JPS6130031A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造方法に関する。

（従来の技術） 半導体装置の製作に際して、その集積密度を高めること
が強く要求されているが、そのための対策の一つとして
、互いに異なる導電型領域に設けられる。たとえばアル
ミニウムなどからなる電極の間隔を可及的に狭くするこ
とがあげられる。このような電極の間隔を狭くする一つ
の手段として、先に本発明者は互いに異なる一方の導電
型領域のための電極をまず形成し、ついでその電極の表
面を絶縁膜で被覆してから他方の導電型領域のための電
極を形成する方法を提案した（特願昭５９−７５６３４
号）。

これによれば、各電極を時間的にずらして形成している
ので各電極間の間隔を十分に狭くして形成することがで
きるし、又最初に形成する電極の表面には絶縁膜を形成
してから次の電極を形成しているので１両電極の短絡を
確実に防止することができるようになって極めて都合が
よい。

しかしこのような既提案の方法によると、最初に形成し
た電極の表面に絶縁膜を形成する工程を必要とするとい
った不便がある。しかもあとの電極のコンタクトホール
のために前記絶縁膜をパターニングする必要があるのみ
ならず、そのためのマスク合せ工程も必要となるなど、
その製作が煩雑となる欠点がある。

（発明が解決しようとする問題点） この発明は互いに異なる導電型領域に形成する各電極の
間隔を十分狭くして形成するに際して、一方の電極の表
面への絶縁膜による被覆並びにそのパターニングを必要
とせずして、簡単な工程でこの種半導体装置を製造する
ことを目的とする。

（問題点を解決するための手段） この発明は、一方の導電型領域の電極形成のために、そ
の表面にコンタクトホールを開口してから電極膜を蒸着
などによって形成し、ついでレジストを塗布してからこ
れをパターニングし、そのあと前記レジストを用いて前
記一方の導電型領域のコンタクトホールを残して電極膜
をフォトエツチングする。このとき残される電極膜に故
意にオーバーエツチングを促してサイドエツチングを施
し、前記レジストの周縁の下方までエツチング除去して
前記周縁があたかもひさし状になるようにする。このあ
と他方の導電型領域のための電極膜を蒸着などによって
形成する。このとき電極膜は他方の導電型領域のコンタ
クトホールにも又前記レジスタの表面にも蒸着により付
着する。この蒸着のあと前記レジストを除去すると、こ
のレジストの表面に付着していた電極膜はレジストとと
もに剥離除去されてしまう。以上によって両溝電型領域
のための電極が形成されることになる。

（作用） レジストがひさし状となっているので、前記他方の導電
型領域のための電極膜形成の際、レジストのひさし部分
の影になっている半導体基板の表面部分には前記電極膜
が蒸着せず、ひさし部分の外側に蒸着されるようになる
。

そしてこの外側に前記他方の導電型領域のコンタクトホ
ールが存在しているので、このコンタクトホールに電極
膜が蒸着によって形成されるが、この部分はさきに形成
した前記一方の導電型領域のための電極とは、前記ひさ
し部分の長さに対応する長さだけ離隔するようになる。

このあと前記レジストを剥離除去する。この除去にとも
なってその表面に最初に付着していた電極膜は、このレ
ジストとともに剥離除去されてしまう。

以上によって各導電型領域の電極が形成されるのである
が、この形成過程において、最初に形成した電極膜の表
面には既提案のような絶縁処理をなんら施す必要はない
し、したがってまたその絶縁膜のパターニングならびに
そのためのマスク合せ工程も不要となる。

（実施例） この発明の実施例を図によって説明する。図に示す実施
例はトランジスタ特に高周波トランジスタにこの発明を
実施した場合を示す。図において１はシリコンなどの半
導体基板、２はコレクタ領域で、ここに互いに導電型を
異にする領域すなわちベース領域３及びエミッタ領域４
がそれぞれ拡散などによって形成される。この形成過程
で半導体基板１の表面に形成される′酸化膜５の、各領
域３．４に向かい合う箇所に、次の各電極のためのホー
ルが開口される（第１図参照。）。６，７はその開口部
を示す。

ここまでの工程は、通常のこの種トランジスタの製造工
程と同じである。なお図に示す例は簡単化のためにベー
スコンタクトホール６の数を２、エミッタコンタクトホ
ール７の数を１とした場合を示しているが、各ホールの
数はこれに限られるものではない。

次に前記酸化膜５の表面に電極膜８を、アルミニウムの
ような電極材料を蒸着することによって形成する。この
電極膜８はベース領域３のための電極となるもので、そ
のためにこの電極膜をフォトエツチングによりパターニ
ングする必要があり、そのパターニングのためにレジス
ト９を塗布（第２図参照。）し、マスクを用いて露光し
および現像して開口部６に向かい合う箇所のレジストを
残す（第３図参照。）。９Ａはその残されたレジストで
ある。

次にこの残されたレジスト９Ａをマスクにして電極膜８
をエツチングするのであるが、このとき故意にオーバー
エツチングしてサイドエツチングを促し、レジスト９Ａ
の周縁下部まで電極膜８を除去する。これによってレジ
スト９Ａの周縁は。

エツチング除去されて残った電極膜８Ａに対してひさし
状になる（第４図参照。）。１０はそのひさし部を示す
。このひさし部１０の長さをＱとすると、この長さＱが
後記するように電極間隔となる。この発明では前記のよ
うにひさし部１０を積極的に形成するところに重要な特
徴がある。

上記のようにレジスト９Ａにひさし部１０が形成される
程度にエツチングしたのち、エミッタ領域４のための電
極を形成する。そのために最初と同じようにアルミニウ
ムのような電極材料を、第４図に示す半導体基板の表面
に蒸着する。この蒸着によってコンタクトホール７にエ
ミッタ領域４用の電極めための電極膜１１Ａが形成され
るが、このときレジスト９Ａの表面にも電極膜１１Ｂが
、および蒸着源に対して何等遮蔽されていない酸化膜５
の表面にも電極膜１１Ｃが形成される。

この蒸着の際、レジスト９Ａのひさし部１０が、蒸着源
に対して遮蔽する役目を果し、ひさし部１０が投影され
る酸化膜５の表面部分には、蒸着による電極膜は何等形
成されず、電極膜８Ａとの間に空間１２が形成される（
第５図参照。）。この空間１２の幅は前記ひさし部１０
の長さＱに対応することは明らかであり、これによって
電極膜８Ａおよび１１Ａとは、前記長さ党だけ離隔する
ようになるのである。

ついでレジスト９Ａを適当なレジスト除去剤を用いて除
去する。この除去によってレジスト９Ａは電極膜８Ａの
表面から剥離されるが、そのときレジスト９Ａの表面に
蒸着によって付着していた電極膜１１Ｂもレジスト９Ａ
とともにあわせて除去されてしまう。この除去の状態を
示したのが第６図である。なお必要があれば、酸化膜５
の表面に蒸着している電極膜１１Ｃも同時に除去するよ
うにしてもよい。

なお距離Ｑは電極膜８の厚さ及びそのエツチング時間に
よっても異なるが、サブミクロンオーダーにまで短くす
ることが可能である。ちなみに従来の通常の製造方法で
は、隣合う電極間隔の距離は３〜４μｍ程度が限度であ
る。

上記のようにベース、エミッタの各電極の間隔を狭くで
きる結果、ベース、エミッタコンタクトホール間隔が狭
くできるため、トランジスタ特に高周波トランジスタの
場合、ベース拡がり抵抗が小さくなるし、またベース面
積が小さくできるのでコレクタ接合容量も小さくなる。

したがって高周波トランジスタの特性が著しく改善され
るようになる。また、これらのことは有効面積の縮小化
の結果、集積度の向上にもつながる。これらのことは既
提案の説明に述べたとおりである。

なお図の実施例ではさきにベース領域３のための電極を
形成したが、これに代えてさきにエミッタ領域４のため
の電極を形成するようにしてもよいこと勿論である。ま
た導電型領域のための電極に限らず、互いに隣接した配
線などにも適用が可能である。

（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、互いに異なる導
電型領域のための電極の間隔を、従来の製造方法による
場合よりも著しく狭くすることができるし、また既提案
の製造方法のように最初の電極膜の表面に絶縁膜を形成
する必要はないし、またこれにともなって前記絶縁膜の
パターニング並びにそのためのマスク合せ工程などは不
要となり、したがってそれだけ製造方法も簡単となると
いった効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１＠乃至第６図はこの発明の実施例工程を示す断面図
である。 １・・・半導体基板、２・・・コレクタ領域、３・・・
ベース領域、４・・・エミッタ領域、６，７・・・開口
部、８Ａ。 １１Ａ・・・電極膜、９Ａ・・・レジスト、１０・・・
ひさし部 区　　　　区　　　　区 ＼　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｏつ駅　　　　
駅　　　　ρ Ｐ　　　　　朋Ｐ　　　　　駅

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　互いに異なる導電型領域の一方のコンタクトホールに
   、レジストの周縁がひさし状となるように電極膜をフォ
   トエッチングして第一の電極を形成する工程、前記導電
   型領域の他方のコンタクトホール用の第二の電極のため
   の電極膜を、前記レジストの周縁を遮蔽部として、前記
   第一の電極とは前記レジストのひさし状の長さに対応す
   る間隔をあけて形成する工程、前記レジストをその表面
   の電極膜とともに除去する工程とからなる半導体装置の
   製造方法。