JP3101332B2 - X線露光装置 - Google Patents
X線露光装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線を利用して露光を
行うX線露光装置に係り、特に内部をX線減衰雰囲気と
するチャンバとX線マスクを保持するマスクホルダとの
間のシール性、及びチャンバ内におけるガス置換の便を
図ったX線露光装置に関する。
行うX線露光装置に係り、特に内部をX線減衰雰囲気と
するチャンバとX線マスクを保持するマスクホルダとの
間のシール性、及びチャンバ内におけるガス置換の便を
図ったX線露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIの製造工程では、縮小投影
露光装置に代表される光露光装置が一般に用いられてい
る。しかし、LSIパターンの高密度、高集積化に伴
い、回路パターンがより微細化され、このように微細化
された回路パターンを光露光装置で形成するのは限界に
近くなってきている。そこで最近、光露光装置よりも微
細な回路パターンを形成することが可能なX線露光装置
の開発が進められている。このX線露光装置は、X線の
大気中による減衰を最小限にするため、X線が通るX線
取出し窓からX線マスクまでの間を、大気圧にほぼ等し
い圧力を有するヘリウムガス等のガス雰囲気(X線低減
衰雰囲気)となるようにした気密チャンバ構造が一般に
採用されている。
露光装置に代表される光露光装置が一般に用いられてい
る。しかし、LSIパターンの高密度、高集積化に伴
い、回路パターンがより微細化され、このように微細化
された回路パターンを光露光装置で形成するのは限界に
近くなってきている。そこで最近、光露光装置よりも微
細な回路パターンを形成することが可能なX線露光装置
の開発が進められている。このX線露光装置は、X線の
大気中による減衰を最小限にするため、X線が通るX線
取出し窓からX線マスクまでの間を、大気圧にほぼ等し
い圧力を有するヘリウムガス等のガス雰囲気(X線低減
衰雰囲気)となるようにした気密チャンバ構造が一般に
採用されている。
【0003】図4は、X線源としてシンクロトロンを用
いた従来の一般的な上記X線露光装置を示す概略構成図
である。
いた従来の一般的な上記X線露光装置を示す概略構成図
である。
【0004】即ち、図示しないシンクロトロン(X線
源)から放射されたX線1は、X線反射ミラー(図示せ
ず)で反射され、高真空のポート(図示せず)からベロ
ーズ2内を通って、X線取出し窓3からヘリウムガス雰
囲気のチャンバ4内に取入れられ、X線マスク5に照射
される。このX線マスク5は、チャンバ4にマスクホル
ダ6を介して着脱自在に保持されており、このX線マス
ク5を通して試料である半導体ウェハ7の表面にX線を
照射することにより、ウェハテーブル8に着脱自在に保
持された半導体ウェハ7上にX線マスク5の描画パター
ン5aを転写するようなされている。
源)から放射されたX線1は、X線反射ミラー(図示せ
ず)で反射され、高真空のポート(図示せず)からベロ
ーズ2内を通って、X線取出し窓3からヘリウムガス雰
囲気のチャンバ4内に取入れられ、X線マスク5に照射
される。このX線マスク5は、チャンバ4にマスクホル
ダ6を介して着脱自在に保持されており、このX線マス
ク5を通して試料である半導体ウェハ7の表面にX線を
照射することにより、ウェハテーブル8に着脱自在に保
持された半導体ウェハ7上にX線マスク5の描画パター
ン5aを転写するようなされている。
【0005】ここに、X線取出し窓3から出るX線は、
大気中での減衰が大きく、この減衰を防止するために、
このX線取出し窓3からX線マスク5までの光路を、ヘ
リウム雰囲気等のX線低減衰雰囲気とする必要がある。
大気中での減衰が大きく、この減衰を防止するために、
このX線取出し窓3からX線マスク5までの光路を、ヘ
リウム雰囲気等のX線低減衰雰囲気とする必要がある。
【0006】また、チャンバ4内のマスクホルダ6の裏
面側には、X線マスク5と半導体ウェハ7との位置決め
を行うためのアライメント光学系9が配置されている。
面側には、X線マスク5と半導体ウェハ7との位置決め
を行うためのアライメント光学系9が配置されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例において、X線マスク5を装着するマスクホルダ6
は、チャンバ4に直接取付けられていたので、X線マス
ク5を動かすことができない。このため、アライメント
光学系9とX線マスク5との位置合せは、X線マスク5
に描かれたアライメントマーク(図示せず)を用いて光
学的な位置ずれ量を求め、この位置ずれ量に応じてアラ
イメント光学系9の方を動かすことによって行われてい
た。
来例において、X線マスク5を装着するマスクホルダ6
は、チャンバ4に直接取付けられていたので、X線マス
ク5を動かすことができない。このため、アライメント
光学系9とX線マスク5との位置合せは、X線マスク5
に描かれたアライメントマーク(図示せず)を用いて光
学的な位置ずれ量を求め、この位置ずれ量に応じてアラ
イメント光学系9の方を動かすことによって行われてい
た。
【0008】また、X線マスク5の位置の再現性は、図
示しないマスク搬送系の再現性によるもののみであり、
マスク交換の毎にX線マスク5のX線1に対する位置ず
れと半導体ウェハ7に対する位置ずれは一致しない。し
かも、X線マスク5側の角度をウェハテーブル8の走行
方向に合せることもできないため、1チップ転写する毎
に半導体ウェハ7側の角度をX線マスク5側の角度に合
せないと、X線マスク5と半導体ウェハ7とのギャップ
は極小であるので、接触する危険性がある。
示しないマスク搬送系の再現性によるもののみであり、
マスク交換の毎にX線マスク5のX線1に対する位置ず
れと半導体ウェハ7に対する位置ずれは一致しない。し
かも、X線マスク5側の角度をウェハテーブル8の走行
方向に合せることもできないため、1チップ転写する毎
に半導体ウェハ7側の角度をX線マスク5側の角度に合
せないと、X線マスク5と半導体ウェハ7とのギャップ
は極小であるので、接触する危険性がある。
【0009】このため、X線マスク5及び半導体ウェハ
7とX線1とのアライメント精度が落ちてしまうばかり
でなく、アライメント及び転写にかなりの時間がかかっ
てLSIの生産性の低下に繋がってしまうといった問題
点があった。
7とX線1とのアライメント精度が落ちてしまうばかり
でなく、アライメント及び転写にかなりの時間がかかっ
てLSIの生産性の低下に繋がってしまうといった問題
点があった。
【0010】また、上記従来例でチャンバ4の内部をヘ
リウムガス等のガス雰囲気(X線低減衰雰囲気)に置換
する場合には、図5に示すように、X線マスク5をマス
クホルダ6から取外した状態で、ガス注入口10から置
換ガス11を注入し、これをチャンバ4から吹出させる
ことで大気をチャンバ4から追い出し、この状態でX線
マスク5をマスクホルダ6に保持することによって行っ
ていた。しかしながら、この場合、置換ガス11の純度
が低くなってしまい、X線1の減衰が大きくなってしま
うといった問題点があった。
リウムガス等のガス雰囲気(X線低減衰雰囲気)に置換
する場合には、図5に示すように、X線マスク5をマス
クホルダ6から取外した状態で、ガス注入口10から置
換ガス11を注入し、これをチャンバ4から吹出させる
ことで大気をチャンバ4から追い出し、この状態でX線
マスク5をマスクホルダ6に保持することによって行っ
ていた。しかしながら、この場合、置換ガス11の純度
が低くなってしまい、X線1の減衰が大きくなってしま
うといった問題点があった。
【0011】このため、図6に示すように、マスクホル
ダ6をシールするために、マスクホルダ6全体を蓋体1
2で気密的に覆い、この状態で減圧した後ガス置換を行
い、更に上記と同様に置換ガス11を吹出させつつX線
マスク5をマスクホルダ6に保持することも行われてい
た。この場合、蓋体12を取付けるためのスペースを取
るためにチャンバ4を移動させ、また定位置に戻すとい
った作業が増え、しかもX線1に対するチャンバ4の位
置がばらついてしまうばかりでなく、チャンバ4内を減
圧すると真空チャックが使えないため、マスクホルダ6
からX線マスク5を取外しておく必要があるといった問
題点があった。
ダ6をシールするために、マスクホルダ6全体を蓋体1
2で気密的に覆い、この状態で減圧した後ガス置換を行
い、更に上記と同様に置換ガス11を吹出させつつX線
マスク5をマスクホルダ6に保持することも行われてい
た。この場合、蓋体12を取付けるためのスペースを取
るためにチャンバ4を移動させ、また定位置に戻すとい
った作業が増え、しかもX線1に対するチャンバ4の位
置がばらついてしまうばかりでなく、チャンバ4内を減
圧すると真空チャックが使えないため、マスクホルダ6
からX線マスク5を取外しておく必要があるといった問
題点があった。
【0012】本発明は上記に鑑み、X線マスク及び半導
体ウェハとX線とのアライメント精度を高めるととも
に、LSIの生産性の向上を図り、更にチャンバ内にお
けるガス置換の便を図るようにしたものを提供すること
を目的とする。
体ウェハとX線とのアライメント精度を高めるととも
に、LSIの生産性の向上を図り、更にチャンバ内にお
けるガス置換の便を図るようにしたものを提供すること
を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るX線露光装置は、X線を発生させるX
線源から放射されたX線を取出すX線取出し窓と、この
X線取出し窓から放射されるX線でX線マスク面を照射
するまでの間をX線低減衰雰囲気にするチャンバとを具
備し、X線マスクの描画パターンを試料面に照射するこ
とで該試料面にX線マスクの描画パターンを露光するX
線露光装置において、前記X線マスクを着脱自在に保持
するマスクホルダを前記チャンバと別体に構成したマス
クテーブルに取付けるとともに、このマスクホルダとチ
ャンバとの間にこれらを気密的にシールするとともに前
記チャンバに対する前記マスクテーブルの移動を許容す
るよう構成された弾性体を介装し、さらに、前記チャン
バの試料面側前面に脚部を当接させることにより前記チ
ャンバを気密に保持する蓋体であって、前記X線マスク
が取り外された状態の前記マスクホルダと前記弾性体と
を覆うよう構成された蓋体を設けたものである。
め、本発明に係るX線露光装置は、X線を発生させるX
線源から放射されたX線を取出すX線取出し窓と、この
X線取出し窓から放射されるX線でX線マスク面を照射
するまでの間をX線低減衰雰囲気にするチャンバとを具
備し、X線マスクの描画パターンを試料面に照射するこ
とで該試料面にX線マスクの描画パターンを露光するX
線露光装置において、前記X線マスクを着脱自在に保持
するマスクホルダを前記チャンバと別体に構成したマス
クテーブルに取付けるとともに、このマスクホルダとチ
ャンバとの間にこれらを気密的にシールするとともに前
記チャンバに対する前記マスクテーブルの移動を許容す
るよう構成された弾性体を介装し、さらに、前記チャン
バの試料面側前面に脚部を当接させることにより前記チ
ャンバを気密に保持する蓋体であって、前記X線マスク
が取り外された状態の前記マスクホルダと前記弾性体と
を覆うよう構成された蓋体を設けたものである。
【0014】
【0015】また、前記蓋体を装着した状態で前記チャ
ンバ内をX線低減衰ガスに置換するための置換手段と、
前記蓋体を開放し、前記X線マスクを前記マスクホルダ
に装着する際に、前記X線低減衰ガスの圧力を高めて大
気の混入を防止するためのガス圧制御手段とをさらに備
えるようにすることもできる。
ンバ内をX線低減衰ガスに置換するための置換手段と、
前記蓋体を開放し、前記X線マスクを前記マスクホルダ
に装着する際に、前記X線低減衰ガスの圧力を高めて大
気の混入を防止するためのガス圧制御手段とをさらに備
えるようにすることもできる。
【0016】
【作用】上記のように構成した請求項1記載の本発明に
よれば、マスクテーブルを介してマスクホルダを任意に
移動させることにより、X線マスクの方をアライメント
光学系に位置合せするとともに、ウェハテーブルの走行
方向にX線マスクの角度合せを行うことができ、これに
よってアライメント精度の向上及びLSIの生産効率の
向上を図ることができる。
よれば、マスクテーブルを介してマスクホルダを任意に
移動させることにより、X線マスクの方をアライメント
光学系に位置合せするとともに、ウェハテーブルの走行
方向にX線マスクの角度合せを行うことができ、これに
よってアライメント精度の向上及びLSIの生産効率の
向上を図ることができる。
【0017】特に、請求項1記載の発明によれば、蓋体
を介して、マスクホルダと弾性体とを覆った状態でチャ
ンバを気密に保持するので、マスクホルダからX線マス
クが取り外された状態でチャンバ内を減圧してガス置換
を行う場合でも、弾性体の表裏の圧力がほぼ同じとな
り、弾性体の表裏の圧力差によって弾性体が破損や変形
等してしまうことを防止することができる。
を介して、マスクホルダと弾性体とを覆った状態でチャ
ンバを気密に保持するので、マスクホルダからX線マス
クが取り外された状態でチャンバ内を減圧してガス置換
を行う場合でも、弾性体の表裏の圧力がほぼ同じとな
り、弾性体の表裏の圧力差によって弾性体が破損や変形
等してしまうことを防止することができる。
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。なお、上記従来例と同一部材は同一符番を付して
その説明を省略する。
する。なお、上記従来例と同一部材は同一符番を付して
その説明を省略する。
【0019】図1は、第1の実施例を示すもので、チャ
ンバ4の内部には、これと別体にX,Y,θ,Z及びチ
ルト方向に移動自在なマスクテーブル13が配置され、
このマスクテーブル13の一端にベローズ2を介してX
線取出し窓3が、他端にX線マスク5を着脱自在に保持
するマスクホルダ6が夫々連結されている。
ンバ4の内部には、これと別体にX,Y,θ,Z及びチ
ルト方向に移動自在なマスクテーブル13が配置され、
このマスクテーブル13の一端にベローズ2を介してX
線取出し窓3が、他端にX線マスク5を着脱自在に保持
するマスクホルダ6が夫々連結されている。
【0020】このマスクテーブル6とチャンバ4との間
には、周縁に横断面U字状としたリング状の屈曲部14
aを備えることにより、平面に沿って伸縮自在とした弾
性体14が配置され、この弾性体14によってマスクテ
ーブル6とチャンバ4との間を気密的にシールするとと
もに、この弾性体14の存在によって、マスクテーブル
6のチャンバ4に対する相対移動が阻害されないように
なっている。
には、周縁に横断面U字状としたリング状の屈曲部14
aを備えることにより、平面に沿って伸縮自在とした弾
性体14が配置され、この弾性体14によってマスクテ
ーブル6とチャンバ4との間を気密的にシールするとと
もに、この弾性体14の存在によって、マスクテーブル
6のチャンバ4に対する相対移動が阻害されないように
なっている。
【0021】これにより、例えばアライメント光学系9
とX線マスク5との位置合せは、X線マスク5に描かれ
たアライメントマーク(図示せず)を用いて光学的な位
置ずれ量を求め、この位置ずれ量に応じてマスクテーブ
ル13を介してX線マスク5の方を動かすことによって
行うことができ、また同様にウェハテーブル8の走行方
向にX線マスク5を動かすことによってこの半導体ウェ
ハ7に対する角度合せを行うことができる。これによっ
てアライメント精度の向上及びLSIの生産効率の向上
を図ることができる。
とX線マスク5との位置合せは、X線マスク5に描かれ
たアライメントマーク(図示せず)を用いて光学的な位
置ずれ量を求め、この位置ずれ量に応じてマスクテーブ
ル13を介してX線マスク5の方を動かすことによって
行うことができ、また同様にウェハテーブル8の走行方
向にX線マスク5を動かすことによってこの半導体ウェ
ハ7に対する角度合せを行うことができる。これによっ
てアライメント精度の向上及びLSIの生産効率の向上
を図ることができる。
【0022】なお、上記弾性体14は、この存在によっ
てマスクテーブル6のチャンバ4に対する相対移動が阻
害されないようなものであれば、どのような形状のもの
でも良いことは勿論である。
てマスクテーブル6のチャンバ4に対する相対移動が阻
害されないようなものであれば、どのような形状のもの
でも良いことは勿論である。
【0023】図2は第2の実施例を示すもので、チャン
バ4内をガス雰囲気に置換するためにこの内部を減圧す
る時に、弾性体(シール)14全体を気密的に覆って、
これが破損や変形してしまうことを防止するための蓋体
12が備えられているのであるが、この蓋体12は、連
結棒15を介してチャンバ4の天井に備えられた着脱用
の蓋体移動機構16に連結されている。
バ4内をガス雰囲気に置換するためにこの内部を減圧す
る時に、弾性体(シール)14全体を気密的に覆って、
これが破損や変形してしまうことを防止するための蓋体
12が備えられているのであるが、この蓋体12は、連
結棒15を介してチャンバ4の天井に備えられた着脱用
の蓋体移動機構16に連結されている。
【0024】この蓋体移動機構16は、蓋体12をX線
マスク5と半導体ウェハ7との間に挿入及び退避させる
ための回転機構と、シール位置に設定するための直線移
動機構とを備え、これによって蓋体12が蓋体移動機構
16を介して前後動及び回転できるようなされている。
マスク5と半導体ウェハ7との間に挿入及び退避させる
ための回転機構と、シール位置に設定するための直線移
動機構とを備え、これによって蓋体12が蓋体移動機構
16を介して前後動及び回転できるようなされている。
【0025】また、蓋体12をX線マスク5と半導体ウ
ェハ7との間に挿入及び退避させる際に、これらが邪魔
となってしまうことを防止するため、チャンバ4を移動
させてX線マスク5と半導体ウェハ7との間隔を変える
チャンバ移動機構17が備えられている。即ち、このチ
ャンバ移動機構17は、定盤18とこの定盤18上を走
行自在な移動体19とから構成され、チャンバ4はこの
移動体19の上面に搭載されている。なお、この時のチ
ャンバ4の移動に伴うこの変位は、上記ベローズ2によ
って吸収されるとともに、この種の移動機構をウェハテ
ーブル8側に設けて、これを移動できるようにすること
もできる。
ェハ7との間に挿入及び退避させる際に、これらが邪魔
となってしまうことを防止するため、チャンバ4を移動
させてX線マスク5と半導体ウェハ7との間隔を変える
チャンバ移動機構17が備えられている。即ち、このチ
ャンバ移動機構17は、定盤18とこの定盤18上を走
行自在な移動体19とから構成され、チャンバ4はこの
移動体19の上面に搭載されている。なお、この時のチ
ャンバ4の移動に伴うこの変位は、上記ベローズ2によ
って吸収されるとともに、この種の移動機構をウェハテ
ーブル8側に設けて、これを移動できるようにすること
もできる。
【0026】チャンバ4内のガス置換は次のようにして
行う。
行う。
【0027】即ち、先ずチャンバ4をチャンバ移動機構
17を介して後退させることによりX線マスク5と半導
体ウェハ7とのスペースを確保しておく。そして、X線
マスク5をマスクホルダ6から取外すとともに、蓋体1
2を回転させてこれをX線マスク5と半導体ウェハ7と
の間に挿入し、更にこれを後退させこの脚部12aをチ
ャンバ4の表面に当接させたシール位置に設定する。こ
の状態で、チャンバ4内を減圧した後ガス雰囲気に置換
し、蓋体12を前進させた後回転させてこれをX線マス
ク5と半導体ウェハ7との間から退避させる。そして、
X線マスク5をマスクホルダ6に取付ける時には、チャ
ンバ4内部のガス圧力をX線マスク5を損傷させない程
度に大気圧より若干高くしておいて、図5に示すよう
に、置換ガス11が吹出している状態でこれを行うので
あり、これによってチャンバ4内に大気が入り込んでし
まうことを防止することができる。
17を介して後退させることによりX線マスク5と半導
体ウェハ7とのスペースを確保しておく。そして、X線
マスク5をマスクホルダ6から取外すとともに、蓋体1
2を回転させてこれをX線マスク5と半導体ウェハ7と
の間に挿入し、更にこれを後退させこの脚部12aをチ
ャンバ4の表面に当接させたシール位置に設定する。こ
の状態で、チャンバ4内を減圧した後ガス雰囲気に置換
し、蓋体12を前進させた後回転させてこれをX線マス
ク5と半導体ウェハ7との間から退避させる。そして、
X線マスク5をマスクホルダ6に取付ける時には、チャ
ンバ4内部のガス圧力をX線マスク5を損傷させない程
度に大気圧より若干高くしておいて、図5に示すよう
に、置換ガス11が吹出している状態でこれを行うので
あり、これによってチャンバ4内に大気が入り込んでし
まうことを防止することができる。
【0028】これにより、チャンバ4に備えた蓋体12
を介してX線マスク5全体を気密的に覆い、この状態で
ガス置換を行うことにより、チャンバ4内のガス純度を
一定に保ってX線1の減衰を最小限にするとともに、こ
の蓋体12でX線マスク5全体を覆う際のチャンバ4の
移動を容易かつ常に定位置に位置させて、この位置再現
性を向上させることができる。
を介してX線マスク5全体を気密的に覆い、この状態で
ガス置換を行うことにより、チャンバ4内のガス純度を
一定に保ってX線1の減衰を最小限にするとともに、こ
の蓋体12でX線マスク5全体を覆う際のチャンバ4の
移動を容易かつ常に定位置に位置させて、この位置再現
性を向上させることができる。
【0029】図3は、上記第2の実施例の変形例を示す
もので、X線マスク5をマスクホルダ6から取外すこと
なくチャンバ4内のガス置換を行うことができるように
したものである。即ち、上記第2の実施例では、ガス置
換する時に減圧するため、真空チャックを利用したマス
クホルダ6は使用できないので、X線マスク5をマスク
ホルダ6から取外しておく必要がある。
もので、X線マスク5をマスクホルダ6から取外すこと
なくチャンバ4内のガス置換を行うことができるように
したものである。即ち、上記第2の実施例では、ガス置
換する時に減圧するため、真空チャックを利用したマス
クホルダ6は使用できないので、X線マスク5をマスク
ホルダ6から取外しておく必要がある。
【0030】そこで、この変形例は、マスクホルダ6と
して、静電チャックや機械的チャック等、真空中でも利
用できるものを使用するとともに、X線マスク5の表裏
の圧力がバランスするようにするため、蓋体12の内部
とチャンバ4の内部とを連通させるバイパス通路20を
設け、これによってX線マスク5がこの表裏の圧力差に
よって破損や損傷してしまうことを防止するようにした
ものである。このバイパス通路20には、この内部の貫
通と封止の切り替えを行うバルブ21が介装されてい
る。
して、静電チャックや機械的チャック等、真空中でも利
用できるものを使用するとともに、X線マスク5の表裏
の圧力がバランスするようにするため、蓋体12の内部
とチャンバ4の内部とを連通させるバイパス通路20を
設け、これによってX線マスク5がこの表裏の圧力差に
よって破損や損傷してしまうことを防止するようにした
ものである。このバイパス通路20には、この内部の貫
通と封止の切り替えを行うバルブ21が介装されてい
る。
【0031】これにより、メンテナンス時などX線マス
ク5を取外す必要がなくなるので、X線マスク5を損傷
させる危険性を減少させることができる。
ク5を取外す必要がなくなるので、X線マスク5を損傷
させる危険性を減少させることができる。
【0032】
【発明の効果】本発明は上記のような構成であるので、
請求項1記載の発明によれは、マスクテーブルを介して
X線マスクの方を移動させることができ、これによって
アライメント精度の向上及びLSIの生産効率の向上を
図ることができる。しかも、弾性体を介してマスクホル
ダ6とチャンバ4との間のシール性を確保するととも
に、この弾性体の存在によってマスクテーブルの移動が
阻害されてしまうことを防止することができる。
請求項1記載の発明によれは、マスクテーブルを介して
X線マスクの方を移動させることができ、これによって
アライメント精度の向上及びLSIの生産効率の向上を
図ることができる。しかも、弾性体を介してマスクホル
ダ6とチャンバ4との間のシール性を確保するととも
に、この弾性体の存在によってマスクテーブルの移動が
阻害されてしまうことを防止することができる。
【0033】特に、請求項1記載の発明によれば、蓋体
を介して、マスクホルダと弾性体とを覆った状態でチャ
ンバを気密に保持するので、マスクホルダからX線マス
クが取り外された状態でチャンバ内を減圧してガス置換
を行う場合でも、弾性体の表裏の圧力がほぼ同じとな
り、弾性体の表裏の圧力差によって弾性体が破損や変形
等してしまうことを防止することができる。
を介して、マスクホルダと弾性体とを覆った状態でチャ
ンバを気密に保持するので、マスクホルダからX線マス
クが取り外された状態でチャンバ内を減圧してガス置換
を行う場合でも、弾性体の表裏の圧力がほぼ同じとな
り、弾性体の表裏の圧力差によって弾性体が破損や変形
等してしまうことを防止することができる。
【0034】
【図1】本発明の第1の実施例を示す概略平断面図。
【図2】本発明の第2の実施例を示す概略側断面図。
【図3】本発明の第2の実施例の変形例を示す概略側断
面図。
面図。
【図4】従来例を示す概略平断面図。
【図5】従来例におけるガス置換の状態を示す概略平断
面図。
面図。
【図6】従来例における他のガス置換の状態を示す概略
平断面図。
平断面図。
3 X線取出し窓 4 チャンバ 5 X線マスク 6 マスクホルダ 7 半導体ウェハ(試料) 8 ウェハテーブル 9 アライメント光学系 12 蓋体 13 マスクテーブル 14 弾性体(シール) 16 蓋体移動機構 17 チャンバ移動機構 20 バイパス通路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村 田 貴比呂 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式 会社東芝 総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−73116(JP,A) 特開 昭62−94928(JP,A) 特開 昭63−307731(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 503 G03F 7/20 521
Claims (2)
- 【請求項1】X線を発生させるX線源から放射されたX
線を取出すX線取出し窓と、このX線取出し窓から放射
されるX線でX線マスク面を照射するまでの間をX線低
減衰雰囲気にするチャンバとを具備し、X線マスクの描
画パターンを試料面に照射することで該試料面にX線マ
スクの描画パターンを露光するX線露光装置において、
前記X線マスクを着脱自在に保持するマスクホルダを前
記チャンバと別体に構成したマスクテーブルに取付ける
とともに、このマスクホルダとチャンバとの間にこれら
を気密的にシールするとともに前記チャンバに対する前
記マスクテーブルの移動を許容するよう構成された弾性
体を介装し、さらに、前記チャンバの試料面側前面に脚
部を当接させることにより前記チャンバを気密に保持す
る蓋体であって、前記X線マスクが取り外された状態の
前記マスクホルダと前記弾性体とを覆うよう構成された
蓋体を設けたことを特徴とするX線露光装置。 - 【請求項2】前記蓋体を装着した状態で前記チャンバ内
をX線低減衰ガスに置換するための置換手段と、前記蓋
体を開放し、前記X線マスクを前記マスクホルダに装着
する際に、前記X線低減衰ガスの圧力を高めて大気の混
入を防止するためのガス圧制御手段とをさらに備えたこ
とを特徴とする請求項1記載のX線露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03024831A JP3101332B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | X線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03024831A JP3101332B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | X線露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04264712A JPH04264712A (ja) | 1992-09-21 |
JP3101332B2 true JP3101332B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=12149144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03024831A Expired - Fee Related JP3101332B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | X線露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3101332B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104142612B (zh) * | 2013-05-08 | 2016-07-06 | 上海微电子装备有限公司 | 一种掩膜版回推机构 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP03024831A patent/JP3101332B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04264712A (ja) | 1992-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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