JPS58102181A - Ｘ線分光法 - Google Patents
Ｘ線分光法Info
- Publication number
- JPS58102181A JPS58102181A JP56201386A JP20138681A JPS58102181A JP S58102181 A JPS58102181 A JP S58102181A JP 56201386 A JP56201386 A JP 56201386A JP 20138681 A JP20138681 A JP 20138681A JP S58102181 A JPS58102181 A JP S58102181A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- photoelectrons
- kinetic energy
- measured
- oxygen
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸｌｌｌ１１特に波長１７〜２３′Ａの範囲の
軟Ｘ＠の波長と強度を簡単に測定できるＸｓ分分光に関
する。
軟Ｘ＠の波長と強度を簡単に測定できるＸｓ分分光に関
する。
従来のＸ４１分光法は、■半導体検出器を用いるもの、
■回折結晶（又は回折格子）を用いるものに大別され、
ざらに■はΦ回折結晶（又は回折格子）を−一ランド円
周上に移動させつつ計るもの、＠回折結晶（又は回折格
子）の置かれた讐−ランド円と同一の胃−ランド円周上
にＸ１ｌｙイルムを設置するものにわけられる。ところ
で、これらのＸ！１分光法のうち、■は半導体検出器の
応答速度の点で／ｐｓａｃ以下の短いパルスＸ！Ｉの分
光光度測定に不適であるはか、波長１０１以上の軟Ｘ線
の検出・分光が困難である。亥た■のΦはパルスＸ線の
分光光度測定には長時間を要し、実用的でない。また更
に０のｏ＋−ｘｘｔｓの波長が長くなるに従らて回折結
晶（又は回折格子）の焦点が伸びるためにｉ置が大形化
する欠点がある。 ゛本発明は上記の事情に鑑
み、パルス放射のＸ＠。
■回折結晶（又は回折格子）を用いるものに大別され、
ざらに■はΦ回折結晶（又は回折格子）を−一ランド円
周上に移動させつつ計るもの、＠回折結晶（又は回折格
子）の置かれた讐−ランド円と同一の胃−ランド円周上
にＸ１ｌｙイルムを設置するものにわけられる。ところ
で、これらのＸ！１分光法のうち、■は半導体検出器の
応答速度の点で／ｐｓａｃ以下の短いパルスＸ！Ｉの分
光光度測定に不適であるはか、波長１０１以上の軟Ｘ線
の検出・分光が困難である。亥た■のΦはパルスＸ線の
分光光度測定には長時間を要し、実用的でない。また更
に０のｏ＋−ｘｘｔｓの波長が長くなるに従らて回折結
晶（又は回折格子）の焦点が伸びるためにｉ置が大形化
する欠点がある。 ゛本発明は上記の事情に鑑
み、パルス放射のＸ＠。
連続放射のに線を問わずに軟Ｘ線の分光光度の測定が可
能であり、かつ使用する装置の小形化を計ることのでき
るＸＩＩ分光法を提供するもので、−素に分光すべきＸ
線を照射し、放出する光電子の運動エネルギーおよび量
を測定することにより波長域ｌ！〜３０χの軟ＸＩｍの
波長および強度を測定することを特徴とするものである
。
能であり、かつ使用する装置の小形化を計ることのでき
るＸＩＩ分光法を提供するもので、−素に分光すべきＸ
線を照射し、放出する光電子の運動エネルギーおよび量
を測定することにより波長域ｌ！〜３０χの軟ＸＩｍの
波長および強度を測定することを特徴とするものである
。
以下、本発明を図面を参照して詳細に開明する。
＃Ｉ１図は本発明の一実施例を示す図であって、この図
においてｌは分光すべきＸ線、３は金属基板、８は冷却
器、会は酸素吸着層、２は光電子、６は光電子の運動エ
ネルギー弁別器、テは真空１器である。
においてｌは分光すべきＸ線、３は金属基板、８は冷却
器、会は酸素吸着層、２は光電子、６は光電子の運動エ
ネルギー弁別器、テは真空１器である。
金属基板３は清浄な状態に仕上げられたものであって、
例えば液体ヘリウムなどを満した冷却器Ｓによって充分
に冷却され、その表面には酸素ガスを吸着させることに
より酸ｌ！吸着層慟が形成されている。これに分光すべ
きＸ１ｌｌを照射すれば酸素吸着層から光電子ｉが放出
される。
例えば液体ヘリウムなどを満した冷却器Ｓによって充分
に冷却され、その表面には酸素ガスを吸着させることに
より酸ｌ！吸着層慟が形成されている。これに分光すべ
きＸ１ｌｌを照射すれば酸素吸着層から光電子ｉが放出
される。
通常酸素のに軌道電子はｊ３ｔ≦ｅＶの結合エネルギー
で原子核と結合して安全状態を保っているが、振動数ν
のＸ＠の照射をうけると励起されてｂ ｙ−ＸＩＩ、４
（−Ｅｌｋ）ｅＶの運動エネルギーを持った光電子と
なって真空中にとび出して来る。Ｘ線が種々の振動数を
含んでいるとそれに応じて光電子の運動エネルギーＢｋ
もさ重ざまな値をとる。そこで光電子器を運動エネルギ
ー弁別器６に導いて運動エネルギーを測定し、同時に光
電子の量を測定すれば、ＸＩＩＩ波長に対応した運動エ
ネルギーと光度に対応した光電子量として第２図に示す
ようなスペク）ルが得られる。これによりＸ線の分光光
度が測定される。これらの測定は空気によるＸＩＩの吸
収、光電子の散乱を防止するために真空容器フの中で行
われる。この測定に際し、運動エネルギー弁別器として
写真フィル五タイプのものを用いればＸ線が短いパルス
の場合にも分光が可能である。
で原子核と結合して安全状態を保っているが、振動数ν
のＸ＠の照射をうけると励起されてｂ ｙ−ＸＩＩ、４
（−Ｅｌｋ）ｅＶの運動エネルギーを持った光電子と
なって真空中にとび出して来る。Ｘ線が種々の振動数を
含んでいるとそれに応じて光電子の運動エネルギーＢｋ
もさ重ざまな値をとる。そこで光電子器を運動エネルギ
ー弁別器６に導いて運動エネルギーを測定し、同時に光
電子の量を測定すれば、ＸＩＩＩ波長に対応した運動エ
ネルギーと光度に対応した光電子量として第２図に示す
ようなスペク）ルが得られる。これによりＸ線の分光光
度が測定される。これらの測定は空気によるＸＩＩの吸
収、光電子の散乱を防止するために真空容器フの中で行
われる。この測定に際し、運動エネルギー弁別器として
写真フィル五タイプのものを用いればＸ線が短いパルス
の場合にも分光が可能である。
なお、ＸＩＩ波長カｈ １ ＜ ｊ Ｊ ／、４ ＠
Ｖ０１件１満す場合、つまり波長がｓａｄ以上の波長域
では光電子は極端に減衰する。振動数νのＸ！Ｉｌｌ射
をうけた酸素はオージェ効果によりｉｃ＃ｌ−７１１よ
３ｅＶの光電子も放出するからｈ＊＞７１よ！なる振動
数に対応する波長ｔｔｔｌ以下のＸ線の分光には不適で
ある。
Ｖ０１件１満す場合、つまり波長がｓａｄ以上の波長域
では光電子は極端に減衰する。振動数νのＸ！Ｉｌｌ射
をうけた酸素はオージェ効果によりｉｃ＃ｌ−７１１よ
３ｅＶの光電子も放出するからｈ＊＞７１よ！なる振動
数に対応する波長ｔｔｔｌ以下のＸ線の分光には不適で
ある。
したがって酸素吸着層を用いる場合の測定可能なｘ１１
波長は１７〜ＪＪ！である。
波長は１７〜ＪＪ！である。
重た、第３図は本発明の別の実施例を示す図である。こ
の図において第１ＷＪと同一の構成要素には同一符号を
付しである。この図において酸素ガス９はノズルｌＯを
通ってｘｓｍ射１１１１内に導かれる。室１１内に導か
れた酸素ガスには室１１のＸａＩ照射孔１ｍを通して分
光すべきＸ１ｍ１が照射される。室１１内で得られる光
電子は第１図の場合と内機に運動エネルギー弁別器６に
導かれる。
の図において第１ＷＪと同一の構成要素には同一符号を
付しである。この図において酸素ガス９はノズルｌＯを
通ってｘｓｍ射１１１１内に導かれる。室１１内に導か
れた酸素ガスには室１１のＸａＩ照射孔１ｍを通して分
光すべきＸ１ｍ１が照射される。室１１内で得られる光
電子は第１図の場合と内機に運動エネルギー弁別器６に
導かれる。
かくしてこの運動エネルギー弁別器６に場かに第１図の
場合と同様の測定を行うことによりＸ１ｓの分光光度を
測定することができる。なお、図において１８．１４は
各々酸素ガスによるＸ線の吸収、光−子の散乱を防ぐた
めｘｍａ射１ｉ １１ ％真空容器γ内を排気する排気
口である。
場合と同様の測定を行うことによりＸ１ｓの分光光度を
測定することができる。なお、図において１８．１４は
各々酸素ガスによるＸ線の吸収、光−子の散乱を防ぐた
めｘｍａ射１ｉ １１ ％真空容器γ内を排気する排気
口である。
以上説明したように、本発明は光電子の運動エネルギー
および量を測定することによりＸ線の分光を行う。この
本発明によれば、パルス放射のＸ線、連続放射のＸＩＩ
を聞わずに軟Ｘ線の分光光度の測定を行うことが可能で
あり、かつ使用する装置を小形化できる利点がある。
および量を測定することによりＸ線の分光を行う。この
本発明によれば、パルス放射のＸ線、連続放射のＸＩＩ
を聞わずに軟Ｘ線の分光光度の測定を行うことが可能で
あり、かつ使用する装置を小形化できる利点がある。
第１ＷＪは本発明の一実施例を示す開明図、第２図は同
実施例において測定される光電子の強度と運動エネルギ
ーとの関係を示す図、第３図は本発明の別の実施例を示
す説明図である。 ｌ・・・・・・Ｘｌｓ、 ｓ・・・・・・金属基板、８
・・・・・・冷却器、会・・・・・・酸素の吸着層、器
・・・・・・光電子、６・・・・・・運動エネルギー弁
別器、７・・・中真空容器、９・・・・・・酸素ガス、
ｌＯ・・・・・・ノズル、ｌｌ・・・・−ｘｍｍ射室１
Ｉｍｌ・・・・・・Ｘ１ｓ照射孔。 出願人 日本電信電話公社 第１図 ｆ 第２図 運◆ｂエネルキ゛− 第３図 ４５
実施例において測定される光電子の強度と運動エネルギ
ーとの関係を示す図、第３図は本発明の別の実施例を示
す説明図である。 ｌ・・・・・・Ｘｌｓ、 ｓ・・・・・・金属基板、８
・・・・・・冷却器、会・・・・・・酸素の吸着層、器
・・・・・・光電子、６・・・・・・運動エネルギー弁
別器、７・・・中真空容器、９・・・・・・酸素ガス、
ｌＯ・・・・・・ノズル、ｌｌ・・・・−ｘｍｍ射室１
Ｉｍｌ・・・・・・Ｘ１ｓ照射孔。 出願人 日本電信電話公社 第１図 ｆ 第２図 運◆ｂエネルキ゛− 第３図 ４５
Claims (1)
- 酸素に分光すべきｘＩＩを照射し、放出する光電子の連
動エネルギーおよび量を測定することにより波長域１７
〜２３ｘのＩＩｋＸ線の波長および強度を測定すること
を特徴上するＸ１ｍ分光法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201386A JPS58102181A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Ｘ線分光法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201386A JPS58102181A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Ｘ線分光法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102181A true JPS58102181A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16440218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201386A Pending JPS58102181A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Ｘ線分光法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102181A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56201386A patent/JPS58102181A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
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