JPS5827335A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5827335A JPS5827335A JP56126530A JP12653081A JPS5827335A JP S5827335 A JPS5827335 A JP S5827335A JP 56126530 A JP56126530 A JP 56126530A JP 12653081 A JP12653081 A JP 12653081A JP S5827335 A JPS5827335 A JP S5827335A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices
- H10D88/101—Three-dimensional [3D] integrated devices comprising components on opposite major surfaces of semiconductor substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
- H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
- H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
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- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法の改良に関するものであ
る。
る。
例えば半導体基板としてシリコン（Ｓｌ）基板を用い該
基板上に従来の方法を用い”ｃｗｏｓｍの半導体装置を
形成する場合、第１図に示すようにＰａｌのＳｔ基板１
に所定パターンの窒化シリコン（Ｓｉ３札）膜（図示せ
ず）をマスクとして素子閤分離用の二酸化シリコン（＄
１へ）膜２を熱酸化により廖戒する。
基板上に従来の方法を用い”ｃｗｏｓｍの半導体装置を
形成する場合、第１図に示すようにＰａｌのＳｔ基板１
に所定パターンの窒化シリコン（Ｓｉ３札）膜（図示せ
ず）をマスクとして素子閤分離用の二酸化シリコン（＄
１へ）膜２を熱酸化により廖戒する。
その後前記８１３ Ｎ、膜をプラズマエツチング法で除
去したのち、該基板にゲート酸化膜形成用の５ｔｙｘ展
を熱酸化法で形成する。その後該ＳｉＱ膜上にゲート電
極となるポリシリコン膜を全面に化学蒸着（ＣＶＤ）法
を被着したのち、該基板上にホトレジスト膜を被着する
。その後該ホトレジスト膜を所定パターンにホトエツチ
ング法を用いて形成してから、該パターニングされたホ
トレジスト族をマスクとして四弗化メタン（ＣＦＪ）ガ
スでプラズマエツチングＬｍ記ポリシリコン展を所定パ
ターンに形成して図の３のポリシリコンゲート電極を形
成する。
去したのち、該基板にゲート酸化膜形成用の５ｔｙｘ展
を熱酸化法で形成する。その後該ＳｉＱ膜上にゲート電
極となるポリシリコン膜を全面に化学蒸着（ＣＶＤ）法
を被着したのち、該基板上にホトレジスト膜を被着する
。その後該ホトレジスト膜を所定パターンにホトエツチ
ング法を用いて形成してから、該パターニングされたホ
トレジスト族をマスクとして四弗化メタン（ＣＦＪ）ガ
スでプラズマエツチングＬｍ記ポリシリコン展を所定パ
ターンに形成して図の３のポリシリコンゲート電極を形
成する。
その後該パターニングされたポリシリコンゲート電極３
をマスクとして下部の５ｉＱＪＩをトリフオルオルメタ
ン（ＣＨＦｓ）のガスでプラズマエツチングしてゲート
酸化ｊ［４を形成する。
をマスクとして下部の５ｉＱＪＩをトリフオルオルメタ
ン（ＣＨＦｓ）のガスでプラズマエツチングしてゲート
酸化ｊ［４を形成する。
その１１！該ポリシリコンゲート電極３をマスクとして
燐または砒素原子をイオン注入後基板を熟旭理しソース
領域５およびドレイン領域６を形成してＭＯ３１１半導
体装置を形成している。
燐または砒素原子をイオン注入後基板を熟旭理しソース
領域５およびドレイン領域６を形成してＭＯ３１１半導
体装置を形成している。
その後該基板上にパッジベージ、ン膜としてＣＶＤ法で
９ん硅酸ガラス（ＰＳＧ）膜を形成し【から、前記ゲー
ト電極上、ソース領域上、ドレイン領域上のＰＳＧ膜を
窓開きして後で該ＰＳＧＩＩ上に形成するアルミニウム
（Ａｔ＞の配線族と接続を取るためのスルーホールを形
成し、その後該基板上にＡｔ配線展を蒸着によって形成
して半導体装置を形成している。
９ん硅酸ガラス（ＰＳＧ）膜を形成し【から、前記ゲー
ト電極上、ソース領域上、ドレイン領域上のＰＳＧ膜を
窓開きして後で該ＰＳＧＩＩ上に形成するアルミニウム
（Ａｔ＞の配線族と接続を取るためのスルーホールを形
成し、その後該基板上にＡｔ配線展を蒸着によって形成
して半導体装置を形成している。
しかし上述した従来の方法においては、前記素子間分離
用Ｓｉ ＯＨ３Ｉ２勘よびソース、ドレイン領域の形成
用不純物を拡散するための拡散用マスクとなるボ９８１
膜等を形成する場合いずれも基板を熱処理するため、熱
処理後基板を次の工程へ移すために放冷する間に基板と
前記５１０□膜およびボ９Ｓｉ膜等の被膜等の熱膨張係
数が興なるため基板に一方向のみそりを生ずる問題点を
生ずる。
用Ｓｉ ＯＨ３Ｉ２勘よびソース、ドレイン領域の形成
用不純物を拡散するための拡散用マスクとなるボ９８１
膜等を形成する場合いずれも基板を熱処理するため、熱
処理後基板を次の工程へ移すために放冷する間に基板と
前記５１０□膜およびボ９Ｓｉ膜等の被膜等の熱膨張係
数が興なるため基板に一方向のみそりを生ずる問題点を
生ずる。
このようなそりは例えば４吋の基板において周辺と中央
部との閏で１５〜２５１ＩＩｍにも及ぶことがあり、マ
スク合せ等の工程で支障をきたす不都合を生じる。
部との閏で１５〜２５１ＩＩｍにも及ぶことがあり、マ
スク合せ等の工程で支障をきたす不都合を生じる。
本発明は上述した欠点を除去し、５１基板にそりを生じ
ないような半導体装置の製造方法の提供を目的とするも
のである。
ないような半導体装置の製造方法の提供を目的とするも
のである。
かかる目的を達成するための半導体装置の製造方法は、
半導体基板表面に素子形成用の所定パターンの被膜を形
成し、該被膜を用いて該基板に半導体素子を形成する工
程を含む半導体装置の製造方法において、前記半導体基
板の裏面側にも該基板の表両側と同一パターンの被膜を
あらかじめ形成する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
半導体基板表面に素子形成用の所定パターンの被膜を形
成し、該被膜を用いて該基板に半導体素子を形成する工
程を含む半導体装置の製造方法において、前記半導体基
板の裏面側にも該基板の表両側と同一パターンの被膜を
あらかじめ形成する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に脱刷す
る。
る。
第２図より第５図までは本発明の半導体装置の製造方法
の工程を示す断面図である。
の工程を示す断面図である。
まず第１図争こ示すようにＰ型の５１基板１１上に所定
パターンのＳｉｓ Ｎｓ膜νを該基板の表面および裏面
側に被着する。
パターンのＳｉｓ Ｎｓ膜νを該基板の表面および裏面
側に被着する。
このようなパターニングせるＳｉｓＮａＭを形成するに
は、まず基板の表面と裏面側に３１３Ｎ４膜の下敷層と
しての簿いｓ五〇、膜（図示せず）を熱酸化法により形
成したのちホトエツチング法を用いて所定のパターンに
形成する。その後肢基板の両面にＳｉ、Ｎ、膜をＣＶＤ
法により被着した後、該基板上の両面にホトレジスト族
を被着した後練ホトレジスト膜をホトエツチング法で所
定のパターンに形成し、その後練パターニングするホト
レジスト膜をマスクとして前記Ｓｔ、 Ｎ、膜をプラズ
マエツチング法で所定のパターンに形成する。
は、まず基板の表面と裏面側に３１３Ｎ４膜の下敷層と
しての簿いｓ五〇、膜（図示せず）を熱酸化法により形
成したのちホトエツチング法を用いて所定のパターンに
形成する。その後肢基板の両面にＳｉ、Ｎ、膜をＣＶＤ
法により被着した後、該基板上の両面にホトレジスト族
を被着した後練ホトレジスト膜をホトエツチング法で所
定のパターンに形成し、その後練パターニングするホト
レジスト膜をマスクとして前記Ｓｔ、 Ｎ、膜をプラズ
マエツチング法で所定のパターンに形成する。
その後第３図に示すように前記パターニングせるＳ５
Ｎ、膜νをマスクとして熱酸化法により素子間分離用の
５１ｏ２暎ソな基板のＩに所定のパターンで形成する。
Ｎ、膜νをマスクとして熱酸化法により素子間分離用の
５１ｏ２暎ソな基板のＩに所定のパターンで形成する。
その後前記５ｉｌＮＪ１２をプラズマエツチング法で除
去したのち第４図に示すように該基板上に熱酸化法によ
りゲート酸化膜としてのＳｔ ｏｘ ［１４を基板の４
岨こ形成する。
去したのち第４図に示すように該基板上に熱酸化法によ
りゲート酸化膜としてのＳｔ ｏｘ ［１４を基板の４
岨こ形成する。
更に該基板の両面にグテト電極とするためのポリＳｉ膜
１５をＣＶＤ法により被着する。
１５をＣＶＤ法により被着する。
その後肢基板の両面普こホトレジスト膜を被着したのち
、該ホトレジスト膜を所定のパターン曇こホトエツチン
グ法を用いて形成したのち、該パターニングせるホトレ
ジスト族をマスクとしてポリＳｉ膜をＣＦガスを用いた
プラズマエツチング法にて所定パターンに形成する。第
５図の１５Ａはこのようにして形成したポ１７ Ｓｔの
ゲート電極である。
、該ホトレジスト膜を所定のパターン曇こホトエツチン
グ法を用いて形成したのち、該パターニングせるホトレ
ジスト族をマスクとしてポリＳｉ膜をＣＦガスを用いた
プラズマエツチング法にて所定パターンに形成する。第
５図の１５Ａはこのようにして形成したポ１７ Ｓｔの
ゲート電極である。
更に前記パターニングされたボＩＪ ５１膜１５Ａをマ
スクとして下部のＳｉＯ２膜をＣＨＦｓガスを用いたプ
ラズマエツチング法で所定パターンに形成しゲート酸化
ｊｌ１４Ａを形成する。
スクとして下部のＳｉＯ２膜をＣＨＦｓガスを用いたプ
ラズマエツチング法で所定パターンに形成しゲート酸化
ｊｌ１４Ａを形成する。
このようにしてＳｔ基板の表面と裏面の両側に所定パタ
ーンの被膜を形成してから前記ボ９Ｓｉ膜１５その後肢
基板の１ｉｉｄＫｃｖＤ法ニヨリＰＳＧ膜ヲ／（ッシベ
ーシ、ン膜として形成したのち、該基板の表面側にのみ
ソース領域、ゲート電極、ドレイン領域から電極接続用
のスルーホールを開孔してからアルミニウム（Ａｔ）の
配線用被膜を蒸着によっ子間分離用５ｉｎ２膜を研磨し
て除去したのち所定のチップに切断して半導体素子を形
成する。
ーンの被膜を形成してから前記ボ９Ｓｉ膜１５その後肢
基板の１ｉｉｄＫｃｖＤ法ニヨリＰＳＧ膜ヲ／（ッシベ
ーシ、ン膜として形成したのち、該基板の表面側にのみ
ソース領域、ゲート電極、ドレイン領域から電極接続用
のスルーホールを開孔してからアルミニウム（Ａｔ）の
配線用被膜を蒸着によっ子間分離用５ｉｎ２膜を研磨し
て除去したのち所定のチップに切断して半導体素子を形
成する。
以上述べたようを二本発明の方法によって半導体装置を
形成すればＳｉ基板の両側に同一パターンの素子形成用
の被膜が形成されているので、熱処理工程−こよって基
板が一方向にそるようなことがなくなり、したがってマ
スク合せの工程が精度良〈実施できるので高信頼度の半
導体装置が高歩留で得られる利点がある１゜
形成すればＳｉ基板の両側に同一パターンの素子形成用
の被膜が形成されているので、熱処理工程−こよって基
板が一方向にそるようなことがなくなり、したがってマ
スク合せの工程が精度良〈実施できるので高信頼度の半
導体装置が高歩留で得られる利点がある１゜
第１図はＭＯ８型半導体装置の断面図、第２図より第５
図までは本発明の半導体装置の製造方法の一実施例の工
程を示す断面図である。 ７ 図において、１．１１はＳｉ基板、２．１３．１
４は５ｔＯ１膜、３．１５Ａはゲート電極、４，１４Ａ
はゲート酸化６ 膜、５４督はソース領域、６．１７はドレイン領域、１
２はＳｔ、 Ｎ、膜、ｂはポリＳｉ膜を示す。 第２ｎ ２ ｚ 第３図 第４［４ ５
図までは本発明の半導体装置の製造方法の一実施例の工
程を示す断面図である。 ７ 図において、１．１１はＳｉ基板、２．１３．１
４は５ｔＯ１膜、３．１５Ａはゲート電極、４，１４Ａ
はゲート酸化６ 膜、５４督はソース領域、６．１７はドレイン領域、１
２はＳｔ、 Ｎ、膜、ｂはポリＳｉ膜を示す。 第２ｎ ２ ｚ 第３図 第４［４ ５
Claims (1)
- 半導体基板表面に素子形成用の所定パターンの被膜を形
成し、該被膜を用いて該基板に半導体素子を形成する工
程を含む半導体装置の＃！造方法において、前記半導体
基板の裏ｗｌｌにも該基板の表面側と同一パターンの被
膜をあらかじめ形成する工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126530A JPS5827335A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126530A JPS5827335A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827335A true JPS5827335A (ja) | 1983-02-18 |
Family
ID=14937479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56126530A Pending JPS5827335A (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827335A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4649087A (en) * | 1985-06-10 | 1987-03-10 | Reynolds Metals Company | Corrosion resistant aluminum brazing sheet |
| US4828794A (en) * | 1985-06-10 | 1989-05-09 | Reynolds Metals Company | Corrosion resistant aluminum material |
| JPH0234296A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Sky Alum Co Ltd | アルミニウム用ろう合金およびアルミニウム製熱交換器用ブレージングシート |
| JPH0234297A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Sky Alum Co Ltd | アルミニウム用ろう合金およびアルミニウム製熱交換器用ブレージングシート |
| US5278089A (en) * | 1989-10-27 | 1994-01-11 | Sony Corporation | Method for producing a read-only memory having a plurality of MISFET |
-
1981
- 1981-08-11 JP JP56126530A patent/JPS5827335A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4649087A (en) * | 1985-06-10 | 1987-03-10 | Reynolds Metals Company | Corrosion resistant aluminum brazing sheet |
| US4828794A (en) * | 1985-06-10 | 1989-05-09 | Reynolds Metals Company | Corrosion resistant aluminum material |
| JPH0234296A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Sky Alum Co Ltd | アルミニウム用ろう合金およびアルミニウム製熱交換器用ブレージングシート |
| JPH0234297A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Sky Alum Co Ltd | アルミニウム用ろう合金およびアルミニウム製熱交換器用ブレージングシート |
| US5278089A (en) * | 1989-10-27 | 1994-01-11 | Sony Corporation | Method for producing a read-only memory having a plurality of MISFET |
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