JPH1183641A - ガラス封止型サーミスタ - Google Patents
ガラス封止型サーミスタInfo
- Publication number
- JPH1183641A JPH1183641A JP26088997A JP26088997A JPH1183641A JP H1183641 A JPH1183641 A JP H1183641A JP 26088997 A JP26088997 A JP 26088997A JP 26088997 A JP26088997 A JP 26088997A JP H1183641 A JPH1183641 A JP H1183641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- lead wire
- glass
- sealed
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サーミスタ素体に形成された電極層とリード
線との接続に高い信頼性を持たせることができ、高温動
作でも長期間安定した温度−抵抗特性を示すガラス封止
型サーミスタを提供すること。 【解決手段】 サーミスタ素体の対向する両面に形成さ
れた電極層に、リード線の先端部が接続され、サーミス
タ素体及びリード線の接続部を含む先端部がガラスによ
って気密封止されてなるガラス封止型サーミスタにおい
て、前記電極層はＡｇ系ペーストからなる導電層と、そ
の上面に形成されたＮｉ−Ｃｒ合金層とから構成されて
おり、該Ｎｉ−Ｃｒ合金層に前記リード線が電気溶接に
よって接続されていることを特徴とするガラス封止型サ
ーミスタ。
線との接続に高い信頼性を持たせることができ、高温動
作でも長期間安定した温度−抵抗特性を示すガラス封止
型サーミスタを提供すること。 【解決手段】 サーミスタ素体の対向する両面に形成さ
れた電極層に、リード線の先端部が接続され、サーミス
タ素体及びリード線の接続部を含む先端部がガラスによ
って気密封止されてなるガラス封止型サーミスタにおい
て、前記電極層はＡｇ系ペーストからなる導電層と、そ
の上面に形成されたＮｉ−Ｃｒ合金層とから構成されて
おり、該Ｎｉ−Ｃｒ合金層に前記リード線が電気溶接に
よって接続されていることを特徴とするガラス封止型サ
ーミスタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、家電機
器、住設機器、自動車機器などで使用されるガラス封止
型サーミスタに係り、特に、高温動作でも長期間安定し
た温度−抵抗特性を維持することができるように、サー
ミスタ素体に形成される電極層とリード線との接続に高
い信頼性を持たせたものに関する。
器、住設機器、自動車機器などで使用されるガラス封止
型サーミスタに係り、特に、高温動作でも長期間安定し
た温度−抵抗特性を維持することができるように、サー
ミスタ素体に形成される電極層とリード線との接続に高
い信頼性を持たせたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、家電機器、住設機器、自動車機器
などにおいては、負特性のガラス封止型サーミスタに加
えて、正特性のガラス封止型サーミスタも用いられるよ
うになってきているが、これらのガラス封止型サーミス
タに対しては、高温での高精度化と高信頼性の実現が強
く望まれている。
などにおいては、負特性のガラス封止型サーミスタに加
えて、正特性のガラス封止型サーミスタも用いられるよ
うになってきているが、これらのガラス封止型サーミス
タに対しては、高温での高精度化と高信頼性の実現が強
く望まれている。
【０００３】従来、この種の用途で使用されているガラ
ス封止型サーミスタとしては、例えば、図２に示すよう
に、サーミスタ素体１１の対向する両面に形成された電
極１２にデュメットリード線１３が接続され、サーミス
タ素体１１及びデュメットリード線１３の接続部を含む
先端部分がガラス１４によって封止された構成のものが
知られている。このサーミスタは、そのリード線の導出
構造からラジアルリード型サーミスタと称されている。
ここで、一般的に、サーミスタ素体１１の対向する両面
に形成される電極１２は、Ａｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系、Ａｕ
系等の導電性ペーストから構成されており、又、デュメ
ットリード線１３は、前記電極１２を構成する導電性ペ
ーストと同系の固着用ペースト１５によって電極１２に
焼付固着されている。
ス封止型サーミスタとしては、例えば、図２に示すよう
に、サーミスタ素体１１の対向する両面に形成された電
極１２にデュメットリード線１３が接続され、サーミス
タ素体１１及びデュメットリード線１３の接続部を含む
先端部分がガラス１４によって封止された構成のものが
知られている。このサーミスタは、そのリード線の導出
構造からラジアルリード型サーミスタと称されている。
ここで、一般的に、サーミスタ素体１１の対向する両面
に形成される電極１２は、Ａｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系、Ａｕ
系等の導電性ペーストから構成されており、又、デュメ
ットリード線１３は、前記電極１２を構成する導電性ペ
ーストと同系の固着用ペースト１５によって電極１２に
焼付固着されている。
【０００４】しかしながら、上記のような構成では、３
００℃程度の高温域での連続使用或いは断続使用に際
し、ガラス材の強い膨張力と収縮力によって、多孔質な
導電性ペーストが大きなストレスを受けてペースト内の
導電性粒子間の配置、接触面積、密度の偏在など電気的
特性を左右する接触状態が変化し、サーミスタとしての
温度−抵抗特性が著しく変動してしまうという問題点が
あった。一般的に、サーミスタの抵抗変化は時間の経過
とともに増大していく劣化を示す。
００℃程度の高温域での連続使用或いは断続使用に際
し、ガラス材の強い膨張力と収縮力によって、多孔質な
導電性ペーストが大きなストレスを受けてペースト内の
導電性粒子間の配置、接触面積、密度の偏在など電気的
特性を左右する接触状態が変化し、サーミスタとしての
温度−抵抗特性が著しく変動してしまうという問題点が
あった。一般的に、サーミスタの抵抗変化は時間の経過
とともに増大していく劣化を示す。
【０００５】一方、このラジアルリード型サーミスタと
同じガラス封止型であり、同様な材料と同様な製造条件
で製作されるダイオード型サーミスタにおいては、電極
とデュメットリード線とが固着用の導電性ペースト無し
で加熱圧着により強固に接続されているため、上記のよ
うなサーミスタとしての温度−抵抗特性の変動は非常に
小さい。
同じガラス封止型であり、同様な材料と同様な製造条件
で製作されるダイオード型サーミスタにおいては、電極
とデュメットリード線とが固着用の導電性ペースト無し
で加熱圧着により強固に接続されているため、上記のよ
うなサーミスタとしての温度−抵抗特性の変動は非常に
小さい。
【０００６】このように、ガラス封止型サーミスタの中
でも、ガラス封止された中に導電性ペーストがある程度
以上の量が存在するサーミスタは、冷熱の繰り返し使用
において電極の初期骨格が崩れ、温度−抵抗特性が変動
してしまうことが明らかである。
でも、ガラス封止された中に導電性ペーストがある程度
以上の量が存在するサーミスタは、冷熱の繰り返し使用
において電極の初期骨格が崩れ、温度−抵抗特性が変動
してしまうことが明らかである。
【０００７】そこで、従来では、このような現象に対す
る対策として、例えば、以下の（１）〜（３）に示すよ
うな提案がなされている。
る対策として、例えば、以下の（１）〜（３）に示すよ
うな提案がなされている。
【０００８】（１）特開平２−１０８０１号公報、特開
平２−２６３４０２号公報、特開平２−２７０３０３号
公報、特開平３−１３６２０５号公報、特開平３−１３
６２０７号公報、特開平５−２５８９０９号公報には、
Ａｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系、Ｐｔ系の導電性ペーストから構
成された電極に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等の金属から
なる被覆が施されたデュメット線、コバール線、タング
ステン線等のリード線をパラレルギャップ溶接によって
電気的に接続する方法が提案されている。
平２−２６３４０２号公報、特開平２−２７０３０３号
公報、特開平３−１３６２０５号公報、特開平３−１３
６２０７号公報、特開平５−２５８９０９号公報には、
Ａｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系、Ｐｔ系の導電性ペーストから構
成された電極に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等の金属から
なる被覆が施されたデュメット線、コバール線、タング
ステン線等のリード線をパラレルギャップ溶接によって
電気的に接続する方法が提案されている。
【０００９】（２）特開昭６１−１０５８０４号公報に
は、サーミスタ素体の対向する両面に、Ａｕ又はＰｔの
導電性ペーストからなる厚膜電極を設け、その上にＣ
ｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等からなる薄膜ブロック電極を積層
し、この表面にリード線をＡｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系の導電
性ペーストによって焼付固着する方法が提案されてい
る。
は、サーミスタ素体の対向する両面に、Ａｕ又はＰｔの
導電性ペーストからなる厚膜電極を設け、その上にＣ
ｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等からなる薄膜ブロック電極を積層
し、この表面にリード線をＡｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系の導電
性ペーストによって焼付固着する方法が提案されてい
る。
【００１０】（３）特開昭６１−１０５８０２号公報、
特開平６−２０８９０６号公報には、サーミスタ素体の
対向する両面に、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ等からなる蒸着薄膜電極を設
け、この表面にリード線をＡｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系の導電
性ペースト或いは半田によって固着する方法が提案され
ている。
特開平６−２０８９０６号公報には、サーミスタ素体の
対向する両面に、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ等からなる蒸着薄膜電極を設
け、この表面にリード線をＡｇ系、Ａｇ−Ｐｄ系の導電
性ペースト或いは半田によって固着する方法が提案され
ている。
【００１１】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、これ
らの提案においても、依然として以下のような問題があ
った。（１）の提案については、電極とリード線を電気
溶接によって接続することにより、固着用の導電性ペー
ストを不要にできるという利点があるものの、電極が導
電性ペーストで構成され、且つリード線の溶接されるべ
き部分が導電性の高い金属で被覆されているため、溶接
される部分の抵抗が低過ぎて溶接の瞬間に火花が飛び易
く、その場合は、融点の低い電極層が飛散して溶接が困
難になってしまう。又、溶接できたとしても、その強度
が弱いため、特開平２−２７０３０３号公報にも述べら
れているように、溶接部周辺を絶縁性の無機接着ペース
トなどで補強する必要があった。
らの提案においても、依然として以下のような問題があ
った。（１）の提案については、電極とリード線を電気
溶接によって接続することにより、固着用の導電性ペー
ストを不要にできるという利点があるものの、電極が導
電性ペーストで構成され、且つリード線の溶接されるべ
き部分が導電性の高い金属で被覆されているため、溶接
される部分の抵抗が低過ぎて溶接の瞬間に火花が飛び易
く、その場合は、融点の低い電極層が飛散して溶接が困
難になってしまう。又、溶接できたとしても、その強度
が弱いため、特開平２−２７０３０３号公報にも述べら
れているように、溶接部周辺を絶縁性の無機接着ペース
トなどで補強する必要があった。
【００１２】（２）の提案については、導電性ペースト
からなる厚膜電極の上に、高融点の硬い金属による薄膜
ブロック電極を積層することにより、固着用の導電性ペ
ーストをサーミスタ素体の界面まで侵入させないという
点で優れているものの、固着用の導電性ペーストは使用
するので多孔質なその部分の劣化は本質的に防ぐことが
できない。
からなる厚膜電極の上に、高融点の硬い金属による薄膜
ブロック電極を積層することにより、固着用の導電性ペ
ーストをサーミスタ素体の界面まで侵入させないという
点で優れているものの、固着用の導電性ペーストは使用
するので多孔質なその部分の劣化は本質的に防ぐことが
できない。
【００１３】（３）の提案については、導電性ペースト
からなる下地電極が無い分経済的であるものの、やはり
固着用の導電性ペーストは使用するので多孔質なその部
分の劣化は本質的に防ぐことができない。又、ＴｉやＮ
ｉ−Ｃｒ等の薄膜電極は半田のストッパーとしては有効
であるものの、薄膜電極とリード線を溶接によって接続
する場合は、電極厚が薄過ぎて溶接時に消費されなくな
ってしまう。
からなる下地電極が無い分経済的であるものの、やはり
固着用の導電性ペーストは使用するので多孔質なその部
分の劣化は本質的に防ぐことができない。又、ＴｉやＮ
ｉ−Ｃｒ等の薄膜電極は半田のストッパーとしては有効
であるものの、薄膜電極とリード線を溶接によって接続
する場合は、電極厚が薄過ぎて溶接時に消費されなくな
ってしまう。
【００１４】本発明は、このような従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的とするところは、
サーミスタ素体に形成される電極層とリード線との接続
に高い信頼性を持たせることができ、高温動作でも長期
間安定した温度−抵抗特性を示すガラス封止型サーミス
タを提供することにある。
するためになされたもので、その目的とするところは、
サーミスタ素体に形成される電極層とリード線との接続
に高い信頼性を持たせることができ、高温動作でも長期
間安定した温度−抵抗特性を示すガラス封止型サーミス
タを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するべく
本発明によるガラス封止型サーミスタは、サーミスタ素
体の対向する両面に形成された電極層に、リード線の先
端部が接続され、サーミスタ素体及びリード線の接続部
を含む先端部がガラスによって気密封止されてなるガラ
ス封止型サーミスタにおいて、前記電極層はＡｇ系ペー
ストからなる導電層と、その上面に形成されたＮｉ−Ｃ
ｒ合金層とから構成されており、該Ｎｉ−Ｃｒ合金層に
前記リード線が電気溶接によって接続されていることを
特徴とするものである。
本発明によるガラス封止型サーミスタは、サーミスタ素
体の対向する両面に形成された電極層に、リード線の先
端部が接続され、サーミスタ素体及びリード線の接続部
を含む先端部がガラスによって気密封止されてなるガラ
ス封止型サーミスタにおいて、前記電極層はＡｇ系ペー
ストからなる導電層と、その上面に形成されたＮｉ−Ｃ
ｒ合金層とから構成されており、該Ｎｉ−Ｃｒ合金層に
前記リード線が電気溶接によって接続されていることを
特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】サーミスタ素体としては、ＢａＴ
ｉＯ３系の酸化物からなる正特性サーミスタ又はＭｎ、
Ｎｉ系の酸化物からなる負特性サーミスタを用いること
ができる。
ｉＯ３系の酸化物からなる正特性サーミスタ又はＭｎ、
Ｎｉ系の酸化物からなる負特性サーミスタを用いること
ができる。
【００１７】サーミスタ素体の対向する両面に形成され
る電極層は、Ａｇ系ペーストからなる導電層と、その上
面に形成されるＮｉ−Ｃｒ合金層とから構成される。Ａ
ｇ系ペーストからなる導電層は、５〜５０μｍ程度の厚
さまで形成可能であるが、好ましくは１５〜３０μｍ程
度とする。導電層の厚さが５μｍに満たない場合には、
リード線を電気溶接により接続する際の機械的クッショ
ン効果が充分に発現しないとともに、Ｎｉ−Ｃｒ合金層
の一部が熱により侵食された際、その付近のペースト層
をも溶かし、接続不具合を引き起こしてしまう。
る電極層は、Ａｇ系ペーストからなる導電層と、その上
面に形成されるＮｉ−Ｃｒ合金層とから構成される。Ａ
ｇ系ペーストからなる導電層は、５〜５０μｍ程度の厚
さまで形成可能であるが、好ましくは１５〜３０μｍ程
度とする。導電層の厚さが５μｍに満たない場合には、
リード線を電気溶接により接続する際の機械的クッショ
ン効果が充分に発現しないとともに、Ｎｉ−Ｃｒ合金層
の一部が熱により侵食された際、その付近のペースト層
をも溶かし、接続不具合を引き起こしてしまう。
【００１８】Ｎｉ−Ｃｒ合金層は、公知の真空蒸着法や
スパッタ法などによってＡｇ系ペーストからなる導電層
上に形成されるのであるが、その際の積層レートは比較
的多めの５０００Å／分程度とすることが好ましく、
又、厚さは１００００〜２００００Å程度とすることが
好ましい。又、基板加熱温度としては１５０〜３００℃
程度が好ましく、形成後のシンターも好ましい。
スパッタ法などによってＡｇ系ペーストからなる導電層
上に形成されるのであるが、その際の積層レートは比較
的多めの５０００Å／分程度とすることが好ましく、
又、厚さは１００００〜２００００Å程度とすることが
好ましい。又、基板加熱温度としては１５０〜３００℃
程度が好ましく、形成後のシンターも好ましい。
【００１９】Ｎｉ−Ｃｒ合金層には、リード線がパラレ
ルギャップ溶接等の電気溶接によって接続される。リー
ド線としては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる芯線にＣｕ被
覆を施したデュメット線を挙げることができるが、これ
以外にも、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるコバ
ール線を使用しても良い。リード線としてデュメット線
を用いる場合、デュメット線は表面に半導体的性質を有
するＣｕＯ層が形成されているため表面抵抗はかなり高
いが、パラレルギャップ溶接の際、パラレルギャップ溶
接機の電極棒の先端を刃状にしておけばＣｕＯ層にキズ
を付けることができるため、溶接には何の支障もない。
ルギャップ溶接等の電気溶接によって接続される。リー
ド線としては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる芯線にＣｕ被
覆を施したデュメット線を挙げることができるが、これ
以外にも、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるコバ
ール線を使用しても良い。リード線としてデュメット線
を用いる場合、デュメット線は表面に半導体的性質を有
するＣｕＯ層が形成されているため表面抵抗はかなり高
いが、パラレルギャップ溶接の際、パラレルギャップ溶
接機の電極棒の先端を刃状にしておけばＣｕＯ層にキズ
を付けることができるため、溶接には何の支障もない。
【００２０】ガラス封止は、従来公知のように、サーミ
スタ素体が負特性サーミスタである場合は、６５０〜６
８０℃の不活性ガス雰囲気中で行い、又、サーミスタ素
体が正特性サーミスタである場合は、６５０〜７００℃
の大気中又は減圧大気中で行うことが好ましい。
スタ素体が負特性サーミスタである場合は、６５０〜６
８０℃の不活性ガス雰囲気中で行い、又、サーミスタ素
体が正特性サーミスタである場合は、６５０〜７００℃
の大気中又は減圧大気中で行うことが好ましい。
【００２１】上記構成による本発明のガラス封止型サー
ミスタは、サーミスタ素体の対向する両面に形成される
電極層が、Ａｇ系ペーストからなる多孔質で１５〜３０
μｍ程度の厚さを有する導電層と、薄いが硬いＮｉ−Ｃ
ｒ合金層の積層体から構成されているので、リード線を
電気溶接により接続する際にＮｉ−Ｃｒ合金層が一部侵
食されたとしても、Ａｇ系ペーストからなる導電層が機
械的クッションになり、溶接の保持と電気的接続状態を
充分に確保することができる。
ミスタは、サーミスタ素体の対向する両面に形成される
電極層が、Ａｇ系ペーストからなる多孔質で１５〜３０
μｍ程度の厚さを有する導電層と、薄いが硬いＮｉ−Ｃ
ｒ合金層の積層体から構成されているので、リード線を
電気溶接により接続する際にＮｉ−Ｃｒ合金層が一部侵
食されたとしても、Ａｇ系ペーストからなる導電層が機
械的クッションになり、溶接の保持と電気的接続状態を
充分に確保することができる。
【００２２】Ｎｉ−Ｃｒ合金層は、横方向の抵抗が高
く、又、溶接時の高温でも余り酸化されることがない。
又、デュメットリード線の表面抵抗も高く、又、コバー
ルリード線も、それ自信の固有抵抗は高い。従って、電
気溶接の基本である抵抗の高いもの同士をパラレルギャ
ツプ溶接等で電気溶接するので火花は飛ばず、余分な酸
化や素材の飛散等は起らず良好な溶接が可能となる。
く、又、溶接時の高温でも余り酸化されることがない。
又、デュメットリード線の表面抵抗も高く、又、コバー
ルリード線も、それ自信の固有抵抗は高い。従って、電
気溶接の基本である抵抗の高いもの同士をパラレルギャ
ツプ溶接等で電気溶接するので火花は飛ばず、余分な酸
化や素材の飛散等は起らず良好な溶接が可能となる。
【００２３】このような理由により、サーミスタ素体に
形成される電極層とリード線を電気溶接によって強固に
接続することが可能となったので、従来のように、多量
の固着用導電性ペーストを使用する必要が無くなる。従
って、サーミスタの抵抗−温度特性の劣化は極めて少な
くなり、高温動作でも長期間安定した温度−抵抗特性を
維持することができる。
形成される電極層とリード線を電気溶接によって強固に
接続することが可能となったので、従来のように、多量
の固着用導電性ペーストを使用する必要が無くなる。従
って、サーミスタの抵抗−温度特性の劣化は極めて少な
くなり、高温動作でも長期間安定した温度−抵抗特性を
維持することができる。
【００２４】
【実施例】以下、図１を参照して本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００２５】本実施例によるガラス封止型サーミスタ
は、図１に示すような構成になっている。まず、サーミ
スタ素体１があり、このサーミスタ素体１の対向する両
面にはそれぞれ電極層２が形成されている。サーミスタ
素体１としては、例えば、Ｍｎ、Ｎｉ系の酸化物からな
る負特性サーミスタや、ＢａＴｉＯ３系の酸化物からな
る正特性サーミスタが使用される。又、電極層２は、Ａ
ｇ系ペーストからなる導電層２ａと、その上面に形成さ
れたＮｉ−Ｃｒ合金層２ｂとから構成されていて、その
表面には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる芯線にＣｕ被覆を
施したデュメットリード線３がパラレルギャップ溶接に
よって電気的に接続されている。そして、サーミスタ素
体１及びデュメットリード線３の接続部を含む先端部分
がガラス４によって気密封止されている。
は、図１に示すような構成になっている。まず、サーミ
スタ素体１があり、このサーミスタ素体１の対向する両
面にはそれぞれ電極層２が形成されている。サーミスタ
素体１としては、例えば、Ｍｎ、Ｎｉ系の酸化物からな
る負特性サーミスタや、ＢａＴｉＯ３系の酸化物からな
る正特性サーミスタが使用される。又、電極層２は、Ａ
ｇ系ペーストからなる導電層２ａと、その上面に形成さ
れたＮｉ−Ｃｒ合金層２ｂとから構成されていて、その
表面には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる芯線にＣｕ被覆を
施したデュメットリード線３がパラレルギャップ溶接に
よって電気的に接続されている。そして、サーミスタ素
体１及びデュメットリード線３の接続部を含む先端部分
がガラス４によって気密封止されている。
【００２６】本実施例では、上記構成のガラス封止型サ
ーミスタを以下のような手順で製造した。サーミスタ素体として、負特性サーミスタを用いた場合 Ｍｎ、Ｎｉ系酸化物からなる厚さ約０．２ｍｍの焼結ウ
ェハーの両面に、Ａｇ−Ｐｄ系導電性ペーストを塗布し
て乾燥した後、約８００℃で焼成してＡｇ−Ｐｄ系導電
層を形成した。次に、Ａｇ−Ｐｄ系導電層の上面に、電
子ビーム蒸着によってＮｉ−Ｃｒ合金薄膜を蒸着した。
この際、蒸着レートは約３０００Å／分、厚さは約１５
０００Å、基板加熱温度は約２００℃とした。次に、こ
のウェハーをダイシング加工によって０．５ｍｍ×０．
５ｍｍの大きさに切断して素体化した後、前記Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金薄膜の表面に外径０．２ｍｍのデュメットリード
線をパラレルギャップ溶接によって溶接した。最後に、
デュメットリード線の一部を含んでサーミスタ素体にガ
ラス管を被覆し、溶融封止した。
ーミスタを以下のような手順で製造した。サーミスタ素体として、負特性サーミスタを用いた場合 Ｍｎ、Ｎｉ系酸化物からなる厚さ約０．２ｍｍの焼結ウ
ェハーの両面に、Ａｇ−Ｐｄ系導電性ペーストを塗布し
て乾燥した後、約８００℃で焼成してＡｇ−Ｐｄ系導電
層を形成した。次に、Ａｇ−Ｐｄ系導電層の上面に、電
子ビーム蒸着によってＮｉ−Ｃｒ合金薄膜を蒸着した。
この際、蒸着レートは約３０００Å／分、厚さは約１５
０００Å、基板加熱温度は約２００℃とした。次に、こ
のウェハーをダイシング加工によって０．５ｍｍ×０．
５ｍｍの大きさに切断して素体化した後、前記Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金薄膜の表面に外径０．２ｍｍのデュメットリード
線をパラレルギャップ溶接によって溶接した。最後に、
デュメットリード線の一部を含んでサーミスタ素体にガ
ラス管を被覆し、溶融封止した。
【００２７】サーミスタ素体として、正特性サーミスタ
素子を用いた場合 ＢａＴｉＯ３系の酸化物からなる厚さ約０．２ｍｍの焼
結ウェハーの両面に、Ａｇ系導電性ペーストを塗布して
乾燥した後、約６００℃で焼成してＡｇ系導電層を形成
した。次に、Ａｇ系導電層の上面に、電子ビーム蒸着に
よってＮｉ−Ｃｒ合金薄膜を蒸着した。この際、蒸着レ
ートは約３０００Å／分、厚さは約１５０００Å、基板
加熱温度は約２００℃とした。次に、このウェハーをダ
イシング加工によって０．５ｍｍ×０．５ｍｍの大きさ
に切断して素体化した後、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜の表
面に外径０．２ｍｍのデュメットリード線をパラレルギ
ャップ溶接によって溶接した。最後に、デュメットリー
ド線の一部を含んでサーミスタ素体にガラス管を被覆
し、溶融封止した。
素子を用いた場合 ＢａＴｉＯ３系の酸化物からなる厚さ約０．２ｍｍの焼
結ウェハーの両面に、Ａｇ系導電性ペーストを塗布して
乾燥した後、約６００℃で焼成してＡｇ系導電層を形成
した。次に、Ａｇ系導電層の上面に、電子ビーム蒸着に
よってＮｉ−Ｃｒ合金薄膜を蒸着した。この際、蒸着レ
ートは約３０００Å／分、厚さは約１５０００Å、基板
加熱温度は約２００℃とした。次に、このウェハーをダ
イシング加工によって０．５ｍｍ×０．５ｍｍの大きさ
に切断して素体化した後、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜の表
面に外径０．２ｍｍのデュメットリード線をパラレルギ
ャップ溶接によって溶接した。最後に、デュメットリー
ド線の一部を含んでサーミスタ素体にガラス管を被覆
し、溶融封止した。
【００２８】ここで、このようにして得られた本実施例
によるガラス封止型サーミスタの特性を評価するため
に、図２に示した従来構造のガラス封止型サーミスタも
比較例として用意し、 （ａ）リード線接続後（ガラス封止前）のリード線股裂
き強度 （ｂ）高温保管試験（抵抗変化率） 負特性サーミスタ ３００℃×１０００Ｈｒ 正特性サーミスタ ２４０℃×１０００Ｈｒ （ｃ）冷熱サイクル試験（抵抗変化率） −５０〜２５〜２００℃ 各５分×１０００サイクル の試験をそれぞれ実施した。
によるガラス封止型サーミスタの特性を評価するため
に、図２に示した従来構造のガラス封止型サーミスタも
比較例として用意し、 （ａ）リード線接続後（ガラス封止前）のリード線股裂
き強度 （ｂ）高温保管試験（抵抗変化率） 負特性サーミスタ ３００℃×１０００Ｈｒ 正特性サーミスタ ２４０℃×１０００Ｈｒ （ｃ）冷熱サイクル試験（抵抗変化率） −５０〜２５〜２００℃ 各５分×１０００サイクル の試験をそれぞれ実施した。
【００２９】尚、サーミスタ素体としては、以下のよう
な特性を備えた負特性サーミスタと正特性サーミスタの
２種類を使用し、試料数は各々２０個とした。又、
（ｂ）高温保管試験と（ｃ）冷熱サイクル試験について
は、試験後における抵抗値変化を測定し、初期値からの
変化率で評価した。試験結果は表１に示した。
な特性を備えた負特性サーミスタと正特性サーミスタの
２種類を使用し、試料数は各々２０個とした。又、
（ｂ）高温保管試験と（ｃ）冷熱サイクル試験について
は、試験後における抵抗値変化を測定し、初期値からの
変化率で評価した。試験結果は表１に示した。
【００３０】・負特性サーミスタ Ｒ（３００℃）＝０．６０３ｋΩ、Ｂ定数（２００／３
００℃）＝５１３３Ｋ ・正特性サーミスタ Ｒ（２５℃）＝１．０ｋΩ、Ｔｃ（キュリー温度）＝２
４０℃
００℃）＝５１３３Ｋ ・正特性サーミスタ Ｒ（２５℃）＝１．０ｋΩ、Ｔｃ（キュリー温度）＝２
４０℃
【００３１】
【表１】
【００３２】表１を見ても判るように、本実施例による
ものは、股裂き強度は比較例と同程度であるものの、抵
抗値の変化は著しく減少しており、電極層とリード線と
を固着用導電性ペーストを使わず電気溶接によって接続
した効果が顕著に現われている。又、この現象は正特性
サーミスタと負特性サーミスタの両方に共通しているこ
とから、固着用導電性ペーストの劣化を強く示唆してい
る。
ものは、股裂き強度は比較例と同程度であるものの、抵
抗値の変化は著しく減少しており、電極層とリード線と
を固着用導電性ペーストを使わず電気溶接によって接続
した効果が顕著に現われている。又、この現象は正特性
サーミスタと負特性サーミスタの両方に共通しているこ
とから、固着用導電性ペーストの劣化を強く示唆してい
る。
【００３３】本発明は、上記の実施例に限定されるもの
ではない。例えば、上記実施例では、リード線が同一方
向に導出したラジアルリード型のサーミスタを例に挙げ
て説明したが、リード線が反対方向に導出したアキシャ
ルリード型のサーミスタについても本発明を適用するこ
とができる。
ではない。例えば、上記実施例では、リード線が同一方
向に導出したラジアルリード型のサーミスタを例に挙げ
て説明したが、リード線が反対方向に導出したアキシャ
ルリード型のサーミスタについても本発明を適用するこ
とができる。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、サ
ーミスタ素体の対向する両面に形成される電極層を、Ａ
ｇ系ペーストからなる導電層とＮｉ−Ｃｒ合金層の積層
体から構成したことにより、従来必要とされていたよう
な固着用の導電性ペーストを使用することなく、パラレ
ルギャップ溶接等の電気溶接によって、電極層とリード
線とを強固に接続することが可能になる。従って、サー
ミスタの抵抗−温度特性の劣化は極めて少なくなり、高
温動作でも長期間安定した温度−抵抗特性を維持するこ
とができる。
ーミスタ素体の対向する両面に形成される電極層を、Ａ
ｇ系ペーストからなる導電層とＮｉ−Ｃｒ合金層の積層
体から構成したことにより、従来必要とされていたよう
な固着用の導電性ペーストを使用することなく、パラレ
ルギャップ溶接等の電気溶接によって、電極層とリード
線とを強固に接続することが可能になる。従って、サー
ミスタの抵抗−温度特性の劣化は極めて少なくなり、高
温動作でも長期間安定した温度−抵抗特性を維持するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例を示す図で、ガラス封止型サ
ーミスタの断面図である。
ーミスタの断面図である。
【図２】従来のガラス封止型サーミスタの断面図であ
る。
る。
１…サーミスタ素体 ２…電極層 ２ａ…Ａｇ系ペーストからなる導電層 ２ｂ…Ｎｉ−Ｃｒ合金層 ３…デュメットリード線 ４…ガラス
Claims (1)
- 【請求項１】 サーミスタ素体の対向する両面に形成さ
れた電極層に、リード線の先端部が接続され、サーミス
タ素体及びリード線の接続部を含む先端部がガラスによ
って気密封止されてなるガラス封止型サーミスタにおい
て、前記電極層はＡｇ系ペーストからなる導電層と、そ
の上面に形成されたＮｉ−Ｃｒ合金層とから構成されて
おり、該Ｎｉ−Ｃｒ合金層に前記リード線が電気溶接に
よって接続されていることを特徴とするガラス封止型サ
ーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26088997A JPH1183641A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | ガラス封止型サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26088997A JPH1183641A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | ガラス封止型サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1183641A true JPH1183641A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17354167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26088997A Pending JPH1183641A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | ガラス封止型サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1183641A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111286A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Tdk Corp | サーミスタ |
| DE102009033718A1 (de) | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Tdk Corp. | Thermistor |
| JP2013197127A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子 |
| KR101321814B1 (ko) * | 2012-05-18 | 2013-10-28 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 저항가변소자 및 그 제조방법 |
| JP2014507671A (ja) * | 2011-03-09 | 2014-03-27 | ティーエスアイ テクノロジーズ エルエルシー | 応力に関連した温度測定誤差を除去するように構成されたマイクロワイヤ温度センサおよびそのセンサの製造方法 |
| WO2014128996A1 (ja) * | 2013-02-21 | 2014-08-28 | 株式会社村田製作所 | チップ型正特性サーミスタ素子 |
| DE102014110553A1 (de) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Epcos Ag | Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
| DE102014110560A1 (de) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Epcos Ag | Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP26088997A patent/JPH1183641A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111286A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Tdk Corp | サーミスタ |
| DE102009033718A1 (de) | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Tdk Corp. | Thermistor |
| JP2010056320A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Tdk Corp | サーミスタ |
| US7969278B2 (en) | 2008-08-28 | 2011-06-28 | Tdk Corporation | Thermistor |
| JP2014507671A (ja) * | 2011-03-09 | 2014-03-27 | ティーエスアイ テクノロジーズ エルエルシー | 応力に関連した温度測定誤差を除去するように構成されたマイクロワイヤ温度センサおよびそのセンサの製造方法 |
| JP2013197127A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子 |
| KR101321814B1 (ko) * | 2012-05-18 | 2013-10-28 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 저항가변소자 및 그 제조방법 |
| WO2014128996A1 (ja) * | 2013-02-21 | 2014-08-28 | 株式会社村田製作所 | チップ型正特性サーミスタ素子 |
| DE102014110553A1 (de) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Epcos Ag | Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
| DE102014110560A1 (de) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Epcos Ag | Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung |
| US10861624B2 (en) | 2014-07-25 | 2020-12-08 | Epcos Ag | Sensor element, sensor arrangement, and method for manufacturing a sensor element |
| US11346726B2 (en) | 2014-07-25 | 2022-05-31 | Epcos Ag | Sensor element, sensor arrangement, and method for manufacturing a sensor element and a sensor arrangement |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4033331B2 (ja) | サーミスタおよびその製造方法 | |
| US7832616B2 (en) | Methods of securing a thermocouple to a ceramic substrate | |
| JPH0749277A (ja) | 圧力センサ及び圧力センサの製法 | |
| KR970705012A (ko) | 온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법 | |
| JPH1183641A (ja) | ガラス封止型サーミスタ | |
| US4712085A (en) | Thermistor element and method of manufacturing the same | |
| JP2000150204A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ及びチップ型ｎｔｃサーミスタ | |
| US6344790B1 (en) | Electronic device such as a thermistor and the like with improved corrosion resistance | |
| CA2368337C (en) | Thermistor and method of manufacture | |
| JPH0262502B2 (ja) | ||
| JPS6333282B2 (ja) | ||
| JPH07167715A (ja) | 複合サーミスタ温度センサ | |
| JP3166784B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JP2880009B2 (ja) | 流量計用検出素子 | |
| JPS622683B2 (ja) | ||
| JPH0379844B2 (ja) | ||
| JPH01235307A (ja) | ガラス封入サーミスタの製造法 | |
| JPH02123701A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11340004A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH06208906A (ja) | サーミスタ素子の製造方法 | |
| JPH01230258A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04181679A (ja) | ＡｌＮセラミックスヒータ用電極形成方法 | |
| JPH01232635A (ja) | 含浸形陰極構体の製造方法 | |
| JPH03136203A (ja) | ガラス封止型サーミスタ | |
| JPH0344402B2 (ja) |