JPS5913336A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPS5913336A JPS5913336A JP12272682A JP12272682A JPS5913336A JP S5913336 A JPS5913336 A JP S5913336A JP 12272682 A JP12272682 A JP 12272682A JP 12272682 A JP12272682 A JP 12272682A JP S5913336 A JPS5913336 A JP S5913336A
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- JP
- Japan
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- ray
- small chamber
- vacuum
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- windows
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- Pending
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＸ線露光装置、特に１．ａｍ以下の微細パタ
ーンを複写することができるＸ線リングラフィに用いら
れるＸ線露光装置に関する。
ーンを複写することができるＸ線リングラフィに用いら
れるＸ線露光装置に関する。
軟Ｘ線を用いたＸ線リング２フイによれば高解像度パタ
ーンの複写が可能であることがエレクトロニクス・レタ
ーズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｔ＋、 Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２〜１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究が精力的に
進められている。
ーンの複写が可能であることがエレクトロニクス・レタ
ーズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｔ＋、 Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２〜１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究が精力的に
進められている。
Ｘ線リングラフィに用いる従来のｘｍｎ光装置を第１図
に示す。ｌ Ｑ−’ ｔｏｒｒ程度の高真空に排気され
た管球部１中に金属のターゲット２があシ、前記管球部
ＩＫ隣接してＸ線窓３を隔てて露光室４が設けられ、こ
の露光室４内には、Ｘ線レジストが塗布され丈の上にマ
スク５が位置合せして乗せられている被加工物６が固定
されている。露光室４は１０−” ｔｏｒｒ程度に排気
されるか、 Ｈｅガスなどの不活性ガスで置換されるか
、大気雰囲気となりている。７，８はそれぞれ排気系を
示している。
に示す。ｌ Ｑ−’ ｔｏｒｒ程度の高真空に排気され
た管球部１中に金属のターゲット２があシ、前記管球部
ＩＫ隣接してＸ線窓３を隔てて露光室４が設けられ、こ
の露光室４内には、Ｘ線レジストが塗布され丈の上にマ
スク５が位置合せして乗せられている被加工物６が固定
されている。露光室４は１０−” ｔｏｒｒ程度に排気
されるか、 Ｈｅガスなどの不活性ガスで置換されるか
、大気雰囲気となりている。７，８はそれぞれ排気系を
示している。
この装置で金属ターゲット２の照射面に電子ビーム発生
源９よシミ子ビーム１０を照射すると軟Ｘ線１１を発生
し、この軟Ｘ線はＸ線窓３を透過しマスク５を介して被
加工物６上のＸ線レジストを露光する。
源９よシミ子ビーム１０を照射すると軟Ｘ線１１を発生
し、この軟Ｘ線はＸ線窓３を透過しマスク５を介して被
加工物６上のＸ線レジストを露光する。
ところで、このような装置は構造上一つの弱点を有して
いる。それはＸ線窓である。Ｘ線露光装置におけるＸ＠
窓として雌、薄いＢｅ箔が唯一のものであると言っても
過言でない、透過力の弱いＡＩのＫａ線（波長ｓ、 ３
４ Ｘ ）、８ｊのＫｔｔＩｉ！Ｊ（波長７．１３λ）
等の軟Ｘ線に対して、厚さ数十μｍ。
いる。それはＸ線窓である。Ｘ線露光装置におけるＸ＠
窓として雌、薄いＢｅ箔が唯一のものであると言っても
過言でない、透過力の弱いＡＩのＫａ線（波長ｓ、 ３
４ Ｘ ）、８ｊのＫｔｔＩｉ！Ｊ（波長７．１３λ）
等の軟Ｘ線に対して、厚さ数十μｍ。
直径数偏のＢｅ箔がＸ線窓として用いられる。よシ短波
長である硬Ｘ線を利用したＸ線分析装置等では、厚さ数
龍のオーダ、直径数組のオーダである。従り１、上記の
軟Ｘ線用のＢｅ箔Ｘ線窓は、極めて脆弱である。
長である硬Ｘ線を利用したＸ線分析装置等では、厚さ数
龍のオーダ、直径数組のオーダである。従り１、上記の
軟Ｘ線用のＢｅ箔Ｘ線窓は、極めて脆弱である。
本発明者も長年第１図に類似したＸ線露光装置を使用し
てきたが、少なくないＢｅ箔窓の破損事故を経験してき
た。特に管球内の金属ターゲットの再製等の作業時にお
ける管球内のリークの際に。
てきたが、少なくないＢｅ箔窓の破損事故を経験してき
た。特に管球内の金属ターゲットの再製等の作業時にお
ける管球内のリークの際に。
前記Ｂｅ窓の破損事故が起こる仁とが多い。また、前記
軟Ｘ＃用Ｂｅ％ｌｉ窓は本質的に脆く、外部からの機械
的シ四ツクあるいは露光室側からの強い陽圧轡によりて
も破損事故が生じゃすい。
軟Ｘ＃用Ｂｅ％ｌｉ窓は本質的に脆く、外部からの機械
的シ四ツクあるいは露光室側からの強い陽圧轡によりて
も破損事故が生じゃすい。
このような軟Ｘ線用ｆ３ｅｆｆｉ窓の破損ダ故を皆無に
することは非常に困難であると思われるが（薄いＢｅ箔
は本質的に脆い）、第１図の構造における前記窓の破損
事故の少なくない発生は、Ｘ線リング２フイの実用化に
とりて大きな問題である。
することは非常に困難であると思われるが（薄いＢｅ箔
は本質的に脆い）、第１図の構造における前記窓の破損
事故の少なくない発生は、Ｘ線リング２フイの実用化に
とりて大きな問題である。
すなわち、Ｘ線窓の取替作業に相当の労力、時間に長時
間（半日〜１日）を要する等の問題点が生じる。
間（半日〜１日）を要する等の問題点が生じる。
本発明の目的は、仁のような従来の問題点を除去してＢ
ｅｆｆ３Ｘ線窓の交換を容易にする新規な構造を有する
Ｘ線露光装置を提供することにある。
ｅｆｆ３Ｘ線窓の交換を容易にする新規な構造を有する
Ｘ線露光装置を提供することにある。
本発明によるとＸ線発生源を含む管球部と、Ｘ線窓を含
む小室とを含み、前記管球部と前記小室とは分離可能で
あることをＩ？Ｉ徴とするＸＩＩＪＭ光装魚が得られる
。
む小室とを含み、前記管球部と前記小室とは分離可能で
あることをＩ？Ｉ徴とするＸＩＩＪＭ光装魚が得られる
。
以下本発明について実施例を示す図面を参照して説明す
る。第２図は、本発明の一実施例の概略断面図で、Ｘ線
Ｕ光装置の線源部を示している。
る。第２図は、本発明の一実施例の概略断面図で、Ｘ線
Ｕ光装置の線源部を示している。
Ｘ線発生源である金属ターゲット２を含む管球部１とｓ
Ｘｌ’ｉ窓３を含む小室１２とから構成される。
Ｘｌ’ｉ窓３を含む小室１２とから構成される。
小室１２は、紋小室１２を真空リークして大気圧にして
、管球部１から容易に分離可能である。すなわち、管球
部１と小室１２とは真空密閉用０リング１３を介して接
合している構造となってお）、小室１２内の真空リーク
によりて容易に分離可能である゛。管球部ｌには、真空
パル゛プ１４が設置されておシ、該パルプ１４を閉じた
ときは、小室１２内を大気にしたとき、さらには小室１
２を分離したときにおいても、高真空状態に保たれる。
、管球部１から容易に分離可能である。すなわち、管球
部１と小室１２とは真空密閉用０リング１３を介して接
合している構造となってお）、小室１２内の真空リーク
によりて容易に分離可能である゛。管球部ｌには、真空
パル゛プ１４が設置されておシ、該パルプ１４を閉じた
ときは、小室１２内を大気にしたとき、さらには小室１
２を分離したときにおいても、高真空状態に保たれる。
Ｘ線露光によって被加工物に軟Ｘ線を照射する際には、
小室１２を真空排気部１５よ）排量して高真空にして、
真空パルプ１４を開ければ、金属ターゲット２で発生し
た軟Ｘ１ｌｌｘ１がＸ線窓３：Ｉｒ透過して被加工物に
照射される。なお第２図では、真空パルプ１４が閉じた
ときに軟Ｘ１ｌｌｌｌが該パルプで遮断されている様子
を示している。
小室１２を真空排気部１５よ）排量して高真空にして、
真空パルプ１４を開ければ、金属ターゲット２で発生し
た軟Ｘ１ｌｌｘ１がＸ線窓３：Ｉｒ透過して被加工物に
照射される。なお第２図では、真空パルプ１４が閉じた
ときに軟Ｘ１ｌｌｌｌが該パルプで遮断されている様子
を示している。
このような構造を採用すると、Ｂｅ窓の交換は与
極めて容易とる。すなわち、通常のＸ線露光装置におい
ては、構造上Ｘ線窓は容易に手を触れることが出来ない
位置に設置されていることが多いが、本実施例の構成を
用いれば１分岨した小室においてｘ＃Ｊ窓の交換作業を
行うことＫよりて、 Ｂｅ窓の交換は容易となる。
ては、構造上Ｘ線窓は容易に手を触れることが出来ない
位置に設置されていることが多いが、本実施例の構成を
用いれば１分岨した小室においてｘ＃Ｊ窓の交換作業を
行うことＫよりて、 Ｂｅ窓の交換は容易となる。
第２図に示すＸ＠露光装置では次のような効果が期待で
きる。（１）Ｘ線窓の交換が容易々実用的Ｘ線露光装置
を得ることができる。（２）管球部に真空パルプが設置
されていることから、Ｘ線窓の交換作業中等において、
管球部のみの高真空排気を効率よく行うことができる。
きる。（１）Ｘ線窓の交換が容易々実用的Ｘ線露光装置
を得ることができる。（２）管球部に真空パルプが設置
されていることから、Ｘ線窓の交換作業中等において、
管球部のみの高真空排気を効率よく行うことができる。
（３）前記真空パルプを錐先用シャッターとしても併用
できる。
できる。
本発明によるとＸ線窓の交換が容易なＸ線露光装置が得
られる。
られる。
第１図は従来のｘ＃為先光装置概略断面図、第２図は本
発明の一実施例を示すＸｍｍ細光買置線源部の概略断面
図である。 １・・・・・・管球部、２・・・・・・金属ターゲット
、３・・・・・・Ｘ線窓、４・・・・・・露光室、５・
・・・・・マスク、６・・・・・・被加工物、７，８・
・・・・・真空排気系、９・・・・・・電子ビーム発生
源、１０・・・・・・電子ビーム、１１・・・・・・軟
Ｘ＠。 １２・・・・・・小室、１３・・・・・・０リング、１
４・・・・・・真空パルプ、１５・・・・・・真空排気
部。
発明の一実施例を示すＸｍｍ細光買置線源部の概略断面
図である。 １・・・・・・管球部、２・・・・・・金属ターゲット
、３・・・・・・Ｘ線窓、４・・・・・・露光室、５・
・・・・・マスク、６・・・・・・被加工物、７，８・
・・・・・真空排気系、９・・・・・・電子ビーム発生
源、１０・・・・・・電子ビーム、１１・・・・・・軟
Ｘ＠。 １２・・・・・・小室、１３・・・・・・０リング、１
４・・・・・・真空パルプ、１５・・・・・・真空排気
部。
Claims (3)
- （１）Ｘ線発生源を含む管球部と、Ｘａ窓を含む小室と
を含み、前記管球部と前記小室とは分離可能であること
を特徴とするＸ線露光装置。 - （２）前記管球部が真空パルプによる開閉機構を備えた
特許請求の範囲第（１）項記載のＸ＃露光装置。 - （３）前記管球部と前記小室とが接合された状態におい
て、前記小室を真空排気できる機構を備えた特許請求の
範囲第（１）項記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12272682A JPS5913336A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12272682A JPS5913336A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913336A true JPS5913336A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14843063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12272682A Pending JPS5913336A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913336A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10078789B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-09-18 | Magna Electronics Inc. | Vehicle parking assist system with vision-based parking space detection |
| US10569804B2 (en) | 2009-07-27 | 2020-02-25 | Magna Electronics Inc. | Parking assist system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730746U (ja) * | 1980-07-25 | 1982-02-18 |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP12272682A patent/JPS5913336A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730746U (ja) * | 1980-07-25 | 1982-02-18 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10569804B2 (en) | 2009-07-27 | 2020-02-25 | Magna Electronics Inc. | Parking assist system |
| US10078789B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-09-18 | Magna Electronics Inc. | Vehicle parking assist system with vision-based parking space detection |
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