JPH0335774B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0335774B2 JPH0335774B2 JP55158728A JP15872880A JPH0335774B2 JP H0335774 B2 JPH0335774 B2 JP H0335774B2 JP 55158728 A JP55158728 A JP 55158728A JP 15872880 A JP15872880 A JP 15872880A JP H0335774 B2 JPH0335774 B2 JP H0335774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beryllium
- ray
- window
- silicon nitride
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/16—Vessels; Containers; Shields associated therewith
- H01J35/18—Windows
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/18—Windows, e.g. for X-ray transmission
- H01J2235/183—Multi-layer structures
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線回折装置、Ｘ線露光装置、Ｘ線検
出器、等々のＸ線装置に於て使用されるＸ線窓に
関わるものである。上記Ｘ線装置に於ては、一般
にフイラメントから放出された熱電子を高電界で
加速し、金属で形成されたターゲツトに衝突させ
てＸ線を発生させたり、Ｘ線を放電箱中に導いて
電気信号に変換するなどしている。これらの場
合、Ｘ線強度を大幅に減衰させることなく透過さ
せる所謂Ｘ線窓が必要となる。しかもＸ線装置は
そのかなりのものが高真空装置であることが多
く、かかる場合ではＸ線窓はＸ線透過窓であると
共にその表裏においてかなりの圧力差を維持する
真空気密性をも要求されることとなる。
出器、等々のＸ線装置に於て使用されるＸ線窓に
関わるものである。上記Ｘ線装置に於ては、一般
にフイラメントから放出された熱電子を高電界で
加速し、金属で形成されたターゲツトに衝突させ
てＸ線を発生させたり、Ｘ線を放電箱中に導いて
電気信号に変換するなどしている。これらの場
合、Ｘ線強度を大幅に減衰させることなく透過さ
せる所謂Ｘ線窓が必要となる。しかもＸ線装置は
そのかなりのものが高真空装置であることが多
く、かかる場合ではＸ線窓はＸ線透過窓であると
共にその表裏においてかなりの圧力差を維持する
真空気密性をも要求されることとなる。
従来、該気密室の壁の一部には厚さ数十μｍの
ベリリウム箔で形成したＸ線窓が設けられ、この
ベリリウム窓を通してＸ線のやりとりがなされて
いる。これはベリリウムのＸ線透過率が大きく、
且つ機械的強度が比較的大きい為である。ところ
がこのベリリウム箔には、鉄、銅、マンガン、ニ
ツケル、アルミニウム、ケイ素等の不純物の他、
酸素、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム等
の揮発性の不純物が一般に含まれており、この為
該ベリリウム窓を大気中で長時間Ｘ線照射する
と、照射Ｘ線のエネルギーによつて大気中の酸素
と前記の不純物が反応し、一部の不純物は気化若
しくは化学的構造に変化を生ずる。その結果、ベ
リリウム窓にはピンホールを生じ、該気密室の中
を所望の高真空に保てなくなることがしばしば生
じていた。上述の現象はベリリウム窓のいずれか
一方の表面が空気に晒されている時にのみ生じ、
He等の不活性ガスで満たされた雰囲気中で使用
した場合にはピンホールは殆ど発生しない。した
がつて、ベリリウム窓のピンホールを防止する為
にはベリリウム窓の表面が空気に晒されない様に
しなければならず、Ｘ線源となるターゲツトが含
まれる気密室の外側に更にもう一つの室を設け、
該室の中の空気をHe等の不活性ガスで完全に置
換するか、若しくは高真空状態に保たなければな
らない。ところが、例えば微細パターンの一括転
写に用いられるＸ線露光機等に於ては、Ｘ線露光
マスク及び半導体ウエハ等を頻繁に交換する為、
Ｘ線露光マスク及び該半導体ウエハは大気中に置
いたまま露光する必要があると考えられており、
したがつてベリリウム窓の少なくとも１表面は空
気に晒されることになり、ピンホールの発生を防
ぐことは困難であつた。
ベリリウム箔で形成したＸ線窓が設けられ、この
ベリリウム窓を通してＸ線のやりとりがなされて
いる。これはベリリウムのＸ線透過率が大きく、
且つ機械的強度が比較的大きい為である。ところ
がこのベリリウム箔には、鉄、銅、マンガン、ニ
ツケル、アルミニウム、ケイ素等の不純物の他、
酸素、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム等
の揮発性の不純物が一般に含まれており、この為
該ベリリウム窓を大気中で長時間Ｘ線照射する
と、照射Ｘ線のエネルギーによつて大気中の酸素
と前記の不純物が反応し、一部の不純物は気化若
しくは化学的構造に変化を生ずる。その結果、ベ
リリウム窓にはピンホールを生じ、該気密室の中
を所望の高真空に保てなくなることがしばしば生
じていた。上述の現象はベリリウム窓のいずれか
一方の表面が空気に晒されている時にのみ生じ、
He等の不活性ガスで満たされた雰囲気中で使用
した場合にはピンホールは殆ど発生しない。した
がつて、ベリリウム窓のピンホールを防止する為
にはベリリウム窓の表面が空気に晒されない様に
しなければならず、Ｘ線源となるターゲツトが含
まれる気密室の外側に更にもう一つの室を設け、
該室の中の空気をHe等の不活性ガスで完全に置
換するか、若しくは高真空状態に保たなければな
らない。ところが、例えば微細パターンの一括転
写に用いられるＸ線露光機等に於ては、Ｘ線露光
マスク及び半導体ウエハ等を頻繁に交換する為、
Ｘ線露光マスク及び該半導体ウエハは大気中に置
いたまま露光する必要があると考えられており、
したがつてベリリウム窓の少なくとも１表面は空
気に晒されることになり、ピンホールの発生を防
ぐことは困難であつた。
本発明は上記のように従来各種Ｘ線装置に於て
用いられていたベリリウム窓を改良し、空気中で
長時間使用した場合にもピンホールが極めて発生
し難い構造にしようとするものである。
用いられていたベリリウム窓を改良し、空気中で
長時間使用した場合にもピンホールが極めて発生
し難い構造にしようとするものである。
本発明は、こうしたベリリウム箔の一表面上も
しくは両表面上に保護膜を堆積することで前記従
来の欠点を除去し、更に人体にとつて極めて有害
なベリリウムを被覆することでＸ線装置取扱者を
所謂ベリリウム中毒から防護する。本発明の保護
膜としては、シリコン窒化物、シリコン酸化物、
シリコン炭化物、ホウ素化合物、コランダム等の
アルミニウム酸化物、プラスチツク、等が良い成
績を得る。
しくは両表面上に保護膜を堆積することで前記従
来の欠点を除去し、更に人体にとつて極めて有害
なベリリウムを被覆することでＸ線装置取扱者を
所謂ベリリウム中毒から防護する。本発明の保護
膜としては、シリコン窒化物、シリコン酸化物、
シリコン炭化物、ホウ素化合物、コランダム等の
アルミニウム酸化物、プラスチツク、等が良い成
績を得る。
以下、本発明の実施の一例についてより具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明のＸ線窓の概略構成を模式的に
示したものであり、１１は両表面を研磨した数μ
ｍないし数十μｍの厚さを有する平行平板状のベ
リリウム箔の一部であり、１２は該ベリリウム箔
の両表面上にCVD法又はプラズマCVD法等の方
法で数百Åないし数千Åの厚さになるように堆積
させたシリコン窒化物層である。シリコン窒化物
は通気性が小さく、空気中の酸素とベリリウム箔
中の不純物との反応を妨げ、ピンホールの発生を
防止する。また、数百Åないし数千Åの膜厚の該
シリコン窒化物層によるＸ線の吸収は、通常数十
μｍの厚さを有する該ベリリウム箔による吸収に
比べて殆んど無視でき、支障にならない。尚、該
シリコン窒化物層１２は、該ベリリウム板１１を
所定のＸ線装置に装填した時に、空気に晒される
側のみ堆積しても良い。したがつて、本発明は第
２図に示す様にベリリウム箔２１のいずれか一方
の表面上にシリコン窒化物層２２を堆積した構造
によつても、その効果を十分に発揮し得る。尚、
上記の実施例では保護膜としてシリコン窒化物膜
を用いた場合について説明したが、本発明は、上
記の実施例のシリコン窒化物（Si3N4）に換え
て、通気性が小さく、且つＸ線の透過率が大きい
シリコン酸化物（SiO2）、シリコン炭化物
（SiC）、窒化ホウ素（BN）、炭化ホウ素（B4C）、
ケイ化ホウ素（B4Si）、サフアイア等のコランダ
ム、アルミナ、ポリイミド、架橋ポリエチレン、
等々の単一膜又はそれ等の複合膜を用いても十分
その効果を発揮でき、ベリリウム窓のピンホール
の発生を防止し、その寿命を大幅に改善すると共
に、取扱者をベリリウム中毒から防護することが
できる。
示したものであり、１１は両表面を研磨した数μ
ｍないし数十μｍの厚さを有する平行平板状のベ
リリウム箔の一部であり、１２は該ベリリウム箔
の両表面上にCVD法又はプラズマCVD法等の方
法で数百Åないし数千Åの厚さになるように堆積
させたシリコン窒化物層である。シリコン窒化物
は通気性が小さく、空気中の酸素とベリリウム箔
中の不純物との反応を妨げ、ピンホールの発生を
防止する。また、数百Åないし数千Åの膜厚の該
シリコン窒化物層によるＸ線の吸収は、通常数十
μｍの厚さを有する該ベリリウム箔による吸収に
比べて殆んど無視でき、支障にならない。尚、該
シリコン窒化物層１２は、該ベリリウム板１１を
所定のＸ線装置に装填した時に、空気に晒される
側のみ堆積しても良い。したがつて、本発明は第
２図に示す様にベリリウム箔２１のいずれか一方
の表面上にシリコン窒化物層２２を堆積した構造
によつても、その効果を十分に発揮し得る。尚、
上記の実施例では保護膜としてシリコン窒化物膜
を用いた場合について説明したが、本発明は、上
記の実施例のシリコン窒化物（Si3N4）に換え
て、通気性が小さく、且つＸ線の透過率が大きい
シリコン酸化物（SiO2）、シリコン炭化物
（SiC）、窒化ホウ素（BN）、炭化ホウ素（B4C）、
ケイ化ホウ素（B4Si）、サフアイア等のコランダ
ム、アルミナ、ポリイミド、架橋ポリエチレン、
等々の単一膜又はそれ等の複合膜を用いても十分
その効果を発揮でき、ベリリウム窓のピンホール
の発生を防止し、その寿命を大幅に改善すると共
に、取扱者をベリリウム中毒から防護することが
できる。
第１図及び第２図は本発明の実施例を模式的に
示した概略断面図である。図中、１１及び２１は
ベリリウム箔、１２及び２２はシリコン窒化物等
からなる保護膜をそれぞれ示す。
示した概略断面図である。図中、１１及び２１は
ベリリウム箔、１２及び２２はシリコン窒化物等
からなる保護膜をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ ベリリウム箔の一表面上若しくは両表面上に
シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン炭化
物、ホウ素化合物、アルミニウム酸化物、プラス
チツクの中のいずれか一つからなる単層膜あるい
はいずれか２つ若しくはそれ以上からなる複合膜
を保護膜として厚さ数百〜数千Å形成したことを
特徴とするＸ線窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55158728A JPS5782954A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | X-ray window |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55158728A JPS5782954A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | X-ray window |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5782954A JPS5782954A (en) | 1982-05-24 |
| JPH0335774B2 true JPH0335774B2 (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=15678030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55158728A Granted JPS5782954A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | X-ray window |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5782954A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61163547A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線取り出し窓 |
| JPH0350606Y2 (ja) * | 1985-03-28 | 1991-10-29 | ||
| JPS6391944A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | Nec Corp | Ｘ線用ベリリウム窓 |
| JP2814595B2 (ja) * | 1989-08-18 | 1998-10-22 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡 |
| DE19528329B4 (de) * | 1995-08-02 | 2009-12-10 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Maskenblank und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP1547116A4 (en) * | 2002-09-13 | 2006-05-24 | Moxtek Inc | RADIATION WINDOW AND METHOD OF MANUFACTURING |
| US7456932B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7428298B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-09-23 | Moxtek, Inc. | Magnetic head for X-ray source |
| US7382862B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-06-03 | Moxtek, Inc. | X-ray tube cathode with reduced unintended electrical field emission |
| US8995621B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-03-31 | Moxtek, Inc. | Compact X-ray source |
| US9076628B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-07-07 | Brigham Young University | Variable radius taper x-ray window support structure |
| US20180061608A1 (en) | 2017-09-28 | 2018-03-01 | Oxford Instruments X-ray Technology Inc. | Window member for an x-ray device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7704473A (nl) * | 1977-04-25 | 1978-10-27 | Philips Nv | Roentgenbuis. |
-
1980
- 1980-11-11 JP JP55158728A patent/JPS5782954A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5782954A (en) | 1982-05-24 |
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