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JPS63271968A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents

密着型イメ−ジセンサ

Info

Publication number
JPS63271968A
JPS63271968A JP62105614A JP10561487A JPS63271968A JP S63271968 A JPS63271968 A JP S63271968A JP 62105614 A JP62105614 A JP 62105614A JP 10561487 A JP10561487 A JP 10561487A JP S63271968 A JPS63271968 A JP S63271968A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
film
receiving element
image sensor
guiding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62105614A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Tarui
垂井 敬次
Atsushi Yoshinouchi
淳 芳之内
Shuhei Tsuchimoto
修平 土本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP62105614A priority Critical patent/JPS63271968A/ja
Publication of JPS63271968A publication Critical patent/JPS63271968A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/191Photoconductor image sensors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ファクシミリや文字画像の読取り入力装置に
用いて好適な密着型イメージセンサの改良に関するもの
である。
〈従来の技術〉 一般に、ラインセンサを用いた画像読取り装置では螢光
灯やLED(発光ダイオード)アレイなどで照明された
原稿の情報を光学レンズやロッドレンズアレイを通して
センサ上に結像し、原稿またはセンサを移動させること
によって、2次元情報を読取るように構成されている。
このような画像読取り装置の従来のものは、CCD(電
荷結合素子)を受光素子として用い、このCCDと光学
系を組み合わせた構成のもの、さらには密着型イメージ
センサとロッドレンズアレイを組み合わせた構成のもの
がある。特に後者は近年ファクシミリなどの小型化、低
価格化を目的として開発が進んでいる。
また、密着型イメージセンサを構成する光電変換膜とし
て、非晶質シリコン薄膜(a−5i)を用いてフォトダ
イオードを形成するタイプ、あるいはCd5−CdSe
固溶体を用いて光導電セルを形成するタイプがあるが、
両者ともに一長一短がある。
まず、非晶質シリコン薄膜を用いた場合は、信号光に対
し高速応答を示すため、高速駆動が可能である反面、独
立駆動方式であるため、駆動用ICを多数必要としコス
ト面で問題があり、またセンサ特性の歩留り、再現性も
悪い。一方、Cd5−CdSe固溶体を用いた場合は、
マトリックス駆動方式が採用できるため、駆動回路のコ
ストが低減出来、センサ感度も高感度なものが得られる
。しかしながら、信号光に対する応答速度は非晶質シリ
コン薄膜に比べ劣るため、高速駆動が困難とされていた
そこで、最近ではこの光応答速度を改善するため、受光
センサ面に入射する信号光以外に定常光を重ねて照射す
る方法が検討されている。この効果は、光応答の際に関
与するトラップが、定常光によっである程度埋められて
いるため、信号光の光応答の際に関与するトラップが減
少しているためである。
〈発明が解決しようとする問題点〉 従来、密着型イメージセンサは原稿の情報を通常ロッド
レンズアレイを通してセンサ上に結像しているため、小
型化にはおのずと限度があった。
第2図は従来の一般的な密着型イメージセンサの構造を
示す断面図であり、11は基板、12は受光素子、13
はLEDアレー光源、14は原稿、15はロッドレンズ
アレイである。この第2図に示すタイプではロッドレン
ズアレイ15の共役長たけ原稿14とセンサを離さねば
ならず、通常、密着型イメージセンサのユニットとして
20〜30絹の厚さになってしまう。更にレンズ系を使
っているので、光学調整が必要であり、光量伝達率の低
下の問題もある。
また前述した様にCd5−(d5e固溶体を光電変換膜
として、高速な光応答速度を得るため、信号光以外に定
常光をセンサ面に照射する密着型イメージセンサを構成
した場合を第3図に示す。第3図に示した構造の密着型
イメージセンサは、第2図に示したように信号光となる
原稿14を照射するためのLEDアレー光源3以外に定
常光を照射するための光源16を必要とし、コスト面、
更に小型化といった面で問題が生じる。
本発明は上記の2点の問題点に鑑みて創案されたもので
あり、レンズ系を使わず原稿照射用の光源と受光素子へ
の定常光照射用の光源を1つの光源で兼用することで、
小型化、低価格化、更には高感度、高速駆動の可能な密
着型イメージセンサを提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するため1本発明の密着型イメージセ
ンサは、光源からの照射光を読取られるべき原稿に導く
第1の導光性膜と、上記の同一光源からの照射光を読取
り用受光素子の受光面に定常光として照射するための第
2の導光性膜とを有し、上記の第1及び第2の導光性膜
を上記の原稿と受光素子との間に形成して上記の光源は
、上記の第1及び第2の導光性膜を照射することにより
、第1及び第2の導光性膜の端部に光を導いて第1の導
光性膜が原稿面を照射し、第2の導光性膜が受光素子の
受光面を照射するようになして、レンズ系を持たない構
成としている。
く作用〉 上記のように本発明では原稿と受光素子間に形成した第
1及び第2の導光性膜を同一の光源により照射すること
により照射光はそれぞれ第゛1及び第2の導光性膜を通
って各導光性膜端部へと導びかれ、第1の導光性膜の端
部から出射される光は原稿面を照と第2の導光性膜の端
部から用溝される光は受光素子の受光面を照射する。以
上のようにして、レンズ系を使わず、原稿照射用の光源
と受光素子への定常光照射用の光源を1つの光源で兼用
することで、小型化、低価格化、更に、高感度、高速駆
動が可能で、かつ作製が容易である密着型イメージセン
サが提供できる。
〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第1図は本発明の一実施例を示す密着型イメージセンサ
の概略断面図である。
第1図において、lは透光性基板、2は透光性基板の一
方の面上に設けられた受溝素子、3は基板1の他方の面
側に設けられた光源、4は原稿、5は受光素子2を保護
するために基板1の一方の面上に形成された透明または
半透明保護膜、6は光源3からの光が直接受光素子2に
照射されないようにするため、上記の基板1の他方の面
の所定の位置に設けられた遮光膜、7は原稿4と受光素
子2との間に位置し、光源3からの光を受けて原稿4へ
と光を導くように、上記保護膜5の一側方に設けられた
第1の導光性膜、8は原稿4と受光素子2との間に位置
し、光源3からの光を受けて受光素子2へと光を導くよ
うに、上記保護膜5の他側方に設けられた第2の導光性
膜、9は受光素子2へ導かれる光重を制限するための基
板lの他方の面の所定の位置に設けられた光減衰フィル
タである。
次に、第1図の実施例の密着型イメージセンサの作製方
法を説明する。
まず、透光性絶縁基板1の一方の主面上にCdS。
CdSe固溶体を主成分とする受光素子2を形成し、次
に受光素子2の保護膜5を形成する。この保護膜5は光
源3からの光が透過するような透明または半透明の膜で
構成する3次に受光素子2の裏側に光源3の光が直接照
射されないように、透光性絶縁基板1の所定の位置に遮
光膜6を形成すると共に光減衰フィルタ膜9を形成する
次に、第1の導光性膜7及び第2の受光性膜8を塗布ま
たは接着によって保護膜5面上の所定の位置に形成し、
最終的にはこの上に更に保護膜を形成して完了する。
第1及び第2の導光性膜7及び8は適当な螢光体を含有
した樹脂層から成り、光源3から平面側に照射された入
射光が導光性膜7及び8中の螢光体をランダムに放射状
に光らせ、螢光体の発する光は導光性膜7及び8中を全
反射条件を満たしながら、導光性膜7及び8の端部7a
及び8aへと導びかれ、導光性膜端部7a及び8aから
光放射される。このとき導光性膜7及び8の端部7a及
び8aの形状は第1の導光性膜7は原稿4側に、第2の
導光性膜8は受光素子2側に、それぞれ光が照射されや
すいように、導光性膜7及び8の端部7a及び8a形状
をある角度を持った端面形状となすように処理している
上記第1及び第2の導光性膜7及び8はその内部に含有
された螢光体から発せられた光が出来るだけ全反射する
ような形状となすのが望ましく、具体的には原稿4に接
する面は平坦であることが望ましい。またこの面に金属
膜を付着させて遮光して光漏れを減らすように成しても
良い。
導光性膜7.8内に含有する螢光体の光吸収スペクI−
/しは、発光スペクトルより短波長側にあるため、螢光
体を発光させるためには、光源3として発光スペクトル
より短波長側の成分を含む光源を用いる必要がある。通
常、ファクシミリ等に用いられる原稿への照射光は、赤
色の原稿情報も読取る必要性があるため、緑色の光源を
用いる場合が多く、この場合についても、螢光体から発
する光は緑色であることが望ましく、導光性腺7,8内
に例えば530 nm付近に発光のピークが存在する緑
色に発光する螢光体を含ませるのが望ましい。
また、通常受光素子2と原稿4の距離は、受光素子2の
解像度ピッチ以下にしなければ解像度良く原稿4の情報
を読取ることが出来ないので、8本/Hの受光素子2の
場合は10〜80μm程度の厚さの導光性膜を形成する
(1本/ffの場合は300〜500#m)。
尚、この実施例においては光源3に昼光色螢光管を用い
、第1及び第2の導光性膜7及び8に含まれる螢光体は
上記したように緑色の螢光体を用いることで一般によく
用いられる赤色等を含む原稿も忠実に読取ることが出来
る。
また受光素子2側に照射する定常光は通常、原稿4から
の反射光の10%〜50%の照度で光応答速度の改善効
果が認められるがそれ以上の照度で定常光を照射すると
逆に明暗比の劣化が大きくなるため、第2の導光性膜8
に照射する光を制限するため、上記のような原稿からの
反照光の10〜50%となるように、適当な光減衰フィ
ルり9を受光素子面とは逆の面の透光性絶縁基板1に形
成している。
このように作製された密着型イメージセンサは従来のも
のに比べ、光学レンズを用いないので、低コスト化、超
小型化が図られ光学調整等も不要になった。また、受光
素子に、従来光応答速度が遅いため高速駆動が困難とさ
れていたCd5−CdSe固溶体を用いたが、実施例に
おける密着型イメージ素子は従来の5 m5ec/Jf
fine の走査速度が1〜2 m5ec/ /ine
で読取ることが可能となり、高速駆動が実現された。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、受光素子と原稿との間に
形成した第1及び第2の導光性膜を同一の光源により照
射することにより、照射光はそれぞれ第1及び第2の導
光性膜を通って各導光性膜端部へと導びかれ、第1の導
光性膜は原稿面を照射すると共に第2の導光性膜は受光
素子の受光面を照射するため、レンズ系を使わず原稿照
射用光源と受光素子への定常光照射用の光源を1つの光
源で兼用することの出来る密着型イメージセンサを提供
することが出来、これにより低価格、超小型で光学調整
が不要であり、更に光応答速度が改善されるため高速駆
動が可能で、高感度な密着イメージセンサを容易に提供
することが出来る。
また、各導光性膜端部から放射される光は、螢光体から
の放射及び界面との全反射により伝送されているので、
光量ムラは非常に小さい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の密着型イメージセンサの構
造を示す断面図、第2図は一般的な従来の密着型イメー
ジセンサの構造を示す断面図、第3図は、第2図の構造
のものに加え、受光素子に定常光を照射する様に構成さ
れた従来例の構造を示す断面図である。 1・・・透光性絶縁基板、2・・・受光素子、3・・・
光源(昼光色螢光管)、4・・・原稿、5・・・透明ま
たは半透明保護膜、6・・・遮光膜、7・・・第1の導
光性膜、8・・・第2の導光性膜、9・・・光減衰フィ
ルり、7a。 8a・・・導光性膜端面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光源からの照射光を読み取られるべき原稿に導く第
    1の導光性膜と、 上記光源からの照射光を読み取り用受光素子の受光面に
    定常光として導く第2の導光性膜とを有し、 上記第1及び第2の導光性膜を上記原稿と受光素子との
    間に形成するように成したことを特徴とする密着型イメ
    ージセンサ。 2、前記第1及び第2の導光性膜は螢光体を含む樹脂膜
    で構成してなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の密着型イメージセンサ。
JP62105614A 1987-04-28 1987-04-28 密着型イメ−ジセンサ Pending JPS63271968A (ja)

Priority Applications (1)

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JP62105614A JPS63271968A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 密着型イメ−ジセンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62105614A JPS63271968A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 密着型イメ−ジセンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63271968A true JPS63271968A (ja) 1988-11-09

Family

ID=14412377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62105614A Pending JPS63271968A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 密着型イメ−ジセンサ

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