JPS59219137A - シリコンウェーハの面を研削する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本光りＪＦｉ、半導体基板の面分研削する方法、更に詳
しくはＫＩ　Ｍ超砥粒製ブレードによって半導体基板の
而を研削する方法に関する。

周知の如く、半導体基板の製造においては、一般に、高
純度シリコン、ガリウムひ素又はガリウムりん等の半尋
体材料から成る略円柱状のインゴットを生成し、次いで
このインボラトラ適宜の厚きにスライスして多４ｙ枚の
略円板状の半導体基板？生成する。しかる後に、各半導
体基板の両面を砥粒加工し、次いで各半導体基板？適宜
の混酸溶液に浸漬せしめてその両面ケエッチング処理し
、そして更に谷半導１７ｖ−基根の片面ケポリツシング
して鏡面にせしめる。かようにして製造された半導体基
板の上記片面即ち鏡面には印刷等によって回路が施され
るか、回路ｒ施した故に半導体基板の他面を更に砥粒加
工することも少なくないっ而して、半導体基板のω１の
砥粒力１丁、ｌ）ｔ：ＶＣ回路ケ施す前の半導体尤板の
両面の砥ＫＭ、加工においては、砥粒加工によって梨地
面にせしめることか一般に重要であると考えられている
。一般に、回転駆動式れる固定超砥粒音用いて半堺体卆
板の面？研削すると、研削された面に相当顕著なｒ９ｒ
　ｉｉｌ’Ｊソーマークが生成され、かかるンーマーク
に起因して半導体基板に望ましくない方向性が生ずる。

ヤこで、従来は、遊離砥粒？用いる新開ラッピングによ
って半導体基板の両面ケ砥粒加工していた。ラッピング
は、通常、半導体基板′の両面とこむ、らに対向して位
置するラッピング板との出１に遊１４Ｉｌト砥粒を含有
したラッピング液ケ介在せしめ、半導体基板とラッピン
グ板とｋｍ宜の圧力で相互に押伺けながら相対的に移動
せしめることによって遂行垢れる。かようなラッピング
によれば、半導体装置の面をソーマークが実質上存在し
ない梨地面にせしめることができる。

しかしながら、上記ラッピングには、（イ）固定砥粒を
用いる場合に比べて作業効率が相当低い、（ロ）ラッピ
ング液によって半導体基板が汚染逼れ、それ故にラッピ
ングの候に比較的煩雑な半導体基板洗浄及び乾燥工程全
遂行しなければならない、（ハ）自動化が困難である、
という欠点乃至問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主
目的ｔユ、固定肋砥粒製ブレード？用いて半導体基板の
１ｈｉ　ｋ研削する、従って半導体基板を汚染する等の
問題音生ぜしめることなく充分な作業効率で且つ容易に
自動化可能な様式で半導体基板のｆｆ１ｉｋ研自１１す
ることができるにもかかわらず、佑（削した面？ソーマ
ークが実買上皆無或いは存在するとしても僅かである梨
地面にせしめることができる新規且つ優れた半導体基板
の面金研削する方法ｋ　（〕≠ｌ（することである、 本発明者法、ルしは研うを及び央晒ｒＪ↓（ねた績宋と
し玉、駕くべきことに、従来は、ｉす１転ぜ（人！Ｉ＋
／１さ／−Ｌる固定超砥８製ブレード？用いて半導体ｌ
■（板の１１１１伊イＯＦ削すると、研６１」された曲
に必然的に相当顕著カッ−マークが生成されると考えら
１でいたが、ブレードによって半導体基板の面？（σを
削するのに先立って、特定のドレッサ即ち固定哨化アル
ミニウム系砥粒製ドレッサによってブレードｒドレッシ
ングすると、ソーマークゲ実禰上生成せしめることなく
或いは生成されるとしても僅かにせしめて、半導体基板
の面をブレードによって九分良好な：＋ｉ！：地面に研
削することができること？見出した。

即ち、本９＋３明によれば、回転駆動ちオシ／）向矩商
砥粒製フレードによって、十得体＆仮の…＋’ａ−研削
する方法にして；該半導体基板の而ｋ　＋ｖｔ削するの
に先立って、固定酸化アルミニウム糸砥粒貞ドレッサに
よって詐ブレード？ドレツシンク１−ること金ケ特徴と
するＪＪ法が提供される。

すＴ’、ｉ７ｉ召・１図面紫浴照して、更（こ詳、１ｉ
ｌ１１に１（兄明する。

第１図は、本発明の方法に使用し得るイ再肖１」ホイー
ルの一具体例ケ図示している。図示の研ｉ’４＋３ホイ
ール２は、円１する法部４とこの基部４０周周縁上ら阜
下する円筒形垂下部６と？有する支持部材８＋ｄ−具備
している。この支持部材８は、アルミニウムの如き適宜
の金属材料から形成されているのカニ好肴昏合である。

支持部側８の盾部４の中ｒ９部は適宜の方式によって１
φ１転＋１！１１１１０に装着場１する。図示の場合、
基部４の中心部には貫通開ロ１２力≦Ｊ杉成され、−万
、回転軸１０の下０；ｉＡ　＠Ｉｓには外）副面に雄螺
条力ｉ形成場れた小径部１４か形成式れており、υｄ口
］２に小径部１４を挿〕［１ルて基部４の上面ケ回転４
１１０の周部１６に当接ぜしめ、そして開口１２１ｊ亀
つて突出するところの小径部１４の突出端部にナツト１
８を綿層することによって、回転ｔｉｌｌ’　Ｉ　Ｏ＆
こ支持部拐８が漸脱自在に装着さｒしている。

支持部拐８の自由端縁部即ち垂Ｆ部６にＣＪ、フレード
２０が設けられている。このプレート’　２　ｔ）は、
固定超（低粒製であることが重快である。超は粒は、例
えば立方晶窒化硼素砥粒又はそのル４似似粒でよいが、
天然又は合成タイヤモンド仙、ツ泣であるのが好ましい
。ダイヤモンド砥粒（１）粒数け、Ｕ。

Ｓ、メツシュ′？「号で１２００乃至１００、好まし、
くは］　０００乃至１５０、特に好ましくは８０°ノブ
至２３０１でよい。超砥粒は、ニッケル、鋼又（ゴ黄銅
の叩き適宜の金属結＠削ｒ１史ＩＩす４）メタル７ドン
ド 用するビトリファイドボンド法、或いは熱硬化４ｎＨ樹
脂結台剤ケ吠用するレジノイドボンド法等に，しってボ
ンドしてブレード２０に形成さｒＬ得る。殊に超砥粒が
ダイヤモンド砥粒である場合には、メタルボンド法によ
って好都合にボンドすることができる。メタルボンドダ
イヤモンド砥粒製ブレード２０を用いる場合には、ビし
トリソアイドボン・ド又はレジノイドボンド超砥粒製ブ
レード２０の場合と同様に、所定形状のブレード？形成
し、次いで適宜の接層剤によってこのブレード？支持部
材８の所定位附に接着することができる。しかしながら
、ブレード２０の強度等の見地からして、それ自体は公
知のニッケルイオンを含む電解液等？使用する電着法に
よって、支持部材８０所定位ｒｉに直接的に、ブレード
２０？形成すると同時に固着せしめるのが好ましい。

図示の具体例においては、支持部材８０垂下部６の下面
は、下方に回って半径方向外方に傾斜せしめられている
。そして、ブレード２０は、垂下部６の内面及び下面に
沿って廷びる被固着乃至被接着部２２と、垂下部６の外
面下端ケ越えて下方に向って半径方向外方に延びる自由
端部２４とを有する。ブレード２００回転軸線２６とブ
レード２０の自由端部２４とが形成する角度αは、ｌＯ
Ｏ乃至１６０度、好ましくは１１０乃至１５０度、特に
好ましくは１２０乃至１４０１１、であるのが適切であ
る。角度αが過大になると、後に説明する研削の際のブ
レード２０による半導体基板の所謂切れあじが低下し、
逆に角度αが過小になると、後に説明する研削の際にブ
レード２０に作用する研削抵抗が過大になり、従ってブ
レード２０の必要強反が相当大きくなる。ブレード２０
、特にその自由端部２４の厚さは、０．０５乃至２．０
０ｍｍ。

好ｔＴｊ＜は０，０８乃至１．００順、％Ｖこ好壕しく
は０．１０乃至０．５０ｍｍであるのが適切で心る。厚
芒が過大になると、後に説明する研削の際のブレード２
０と半導体基板との接触Ｉｆｊ］積が湖太し、これによ
って所謂切れあじが低下し、そしてま几高価な超砥粒が
比較的多量に必要となる。逆に、厚さが過小になると、
ブレード２０の強度が過小になる。必ずしも必要ではな
いが、ブレード２０は支持部材８の垂下部６の全周に渡
って連続して延びる環形状であるのが好ましい。所望な
らば、ブレード２０の自由端部２４に周方向に間隔を置
いて視１数個のスロットを形成することもできる。かか
るスロット全形成すると、後に説明する研削の際に、ス
ロツ＋−ｉ通して冷却水？流すことができ、そしてまた
半導体基板から除去烙れた研削粉がスロツ）ｋ通って芥
易に逃げることができ、かくして研削効果？高めること
ができる。また、所望ならば、ブレード２０の自由端部
２４の周方向断面形状を波状にしたり、或いは支持部材
８の垂下部６に同心状に２個又はそれ以′上のブレード
２０ケ配設することもできる。

第２図は、本発明の方法に使用はる得る研削ホイールの
他の具体例を図示している。この研削ホイール２′にお
いては、支持部材８′の垂下部６′の下面は回転ｑｑ＋
＋線２６′に対して実質上垂直に延びている。そして、
垂下部６′のかような下面に沿って位置する環状平板形
状のブレード２０′が設けられている。第２図に図示す
る研削ホイール２′の上述した点以外は、第１図に図示
する研削ホイール２と実質上同一である。

第１図及び第２図に図示する具体例においては、円筒形
乗下部６又は６′を有する支持部材８又は８′を使用し
、垂下部６又は６′にブレード２０又は２０′全設けて
いるが、これに代えて、例えば円形平板形状の支持部＠
を使用し、かかる支持部材の環状自由端部即ち周縁部に
グレードを設けることもできる。

本発明の方法においては、上述し１こ研削ホイール２又
は２′のブレード２０又ｒユ２ｏによって半導体基板の
面？研削するのに先立って、固定酸化アルミニウム系砥
粒製ドレッサによって研削ホイール２又Ｖｉ２′ノフＬ
’　−ト２０又Ｈ２０’にドレッシングすることが重要
である。

第３図を参照して、研削ホイール２のグレード２０にド
レッシングする様式の一例について説明する。ドレッサ
２８は保持具３０によって保持される。し１示の保持具
３０は、基台３２とこの基台３２上に固定ちれた保持板
３４とを梅する。全体として円盤形状でよい基台３２に
は、その上面に円形凹部３６が形成されていると共に、
円形凹部３６から１方に延ひる通路３８が形成されてい
る。

通路３８は適宜の真空源（図示していない）に接続され
ている。円盤形状でよい保持板３４は、多孔性拐料から
形成式れた主部４０とその周縁に固定咥れた環状外側部
４２とを有し、環状外側部４２の下面ケ上記基台３２の
上面に固着することによって基台３２に固定され、主部
４０が−）−Ｈｔ　ｌ”１部３６ヲ覆う。円盤形状でよ
いドレッサ２８は、保持板３４上に載齢ちれて七の主部
４０を＋３ｔう。

真空源（図示していない）を作動ゼーし、めると、保持
板３４の主部４０、凹部３６及び通路３８を通して空気
が吸引でれ、かくして保持板３４上にドレッサ２８が吸
着保持さｎる。

ドレッサ２８は、酸化アルミニウム糸は粒、好ましくは
人造結晶酸化アルミニウム（アラ゛ンダム）糸は粒をボ
ンドして形成さｔ′したものであることが重要である。

人造結晶酸化アルζ′ニウム系蛾粒としては、記号称呼
でＡ、３２Ａ、ＶＶＩＡＸはＲＡと称されているもの等
が好都合に使用部れるっ人造結晶酸化アルミニウム系砥
粒は、加熱して磁器化される粘土賃結＠剤を使用すめビ
トリファイドボンド法、或いは熱硬化性樹脂結合剤を使
用するレジノイドボンド法によって好都合にボンドする
ことができる。

研削ホイール２は、その回転軸線２６（第１図）がドレ
ッサ２８の上面に対して略垂直になるように、更に詳し
くハ、矢印４４で示すところのドレン？２８に対する研
削ホイール２の相対的移動方向に見て前輪におけるブレ
ード２ｏの下端４６よりも後端におけるブレード２ｏの
下端４８（第１図）が数十μｍ　８度高くなるように４
＋＜僅がだけ、ドレッサ２８の上面に対してその回転軸
線２６（第１図）を傾斜ぜしめて、配置されているのが
好都合である。−１１ノ［削ホイール２ば、回転軸１ｏ
に駆動連結された電動モータの如き駆動源（図示してい
ない）Ｋよって、その回転１ＩＩＩ線を中心として回転
駆動される。加えて、保持具３ｏを矢印５ｏで示す方向
に移動せしめることによって、或いはこれに・代えて又
はこれに加えて研削ホイール２を矢印４４で示す方向に
移動せしめることによって、研削ホイール２とドレッサ
２８とは矢印７１４及び５０で示す方向、即ち研削ホイ
ール２の回り１軸線に略垂直で且つドレッサ２８の上面
に実買上平行な方向に相対的に移動せしめられる。が＜
シ、で、研削ホイール２のブレード２ｏによってドレッ
サ２８が細則さｎｌこれによってブレード２ｏがドレッ
シングされる。かようなドレッシングの際のブレード２
０の周速度、研削ホイール２とドレッサ２８の矢印４４
及び５ｏで示す方向への）１−１対的移動速足、及び研
削深さＬｌは、ガζ１宜に設炉することができる。

ブレード２ｏのドレッシング様式は上述し、たものに限
らｔｚるものではなく、１９１望な１りは、イｔＪｆ削
ボイール２を回転、駆動セしめることに代えて又はこれ
に加えドレッサを回転駆動することもでき、そしてまた
例えは回転駆動ちれている研削ポイール２のブレード２
０に棒状ドレッサを手動で押付ける所布ステック法等に
よってドレッシングを遂行することもでさる。

本発明の方法においては、上述したドレッシングの後に
、イυ［削ホイール２のドレッシングちれたプレート２
０によって半導体基板の面を研削する。

卯、４図は、研削ホイール２のブレード２０によって半
導体基板５２の面を研削する様式の一例を示している。

第３しＪと第４図を比較参照することによって容セ・に
Ｉｉ、！　！Ｆ（ちれる如く、研削は上述したドレッシ
ングと￥、買上同様な様式によって遂行することができ
る。即ち高純度シリコン、カリウムひ素又幻ガリウムリ
んの如き適宜の半専体拐料製の略円板伏でよい半導体基
板５２は、その研削すべき血合−上方に向けて保り具３
０の保持板３４上に載（ｍされ、かくして保持板３４上
に吸着保持される。研削ホイール２は、その回転軸線２
（ｉ（第１図）が半導体基板５２の上面に対して略垂直
になるように、更に詳しくは、矢印４４で示すところの
半導体基板５２に対する研削ホイール２の相対的移！一
方回に見て前端におけるブレード２０の下端４６よりも
後端におけるブレード２０の下端４８（第１図）か数十
μｍ程度高くなるように極く僅かたけ半導体基板５２の
上面に対してその回転軸線２６（第１図）を傾馴せしめ
て、配＠逼れるのが好都合である。研削ホイール２は、
その回転軸線２６を中心として回転駆動芒れる。加えて
、保持具３０を矢印５０で示す方向に移動せしめること
によって、或いはこれに代えて又はこれに加えて研削ホ
イール２を矢印４４で示す方向に移動ぜしめることによ
って、研削ホイール２と半導体基板５２とは矢印４４及
び５０で示す方向、即ち研削ホイール２の回転軸縁２６
に略垂直で且つ半導体基板５２の上面に実質上平行な方
向に相対的に移動せしめられる。かくして、半導体基板
５２の上面がブレード２０によって研削される。力１よ
うなω１削の除のブレード２０の自由端の周速は、例え
ば片面を艶面にせしめる前における半導体基板の面の（
ＩＪ＋削においては、一般に１．２００７’Ｊ至３００
０ｍ／＋川、好′ましくｉ’ｌ：３００乃至２０．００
ｍ　／　ａｈ、唱：に好ましくは４００乃至１３００　
ｍ７ｍｍであるのが適切であり、鏡面にせしめらｉｔた
片面に回路を施しり仮における半導体基板の他面の宿［
削においては、一般に、１０００乃至６０００ｒｎ／　
ＲｊＲ１好ましくは２０００乃至５０００　ｍ　／ａ’
　でろおの〃）適切である。研削ホイール２と半導体基
＆５２との矢印４４及び５０で示す方向への相対的移励
連腋は、一般的に１０００　ｇ／ｍｉに以下にすること
か望ましい。ＩＪｔ削深さｔ２は、研削によって低減す
べき半導体基板５２の浮袋に応じて適宜に設定すること
ができ、例えば半導体基板の片面を、鏡面にせしめる前
における半導体基板の（貢ｊの研肖１１においては、一
般的に１０乃全２０μｍに設定し、また半導体基板の鏡
面にせしめらｆ′Ｌ、た片面に回路を施した後における
半導体基板の他面の＜ｕ＋　Ｆ）ＩＪにおいては、一般
的に数μｍ乃至数百μｍに設定する。

第２図に図示する研削ホイール２′を使用する３ｇ合も
、上述した場合と同様にして、プレー）”　２０’をド
レッシングし、しかる後に半導体基＆５２の面を研削す
ることができる。但し、第２図に図１示する研削ホイー
ル２′を使用する場合には、半導体基板５２とブレード
２０′との接触面積か比較的大きいこと等に起因して、
研削深さｔｆ数μｍに（６１ｊ限ちれる傾向がある。

上述したｉｔｌすの本発明の方法によτしは、鋏述する
実施例から明らかな逼り、半導体基板５２の面を研削し
て、ソーマークが実買上皆無或いは存イ上するとしても
僅かである充分良好な梨地面にせしめることかできる。

ブレード２０又は２０’をドレッシングした後に半４）
体基板５２の面の研削を多数回（例えば１０００回程度
）繰返し遂行すると、次第に研削した面にソーマークが
現出してくる傾向があるが、かかる場合にはブレード２
０又は２０′を再びドレッシングすればよい。

次に、本発明の実施例及び比戟例について述べる。

実施例〔］〕 電着１有及びその後の溶解工程によって、第１図に図示
する通りの形態の研削ホイールを作成した。更に詳しく
ｔユ、電着工程においては、ニッケルイオンを含む電Ｓ
Ｓ液中にニッケル板を浸漬せしめて陽極とした。また、
第１図に２点鎖線５４で示す通りの環状突出部が一体に
形成されたアルミニウム製支持部材を、その垂下部の内
面及び下面並ひにその突出部の内面を除いて全て絶縁物
質で被覆１〜て、倒立状態で上記電解液中に浸漬せしめ
、これを陰極とした。上記電解液中には、′電解の開始
に先立ってＵ、　Ｓ、メツシュ番号で４００の合成ダイ
ヤモンドは粒を攪拌浮遊せしめた。次いで、電解を開始
し、支持部材の非被覆部上へ重力によって！下しり砥粒
を析出したニッケルによってボンドし、かくしてブレー
ドを形成した。溶解工程においては、形成されたブレー
ドを有する支持部材をｉｇ、　％ｌ’ｊ液から取出し、
支持部材の突出部外面だけ絶縁物質被覆を除去しｔ後に
、苛性ソーダ溶液中に浸漬せしめた。かくして、支持部
材の突出部を溶解除去した。しかる後に、苛性ソーダ溶
液から支持部材を取出して、残りの全てのａｍ物質被覆
を除去し、かくして第１図に図示する辿りの研削ホイー
ルを製作した。

製作しｔ研削ホイールにおけるブレードの自由端部の厚
さは０．３０　ｔｒａｎであり、回転軸線とブレードの
自由端部とが形成する角度α（第１図）は１３５厩であ
り、ブレードの自由端の外径は２００膿であった。

上記研削ホイールのブレードを、第３図を参照して説明
しり辿りの様式によってドレッシングした。この際には
、ドレッサの特性を表示するための記号とし、て国際的
に慣用ちれている表示法でＷＡ３２ＯＮＢ（即ちＵ、　
Ｓ、メツシュ番号で３２０のＷＡ砥粒を結合度Ｎでレジ
ノイドボンドしたドレッサ）であり、浮石４朋、外径４
ｉｎｃｈｅｓの円盤形状ドレッサを使用した。ブレード
の自由端の周速は１２５０ｍ／―であった。ドレッサを
保持した保持具を矢印５０で示す方向に１５０　Ｉ＋１
ｍ／　ｇｒｉｎの速匿で移動せしめた。研削深場；ｔ１
□は５１０〃姻であったつ研削域には冷却水を噴射した
。

上記ドレッシングの後に、第４図を参照して説明しり曲
りの様式によって、シリコンウエーノＳ（高純度シリコ
ン製半導体基板）の片面を研削した。

この除には、ブレードの自由端の周速は１２５０ｍ　／
　ｍｉｐ＋であった。シリコンウエーノ・を・保持した
保持具は、矢印５０で示す方向に］　５０　ｍ／＝ｘの
速匪で移動せしめた。研削深さＬ２は１５μｍであった
。研削域には冷却水を噴射した。

第５図は、上記の通りにして研削したシリコンウェーハ
の面を２００倍に拡大して示す写真である。第５図から
明らかな如く、研削妊れた面は、ソーマークが実質上存
在しない梨地面であった。

下記第１表に示した種々の乗件以外は上記実施例〔１〕
と同様にして、シリコンウェー／・の片面を研削した。

シリコンウエーノ・の研削した面は、第５図に示す面と
同様のソーマークか実賀上存仕しない梨地面でめった。

（注１）Ｕ、Ｓ、メツシュ番号で８０のＲＡ砥粒を結合
度Ｎでレジノイドボンドしたドレッサ（注２）Ｕ、Ｓ、
メツシュ番号で１５０のＡ砥粒を結合度Ｎでレジノイド
ボンドしたドレッサ（注３　）　Ｕ、　Ｓ、メツシュ番
号で３２０のＷＡ砥粒を結合度Ｎでレジノイドボンドし
たドレッサ（注４）ＩＪ、８゜メツシュ番号で１５０の
ＷＡ砥粒を結合度してビトリファイドボンドしたドレッ
サ実施例〔６〕 Ｕ、Ｓ、メツシュ番号で３２０の合成ダイヤモンド砥粒
を使用したこと、及び形成されたブレードには、その自
由端部に、第６図に図示する如く、周方向間隔ｔが１．
５ｍで形成芒れた、輻Ｗが１門、深さｄが１　ｍｍのス
ロット５６を有すること、以外は実施例〔１〕とほぼ同
様にして研削ホイールを製作した。

次いで、使用したドレッサがＲＡ８ＯＮＢ　（即ちＵ、
Ｓ、メツシュ番号で８０のＲＡ砥粒を結合［Ｎでレジノ
イドボンドしたドレッサ）であること、ブレードの自由
端の周速が６５０？Ｆ１ノーであること、保持具の移動
速度が８０ｍｎ／ｍでおること、以外は実施例〔１〕と
同様にして、上記研削ホイールのグレードをドレッシン
グした。

しかる後に、ブレードの自由端の周速が６５０ｆｆＩ／
ａｍであること、保持具の移動速度が８０　ｍｍ１−ｔ
＊でおること、以外は実施例〔１〕と同様にして、シリ
コンウェーハの片面を研削した。

シリコンウェーハの研削した面は、第５図に示す面と同
様の、ソーマークが実質上存在しない梨地面であった。

実施例〔７〕 Ｕ、　Ｓ、メツシュ番号で４００の合成ダイヤモンド砥
粒をレジノイドボンドしてブレードを形成し、次いでか
かるブレードを支持部材に接着し、かくして第２図に図
示する通りの研削ホイールを製作した。ブレードの外径
は２００間であり、ブレードの内径は１９９開であり、
ブレードのノ早では２間であったっ 次いで、実施例〔１〕と同様にして研削ホイールのブレ
ードをドレッシングした。

しかる後に、研削深さｔ２が３μｍであること以外は実
施例〔１〕と同様にして、シリコンウェーハの片面を研
削した。

第７図は、かくして研削したシリコンウェーハの面を２
００倍に拡大して示す写真である。第８図から明らかな
如く、研削した而は、若干のソーマークが存在する梨地
面であった。

比較例〔１〕 実施例〔１〕の研削ホイールと同一の研削ホイールのブ
レードを、使用したドレッサがＧ　Ｃ３２０ＬＶ（即ち
Ｕ、　Ｓ、メツシュ番号で３２０のグリーンカーホンラ
ンタムＸ：　ｉ＜／を舶”、＠１現１７でヒドリノアイ
ドボンドしｆ（−ドレッサ）であ小こと以外ｉＩＪ、尤
施例１１．１と回（）七にし−Ｃドレッシング（〜た。

しかる後（１’ｃ、実施ｆｕｌｌ　［１）と同様にして
シリコンウェーハの片面を研削した。

第８図は、かくして研削したシリコンウェーハの而を２
００倍に拡大し、て示す写真である。斗）８図から明ら
かな如く、研削した面は、顕著なソーマークを有する非
業地面であった。

４　回向の１ハｊ単な酸５明 第１図は、本発明の方法に使用し得る研削ホイールの一
具体例を示す断面図。

第２図は、本発明の方法に使用し得るイ０Ｆ削ホイール
の他の具体例を示す断面図。

第３図は、本発明に従って、第１図の研削ホイールのブ
レードをドレッシングする様式の一例を示す部分断面図
。

第４図は、本発明に位って、ブレー　ドがドレッシング
され／こ第１図の研ｆ’ｉｌｌ　＝ｔ＝イールＩ／Ｃよ
つで半ヘリ、体基板の面全研削する様式の一例を小才１
１１５分子ｅｌｔ面図。

第５図は、実施例〔１〕におい゛て研削さｎたシリコン
ウェーハの面を２００倍に拡大して小才写真。

η１６図は、実施例〔６〕で１更用した研削ホイールの
ブレードの自由端部を示す拡大部分正面図。

第７　Ｍは、火／Ｉ布例〔７〕においてｉｌｌ自しさ７
’Ｌ　ｆＣノリコンウェーハの而を２００倍に拡大しで
示す写に０ 第８図ｔよ、比較例〔１〕においてイｖシ削ネ７’した
／リコンウエーハの而を２００倍にＤム人して示す写真
。

２及び２′・・・・・・研削ホイール ８及び８′・・・・・・支持部材 ２（）及び２０・・・・・・ブレード ３０・・・・・保持具 ２８・・・・・・ドレソヤ ５２・・・・・・半棉体基板 特許出願人　株式会社ディ　ス　コ ｉ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、回転駆動６れる固定超砥粒製ブレードによって、半
   導体基板の面を研削する方法にして；該半導体基板の面
   を研削するのに先立って、固定酸化アルミニウム系砥粒
   製ドレッサによって該ブレードをドレッシングすること
   ？特徴とする方法。 ２、該半導体基板の面ケ研削する際には、該ブレードの
   回転軸線が該半導体基板の面に対して略画ＩＫになるよ
   うに該ブレードケ配置して、じブレードと該半導体基板
   と？該ブレードの回転軸線に対して１１（ｈ垂直な方向
   に相対的に移動せしめ、該ブレードをドレッシングする
   際には、該半導体基板の面ケ研削する際と実質上同様に
   、該ブレードを該回転軸線？中心として回転せしめなが
   ら該グレードと該ドレッサとを該ブレードの回転軸線に
   対して略垂直な方向に相対的にｆ７１’動せしめる、特
   許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、該グレードは固定ダイヤモンド砥粒製である、特許
   請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ４、該固定ダイヤモンド砥粒におけるダイヤモンド砥粒
   の粒度は、Ｕ、Ｓ、メツシュ番号で１２００乃至１００
   である、特許請求の範囲第３坦記載の方法。 ５、該ダイヤモンド砥粒の粒度は、Ｕ、Ｓ、メツシュ番
   号で１０００乃至１５０である、特許請求の範囲第４項
   記載の方法。 ６、該ダイヤモンド砥粒の粒度は、Ｕ、Ｓ、メツシュ番
   号で８００乃至２３０である、特許請求の範囲第５項記
   載の方法。 ７、該ブレードは回転駆動さ扛る支持部材の壌状自由端
   縁部に設けられている、特許請求の範囲第１項から第６
   項一までのいずれかに記載の方法。 ８　該ブレードは該支ゼｒ部材の該環状自由端縁部の全
   周に渡って砥在する環形状である、特許請求の範囲第７
   項記載の方法。 ９、該グレードは超砥粒を電着して所定形状にぜしめる
   ことによって形成されている特許請求の範囲第１項から
   第８項までのいずれかに記載の方法。 １０、　　該フレードは超砥粒をメタルボンドして所定
   形状にせしめることによって形成妊れている、特許請求
   の範囲第１項から第８項までのいずれかに記載の方法。 １１　　該ブレードの少なくとも自由端′ｆＡは、該ブ
   レードの回転清純に対して１００乃至１６０度である角
   度αｒなして延びている、特許請求の範囲第１項から第
   １０項までのいずれかに記載のＪ２．該角度αｌ”、ｊ
   ｌｌｏ乃至１５０１１”？１′、５る、％　ｓ＋請求の
   範囲第１１項記載の方法。 １３、該角度αは１２０乃至１４０度である、ｑ刊ｒｌ
   −請求の範囲第１２項記載の方法っ １４、　　該ブレードの自由端部の厚さは０．０５乃至
   ２、ＯＯｍである、特許請求の範囲＊＋、　１１項から
   第１３項までのいずれかに記載の方法っ１５　　該厚妊
   は０・０８乃至１．ＯＯｗｎである、特許請求の範囲第
   １４項記載の方法。 １６、該Ｈさは０．１０乃至０，５０晒である、特許請
   求の範囲第１５項記載の方法。 １１、該ブレードと該半導体基板との相対的移動速度は
   １０００ｍ＋＋／−以下である、特許請求の範囲第２項
   記載の方法。 １８、該半導体基板はシリコン製である、特許請求の範
   囲〜＝、　１　ｑから第１７項までのいずれかに記載の
   方法。