JPS58102180A - Ｘ線分光法 - Google Patents
Ｘ線分光法Info
- Publication number
- JPS58102180A JPS58102180A JP56201385A JP20138581A JPS58102180A JP S58102180 A JPS58102180 A JP S58102180A JP 56201385 A JP56201385 A JP 56201385A JP 20138581 A JP20138581 A JP 20138581A JP S58102180 A JPS58102180 A JP S58102180A
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- JP
- Japan
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- kinetic energy
- photoelectrons
- ray
- layer
- nitrogen
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
不発明はＸ−１特に波長ｌＩ〜３０Ｘの範囲の軟Ｘ Ｉ
Ｉ Ｑ）波長と強度を簡単に測定できるＸＩＩ分光決＆
：ＵＴる〇 従来のＸ＠分光法は、■半導体検出ＩＩＩ用いるも４１
１、■回折結晶（又は回折格子）
Ｉ Ｑ）波長と強度を簡単に測定できるＸＩＩ分光決＆
：ＵＴる〇 従来のＸ＠分光法は、■半導体検出ＩＩＩ用いるも４１
１、■回折結晶（又は回折格子）
【用いるもＵ」に大別
され、ざら＆：＠は■回折結晶（又は回折格子） ｒｔ
Ｏ−ランド円周上に移動させつつ計るもの、＠回折結晶
（又は回折格子）の置かれたローランド円と同一のロー
ランド円周上にＸ１ｍフィルム【ｌ＆置するものにわけ
られる。ところで、これらのＸ線分光法のうち、■は牛
導体検出器の応答速度の点でＩＰ臓以下の短いパルスＸ
Ｈａ Ｕ分光覚度漉定に不運であるほか、波長１０１以
上の軟ｘｌＩの検出分光が困離である◎また■ＱＪのは
パルスＸＩＩの分光光度滴定には長時間を要し、実用的
でない。 また更に■の＠はＸ−の波長が長くなるに従って回折結
晶（又は回折格子）の焦点が伸びるために装置が大掴化
Ｔる欠点がある・ 本発明は上記の事情に鑑み、パルス放射のＸ＠。 連続放射のＸ１ｍ１間めずに軟Ｘｓの分光光度の測定が
可能であり、かつ使用Ｔる装置の小溜化【計ることので
きるＸ＠分光決【ＩＩ＆供Ｔるもので、窒素に分光Ｔべ
きＸＩＩＩｔ照射し、放出Ｔる光電子の運動エネルギー
および量１１１定することにより波長域／ｚｗｓｏｌｔ
ｏ軟ＸＩＩの波長オヨび強度ＩＩＩ定Ｔることｒｔ４１
１黴とするものである０以下、不発明【図１１＋ｒｔ参
照して胛細に説明’ｒ＆ＩＩ／図は不発明σ）一実施例
【示Ｔ閣であって、この（２）においてｌは分光丁べき
ｘｍ、ｍは金属基板、８は冷却器、会は窒素吸着層、ｂ
は光電子、６は光１子の運動エネルギー弁別器、７は真
空容器である。 金属基板８は清浄な状態に仕上げられたものであって、
例えば液体ヘリウムなどを満した冷却器Ｂ＆：よって充
分に冷却され、千の１１１１にはＮガス【＠着させるこ
とにより窒素吸着ｊｉｌｔが形ｒｌＬｉれでいる。これ
に分光ＴべきＸ＠１ｔｊ１１１射Ｔれば、窒素吸着層か
ら光電子が放出される。 通常窒素のに軌道電子はＪｅｔツｅＶの結合エネルギー
で原子核と結合して安定状１ｍヲ保っているが、振動数
νｕ＝Ｘ＠の照射管うけると励起されてｈシー３ツ２ｔ
←１ｉｉｋ）・Ｖ ａｓ運動エネルギーを持った光電
子となって真空中にとび出して来る。Ｘ線か種々の振動
数【含んでいると十れに応じて光電子の運動エネルギー
Ｂｋもだ！ざまな錬【と４十こで光電子ＳＫ−運動エネ
ルギー弁Ｎ１１６に導いて運動エネルギー【測定し、同
時に光電子の置【測定Ｔれば、Ｘ纏波長に対応した運動
エネルギーと光度に対応した光電子量としτｓａｍに示
Ｔようなスペクトルが得られる。これによりＸｌｌの分
光光度か測定される。これらの滴定は空気によるＸ＠の
吸収、光電子の散乱管防止Ｔるために真空容ＩＩＩ？の
中で行われる。この測定に際し、運動エネルギー弁別器
として写真フィルムタイプのもの管用いればｘＩＩが短
いパルスの場合にも分光が可能である。 なお、ＸＩＩ波長がｈν＜３９２？ｅＶの条件ｅ滴丁場
会、つまり波長がＪｌ／Ａ以上の波長域では光電子は極
＊＆：減衰Ｔる。振動数νのＸ劇照射をうけた窒素はオ
ージェ効果によりｈシーｔｔＳ参・Ｖの光電子も放出す
るからｈν＞ｔｔＳ参〇Ｖなる振動数に対応Ｔる波長ｔ
＠ｓｌ以下のＸＩＩ＃）分光には不適である。 したかって窒素吸着層を用いる場合の測定可能なＸｓ波
長は／＃−ＪＯＫである＠ 盲た、１１３図は本発明の別の実施例ｅ示Ｔ回である。 この図においてＩＩ／Ｉｔと同一の構成要素には同−符
号管付しである。この図において窒素ガＸ ９ ハ／
スＡ ｌ ０１ｍ”）ＴＸＩＩｌ［射１ｉ１１Ｐ１ｃ導
かれる。１１１１内に導かれた窒素ガスには［１１ａＪ
Ｘｈ照射孔ｘｍ＋ｓし”ｒ分光Ｔべ＠Ｘ＠ｌ か照射さ
れる◎迩１１内で得られる光電子は島Ｉ図すＪ勘合と同
様に運動エネルギー弁別＃６に導かれる。 かくしてこＵ］運動エネルギー弁別Ｉ＃６において塾１
（２）ｒｈ ｓ ＆と同様の１１１Ｉ足【行うことによ
りＸ線の分光光度を測定することかできる。なお、図に
おいてｔ３ｔ＊は各々窒素ガスによるＸ線の吸収、光電
子の散乱【防ぐためＸｈ＊１ＮＮ１１％真真空−−７【
排気Ｔる排気口である・ 以上脱鳴したように、本発明は光電子Ｑ）運動エネルギ
ーおよび量ｔｌｌｊｉ！ＴることによりＸａＮの分光【
行う。この本発明によれば、パルス放射σ】Ｘ−１連続
放射のＸＩＩＭｒｔ８わずに軟Ｘ１１の分光光度の滴定
【行うことが可能であり１かっ使用Ｔる装置１１ｆ−小
形化できる利点かある。
され、ざら＆：＠は■回折結晶（又は回折格子） ｒｔ
Ｏ−ランド円周上に移動させつつ計るもの、＠回折結晶
（又は回折格子）の置かれたローランド円と同一のロー
ランド円周上にＸ１ｍフィルム【ｌ＆置するものにわけ
られる。ところで、これらのＸ線分光法のうち、■は牛
導体検出器の応答速度の点でＩＰ臓以下の短いパルスＸ
Ｈａ Ｕ分光覚度漉定に不運であるほか、波長１０１以
上の軟ｘｌＩの検出分光が困離である◎また■ＱＪのは
パルスＸＩＩの分光光度滴定には長時間を要し、実用的
でない。 また更に■の＠はＸ−の波長が長くなるに従って回折結
晶（又は回折格子）の焦点が伸びるために装置が大掴化
Ｔる欠点がある・ 本発明は上記の事情に鑑み、パルス放射のＸ＠。 連続放射のＸ１ｍ１間めずに軟Ｘｓの分光光度の測定が
可能であり、かつ使用Ｔる装置の小溜化【計ることので
きるＸ＠分光決【ＩＩ＆供Ｔるもので、窒素に分光Ｔべ
きＸＩＩＩｔ照射し、放出Ｔる光電子の運動エネルギー
および量１１１定することにより波長域／ｚｗｓｏｌｔ
ｏ軟ＸＩＩの波長オヨび強度ＩＩＩ定Ｔることｒｔ４１
１黴とするものである０以下、不発明【図１１＋ｒｔ参
照して胛細に説明’ｒ＆ＩＩ／図は不発明σ）一実施例
【示Ｔ閣であって、この（２）においてｌは分光丁べき
ｘｍ、ｍは金属基板、８は冷却器、会は窒素吸着層、ｂ
は光電子、６は光１子の運動エネルギー弁別器、７は真
空容器である。 金属基板８は清浄な状態に仕上げられたものであって、
例えば液体ヘリウムなどを満した冷却器Ｂ＆：よって充
分に冷却され、千の１１１１にはＮガス【＠着させるこ
とにより窒素吸着ｊｉｌｔが形ｒｌＬｉれでいる。これ
に分光ＴべきＸ＠１ｔｊ１１１射Ｔれば、窒素吸着層か
ら光電子が放出される。 通常窒素のに軌道電子はＪｅｔツｅＶの結合エネルギー
で原子核と結合して安定状１ｍヲ保っているが、振動数
νｕ＝Ｘ＠の照射管うけると励起されてｈシー３ツ２ｔ
←１ｉｉｋ）・Ｖ ａｓ運動エネルギーを持った光電
子となって真空中にとび出して来る。Ｘ線か種々の振動
数【含んでいると十れに応じて光電子の運動エネルギー
Ｂｋもだ！ざまな錬【と４十こで光電子ＳＫ−運動エネ
ルギー弁Ｎ１１６に導いて運動エネルギー【測定し、同
時に光電子の置【測定Ｔれば、Ｘ纏波長に対応した運動
エネルギーと光度に対応した光電子量としτｓａｍに示
Ｔようなスペクトルが得られる。これによりＸｌｌの分
光光度か測定される。これらの滴定は空気によるＸ＠の
吸収、光電子の散乱管防止Ｔるために真空容ＩＩＩ？の
中で行われる。この測定に際し、運動エネルギー弁別器
として写真フィルムタイプのもの管用いればｘＩＩが短
いパルスの場合にも分光が可能である。 なお、ＸＩＩ波長がｈν＜３９２？ｅＶの条件ｅ滴丁場
会、つまり波長がＪｌ／Ａ以上の波長域では光電子は極
＊＆：減衰Ｔる。振動数νのＸ劇照射をうけた窒素はオ
ージェ効果によりｈシーｔｔＳ参・Ｖの光電子も放出す
るからｈν＞ｔｔＳ参〇Ｖなる振動数に対応Ｔる波長ｔ
＠ｓｌ以下のＸＩＩ＃）分光には不適である。 したかって窒素吸着層を用いる場合の測定可能なＸｓ波
長は／＃−ＪＯＫである＠ 盲た、１１３図は本発明の別の実施例ｅ示Ｔ回である。 この図においてＩＩ／Ｉｔと同一の構成要素には同−符
号管付しである。この図において窒素ガＸ ９ ハ／
スＡ ｌ ０１ｍ”）ＴＸＩＩｌ［射１ｉ１１Ｐ１ｃ導
かれる。１１１１内に導かれた窒素ガスには［１１ａＪ
Ｘｈ照射孔ｘｍ＋ｓし”ｒ分光Ｔべ＠Ｘ＠ｌ か照射さ
れる◎迩１１内で得られる光電子は島Ｉ図すＪ勘合と同
様に運動エネルギー弁別＃６に導かれる。 かくしてこＵ］運動エネルギー弁別Ｉ＃６において塾１
（２）ｒｈ ｓ ＆と同様の１１１Ｉ足【行うことによ
りＸ線の分光光度を測定することかできる。なお、図に
おいてｔ３ｔ＊は各々窒素ガスによるＸ線の吸収、光電
子の散乱【防ぐためＸｈ＊１ＮＮ１１％真真空−−７【
排気Ｔる排気口である・ 以上脱鳴したように、本発明は光電子Ｑ）運動エネルギ
ーおよび量ｔｌｌｊｉ！ＴることによりＸａＮの分光【
行う。この本発明によれば、パルス放射σ】Ｘ−１連続
放射のＸＩＩＭｒｔ８わずに軟Ｘ１１の分光光度の滴定
【行うことが可能であり１かっ使用Ｔる装置１１ｆ−小
形化できる利点かある。
總１図は本発明Ｕ】一実施例【示Ｔ説明（２）、■コ（
２）は同ｖ４施例（おいて滴定される光電子の強度【運
動エネルギーと（１）−係を示Ｔ図、ＩＫ、７図は本命
−ＱＪ別の実施例【示Ｔ説明図である。 １・・・・・・Ｘ−、ト・・・・・金属基板、８・・川
・冷却器、番・・・・・・窒素の吸着層、６・・・・・
・光電子、６・・・・・・運動エネルギー弁別器、７・
・・・・・真空容器、９・・・・・・窒素ガス、ｌＯ・
・・・・・ノズル％１１・・・°・・ｘｓｎ射ＩＩＩ、
１ｍ・・・・・・ＸＩｌ照射孔。 出願人日本電信電話公社 第１図 ７ 第２図 運動ニーネルＮ゛− 第３図 ４１
２）は同ｖ４施例（おいて滴定される光電子の強度【運
動エネルギーと（１）−係を示Ｔ図、ＩＫ、７図は本命
−ＱＪ別の実施例【示Ｔ説明図である。 １・・・・・・Ｘ−、ト・・・・・金属基板、８・・川
・冷却器、番・・・・・・窒素の吸着層、６・・・・・
・光電子、６・・・・・・運動エネルギー弁別器、７・
・・・・・真空容器、９・・・・・・窒素ガス、ｌＯ・
・・・・・ノズル％１１・・・°・・ｘｓｎ射ＩＩＩ、
１ｍ・・・・・・ＸＩｌ照射孔。 出願人日本電信電話公社 第１図 ７ 第２図 運動ニーネルＮ゛− 第３図 ４１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 窒素な分光丁べきｘｉｌｌｍ射し、放出Ｔる光電子の運
動エネルギーおよび量ＩＩＩ定することにより波長域１
２〜ＪＱ人の軟ＸＩＩの波長および強度ＩＩＩ定するこ
と【特徴とするｘｓ１分光分光
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201385A JPS58102180A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Ｘ線分光法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201385A JPS58102180A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Ｘ線分光法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102180A true JPS58102180A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16440201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201385A Pending JPS58102180A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Ｘ線分光法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102180A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56201385A patent/JPS58102180A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483893A (en) * | 1977-11-29 | 1979-07-04 | Anvar | Microanalysis method that use xxrays radiation |
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