JPS5981968A - 密着型読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はファクシミリ装置の小型化を目指し、原稿と寸
法的に１＝１に対応させた光検知部を配置さぜた密着型
読み取り装置に関するものである。

近時、ファクシミリ用の密名型読み取り装置の開発か活
発化しており、この装置には原稿からの反射光が集束性
ロッド・レンズ・アレイを通して検知する型式の他、こ
のアレイを使わずに優れた光量伝達率、小型化を達成す
ることが種々検討さねており、本発明者等は以下のよう
な装置を先に提案した。

即ち、第１図は集束性ロッド・レンズ・アレイを使わな
い密着型読み取り系の構成を示す斜視図であり、原稿１
と寸法的に１＝１に対応させた光検知部２が原稿１に密
着さね、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３か原稿
１を投光し、反射光を光検知部２で受光するものである
。

第２図は第１図中、光検知部２の一例を詳細に示す要部
断面図であり、第３図は原稿１側からみた光検知部２の
要部概略図であり、同図中、Ｘ−Ｘ′切断線によって示
される断面図が第２図である。

図中、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３（図示せ
ず）から導光用窓４を通して反射光ａが原稿１を投光し
、原稿１からの反射光わが光電部材５の一部である光電
変換部５′で受光される。

この光電部材５はＣｄ８　、　Ｃｄ８ｅ等の他、　アモ
ルファスシリコンでも構成され、光電変換部５′は光亀
部利５のうち、下部電極６の上面−帯に相当する。また
、７は１１７０５９ガラス等から成る透明基板であり、
　Ｕｒ等の遮光性金属膜をコートした絶縁膜、もしくは
８ｉ等の遮光性絶縁膜で形成した遮光層８が透明基板７
上に方形状の導光用窓４を残して成層される。この遮光
層８上にＯｒ、Ａβ等から成る下部電極６が前記方形状
の導光用窓４の周囲に真空蒸着によって形成さオ］、１
都市、極６を包むようにして前記方形状の導光用窓４を
残して光電部材５が被覆されている。更に、光電部材５
の上にはインジウムスズオキサイドから成る透明の上部
電、極９かコートさねている。そして原稿１との間隙を
埋め、光検知部２を保論するために光検知部２の上面並
びに、導光用窓４上に８ｉ（Ｊｚ等から成る透明保睦膜
１０が被咎される。

かくして、迭伯中の原稿１がＣ方向へ移動されるととも
に、発光源３から導光用窓４を介して原稿１を投光する
投光路が光検知部２を負通し、原稿１の読み取り信号が
光電変換部５′で受光され、上部電極９及び下部型、極
６間の信号電圧が、それぞれ共通電極り−ド１１及び個
別電極リード１２を通して信号処理回路へ送られる。

上述の通り、原稿１を投光する投光路が光検知部２を貫
通させるという本発明者等の提案の結果、原稿１に対す
る入射角が非包に小さくなり、付随して、原稿１と光電
変換部５′の間隙か、大きい入射角を有した従来の方式
よりも半分以下まで小さく出来、入射光ａ及び反射光す
の合計した光路長は従来よりも短くなり、そのために光
路の途中での照度の減衰がかなり抑制され、加えて、原
稿１の表面の凹凸による光散乱角もかなり小さくなるた
めに、光電変換部５′での受光強度、すなわち読み取り
信号強度の低下はかなり防止されることとなった。

上記の構成では、透明電極９か各光電変換素子の共通し
た電極として、すべての光電部材５上の全面にわたり被
覆されるが、そのための製作プロセスとして例えばフォ
トエツチングを採用した場合、このエツチング液は先に
下部電極６が形成される際に使用したフォトエツチング
液よりも強い酸であるため、１部電極６かエツチングや
腐食をおこし、下部電極６が電気的にオープンとなるた
め、フォトエツチングは不適当であった。

また、マスキング蒸着で透明電極９を形成する場合、マ
スクと基板の密着が完全でないため蒸着材料のまわり込
みが生じて境界が不明瞭になるという周知の欠点を有し
、更に、マスクの被覆の際。

基板が約２００℃近くまで加熱されるため、マスクと基
板の熱膨張の差により、マスク位置の精度か劣るという
問題もあり、許容範囲を見積って、下部電極６と個別電
極り一部１１を結ぶ接続リード部の真上にある光電部材
５にまで透明電極９が被籾される。そのため、前記接続
リード部をできるたけ細くしつつも、第３図中、光電変
換部５′の突出部５″でも受光読み取りがおこなわれ、
投光路の反射状況から主として読み取り画素の瞬接部分
を読み取ることになり、ノイズ成分の原因となっていた
。そのブこめ、読み取り画像の鮮鋭度（コントラスト比
）か低下して、十分な読み取りが出来ず、未だ満足しえ
るものではなかった。

本発明者等は上記事情に鑑み、光電変換機能を有する突
出部５“をなくして、読み取り画像の鮮鋭度（コントラ
スト比）を改善し、忠実な画像の読み取りを可能とした
密着型読み取り装置を提供することを目的としている。

本発明は光電部材を介して対極した両電極により重畳さ
ねている密着型読み取り装置において、原稿に対向した
電極上に原稿からの反射光の一部を導光するための層を
形成したことを特徴とするものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

第４図及び第５図は本発明密着型読み取り装置に関し、
そ第１ぞ第１光検知部２の要部断面図及び要部概略図で
あり、第４図は第５図中、Ｙ−Ｙ’切断線によって示さ
れる断面図である。

第４図及び第５図に示す通り、＄１７０５９ガラス等か
ら成る透明基板７上に、各光電変換素子の共通した電極
とし丁、Ｃｒ　、　’ｌ’ｉ　、　Ｍｏ　　等から成る
■ 遮光性共通電極１３を、方形状の導光用窓４を残して成
層され、この遮光性金属膜ｔＪｉｉ１３を包むようにし
て、導光用窓４を残してＵｄ８　、　Ｕｄ８ｅ、アモル
ファスシリコン等の光電部材５か被覆される。

しかも、光電部材５上には導光用窓４を残して、長方形
の透明電極１４がコートさね、透明亀ｔＪｉ！１４上に
Ｏｒ　、　ｉ’ｉ　、　Ｍｏ　等の遮光性金属層１５が
導光用窓４及び光電変換部５′を残して被覆される。

この光電変換部５′は光電部材５のうち、遮光性共通電
極１３の真上にあり、且つ遮光性金属層１５は光電変換
部５′、の真上が除かれ、加えて、導光用窓４は光電変
換部５′のほぼ真中に位置される。

そして、原稿１との間隙を埋め、光検知部２を保観する
ために、光検知部２の上面並びに導光用窓４上に８ｉ（
Ｊ２等から成る透明保護膜１０が被覆される。

透明基板７上の前記各層に関し、遮光性共通電極１３．
透明電極１４、遮光性金属層１５は主として真空蒸着に
より、また光電部材５、透明保護膜１０は主としてグロ
ー放電により成膜さｉする。−かく」７て、けい光灯、
発光ダイオード等の発光詠３（図示せず）からの入射光
ａが等光用窓４を通して原稿１を投光し、この原稿ｌが
らの反射光すが導光用窓４の周囲の光電変換部５′で受
光される。この場合、光電変換部５′は読み取り画素の
信号のみ受光するように遮光性金属層１５により区切ら
ね、読み取り画素の隣接部分の信号が受光されないため
、ノイズ成分が激減されることとなった。

マタ、本発ＥＵは集束性ロッド・レンズ・アレイを使わ
ない密着型読み取り装置を例にとったが、集束性ロッド
・レンズ・アレイを通して検知する密着型読み取り装置
であっても、本発明は適用できる。即ち、原稿１からの
反射光すか集束性ロッド・レンズΦアレイを通して光電
変換部５′に導光されるという差異はあっても、上記の
説明から明らかなように、遮光性金属層１５及び透明電
極１４から成る一方の重畳型電極に対し、他の電極か、
すべての光電変換素子の共通した電極であわば、当然光
電変換部５′中に突出部５′か出来ても、この突出部５
“での受光読み取りが防止でき、同様の効果が期待でき
る。

以上の通り、本発明の密着型読み取り装置は原稿に対向
する電極を各光電変換素子の個別電極にし、二層から成
る個別電極の一層を遮光性金属層１５にした結果、読み
取り画素以外のノイズ成分を除去し、読み取り画像の鮮
鋭度（コントラスト比）を改善し、忠実な画像の読み取
りが可能となった。

【図面の簡単な説明】 第１図はファクシミリ送信機の集束性ロッド・レンズ・
アレイを使わない密着型読み取り系の構成を示す斜視図
、第２図及び第３図はそれぞわ第１図）Ｙ゛検知部の従
来の構成を示す要部断ｍ１図及び要部概略図、また第４
図及び第５図はそれぞれ本発明の実施例を示す第１図光
検知部の要部断面図及び要部概略図である。 １・・・原稿、２・・・光検知部、４・・・導光用窓、
５・・・光電１部材、５′・・・光電変換部、５“・・
・突出部、１３・・・遮光性共通電極、１４・・・透明
電極、１５・・・遮光性金属層 出願人　　京セラ株式会社 と

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 発光源が原稿を投光し、該原稿からの反射光が原稿と寸
   法的に１＝１に対応させた光電変換素子アレイで受光さ
   れ、前記光電変換素子が光導電層を介して対極した両電
   極により重畳されて成る密着型読み取り装置において、
   前記原稿に対向した前記電極上に、前記反射光の一部を
   遮光するための層を形成したことを特徴とする密着型読
   み取り装置。