JPS5914669A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法特にベース、領域、エミ
ッタ領域の伸面が厚い絶縁膜に接する構造のトランジス
タの製造方法に関するものである１、上記構造のトラン
ジスタの一般的な平面１図を第１図に示す。尚、１１は
コレクタ電極用開孔部、１２はエミッタ電極用開孔部、
１３はベース電極用開孔部である。

本発明の設明に於いては、発明の目的が理解しやすいよ
うに第１図のＡ、Ａ’面の断面図を用いる。

第２図（ａ）〜（Ｃ）に従来のトランジスタの製造方法
を示す。先ず（ａ）に示すように導電型半導体基板１に
絶縁分離されたコレクタ領域２を形成し、表面の酸化膜
３を通してイオン打込法によりベース領域４を形成する
。続いて（Ｉ））に示すようにホトリソグラフィ技術を
用いそ、酸化膜３を選択的に除去してエミッタ不純物拡
散孔５を形成する。続いて（Ｃ）に示すように前記−開
孔部５よりエミッタ不純物を拡散して、エミッタ領域６
を形成することによってトランジスタを製造している。

ところが上記のような従来の製造方法においては次の如
き欠点がある。即ち第２図Φ）に於いて、エミッタ拡散
用窓５の開孔時酸化膜３のサイドエッチによりベース領
域端部の表面７が露出してしまう。このために（ｄ）に
示すようにエミッタ拡散時、前記ベース領域端部におい
てエミッタ領域がベース領域を突抜は易く、コレクタ、
エミッタ短絡を起こし　構造となシ製造歩留シヘ大きく
影響を及ばず。上記の欠点を改良する方法として第３図
（ａ）〜Φ）に示すようにベース領域形成窓８を開孔し
た彼にシリコン表面へ直接イオン打込み方法によってベ
ース領域４を形成し前記窓８よシエミッタ領域６を形成
する方法がある。ところが、上記の製造方法においても
次の如き欠点がある。即ちベース領域を形成する際に、
シリコン表面へ直接イオン打込を行なうため打込みエネ
ルギーを小さくしても不純物濃度の最高位置が半導体表
面から離れた深い位置にできトランジスタの高性能化に
限界を生ずる。

本発明の目的は、上記の従来の欠点を解消した半導体装
置即ち高性能で高歩留シのトランジスタの製造方法を提
供することになる。

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主面
に第１の？縁膜を形成する工程と次に前記絶縁膜を選択
的に除去して、開孔部を形成する工程と、この工程の次
に第２の絶縁膜を形成し第１の不純物をイオン注入によ
り、前記開孔窓よシリコン表面へ第１の拡散層を形成す
る工程と次に前記シリコン窒化膜を除去し、前記開孔部
よシ第２の不純物を形成する工程を含むことを特徴とす
るものである。

本発明においては、拡散層形成の為の窓をｍ」孔後シリ
コン窒化膜を形成し、該シリコン悼化膜を通してイオン
打込法によりベース領域を形成する為にベース不純物の
最高濃度位をほぼ半導体表面に設定することができる。

更にシリコン窒化膜を除去した後にベース領域形成と同
−窓よシエミッタ領域を形成するだめにコレクタ領域と
エミッタ領域の短絡による歩留り低下を防止することが
でき高性能のトランジスタを高歩留υで実現できる。

以下図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明する
。

第４図（ａ）〜（ｄ）は、本発明方法の一実施例を示す
工程図でおる。

まず（ａ）に示すようにシリコン基板１上に絶縁分離さ
れたコレクタ領域２を形成する。この工程は概知の選択
酸化技術を用いることによシ形成される。

続いて（ｂ）のようにホトリソグラフィ技術を用いてベ
ース領域及びエミッタ領域を形成すべき箇所の酸化膜３
をエッチして除き開孔部８を形成しシリコン表面を露出
させる。

次に（Ｃ）図のようにシリコン窒化膜を半導体表■１に
形成し、次いてイオン打込法によって、シリコン窒化膜
９を通してほう素を打込んて前記開孔部８よりシリコン
表面にベース領域４を形成する０、この場合、窒化シリ
コン膜を通してイオン打込を行なうため不純物濃度のピ
ークをシリコン基板表面に形成することができ、浅い接
合の形成ができる。

次に（ｄ）に示すように窒化シリコン９を除去する。

この場合、リン酸等の窒化シリコンだけを除去する溶液
を用いれば前記開孔部８の形状を変化させることなくシ
リコン表面を露出することができる。

続いて前記開孔部８よシエミツク不純物を拡散してエミ
ッタ領域６を形成する。

この場合、ベース領域の不純物導入と同じ窓８よシエミ
ツタ不純物を拡散する為に、ベース領域端部でのエミッ
タ領域の突抜けによるコレクタ、エミッタ短絡を防止す
ることができる。

上記実捲例によればベース領域形成のだめの窓を開孔し
たのちベース領域を形成し、続いて同じ窓よりエミッタ
不純物を拡散してエミッタ領域を形成するためにエミッ
タ領域の突抜けによるコレクタ、エミッタ短絡を防止す
ることができ浅い接合を高歩留りで形成することができ
る。

第５図に本発明の他の実施例を示す。ベース領域の形成
まで第４図と同一の工程であり、エミッタ領域を形成す
る際に、ポリシリコン１０を通してエミッタ不純物を導
入することによって浅いエミッタ接合を形成する方法で
ある 以上説明したように本発明によれば高性ｈＰなトランジ
スタを高歩留シで製造する方法を提伊、することができ
る

【図面の簡単な説明】

第１図はベース領域、エミッタ領域の側面が絶縁膜に接
する構造のトランジスタの平面図。 第２図（ａ）〜（Ｃ）は、従来のトランジスタの製造に
於ける各工程の断面図でちり、（ｄ）は欠点を示す断面
図。 第３図（ａ）〜（ｂ）は他の従来のトランジスタの製造
方法に於ける各工程を示す断面図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例のトランジス
・りの製造方法に於ける各工程を示す断面図。 第５図は、本発明の他の実施例の断面図である。 伺、図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・コレクタ領域、３・・・・・・酸化膜、４・・・
・・・ペース領域、５・・・・・・エミッタ不純物拡散
孔、６・・・・・・エミッタ領域、７・・・・・・ベー
ス領域端部のシリコン表面、８・・・・・・ペース、エ
ミッタ不純物拡散孔、９・・・・・・シリコン窒化膜、
１０・・・・・・ポリシリコン膜、１１・・・・・・コ
レクタ電極用開孔部、１２・・・・・・エミッタ￥ｕ析
用開第１閉 第　２　閉 番　番　番　　１番 ３２３− 第３区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板の一主面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記記１の絶縁膜に開孔部を形成°する工程と、半導体
   基板表面に第２の絶縁膜を被着した稜にイオン打込みを
   行ない少なくとも前記開孔部より半導体基板表面に第１
   の不純物領域を形成する工程と、前記第２の絶縁膜を除
   去して半〃！９体表面を露出させ、前記開孔部より前記
   第１の不純物と異なる導電、型の第２不純物を導入する
   ことによって、第２の不純物頭載を形成する工程を含む
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。