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JPH066258B2 - シリコンウェーハの面を研削する方法 - Google Patents

シリコンウェーハの面を研削する方法

Info

Publication number
JPH066258B2
JPH066258B2 JP58090755A JP9075583A JPH066258B2 JP H066258 B2 JPH066258 B2 JP H066258B2 JP 58090755 A JP58090755 A JP 58090755A JP 9075583 A JP9075583 A JP 9075583A JP H066258 B2 JPH066258 B2 JP H066258B2
Authority
JP
Japan
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blade
silicon wafer
grinding
ground
dresser
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58090755A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59219137A (ja
Inventor
三男 関家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP58090755A priority Critical patent/JPH066258B2/ja
Publication of JPS59219137A publication Critical patent/JPS59219137A/ja
Publication of JPH066258B2 publication Critical patent/JPH066258B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンウエーハの面を研削する方法、更に
詳しくは回転駆動される支持部材の環状自由端縁部に配
設された固定超砥粒製ブレードによってシリコンウエー
ハを面を梨地面に研削する方法に関する。
〔従来の技術〕
周知の如く、シリコンウエーハの製造においては、一般
的に、高純度シリコンから成る略円柱状のインゴットを
生成し、次いでこのインゴットを適宜の厚さにスライス
して多数枚の略円板状のシリコンウエーハを生成する。
しかる後に、各シリコンウエーハの両面を砥粒加工し、
次いで各シリコンウエーハを適宜の混酸溶液に浸漬せし
めてその両面をエッチング処理し、そして更に各シリコ
ンウエーハの片面をポリッシングして鏡面にせしめる。
かようにして製造されたシリコンウエーハの上記片面即
ち鏡面には印刷等によって回路が施されるが、回路の施
した後にシリコンウエーハの他面を更に砥粒加工するこ
とも少なくない。
而して、シリコンウエーハの面の砥粒加工、殊に回路を
施す前のシリコンウエーハの両面の砥粒加工において
は、砥粒加工によって梨地面にせしめることが一般に重
要であると考えられている。一般に、回転駆動される固
定超砥粒を用いてシリコンウエーハの面を研削すると、
研削された面に相当顕著な所謂ソーマークが生成され、
かかるソーマークに起因してシリコンウエーハに望まし
くない方向性が生じる。そこで、従来は、遊離砥粒を用
いる所謂ラッピングによってシリコンウエーハの両面を
砥粒加工していた。ラッピングは、通常、シリコンウエ
ーハの両面とこれらに対向して位置するラッピング板と
の間に遊離砥粒を含有したラッピング液を介在せしめ、
シリコンウエーハとラッピング板とを適宜の圧力で相互
に押付けながら相対的に移動せしめることによって遂行
される。かようなラッピングによれば、シリコンウエー
ハの面をソーマークが実質上存在しない梨地面にせしめ
ることができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記ラッピングには、 (イ)固定砥粒を用いる場合に比べて作業効率が相当低
い、 (ロ)ラッピング液によってシリコンウエーハが汚染さ
れ、それ故にラッピングの後に比較的煩雑なシリコンウ
エーハ洗浄及び乾燥工程を遂行しなければならない、 (ハ)自動化が困難である、 という欠点乃至問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その技
術的課題は、固定超砥粒製ブレードを用いてシリコンウ
エーハの面を研削する様式、即ちシリコンウエーハを汚
染する等の問題を生じせしめることなく充分な作業効率
で且つ用意に自動化可能な様式でシリコンウエーハの面
を研削することができるにもかかわらず、研削した面を
ソーマークが実質上皆無或いは存在するといても僅かで
ある梨地面にせしめることができる新規且つ優れたシリ
コンウエーハの面を研削する方法を提供することであ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者は、鋭意研究及び実験を重ねた結果として、驚
くべきことに、従来は回転駆動される固定超砥粒製ブレ
ードを用いてシリコンウエーハの面を研削すると、研削
された面に必然的に相当顕著なソーマークが生成される
と考えられていたが、ブレードによってシリコンウエー
ハの面を研削するのに先立って、特定のドレッサ即ち固
定酸化アルミニウム系砥粒製ブレードの面を、シリコン
ウエーハの面を研削するのと実質上同一の方式によって
研削することによってブレードをドレッシングすると、
ソーマークを実質上生成せしめることなく或いは生成さ
れるとしても僅かにせしめて、シリコンウエーハの面を
ブレードによって充分良好な梨地面に研削することがで
きることを見出した。
即ち、本発明によれば、上記技術的課題を達成するため
に、支持部材の環状自由端縁部に配設された固定超砥粒
製ブレードの回転軸線が固定酸化アルミニウム系砥粒製
ドレッサの略平坦な面に略垂直になるように該ブレード
と該ドレッサとを配置し、該ブレードを回転駆動せしめ
ると共に該ブレードと該ドレッサとを該ブレードの該回
転軸線に対して略垂直な方向に相対的に移動せしめて、
該ブレードによって該ドレッサを研削することによって
該ブレードをドレッシングし、 次いで、該ブレードの該回転駆動をシリコンウエーハの
研削すべき面に対して略垂直になるように該ブレードと
該シリコンウエーハとを配置し、該ブレードを回転駆動
せしめると共に該ブレードと該シリコンウエーハとを該
ブレードの該回転軸線に対して略垂直な方向に相対的に
移動せしめて、該ブレードによって該シリコンウエーハ
の該面を梨地面に研削する、 ことを特徴とするシリコンウエーハの面を研削する方法
が提供される。
〔作用〕
後述する実験例についての記載から明確に理解されると
おり、本発明のシリコンウエーハの面を研削する方法に
よれば、固定超砥粒製ブレードを用いてシリコンウエー
ハの面を研削するにもかかわらず、ソーマークが実質上
存在しない或いは存在するとしても僅かである充分に良
好な梨地面にシリコンウエーハの面を研削することがで
きる。
〔実施例〕
以下、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
第1図は、本発明の方法に使用し得る研削ホイールの一
実施例を図示している。図示の研削ホイール2は、円形
基部4とこの基部4の周縁から垂下する円筒形垂下部6
とを有する支持部材8を具備している。この支持部材8
は、アルミニウムの如き適宜の金属材料から形成されて
いるのが好都合である。支持部材8の基部4の中心部は
適宜の方法によって回転軸10に装着される。図示の場
合、基部4の中心部には貫通開口12が形成され、一
方、回転軸10の下端部には外周面に雄螺条が形成され
た小径部14が形成されており、開口12に小径部14を
挿通して基部4の上面を回転軸10の肩部16に当接せし
め、そして開口12を通って突出するところの小径部1
4の突出端部にナット18を螺着することによって、回
転軸10に支持部材8が着脱自在に装着されている。
支持部材8の自由端縁部即ち垂下部6には、ブレード2
0が設けられている。このブレード20は、固定超砥粒
製であることが重要である。超砥粒は、例えば立方晶窒
化硼素砥粒又はその類似砥粒でよいが、天然又は合成ダ
イヤモンド砥粒であるのが好ましい。ダイヤモンド砥粒
の粒度は、U.S.メッシュ番号で1200乃至10
0、好ましくは1000乃至150、更に好ましくは8
00乃至230、でよい。超砥粒は、ニッケル、銅又は
黄銅の如き適宜の金属結合剤を使用するメタルポンド
法、加熱して磁器化される粘土質結合剤を使用するビト
リファイドボンド法、或いは熱硬化性樹脂結合剤を使用
するレジノイドボンド法等によってボンドしてブレード
20に形成され得る。殊に超砥粒がダイヤモンド砥粒で
ある場合には、メタルボンド法によって好都合にボンド
することができる。メタルボンドダイヤモンド砥粒製ブ
レード20を用いる場合には、ビトリファイドボンド又
はレジノイドボンド超砥粒製ブレード20の場合と同様
に、所定形状のブレードを形成し、次いで適宜の接着剤
によってこのブレードを支持部材8の所定位置に接着す
ることができるが、ブレード20の強度等の見地からし
て、それ自体は公知のニッケルイオンを含む電解液等を
使用する電着法によって、支持部材8の所定位置に直接
的にブレード20を形成すると同時に固着せしめるのが
好ましい。
図示の実施例においては、支持部材8の垂下部6の下面
は、下方に向かって半径方向外方に傾斜せしめられてい
る。そして、ブレード20は、垂下部6の内面及び下面
に沿って延びる被固着乃至被接着部22と、垂下部6の
外面下端を越えて下方に向かって半径方向外方に延びる
自由端部24とを有する。ブレード20の回転軸線26
とブレード20の自由端部24とが形成する角度αは、
100乃至160度、好ましくは110乃至150度、
特に好ましくは120乃至140度、であるのが適切で
ある。角度αが過大になると、後に説明する研削の際の
ブレード20によるシリコンウエーハの所謂切れあじが
低下し、逆に角度αが過小になると、後に説明する研削
の際にブレード20に作用する研削抵抗が過大になり、
従ってブレード20の必要強度が相当大きくなる。ブレ
ード20、特にその自由端部24の厚さは、0.05乃
至2.00mm、好ましくは0.08乃至1.00mm、特
に好ましくは0.10乃至0.50mmであるのが適切
である。厚さが過大になると、後に説明する研削のブレ
ード20とシリコンウエーハとの接触面積が増大し、こ
れによって所謂切れあじが低下し、そしてまた高価な超
砥粒が比較的多量に必要となる。逆に、厚さが過小にな
ると、ブレード20の強度が過小になる、必ずしも必要
ではないが、ブレード20は支持部材8の垂下部6の全
周に渡って連続して延びる環形状であるのが好ましい。
所望ならば、ブレード20の自由端部24に周方向に間
隔を置いて複数個のスロットを形成することもできる。
かかるスロットを形成すると、後に説明する研削の際
に、スロットを通して冷却水を流すことができ、そして
またシリコンウエーハから除去された研削粉がスロット
を通って容易に逃げることができ、かくして研削効果を
高めることができる。また、所望ならば、ブレード20
の自由端部24の周方向断面形状を波状にしたり、或い
は支持部材8の垂下部6の同心状に2個又はそれ以上の
ブレード20を配設することもできる。
第2図は、本発明の方法に使用され得る研削ホイールの
他の実施例を図示している。この研削ホイール2’にお
いては、支持部材8’の垂下部6’の下面は回転軸線2
6’に対して実質上垂直に延びている。そして、垂下部
6’のかような下面に沿って位置する環状平板形状のブ
レード20’が設けられている。第2図に図示する研削
ホイール2’の上述した点以外は、第1図に図示する研
削ホイール2と実質上同一である。
第1図及び第2図に図示する実施例においては、円筒形
垂下部6又は6’を有する支持部材8又は8’を使用
し、垂下部6又は6’にブレード20又は20’を設け
ているが、これに代えて、例えば円形平板形状の支持部
材を使用し、かかる支持部材の環状自由端部即ち周縁部
にブレードを設けることもできる。
本発明の方法においては、上述した研削ホイール2又は
2’のブレード20又は20’によってシリコンウエー
ハの面を研削するのに先立って、固定酸化アルミニウム
系砥粒製ドレッサによって研削ホイール2又は2’のブ
レード20又は20’をドレッシングすることが重要で
ある。
第3図を参照して、研削ホイール2のブレード20をド
レッシングする様式について説明する。ドレッサ28は
保持具30によって保持される。図示の保持具30は、
基台32とこの基台32上に固定された保持板34とを
有する。全体として円盤形状でよい基台32には、その
上面に円形凹部36が形成されていると共に、円形凹部
36から下方に延びる通路38が形成されている。通路
38は適宜の真空源(図示していない)に接続されてい
る。円盤形状でよい保持板34は、多孔性材料から形成
された主部40とその周縁に固定された環状外側部42
とを有し、環状外側部42の下面を上記基台32の上面
に固着することによって基台32に固定され、主部40
が上記凹部36を覆う。円盤形状でよいドレッサ28
は、保持板34上に載置されてその主部40を覆う。
真空源(図示していない)を作動せしめると、保持板3
4の主部40、凹部36及び通路38を通して空気が吸
引され、かくして保持板34上にドレッサ28が吸着保
持される。
ドレッサ28は、酸化アルミニウム系砥粒、好ましくは
人造結晶酸化アルミニウム(アランダム)系砥粒をボン
ドして形成されたものであることが重要である。人造結
晶酸化アルミニウム系砥粒としては、記号称呼でA、3
2A、WA又はRAと称されているもの等が好都合に使
用される。人造結晶酸化アルミニウム系砥粒は、加熱し
て磁器化される粘土質結合剤を使用するビトリファイド
ボンド法、或いは熱硬化性樹脂結合剤を使用するレジノ
イドボンド法によって好都合ボンドすることができる。
研削ホイール2は、その回転軸線26(第1図)がドレ
ッサ28の上面に対して略垂直になるように、更に詳し
くは、矢印44で示すところのドレッサ28に対する研
削ホイール2の相対的移動方向に見て前端におけるブレ
ード20の下端46よりも後端におけるブレード20の
下端48(第1図)が数十μm程度高くなるように極く
僅かだけ、ドレッサ28の上面に対してその回転軸線2
6(第1図)を傾斜せしめて、配置されているのが好都
合である。研削ホイール2は、回転軸10に駆動連結さ
れた電動モータの如き駆動源(図示していない)によっ
て、この回転軸線を中心として回転駆動される。加え
て、保持具30を矢印50で示す方向に移動せしめるこ
とによって、或いはこれに代えて又はこれに加えて研削
ホイール2を矢印44で示す方向に移動せしめることに
よって、研削ホイール2とドレッサ28とは矢印44及
び50で示す方向、即ち研削ホイール2の回転軸線に略
垂直で且つドレッサ28の上面に実質上平行な方向に相
対的に移動せしめられる。かくして、研削ホイール2の
ブレード20によってドレッサ28が研削され、これに
よってブレード20がドレッシングされる。かようなド
レッシングの際のブレード20の周速度、研削ホイール
2とドレッサ28の矢印44及び50で示す方向への相
対的移動速度、及び研削深さt1は、適宜に設定すること
ができる。
本発明の方法においては、上述したドレッシングの後
に、研削ホイール2のドレッシングされたブレード20
によってシリコンウエーハの面を研削する。
第4図は、研削ホイール2のブレード20によってシリ
コンウエーハ52の面を研削する様式を示している。第
3図と第4図を比較参照することによって容易に理解さ
れる如く、研削は上述したドレッシングと実質上同様な
様式によって遂行される(換言すれば、上述したドレッ
シングはシリコンウエーハの面の研削と実質上同一の様
式でドレッサ28を研削することによって遂行され
る)。即ち略円板形状のシリコンウエーハ52は、その
研削すべき面を上方に向けて保持具30の保持板34上
に載置され、かくして保持具34上に吸着保持される。
研削ホイール2は、その回転軸線26(第1図)がシリ
コンウエーハ52の上面に対して略垂直になるように、
更に詳しくは、矢印44で示すところのシリコンウエー
ハ52に対する研削ホイール2の相対的移動方向に見て
前端におけるブレード20の下端46よりも後端におけ
るブレード20の下端48(第1図)が数十μm程度高
くなるように極く僅かだけシリコンウエーハ52の上面
に対してその回転軸線26(第1図)を傾斜せしめて、
配置されるのが好都合である。研削ホイール2は、その
回転軸線26を中心として回転駆動される。加えて、保
持具30を矢印50で示す方向に移動せしめることによ
って、或いはこれに代えて又はこれに加えて研削ホイー
ルを矢印44で示す方向に移動せしめることによって、
研削ホイール2とシリコンウエーハ52とは矢印44及
び50で示す方向、即ち研削ホイール2の回転軸線26
に略垂直で且つシリコンウエーハ52の上面に実質上平行
な方向に相対的に移動せしめられる。かくして、シリコ
ンウエーハ52の上面がブレード20によって研削され
る。かような研削の際のブレード20の自由端の周速
は、例えば片面を鏡面にせしめる前におけるシリコンウ
エーハの面の研削においては、一般に、200乃至30
00m/min、好ましくは300乃至2000m/m
in、特に好ましくは400乃至1300m/minで
あるのが適切であり、鏡面にせしめられた片面に回路を
施した後におけるシリコンウエーハの他面の研削におい
ては、一般に、1000乃至6000m/min、好ま
しくは2000乃至5000m/minであるのが適切
である。研削ホイール2とシリコンウエーハ52との矢
印44及び50で示す方向への相対的移動速度は、一般
的に1000mm/min以下にすることが望ましい。
研削深さt2は、研削によって低減すべきシリコンウエー
ハ52の厚さに応じて適宜に設定することができ、例え
ばシリコンウエーハの片面を鏡面にせしめる前における
シリコンウエーハの面の研削においては、一般的に10
乃至20μmに設定し、またシリコンウエーハの鏡面に
せしめられた片面に回路を施した後におけるシリコンウ
エーハの他面の研削においては、一般的に数μm乃至数
百μmに設定する。
第2図に図示する研削ホイール2’を使用する場合も、
上述した場合と同様にして、ブレード20’をドレッシ
ングし、しかる後にシリコンウエーハ52の面を研削す
ることができる。但し、第2図に図示する研削ホイール
2’を使用する場合には、シリコンウエーハ52とブレ
ード20’との接触面積が比較的大きいこと等に起因し
て、研削深さt2が数μmに制限される傾向がある。
上述した通りの本発明の方法によれば、後述する実験例
から明らかな通り、シリコンウエーハ52の面を研削し
て、ソーマークが実質上皆無或いは存在するとしても僅
かである充分良好な梨地面にせしめることができる。ブ
レード20又は20’をドレッシングした後にシリコン
ウエーハ52の面の研削を多数回(例えば1000回程
度)繰り返し遂行すると、次第に研削した面にソーマー
クが現出してくる傾向があるが、かかる場合にはブレー
ド20又は20’を再びドレッシングすればよい。
次に、本発明の実験例及び比較実験例について述べる。
実験例(1) 電着工程及びその後の溶解工程によって、第1図に図示
する通りの形態の研削ホイールを作成した。更に詳しく
は、電着工程においては、ニッケルイオンを含む電解液
中にネッケル板を浸漬せしめて陽極とした。また、第1
図に2点鎖線54で示す通りの環状突出部が一体に形成
されたアルミニウム製支持部材を、その垂下部の内面及
び下面並びにその突出部の内面を除いて全て絶縁物質で
被覆して、倒立状態で上記電解液中に浸漬せしめ、これ
を陰極とした。上記電解液中には、電解の開始に先立っ
てU.S.メッシュ番号で400の合成ダイヤモンド砥
粒を撹拌浮遊せしめた。次いで、電解を開始し、支持部
材の非被覆部上へ重力によって落下した砥粒を析出した
ニッケルによってボルドし、かくしてブレードを形成し
た。溶解工程においては、形成されたブレードを有する
支持部材を電解液から取り出し、支持部材の突出部外面
だけ絶縁物質被覆を除去した後に、苛性ソーダ溶液中に
浸漬せしめた。かくして、支持部材の突出部を溶解除去
した。しかる後に、苛性ソーダ溶液から支持部材を取り
出して、残りの全ての絶縁物質被覆を除去し、かくして
第1図に図示する通りの研削ホイールを製作した 製作した研削ホイールにおけるブレードの自由端部の厚
さは0.30mmであり、回転軸線とブレードの自由端
部とが形成する角度α(第1図)は135度であり、ブ
レードの自由端の外径は200mmであった。
上記研削ホイールのブレードを、第3図を参照して説明
した通りの様式によってドレッシングした。この際に
は、ドレッサの特性を表示するための記号として国際的
に慣用されている表示法でWA320NB(即ちU.
S.メッシュ番号で320のWA砥粒を結合度Nでレジ
ノイドボンドしたドレッサ)であり、厚さ4mm、外径
4インチの円盤形状ドレッサを使用した。ブレードの自
由端の周速は1250m/minであった。ドレッサを
保持した保持具を矢印50で示す方向に150mm/m
inの速度で移動せしめた。研削深さt1は50μmであ
った。研削域には冷却水を噴射した。
上記ドレッシングの後に、第4図を参照して説明した通
りの様式によって、シリコンウエーハの片面を研削し
た。この際には、ブレードの自由端の周速は1250m
/minであった。シリコンウエーハを保持した保持具
は、矢印50で示す方向に150mm/minの速度で
移動せしめた。研削深さt2は15μmであった。研削域
には冷却水を噴射した。
第5図は、上記の通りにして研削したシリコンウエーハ
の面を200倍に拡大して示す写真である。第5図から
明らかな如く、研削された面は、ソーマークが実質上存
在しない梨地面であった。
実験例(2)乃至(5) 下記第1表に示したA、B、C、Dの種々の条件以外は
上記実験例(1)と同様にして、シリコンウエーハの片面
を研削した。シリコンウエーハの研削した面は、第5図
に示す面と同様のソーマークが実質上存在しない梨地面
であった。
実験例(6) U.S.メッシュ番号で320の合成ダイヤモンド砥粒
を使用したこと、及び形成されたブレードには、その自
由端部に第6図に図示する如く、周方向間隔lが1.5
mmで形成された幅Wが1mm、深さdが1mmのスロ
ット56を有すること、以外は実験例(1)とほぼ同様に
して研削ホイールを製作した。
次いで、使用したドレッサがRA80NB(即ちU.
S.メッシュ番号で80のRA砥粒を結合度Nでレジノ
イドボンドしたドレッサ)であること、ブレードの自由
端の周速は650m/minであること、及び保持具の
移動速度が80mm/minであること、以外は実験例
(1)と同様にして、上記研削ホイールのブレードをドレ
ッシングした。
しかる後に、ブレードの自由端の周速が650m/mi
nであること、保持具の移動速度が80mm/minで
あること、以外は実験例(1)と同様にして、シリコンウ
エーハの片面を研削した。
シリコンウエーハの研削した面は、第5図に示す面と同
様の、ソーマークが実質上存在しない梨地面であった。
実験例(7) U.S.メッシュ番号で400の合成ダイヤモンド砥粒
をレジノイドボンドしてブレードを形成し、次いでかか
るブレードを支持部材に接着し、かくして第2図に図示
する通りの研削ホイールを製作した。ブレードの外径は
200mmであり、ブレードの内径は190mmであ
り、ブレードの厚さは2mmであった。
次いで、実験例(1)と同様にして研削ホイールのブレー
ドをドレッシングした。
しかる後に、研削深さt2が3μmであること以外は実験
例(1)と同様にして、シリコンウエーハの片面を研削し
た。
第7図は、かくして研削したシリコンウエーハの面を2
00倍に拡大して示す写真である。第7図から明らかな
如く、研削した面は、若干のソーマークが存在する梨地
面であった。
比較実験例(1) 実験例(1)の研削ホイールと同一と研削ホイールのブレ
ードを、使用したドレッサがGC320LV(即ちU.
S.メッシュ番号で320のグリーンカーボンランダム
砥粒を結合度Lでビトリファイドボンドしたドレッサ)
であること以外は実験例(1)と同様にしてドレッシング
した。
しかる後に、実験例(1)と同様にしてシリコンウエーハ
の片面を研削した。
第8図は、かくして研削したシリコンウエーハの面を2
00倍に拡大して示す写真である。第8図から明らかな
如く、研削した面は、顕著なソーマークを有する非梨地
面であった。
〔発明の効果〕
本発明によれば、固定超砥粒製ブレードを用いてシリコ
ンウエーハの面を研削する様式、即ちシリコンウエーハ
を汚染する等の問題を生じせしめることなく充分な作業
効率で且つ容易に自動化可能な様式でシリコンウェーハ
の面を研削することができるにもかかわらず、研削した
面をソーマークが実質上皆無或いは存在するとしても僅
かである梨地面にせしめることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の方法に使用し得る研削ホイールの一
実施例を示す断面図。 第2図は、本発明の方法に使用し得る研削ホイールの他
の実施例を示す断面図。 第3図は、本発明に従って、第1図の研削ホイールのブ
レードをドレッシングする様式を示す部分断面図。 第4図は、本発明に従って、ブレードがドレッシングさ
れた第1図の研削ホイールによってシリコンウエーハの
面を研削する様式を示す部分断面図。 第5図は、実験例(1)において研削されたシリコンウエ
ーハの面を200倍に拡大して示す写真。 第6図は、実験例(6)で使用した研削ホイールのブレー
ドの自由端部を示す拡大部分正面図。 第7図は、実験例(7)において研削されたシリコンウエ
ーハの面を200倍に拡大して示す写真。 第8図は、比較実験例(1)において研削されたシリコン
ウエーハの面を200倍に拡大して示す写真。 2及び2’・・・・研削ホイール 8及び8’・・・・支持部材 20及び20’・・ブレード 28・・・・・・・ドレッサ 30・・・・・・・保持具 52・・・・・・・シリコンウエーハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】支持部材の環状自由端縁部に配設された固
    定超砥粒製ブレードの回転軸線が固定酸化アルミニウム
    系砥粒製ドレッサの略平坦な面に略垂直になるように該
    ブレードと該ドレッサとを配置し、該ブレードを回転駆
    動せしめると共に該ブレードと該ドレッサとを該ブレー
    ドの該回転軸線に対して略垂直な方向に相対的に移動せ
    しめて、該ブレードによって該ドレッサを研削すること
    によって該ブレードをドレッシングし、 次いで、該ブレードの該回転軸線をシリコンウエーハの
    研削すべき面に対して略垂直になるように該ブレードと
    該シリコンウエーハとを配置し、該ブレードを回転駆動
    せしめると共に該ブレードと該シリコンウエーハとを該
    ブレードの該回転軸線に対して略垂直な方向に相対的に
    移動せしめて、該ブレードによって該シリコンウエーハ
    の該面を梨地面に研削する、 ことを特徴とするシリコンウエーハの面を研削する方
    法。
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