JPS5948954A - 密着型読み取り装置 - Google Patents
密着型読み取り装置Info
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- JPS5948954A JPS5948954A JP57160218A JP16021882A JPS5948954A JP S5948954 A JPS5948954 A JP S5948954A JP 57160218 A JP57160218 A JP 57160218A JP 16021882 A JP16021882 A JP 16021882A JP S5948954 A JPS5948954 A JP S5948954A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はファクシミリ装置の小ハリ化を目指し、原稿と
寸法的に1:1に対応させブこ光検知部を配置さぜた密
層型読み取り装置に関するものである。 近時、ファクシミリ川の密着型読み取り装置の開発か活
発化しており、この装置、にl;l j、t 44%か
ら−の反射光を集束性ロッド・レンズ・アレ4 fr辿
して検知スる型式の他、このアレイを(・Jjわり゛に
優れた光量伝達率、小型化を達成することか神々検討さ
れている。 例えは、第1図は集束性ロッド−レンズ・アレイを使わ
ない密峯f型読み取り系の柘或、を示す斜ネフ・1図で
あり、原稿1と寸法的に1=1に対に1−・さゼた光検
知部2が原稿1に密ず1され、けい光灯、光〕°1゜ダ
イオード等の発光源3が原a1を投光、し、反射光を光
検知部2で受光するものである。 第2図は第1図中、従来の光検知部2を1i−1−細に
示す要部断面図であり、第、3図は原稿1側からみた)
r検知部2の、す3“部組略図であり、同図中、X−X
′切彬1線に町って示される助1111図か釘1,2図
である。 図中、けい光灯、発光ダイオード等の発光源3(図示せ
ず)から尋光用窓4を通して入射光aか原稿1を投光し
、原稿1からの反!、1i)”C,Llか光重部材5の
一部でI)る光電変換部5′で受光される。 この光1に部組50UdS 、 (、’dsc等の他
、アモルファスシリコンでイ、組成され、光71.′敦
換部5′ζj光電部拐5のうち、下部電極6の土面−侶
・に相当する。また、7は#7059ガラス等から成る
透明基板であり、Or等の遮光性金属1膜をコートした
絶縁膜、もしくは絶縁性蒸着シリコンで形成した)fξ
先駆8が週明基板7上に導光用窓4を桟して成層される
。この遮光層8上にUr 、 Al 等から成る)部
電極6が真空蒸着によって形成され、−ト部?1.i極
6を包むようにして光電部材5が被板されている。 スズ 更に光電部相5の上には、インジウ辷「キ勺イドから成
る透明の上部鮨゛極9がコートされている。 そして原稿1との間隙を埋め、検知部を保欣する゛ため
に透明保設板】0がレンズボンド(屈折率がガラスに近
い透明な有機接着剤)11により原稿1と当接する程度
に接着されている。 かくして、送信中の原稿1がC方向へ移動されるととも
に、原稿1の読み取り信号が光電変換部5′で受光され
、上部電極9及び)部1
寸法的に1:1に対応させブこ光検知部を配置さぜた密
層型読み取り装置に関するものである。 近時、ファクシミリ川の密着型読み取り装置の開発か活
発化しており、この装置、にl;l j、t 44%か
ら−の反射光を集束性ロッド・レンズ・アレ4 fr辿
して検知スる型式の他、このアレイを(・Jjわり゛に
優れた光量伝達率、小型化を達成することか神々検討さ
れている。 例えは、第1図は集束性ロッド−レンズ・アレイを使わ
ない密峯f型読み取り系の柘或、を示す斜ネフ・1図で
あり、原稿1と寸法的に1=1に対に1−・さゼた光検
知部2が原稿1に密ず1され、けい光灯、光〕°1゜ダ
イオード等の発光源3が原a1を投光、し、反射光を光
検知部2で受光するものである。 第2図は第1図中、従来の光検知部2を1i−1−細に
示す要部断面図であり、第、3図は原稿1側からみた)
r検知部2の、す3“部組略図であり、同図中、X−X
′切彬1線に町って示される助1111図か釘1,2図
である。 図中、けい光灯、発光ダイオード等の発光源3(図示せ
ず)から尋光用窓4を通して入射光aか原稿1を投光し
、原稿1からの反!、1i)”C,Llか光重部材5の
一部でI)る光電変換部5′で受光される。 この光1に部組50UdS 、 (、’dsc等の他
、アモルファスシリコンでイ、組成され、光71.′敦
換部5′ζj光電部拐5のうち、下部電極6の土面−侶
・に相当する。また、7は#7059ガラス等から成る
透明基板であり、Or等の遮光性金属1膜をコートした
絶縁膜、もしくは絶縁性蒸着シリコンで形成した)fξ
先駆8が週明基板7上に導光用窓4を桟して成層される
。この遮光層8上にUr 、 Al 等から成る)部
電極6が真空蒸着によって形成され、−ト部?1.i極
6を包むようにして光電部材5が被板されている。 スズ 更に光電部相5の上には、インジウ辷「キ勺イドから成
る透明の上部鮨゛極9がコートされている。 そして原稿1との間隙を埋め、検知部を保欣する゛ため
に透明保設板】0がレンズボンド(屈折率がガラスに近
い透明な有機接着剤)11により原稿1と当接する程度
に接着されている。 かくして、送信中の原稿1がC方向へ移動されるととも
に、原稿1の読み取り信号が光電変換部5′で受光され
、上部電極9及び)部1
【1極6間の信号型)Eが、そ
れぞれ共通電極り一ド12及び個別電極リード13を通
して信号処理回路へ送られる。 上記の構成から成る密着型読み取り装置では光電変換部
5′に肥液して、光電麦換lit≦11′とはは同じサ
イズの等光用窓4が設けられ、通常、光孔′変((舒部
5′及び導光用窓4は一辺100μ■)前後の方形状に
形成されている。この場合、光’ci’、t l換部5
′と原稿10間隔は力、光用窓4から入射した光aを概
ね光11J健換部5′でら。)°シさ七るために100
μm前後必要となる。 ところが上述の!1゛4成ではTii+記の入用)い1
及び反射3’ebは、それぞオ′1原私1及び光電変釦
!ttも5′番こ対し傾斜していZまため、入射光8
Etび反則光すの −合計した光路長か1<<なり、
そのl;めに)1回路の途中で照度が減衰し、加えて、
原*#r+ 1の表1111の凹凸による光散乱角も大
きくなるためζ(、:3’シH+友換f3[55′での
受光強曳゛の低)、ず1^わぢん、=dLj取り111
号強度の低)となっていた。 更に前述の傾斜した投光路の1こめ、:Jit明保nつ
板10の表面で鎚rMI W−則されや1く、発光源:
4からの照明光束か直接、光電変換部5′に抽δAψさ
第1るため、これがノイズ成分となってい1こ。その1
こめに検知感度を飽和さゼる傾向か目立ち、91に、光
電変換部5′で受光される原セ)ilの両1迷イ、3号
の成分が小ざい場合、顕著であった。 以上の結果、読み取り画像の鮮鋭度(コントラスト比)
が低下して、十分な読み取りが出来ず。 末だ洒足しえるものではなかった。 本発明は上記の事情に艦み、ノイズ成分を少なくしつつ
、読み取り信号を高め、その結果、読み取り画像の鮮鋭
度(コントラスト比)を改善し、無駄のない照明と忠実
な画像の読み取りを可能とした密S′型読み取り装置を
提供することを目的どしている。 本発明は密着型読み取り装置において、発光源3からの
投光路が光電変換部5′から成る検知部を貫通している
ことを特徴とするものである。 以下、本発明の詳細な説明する。 第4図及び第5図は、それぞれ本発明蜜漬型読み取り装
置に関し、光検知部2の要部…1曲図及び要部a略図で
あり、第4図は、第5図中Y−Y′切助線によって示さ
れる断面比1である。抜たjf’、 2図及び第3図と
同一部分には同−享1号がイ」シである。 第4図及び第5図に示す通り、$$7 (I r> 9
ガラス等から成る透明基板7上に、(ンr等vI3J(
、、光性金属膜をコートした絶縁膜、もしくにl絶り性
入44シリコンで形成した遮光に′18が方]じ状のも
(九ハ1窓4を残して成層さ第1、このモ光層す上にU
r 、 AC等から成る下部小極6か前記方形状のi
9X用窓4の周囲に形成される。そしてDi)記−ト部
η!極6を包むようにして前記方形状の2.(光ハJ窓
4を残してCd8. リdie、アモルファスシリコ
ン等の〕“L1シ・部材5が被色され、3”(: ?(
j部キノj5の十にに1インジウムススオキサイドから
成る透明の1都t1・1極9がコートされている。史に
、原稿1とのIB! 1jli・を狸め、光検知部2を
保護するために、光検知h2の上面並びに導光用窓4上
に透明保WNk]4が被わχされる。 かくして、発光gA3から導光用窓4を介して原稿1を
投光する投光路か〕](検知部2を貫通することになる
。 尚、前記光電変換部5′は光′11・↑jb杓5のうぢ
。 導光用窓4の周囲に段重Jられた一F D’lj G(
’ 4:’Iち41の1面−帯に相当する。 透明基板7十の6屑に閃し、−ト部fb粕武0及び土部
電極9は主さして頁空蒸名により、またμ)・、光層8
、光亀部祠5及び透明保訟膜14は上とし7てグロー放
電により成膜される。 本発明の構成によれは、けい光く■、発光ダイオード等
の発光源3(図示せず)からの入射光aか。 光電変換部5′のほぼ具申に形成された導光用窓4を共
通して原稿1べ投光し、原稿1からの反射光すが導光用
窓4の周囲に設けられた光霜碧換部5′で検知される。 この光電変換部5′の一辺の大きさが100 /j m
前後の場合、導光用窓4の一辺の大きさは発光源3の光
度及び光電変換部5′の検知感度にもよるが約10〜6
0μtnか好適である。 従って入射光iの原稿1に対する入射角は、発光源3と
導光用窓4の間隔、及び発光源3σ〕任を一定にした場
合非鹿に小さくなり、付随して、原稿1と光電−換部5
’ (1)rJ隔カ5J来0) 10011111n
i」後より半分以1まて小さく出来、Ju明■」極9
(1)厚み(約1μm)を加算しても約50−2μmと
なることか判明した。 前記の構成により、入射光a及び反I」光すの合計した
光路長は彷来よりも知くなり、そのために光、路の途中
での照ハ1−の渾衰かかfAり抑制され、加えて一原稿
1の表面の凹凸による光i’k RL J’l <)力
)t、(り小さくなるtこめ:ζ−光電蛮挽部5′での
ダ光強バし、すなわち読み取りイ11号強度の低1iJ
かなり防止されることとなった。 そして、nij述の」01す、入射角が小さくt一つた
ため、原稿1以外による鏡面反射か少な(f、Lす、た
とえ原稿1から光箱綬換部5′で受)IL′される1】
(分が小さくても、前記ノイズ成分が小さいため、角)
鋭な検知が可能となった。 更に、原稿1と光電変換g(Ss’、!−のlf4.l
隔か小さくなったため、連光IZi 8.1部箱極6、
光′V1.部祠5及び上部電極9の共通した成膜ム“綿
゛i技術(例えは、スパッタリング、真空蒸ネ、、クロ
ー放fj+L Q’l々)を使って、透明保n’!2j
ljL 10の代替として上V(S tj−1極9上に
透明保設膜14を被膜でき、透明保4′・J、板10を
+j設するための製造上の工程をイー」加する必要はな
くなった。 しかも、前記の入射角a及び反射角すは透明)、(板7
.透明電極9等々の積層を通過するため、各層のJll
F!折率により光進路が決まるか、本発明の如き入射角
が小さくなることで各層への光入剤角が小さく1λす、
光進路の方向が従来はど各層の屈折率の影響をうけない
ため、前記反射光すが概ね、光電変換部5′で受光され
るべく位ぢイ合わせの調整が容易となった。 本発明において光電変換部5′及び導光用窓4の形状は
第5図に限定されるものではなく、種々の形状を第6図
に例示する。 946図の(イli1円形の導光用窓1を示し、(ロ)
及び(/1)は導光用窓4の内側にも光電変換部5′を
設けた変形例である。 以上の通り、本発明の密私型読み取り装置は読み取り信
号強度か向上し、且つノ・イズ成分か小さくなったため
、読み取り画像の鮮鋭度(コントラスト比)か改善され
、卸駄のない照明ノ忠実な画像の読み取りか可能となっ
た。 更に、透明体Di板10の代替として透1す」保画膜1
4か被膜されるため、製造工程が合理化され、且つ各層
の屈折率の影響が小さくt−リ、光?l:rR換部5″
での導光に要する位置合わぜのill・rl 整hs
”4−、易になるという利点も有することと1五つだ。
れぞれ共通電極り一ド12及び個別電極リード13を通
して信号処理回路へ送られる。 上記の構成から成る密着型読み取り装置では光電変換部
5′に肥液して、光電麦換lit≦11′とはは同じサ
イズの等光用窓4が設けられ、通常、光孔′変((舒部
5′及び導光用窓4は一辺100μ■)前後の方形状に
形成されている。この場合、光’ci’、t l換部5
′と原稿10間隔は力、光用窓4から入射した光aを概
ね光11J健換部5′でら。)°シさ七るために100
μm前後必要となる。 ところが上述の!1゛4成ではTii+記の入用)い1
及び反射3’ebは、それぞオ′1原私1及び光電変釦
!ttも5′番こ対し傾斜していZまため、入射光8
Etび反則光すの −合計した光路長か1<<なり、
そのl;めに)1回路の途中で照度が減衰し、加えて、
原*#r+ 1の表1111の凹凸による光散乱角も大
きくなるためζ(、:3’シH+友換f3[55′での
受光強曳゛の低)、ず1^わぢん、=dLj取り111
号強度の低)となっていた。 更に前述の傾斜した投光路の1こめ、:Jit明保nつ
板10の表面で鎚rMI W−則されや1く、発光源:
4からの照明光束か直接、光電変換部5′に抽δAψさ
第1るため、これがノイズ成分となってい1こ。その1
こめに検知感度を飽和さゼる傾向か目立ち、91に、光
電変換部5′で受光される原セ)ilの両1迷イ、3号
の成分が小ざい場合、顕著であった。 以上の結果、読み取り画像の鮮鋭度(コントラスト比)
が低下して、十分な読み取りが出来ず。 末だ洒足しえるものではなかった。 本発明は上記の事情に艦み、ノイズ成分を少なくしつつ
、読み取り信号を高め、その結果、読み取り画像の鮮鋭
度(コントラスト比)を改善し、無駄のない照明と忠実
な画像の読み取りを可能とした密S′型読み取り装置を
提供することを目的どしている。 本発明は密着型読み取り装置において、発光源3からの
投光路が光電変換部5′から成る検知部を貫通している
ことを特徴とするものである。 以下、本発明の詳細な説明する。 第4図及び第5図は、それぞれ本発明蜜漬型読み取り装
置に関し、光検知部2の要部…1曲図及び要部a略図で
あり、第4図は、第5図中Y−Y′切助線によって示さ
れる断面比1である。抜たjf’、 2図及び第3図と
同一部分には同−享1号がイ」シである。 第4図及び第5図に示す通り、$$7 (I r> 9
ガラス等から成る透明基板7上に、(ンr等vI3J(
、、光性金属膜をコートした絶縁膜、もしくにl絶り性
入44シリコンで形成した遮光に′18が方]じ状のも
(九ハ1窓4を残して成層さ第1、このモ光層す上にU
r 、 AC等から成る下部小極6か前記方形状のi
9X用窓4の周囲に形成される。そしてDi)記−ト部
η!極6を包むようにして前記方形状の2.(光ハJ窓
4を残してCd8. リdie、アモルファスシリコ
ン等の〕“L1シ・部材5が被色され、3”(: ?(
j部キノj5の十にに1インジウムススオキサイドから
成る透明の1都t1・1極9がコートされている。史に
、原稿1とのIB! 1jli・を狸め、光検知部2を
保護するために、光検知h2の上面並びに導光用窓4上
に透明保WNk]4が被わχされる。 かくして、発光gA3から導光用窓4を介して原稿1を
投光する投光路か〕](検知部2を貫通することになる
。 尚、前記光電変換部5′は光′11・↑jb杓5のうぢ
。 導光用窓4の周囲に段重Jられた一F D’lj G(
’ 4:’Iち41の1面−帯に相当する。 透明基板7十の6屑に閃し、−ト部fb粕武0及び土部
電極9は主さして頁空蒸名により、またμ)・、光層8
、光亀部祠5及び透明保訟膜14は上とし7てグロー放
電により成膜される。 本発明の構成によれは、けい光く■、発光ダイオード等
の発光源3(図示せず)からの入射光aか。 光電変換部5′のほぼ具申に形成された導光用窓4を共
通して原稿1べ投光し、原稿1からの反射光すが導光用
窓4の周囲に設けられた光霜碧換部5′で検知される。 この光電変換部5′の一辺の大きさが100 /j m
前後の場合、導光用窓4の一辺の大きさは発光源3の光
度及び光電変換部5′の検知感度にもよるが約10〜6
0μtnか好適である。 従って入射光iの原稿1に対する入射角は、発光源3と
導光用窓4の間隔、及び発光源3σ〕任を一定にした場
合非鹿に小さくなり、付随して、原稿1と光電−換部5
’ (1)rJ隔カ5J来0) 10011111n
i」後より半分以1まて小さく出来、Ju明■」極9
(1)厚み(約1μm)を加算しても約50−2μmと
なることか判明した。 前記の構成により、入射光a及び反I」光すの合計した
光路長は彷来よりも知くなり、そのために光、路の途中
での照ハ1−の渾衰かかfAり抑制され、加えて一原稿
1の表面の凹凸による光i’k RL J’l <)力
)t、(り小さくなるtこめ:ζ−光電蛮挽部5′での
ダ光強バし、すなわち読み取りイ11号強度の低1iJ
かなり防止されることとなった。 そして、nij述の」01す、入射角が小さくt一つた
ため、原稿1以外による鏡面反射か少な(f、Lす、た
とえ原稿1から光箱綬換部5′で受)IL′される1】
(分が小さくても、前記ノイズ成分が小さいため、角)
鋭な検知が可能となった。 更に、原稿1と光電変換g(Ss’、!−のlf4.l
隔か小さくなったため、連光IZi 8.1部箱極6、
光′V1.部祠5及び上部電極9の共通した成膜ム“綿
゛i技術(例えは、スパッタリング、真空蒸ネ、、クロ
ー放fj+L Q’l々)を使って、透明保n’!2j
ljL 10の代替として上V(S tj−1極9上に
透明保設膜14を被膜でき、透明保4′・J、板10を
+j設するための製造上の工程をイー」加する必要はな
くなった。 しかも、前記の入射角a及び反射角すは透明)、(板7
.透明電極9等々の積層を通過するため、各層のJll
F!折率により光進路が決まるか、本発明の如き入射角
が小さくなることで各層への光入剤角が小さく1λす、
光進路の方向が従来はど各層の屈折率の影響をうけない
ため、前記反射光すが概ね、光電変換部5′で受光され
るべく位ぢイ合わせの調整が容易となった。 本発明において光電変換部5′及び導光用窓4の形状は
第5図に限定されるものではなく、種々の形状を第6図
に例示する。 946図の(イli1円形の導光用窓1を示し、(ロ)
及び(/1)は導光用窓4の内側にも光電変換部5′を
設けた変形例である。 以上の通り、本発明の密私型読み取り装置は読み取り信
号強度か向上し、且つノ・イズ成分か小さくなったため
、読み取り画像の鮮鋭度(コントラスト比)か改善され
、卸駄のない照明ノ忠実な画像の読み取りか可能となっ
た。 更に、透明体Di板10の代替として透1す」保画膜1
4か被膜されるため、製造工程が合理化され、且つ各層
の屈折率の影響が小さくt−リ、光?l:rR換部5″
での導光に要する位置合わぜのill・rl 整hs
”4−、易になるという利点も有することと1五つだ。
第1図はファクシミリ送他機の集束性ロッド・レンズ・
アレイを使わない密着型読み取り糸の)、11.W成を
示す斜視図、第2図及び第3図はそれぞれ第1図光検知
部の従来の構成を示す要部断面図及び要部概略図、第4
図及び第5図はそれぞれ本発明の実施例を示す第1図光
検知部の要部断面図及び要部概略図、また第6図は木発
11J、iの他の実施例を示す要部概略図である。 1・・・原稿、2・・光検知部、4・・・心〕”C11
1窓、5・・・光電部材、5′・・・光電変換部、6・
・・上部1し極、8・・・遮光層、9・・・上部電極、
14・・・透明保し脱出願人 京都セラミックわト式
会ね
アレイを使わない密着型読み取り糸の)、11.W成を
示す斜視図、第2図及び第3図はそれぞれ第1図光検知
部の従来の構成を示す要部断面図及び要部概略図、第4
図及び第5図はそれぞれ本発明の実施例を示す第1図光
検知部の要部断面図及び要部概略図、また第6図は木発
11J、iの他の実施例を示す要部概略図である。 1・・・原稿、2・・光検知部、4・・・心〕”C11
1窓、5・・・光電部材、5′・・・光電変換部、6・
・・上部1し極、8・・・遮光層、9・・・上部電極、
14・・・透明保し脱出願人 京都セラミックわト式
会ね
Claims (1)
- 発光源が原稿を投光し、該原稿からの反射光を、原稿と
寸法的に1:1に対応させた検知部で受光するようにま
た密箱型読み取り装置において、前記発光源からの投光
路が前記検知部を貫通していることを特徴とする密着型
読み取り装置i′f。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57160218A JPS5948954A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 密着型読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57160218A JPS5948954A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 密着型読み取り装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5948954A true JPS5948954A (ja) | 1984-03-21 |
JPH0415630B2 JPH0415630B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=15710278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57160218A Granted JPS5948954A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 密着型読み取り装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5948954A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1982
- 1982-09-13 JP JP57160218A patent/JPS5948954A/ja active Granted
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US10900999B2 (en) | 2009-10-28 | 2021-01-26 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
US10866395B2 (en) | 2009-10-28 | 2020-12-15 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
US11598699B2 (en) | 2013-02-06 | 2023-03-07 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for quantitative microscopy |
US10768078B2 (en) | 2013-02-06 | 2020-09-08 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for quantitative microscopy |
US10502666B2 (en) | 2013-02-06 | 2019-12-10 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for quantitative microscopy |
US10809512B2 (en) | 2013-06-26 | 2020-10-20 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for microscopy |
US10459213B2 (en) | 2013-06-26 | 2019-10-29 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for microscopy |
US11874452B2 (en) | 2013-06-26 | 2024-01-16 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for microscopy |
US10746979B2 (en) | 2013-06-26 | 2020-08-18 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for microscopy |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0415630B2 (ja) | 1992-03-18 |
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