JPS58105076A - Ｘ線分光法 - Google Patents
Ｘ線分光法Info
- Publication number
- JPS58105076A JPS58105076A JP56204180A JP20418081A JPS58105076A JP S58105076 A JPS58105076 A JP S58105076A JP 56204180 A JP56204180 A JP 56204180A JP 20418081 A JP20418081 A JP 20418081A JP S58105076 A JPS58105076 A JP S58105076A
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- JP
- Japan
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- ray
- photoelectrons
- kinetic energy
- energy
- film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線、特に波長域グ３へ以下の軟Ｘ線の波長と
強度とをｍｌ単に測定することのできるＸ線分光法に関
する。
強度とをｍｌ単に測定することのできるＸ線分光法に関
する。
従来のＸ線分光法は、■半導体検出器又はシンチレータ
−を用いるもの、（ＴＩ ｌｌ１ｌ折結品（又は回折格
子）を用いるものに大別され、ざらに■は■回折結晶（
又は回折格子）をローランド円周上を移動させつつ計る
もの、＠回折結晶（又は回折格子）を移動させずにＸ線
感光フィルムをｐ−ランド円周上に設置するものにわけ
られる。きころで、これらのＸ線分光法のうち０、）ｔ
Ｊ検出素子の応答が知いパルスｘｍｔ＜ｔｐＳ以下）に
間にあわないためにパルスＸ線の分光に不１１ｔ；・当
であるほか、波長ＩＯＡ以上の軟Ｘ線の検出・分光が用
錬である。また（８）の仔）■パルスｘ ４Ｈの分光に
はきわめて長時１ｆｔ＋を要し実用的でない。また史に
■の０はＸ線の波長が長くなるに従って回折結晶（又は
回折格子）の焦点が伸びるために装置Ｎが大ノ１≧化す
る欠点がある。
−を用いるもの、（ＴＩ ｌｌ１ｌ折結品（又は回折格
子）を用いるものに大別され、ざらに■は■回折結晶（
又は回折格子）をローランド円周上を移動させつつ計る
もの、＠回折結晶（又は回折格子）を移動させずにＸ線
感光フィルムをｐ−ランド円周上に設置するものにわけ
られる。きころで、これらのＸ線分光法のうち０、）ｔ
Ｊ検出素子の応答が知いパルスｘｍｔ＜ｔｐＳ以下）に
間にあわないためにパルスＸ線の分光に不１１ｔ；・当
であるほか、波長ＩＯＡ以上の軟Ｘ線の検出・分光が用
錬である。また（８）の仔）■パルスｘ ４Ｈの分光に
はきわめて長時１ｆｔ＋を要し実用的でない。また史に
■の０はＸ線の波長が長くなるに従って回折結晶（又は
回折格子）の焦点が伸びるために装置Ｎが大ノ１≧化す
る欠点がある。
本発明は上記の事情に１み、パルスＭ射のＸ線、連続放
射のＸ輛ｆを問わずに軟Ｘ線の分ツＣ光度の測定がｂＪ
能であり、かつ使用する装Ｍの小形化をＷすることので
きるＸｆＳ分光法を４９ （ＩＩするもので、炭化水素
に分光すべきＸ釈を照射し、放出する光電子の運Ｉ＋ｉ
エネルギーおよびＹを測定することにより波長域グ３へ
以下のＸ線の波長および強度を？１Ｉ１１定するように
したことを特徴とするものであ２）。
射のＸ輛ｆを問わずに軟Ｘ線の分ツＣ光度の測定がｂＪ
能であり、かつ使用する装Ｍの小形化をＷすることので
きるＸｆＳ分光法を４９ （ＩＩするもので、炭化水素
に分光すべきＸ釈を照射し、放出する光電子の運Ｉ＋ｉ
エネルギーおよびＹを測定することにより波長域グ３へ
以下のＸ線の波長および強度を？１Ｉ１１定するように
したことを特徴とするものであ２）。
以下、本発明を図■を参照して肝細にボ１１明する。
第１ ｌ）’＋は本発明の一実紬例を示す図であって、
この図においてｌは分光ずべきＸ供、’２はポリエチレ
ン又（１ポリプロピレンのフィルム、８はフイルム２か
ら放出される光電子、偽は光電子のｉ！１３ ｋ’ｒエ
ネルギー弁別器、５け上記の部品をおさめた真空容器で
ある。
この図においてｌは分光ずべきＸ供、’２はポリエチレ
ン又（１ポリプロピレンのフィルム、８はフイルム２か
ら放出される光電子、偽は光電子のｉ！１３ ｋ’ｒエ
ネルギー弁別器、５け上記の部品をおさめた真空容器で
ある。
図において、Ｘ線１の照射をうけたポリエチレン（又は
ポリプロピレン）フィルム２の内部では、フィルムの構
成原子である炭素原子から光電子が発生し、フィルム表
面に向って移ｍ！１シ、表面から真空中に放出される。
ポリプロピレン）フィルム２の内部では、フィルムの構
成原子である炭素原子から光電子が発生し、フィルム表
面に向って移ｍ！１シ、表面から真空中に放出される。
この除フィルム２内部の０１面に近い領域で発生した光
電子は前面から放出し、背面に近い領域で発生したもの
はフィルムの背面から放出する。これが図中８で示す光
Ｍｉ子である。
電子は前面から放出し、背面に近い領域で発生したもの
はフィルムの背面から放出する。これが図中８で示す光
Ｍｉ子である。
ポリエチレンおよびポリプロピレン中の炭素のｋ ＊Ｊ
＋、道窟子は通常２ざｔＡ、 ６ ｅ Ｖの結合エネル
ギーで原子核と結合して安定状態を保っているが、エネ
ルギーｈνのＸｔｉ４の照射をうけると励起され、ｈ
ｖ−２１ｔｌ、６ （＝ｇｋ） ｅＶノＮ動工＊ルキ−
を持った光電子となって真空中にとび出す。Ｘ線がｆｌ
ｊｌ々のエネルギーを含んでいると、それにＲ１じて九
宵、子の連卯１エネルギーＩＤｋもさまざまな値をとる
。そこで光電子８を連動エネルギー弁別感傷に導いて］
！Ｉｉ ｍ１ｌｌエネルギーをｌ１Ｉ１１定し、同時に
光１１（子の電流（ｉＪ）を測定すればＸ線波侵に対１
＋ｉｊｉ した運動エネルギー、Ｘ線強度に対Ｄ１１、
した光電子流（光電子の財）として、第２図に示すよう
なスベタトルが得られる。これによりＸ線の分光光度が
測定できる。これらの測定は、空気、によるＸ線の吸収
、光電子の散乱を防止するために真空客器５の中で行わ
れる。この測定に際し、運ｌｉ１＋エネルギー弁別器と
して￥真フィルムタイプのものを用いれば、Ｘ線が短い
パルスの場合にも分光が可能である。
＋、道窟子は通常２ざｔＡ、 ６ ｅ Ｖの結合エネル
ギーで原子核と結合して安定状態を保っているが、エネ
ルギーｈνのＸｔｉ４の照射をうけると励起され、ｈ
ｖ−２１ｔｌ、６ （＝ｇｋ） ｅＶノＮ動工＊ルキ−
を持った光電子となって真空中にとび出す。Ｘ線がｆｌ
ｊｌ々のエネルギーを含んでいると、それにＲ１じて九
宵、子の連卯１エネルギーＩＤｋもさまざまな値をとる
。そこで光電子８を連動エネルギー弁別感傷に導いて］
！Ｉｉ ｍ１ｌｌエネルギーをｌ１Ｉ１１定し、同時に
光１１（子の電流（ｉＪ）を測定すればＸ線波侵に対１
＋ｉｊｉ した運動エネルギー、Ｘ線強度に対Ｄ１１、
した光電子流（光電子の財）として、第２図に示すよう
なスベタトルが得られる。これによりＸ線の分光光度が
測定できる。これらの測定は、空気、によるＸ線の吸収
、光電子の散乱を防止するために真空客器５の中で行わ
れる。この測定に際し、運ｌｉ１＋エネルギー弁別器と
して￥真フィルムタイプのものを用いれば、Ｘ線が短い
パルスの場合にも分光が可能である。
なお、Ｘ線のエネ／レギーがｈＵ＜２１１１．６ｅＶの
ｌＡ４７合、つまりＩＩ ３．りへ以上の波長域では光
電子がｌｉ端に減衰するので、この方法の可測定波長域
はり３Ａ以下である。
ｌＡ４７合、つまりＩＩ ３．りへ以上の波長域では光
電子がｌｉ端に減衰するので、この方法の可測定波長域
はり３Ａ以下である。
また、第３図、第ｖ図はいずれも本発明の別の実随例を
示す図である。これらの図において、糖／図に示す構成
要素と同一の要素には同一符号を付しである。
示す図である。これらの図において、糖／図に示す構成
要素と同一の要素には同一符号を付しである。
幀３図に示す実施例について説明すると、図においてメ
タンガスあるいはエタンガス８は、ノズル７を通ってＸ
線照射室９に導かれる。室９内に導かれたメタンガスあ
るいはエタンガスには室９のＸ線入射孔ＩＯを通して淀
１定すべき軟Ｘ線１が照射される。Ｘ＃ｉｌの照射を受
けたメタンガスあるいはエタンガスからは、メタンガス
あるいはエタンガスの構成Ｋｌ子である炭牽ＪＱ子より
光電子８が発生する。この際空気やメタンガス、エタン
ガスによるＸＩＩｄの吸１１ｖ１受電子の散乱を防ぐた
め、真空容器５内、Ｘ線ｉ＜４射室９内はそれぞれ排気
ＩＺ１１１．１２を通じて排気しておく。メタンガスあ
るいはエタンガスの構成原子である炭禦のに軌道電子の
エネルギー状態は、上記の実施例で述べたポリエチレン
、ポリプロピレンの炭素のにり１．通電子のエネルギー
状態と同一であり、放出される光η電子も同Ｎトである
。したがって放出される光電子８を連動エネルギー弁別
感傷に導いてその虻と連動エネルギーとを測定すれば、
上ｎＩＪの実施例と同様にして波長域グ、？に以下の軟
Ｘ線の分光光度を測定することができる。
タンガスあるいはエタンガス８は、ノズル７を通ってＸ
線照射室９に導かれる。室９内に導かれたメタンガスあ
るいはエタンガスには室９のＸ線入射孔ＩＯを通して淀
１定すべき軟Ｘ線１が照射される。Ｘ＃ｉｌの照射を受
けたメタンガスあるいはエタンガスからは、メタンガス
あるいはエタンガスの構成Ｋｌ子である炭牽ＪＱ子より
光電子８が発生する。この際空気やメタンガス、エタン
ガスによるＸＩＩｄの吸１１ｖ１受電子の散乱を防ぐた
め、真空容器５内、Ｘ線ｉ＜４射室９内はそれぞれ排気
ＩＺ１１１．１２を通じて排気しておく。メタンガスあ
るいはエタンガスの構成原子である炭禦のに軌道電子の
エネルギー状態は、上記の実施例で述べたポリエチレン
、ポリプロピレンの炭素のにり１．通電子のエネルギー
状態と同一であり、放出される光η電子も同Ｎトである
。したがって放出される光電子８を連動エネルギー弁別
感傷に導いてその虻と連動エネルギーとを測定すれば、
上ｎＩＪの実施例と同様にして波長域グ、？に以下の軟
Ｘ線の分光光度を測定することができる。
また給≠図に示す実施例は、冷却した清浄な金属の表面
にメタンガスあるいはエタンガスを吸着させ、その吸着
層に測定すべきＸ＃を照射して光重、子を放出させるよ
うにした例である。給り図において１８は清浄な金属基
板であって、例えば液体ヘリウムなどを満した冷却器１
４に表って冷却されている。この金属基板１８の表面に
はメタンガスあるいはエタンガスを吸着させることによ
り］佼着Ｍ１６が形成されている。吸着層１５に測定す
べき軟Ｘ線１を照射すれば、吸着層１５中のメタンガス
あるいはエタンガスの炭素原子より光電子８が放出され
る。かくしてこの実施例においても、光電子のｈ＃と運
動エネルギーとを測定することにより上記の実１１企例
と同様に波長域Ｉ１．？Ａ以下の軟Ｘ線の分光光度を測
定することができる。
にメタンガスあるいはエタンガスを吸着させ、その吸着
層に測定すべきＸ＃を照射して光重、子を放出させるよ
うにした例である。給り図において１８は清浄な金属基
板であって、例えば液体ヘリウムなどを満した冷却器１
４に表って冷却されている。この金属基板１８の表面に
はメタンガスあるいはエタンガスを吸着させることによ
り］佼着Ｍ１６が形成されている。吸着層１５に測定す
べき軟Ｘ線１を照射すれば、吸着層１５中のメタンガス
あるいはエタンガスの炭素原子より光電子８が放出され
る。かくしてこの実施例においても、光電子のｈ＃と運
動エネルギーとを測定することにより上記の実１１企例
と同様に波長域Ｉ１．？Ａ以下の軟Ｘ線の分光光度を測
定することができる。
以上説明したように、本発明は、廟化水素に分光すべき
Ｘ線を照射し、放出される光電子の連ｋＩＪエネルギー
および紺に基づいてＸＩＮの波侵および節用を測定する
ものである。この本発明によれば、パルス放射のＸ線、
連続放射のＸ線を問わずに軟Ｘ線の測定ができる利点が
ある。また単純な構造の装置でＸ線のエネルギーを光電
子の連動エネルギーに変換できるため、使用する装置の
小形化を計ることができる利点がある。
Ｘ線を照射し、放出される光電子の連ｋＩＪエネルギー
および紺に基づいてＸＩＮの波侵および節用を測定する
ものである。この本発明によれば、パルス放射のＸ線、
連続放射のＸ線を問わずに軟Ｘ線の測定ができる利点が
ある。また単純な構造の装置でＸ線のエネルギーを光電
子の連動エネルギーに変換できるため、使用する装置の
小形化を計ることができる利点がある。
りζ／図は本発明の一上施例を示す説明図、第２図は同
実施例において測定される光電子の強度（Ｍ）と連動エ
ネルギーとの関部を示す図、第３図、第グ図はいずれも
本発明の別の実施例を示す説明図である。 １・・・・・・Ｘ７．２・・・・・・ポリエチレン（又
はポリプロピレン）フィルム、８・・・・・・光電子、
条・・・・・・連ルノエネルギー弁別器、５・・・・・
・真°空容器、７・・・・・・ノズル、８・・・・・・
メタンガスあるいはエタンガス、９・・・・・・Ｘ線照
射室、１８・・・・・・金Ｈ基枦、１５・・・・・・嘔
剌層。 出願人 日本面付′耐話公社 第１図 ○ 第２Ｎ 還事カエネ）し￥− 第３図 第４図
実施例において測定される光電子の強度（Ｍ）と連動エ
ネルギーとの関部を示す図、第３図、第グ図はいずれも
本発明の別の実施例を示す説明図である。 １・・・・・・Ｘ７．２・・・・・・ポリエチレン（又
はポリプロピレン）フィルム、８・・・・・・光電子、
条・・・・・・連ルノエネルギー弁別器、５・・・・・
・真°空容器、７・・・・・・ノズル、８・・・・・・
メタンガスあるいはエタンガス、９・・・・・・Ｘ線照
射室、１８・・・・・・金Ｈ基枦、１５・・・・・・嘔
剌層。 出願人 日本面付′耐話公社 第１図 ○ 第２Ｎ 還事カエネ）し￥− 第３図 第４図
Claims (1)
- 炭化水素に分光すべきＸｉを照射し、放出する光電子の
運動エネルギーおよび量を測定することにより波長域ｔ
ｔｓ１．以下のＸ線の波長および強度を測定することを
特徴とするＸ線分光法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204180A JPS58105076A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Ｘ線分光法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204180A JPS58105076A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Ｘ線分光法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105076A true JPS58105076A (ja) | 1983-06-22 |
Family
ID=16486156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204180A Pending JPS58105076A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | Ｘ線分光法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105076A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP56204180A patent/JPS58105076A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
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