JPS58143948A - ウエハ研削装置 - Google Patents
ウエハ研削装置Info
- Publication number
- JPS58143948A JPS58143948A JP2441282A JP2441282A JPS58143948A JP S58143948 A JPS58143948 A JP S58143948A JP 2441282 A JP2441282 A JP 2441282A JP 2441282 A JP2441282 A JP 2441282A JP S58143948 A JPS58143948 A JP S58143948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- rotating shaft
- cooling water
- wafer grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 10
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウェハ研削装置に関する。
従来、半導体製品の製造過程においてシリコン(Sl)
の半導体基板(ウェハ)の裏面を最終的に平滑化する場
合、化学的エツチング方式または機械的研削方式が用い
られている。
の半導体基板(ウェハ)の裏面を最終的に平滑化する場
合、化学的エツチング方式または機械的研削方式が用い
られている。
そのうち、化学的エツチング方式には、処理時間が長(
、コストが高いという問題がある。
、コストが高いという問題がある。
一方、*械的研削方式の場合、ウェハの研削加工面の而
粗さく”maX)が小さければ小さい程1組立工程での
ペレット付は時の金(Au)−シリコン(Si)共晶合
金の濡れ性が良く、ペレット付は不良率が小さくなると
いう関係がある、この而粗さを支配する研削条件として
は、(1)砥石のダイヤモンド砥粒径、(2)研削粉の
除去効率が重要である。
粗さく”maX)が小さければ小さい程1組立工程での
ペレット付は時の金(Au)−シリコン(Si)共晶合
金の濡れ性が良く、ペレット付は不良率が小さくなると
いう関係がある、この而粗さを支配する研削条件として
は、(1)砥石のダイヤモンド砥粒径、(2)研削粉の
除去効率が重要である。
ところが、従来のウェハ研削装置では、研削粉除去のた
めの対呆が特に施こされていなかったので、面粗さを改
善するためにはダイヤモンド砥粒径を小さくせざるを得
なかった。
めの対呆が特に施こされていなかったので、面粗さを改
善するためにはダイヤモンド砥粒径を小さくせざるを得
なかった。
しかし、砥粒径が小さくなるにつれて研削速度が小さく
なり、スルーブツトが低下するので、量産性が悪(なる
という問題がある。
なり、スルーブツトが低下するので、量産性が悪(なる
という問題がある。
本発明の目的は、前記従来技術の課題を解決するために
なされたもので、砥石の砥粒径を小さくしなくても研削
粉除去効率を向上させ、研削粉の再付着による不良発生
を防止できるウェハ研削装置を提供することにある。
なされたもので、砥石の砥粒径を小さくしなくても研削
粉除去効率を向上させ、研削粉の再付着による不良発生
を防止できるウェハ研削装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明は、回転研削手段な設
けたモータの回転軸部に供給される冷却液をウニ・・の
研削加工面上に供給する手段を有するものである。
けたモータの回転軸部に供給される冷却液をウニ・・の
研削加工面上に供給する手段を有するものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にt7たがりて詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明によるウエノ・研削装置dの一実施例を
不す概略断面図である。
不す概略断面図である。
この実施例において、駆動用のモータ1の中空の回転軸
2の下端部近くには5回転砥石3が取り付けられ、この
回転砥石3の外周部下面には、ウェハ研削用のダイヤモ
ンド砥粒4が設けられている。そのため、ダイヤモンド
砥粒4の下面側はウェハ5の研削加工面5aと回転接触
してウェハ研削を行う。
2の下端部近くには5回転砥石3が取り付けられ、この
回転砥石3の外周部下面には、ウェハ研削用のダイヤモ
ンド砥粒4が設けられている。そのため、ダイヤモンド
砥粒4の下面側はウェハ5の研削加工面5aと回転接触
してウェハ研削を行う。
前記モータ1には冷却用の水が冷却水供給管6が供給さ
れ、この冷却水はモータ1から中空の回転軸2の中の冷
却水通路7を通って下方に供給される。
れ、この冷却水はモータ1から中空の回転軸2の中の冷
却水通路7を通って下方に供給される。
前記(ロ)転軸2のド端面には、冷却水を周囲に飛散さ
せてウェハ5の研削加工面5a上に供給するインペラ8
が水平方向に取り付けられ、該インペラ8とウェハ5は
ほぼ同じ高さにある。
せてウェハ5の研削加工面5a上に供給するインペラ8
が水平方向に取り付けられ、該インペラ8とウェハ5は
ほぼ同じ高さにある。
このインペラ8は第2図と第3図に例示するように1回
転軸20下面に取り付けろためのねじ孔9を有する渦巻
方向の複数個の隆起部10および各隆起部10間の渦巻
方向の四部11を上面に円周方向に形成した構造である
。冷却水は回転軸200回転よるインペラ8の回転に伴
なって四部■を通って周囲に飛散し、ウェハ5の研削加
工面5a上に供給される。
転軸20下面に取り付けろためのねじ孔9を有する渦巻
方向の複数個の隆起部10および各隆起部10間の渦巻
方向の四部11を上面に円周方向に形成した構造である
。冷却水は回転軸200回転よるインペラ8の回転に伴
なって四部■を通って周囲に飛散し、ウェハ5の研削加
工面5a上に供給される。
したがって、本実施例によれば、モーターのための冷却
水を回転軸2の中に通過させ、インペラ8の回転により
ウェハ5の研削加工面5a上に供給するので、砥石3の
ダイヤモンド砥粒4により研削された研削粉は冷却水で
研削加工面5aの上から洗い流され、研削粉除去率は非
常に向上する。
水を回転軸2の中に通過させ、インペラ8の回転により
ウェハ5の研削加工面5a上に供給するので、砥石3の
ダイヤモンド砥粒4により研削された研削粉は冷却水で
研削加工面5aの上から洗い流され、研削粉除去率は非
常に向上する。
その結果、ウニ・・5の研削加工面5aの面粗さが良好
になり、後工程でのベレット付けの不良率を大巾に低減
でき、またワイヤボンディング面等に研削粉が再付着す
ることによる不良を防止できる。
になり、後工程でのベレット付けの不良率を大巾に低減
でき、またワイヤボンディング面等に研削粉が再付着す
ることによる不良を防止できる。
本発明の諸性能を、研削後の研削粉をアルコールで手拭
きする従来方式と比較して示すと表1のようにな〜た。
きする従来方式と比較して示すと表1のようにな〜た。
この場合、使用した砥粒径は同一のものであった。
表1
なお、インペラ8は前記実施例に限定されるものではな
く、単なる平円板状のもの等でもよい。
く、単なる平円板状のもの等でもよい。
以上説明したように、本発明によれば、ウエノ・研削粉
の除去率を向上させることができ、ベレット付は不良率
を低減させ、また研削粉の再付着による不良を排除でき
る。
の除去率を向上させることができ、ベレット付は不良率
を低減させ、また研削粉の再付着による不良を排除でき
る。
第1図は本発明によるウエノ)研削装置の一実施例を示
す概略断面図、第2図と第3図はそれぞれ第1図の実施
例に用いられるインペラの断面図と平向図である。 1・・・モータ、2・・・回転軸、3・・・回転砥石、
4・・・ダイヤモンド砥粒、5・・・ウェハ、5a・・
・研削加工面、6・・冷却水供給管、7・・・冷却水通
路、8・・・インペラ、9・・・ねじ孔、10・・・隆
起部%11・・・四部。
す概略断面図、第2図と第3図はそれぞれ第1図の実施
例に用いられるインペラの断面図と平向図である。 1・・・モータ、2・・・回転軸、3・・・回転砥石、
4・・・ダイヤモンド砥粒、5・・・ウェハ、5a・・
・研削加工面、6・・冷却水供給管、7・・・冷却水通
路、8・・・インペラ、9・・・ねじ孔、10・・・隆
起部%11・・・四部。
Claims (1)
- モータの回転軸に回転研削手段を設けたウェハ研削装置
において、回転軸部に供給されたる冷却液をウェハの研
削加工面上に供給する手段を備えてなることを特徴とす
るウエノ・研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2441282A JPS58143948A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | ウエハ研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2441282A JPS58143948A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | ウエハ研削装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58143948A true JPS58143948A (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=12137439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2441282A Pending JPS58143948A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | ウエハ研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58143948A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100330296B1 (ko) * | 1997-04-21 | 2002-10-19 | 크리챠몰 챠로엔베치피펫 | 전기적또는공압적인연마장치에결합하기위해사용되는냉각수공급조인트 |
US6942548B2 (en) | 1998-03-27 | 2005-09-13 | Ebara Corporation | Polishing method using an abrading plate |
DE102007030958A1 (de) | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben |
CN101885156A (zh) * | 2010-07-13 | 2010-11-17 | 杨福磊 | 一种玻璃磨边机冷却水供给装置 |
US20140024300A1 (en) * | 2006-03-16 | 2014-01-23 | Professional Tool Manufacturing, Llc | Cutting tool sharpener |
KR20190004667A (ko) * | 2017-07-04 | 2019-01-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5255755U (ja) * | 1975-10-21 | 1977-04-22 |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP2441282A patent/JPS58143948A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5255755U (ja) * | 1975-10-21 | 1977-04-22 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100330296B1 (ko) * | 1997-04-21 | 2002-10-19 | 크리챠몰 챠로엔베치피펫 | 전기적또는공압적인연마장치에결합하기위해사용되는냉각수공급조인트 |
US6942548B2 (en) | 1998-03-27 | 2005-09-13 | Ebara Corporation | Polishing method using an abrading plate |
US20140024300A1 (en) * | 2006-03-16 | 2014-01-23 | Professional Tool Manufacturing, Llc | Cutting tool sharpener |
US9168626B2 (en) * | 2006-03-16 | 2015-10-27 | Professional Tool Manufacturing Llc | Cutting tool sharpener |
DE102007030958A1 (de) | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben |
US7666064B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-02-23 | Siltronic Ag | Method for grinding semiconductor wafers |
DE102007030958B4 (de) * | 2007-07-04 | 2014-09-11 | Siltronic Ag | Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben |
CN101885156A (zh) * | 2010-07-13 | 2010-11-17 | 杨福磊 | 一种玻璃磨边机冷却水供给装置 |
KR20190004667A (ko) * | 2017-07-04 | 2019-01-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 장치 |
CN109202690A (zh) * | 2017-07-04 | 2019-01-15 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3645528B2 (ja) | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP3052896B2 (ja) | 研磨布表面のドレス治具及びその製造方法 | |
JP4249827B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
EP0039209A1 (en) | Machine for grinding thin plates such as semiconductor wafers | |
US6214704B1 (en) | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage | |
US20070155294A1 (en) | Chemical mechanical polishing system | |
US4947598A (en) | Method for grinding the surface of a semiconductor wafer | |
KR100641946B1 (ko) | 반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 방법 | |
JPS58143948A (ja) | ウエハ研削装置 | |
JPH0778864A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JPH01140967A (ja) | 研削装置 | |
JPH03294160A (ja) | 研削砥石および研削装置 | |
US6514423B1 (en) | Method for wafer processing | |
JP2000198073A (ja) | 研磨砥石 | |
JP2001007064A (ja) | 半導体ウエーハの研削方法 | |
JPH10256201A (ja) | 半導体の製造方法 | |
JP4034560B2 (ja) | 半導体ウエーハの研磨方法 | |
JP3011168B2 (ja) | 半導体基板研磨装置 | |
JP2879038B1 (ja) | シリコン半導体ウエハ外周部の仕上げ加工方法 | |
JPS6076959A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20220097199A1 (en) | Method and device of chemical mechanical polishing | |
JPS62251081A (ja) | 研削装置および研削砥石 | |
JP2002134450A (ja) | ウエハの薄厚加工方法及び装置 | |
JPH0677188A (ja) | 半導体ウエハの面取加工装置 | |
JP3316939B2 (ja) | 半導体ウエハの研削方法及び装置 |