 1995-09-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Wire bonding apparatus and method |
WO2017208941A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN111615024A (zh) * | 2019-02-22 | 2020-09-01 | 阿瓦雅公司 | 至安装表面的基于夹片的扬声器保持装置 |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57187554A patent/JPS5978787A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5300755A (en) * | 1991-08-12 | 1994-04-05 | Yazaki Corporation | Structure for welding electrical connecting portions to each other using laser light beam |
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US20220086546A1 (en) * | 2019-02-22 | 2022-03-17 | Avaya Inc. | Clip based speaker retention to a mounting surface |
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