JP2880009B2 - 流量計用検出素子 - Google Patents
流量計用検出素子Info
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Landscapes
- Measuring Volume Flow (AREA)
Description
抗値の温度依存性を利用して、例えば内燃機関における
流体の流量或いは流速を検出する熱式流量計等に好適に
用いられる、流量計用検出素子に関するものである。
形構造のものや板状構造のものが知られており、例えば
前者の構造の素子にあっては、図1に示されるように、
アルミナ等からなる、外径が0.5mm程度のセラミック
パイプ2の外表面に、所定の抵抗値を有するように白金
薄膜8がパターン形成される一方、該セラミックパイプ
2の両端部には、0.2mmφ程度の白金線等からなるリ
ード4が挿入され、そしてそれが、白金とガラスの混合
ペースト等の導電性の接着剤を用いて接着せしめられる
ことによって、かかるセラミックパイプ2に対するリー
ド4の固定が実現されると共に、リード4と白金薄膜8
との電気的接続部6が形成され、該セラミックパイプ2
の両端部において、前記白金薄膜8とリード4とが導通
せしめられるようになっている。また、かかる検出素子
では、抵抗体の抵抗値変化を防止して、素子の耐久性を
向上させるために、白金薄膜8部分に、これを被覆する
ガラスコーティング層10が形成されている。なお、こ
こでは、導電性の接着剤を用いて、リード4の固定と同
時にリード4と白金薄膜8との電気的接続が共に実現さ
れているが、これに変えて、セラミックパイプ2に対す
るリード4の固定を固着力の強い接着剤にて行なう一
方、リード4と白金薄膜8との電気的接続を、導電性に
優れたペーストを用いて別個に行なうこともある。
て、冷熱試験(0℃以下の雰囲気中で、通電による加熱
操作と、通電を遮断することによる冷却操作を繰り返
す)を行なうと、抵抗値が変化する現象が認められるの
である。本発明者らが、この現象について種々検討した
結果、リード4と白金薄膜8との導通手段となっている
導電性接着剤乃至は導電性ペーストによる電気的接続部
6の内部や、或いはかかる電気的接続部6とリード4と
の境界若しくは電気的接続部6と白金薄膜8との境界
に、空気中の水分が侵入することが原因であることが判
った。つまり、侵入した水分が、冷却時に凍結して、体
積膨張し、加熱時には融解するといったことを繰り返す
ことにより、電気的接続部6の内部或いは前記境界部分
に亀裂が生じて、抵抗値が上昇してしまうのである。
示されている検出素子の如く、検出素子の応答性を向上
させるために、導電性の接着剤からなる電気的接続部6
がポーラスな構造を有している場合においては、このよ
うな水分侵入による抵抗値変化が更に大きな問題となる
のである。
じみが悪い場合には、その間に隙間が生じ易いため、水
分が侵入し易くなり、その結果、検出素子の抵抗値変化
が惹起せしめられ易いのである。具体的には、リード4
が卑金属からなる場合には、空気等の酸化性雰囲気中で
焼成すると、リードに酸化膜ができて、電気的接続部6
とのなじみが悪くなり、更にそのような酸化膜の膨張に
よって、リード4と電気的接続部6との間に隙間ができ
易くなるのである。また、リード4が貴金属からなる場
合には、電気的接続部6を構成する接着剤/ペーストに
含まれるガラス成分とのなじみが悪いために、リードと
電気的接続部6との間に同じく隙間ができ易くなるので
ある。
されたものであって、その解決課題とするところは、上
記の如き検出素子におけるリードと抵抗体との間の電気
的接続部の内部、或いはかかる電気的接続部とリードと
の境界若しくは電気的接続部と抵抗体との境界に、空気
中の水分が侵入することを防止して、かかる検出素子の
抵抗値変化を防止することにある。
に、本発明にあっては、セラミック基体と、該基体上に
設けられた抵抗体と、前記基体に対して接着剤により接
着、固定されて、該抵抗体に電気的に接続せしめられる
リードとを含んで構成される流量計用検出素子であっ
て、前記抵抗体とリードとの電気的接続部の外表面の全
面を覆い且つ該抵抗体及びリードのそれぞれの少なくと
も該接続部側の外表面を覆うように、耐熱気密質物質か
らなる被覆が施されていることを特徴とする流量計用検
出素子を、その要旨とするものである。
ては、抵抗体とリードとの間の電気的接続部の外表面
と、該電気的接続部から抵抗体に跨がる部位及び該電気
的接続部からリードに跨がる部位とが、耐熱気密質物質
で気密に被覆せしめられているところから、それら電気
的接続部の内部への空気中の水分の侵入、及び電気的接
続部と抵抗体の境界部分や電気的接続部とリードの境界
部分への空気中の水分の侵入が阻止される。それ故、水
分の凍結・融解による導通部の亀裂が良好に防止され
て、そのような亀裂に起因する素子の抵抗値変化が良好
に防止されるようになるのである。従って、従来の検出
素子に比して、極めて安定に、設定された抵抗値を維持
することができ、検出素子の耐久性を効果的に向上させ
ることが可能となったのである。
子は、耐熱気密質物質からなる気密の被覆部分を除き、
従来の素子と同様な構造を有するものであって、その一
例が、図2に示されている。そこにおいて、セラミック
基体としては、アルミナ等の公知のセラミック材料から
なるパイプ状のボビン12が用いられており、その外周
面には、白金等からなる抵抗体薄膜18が、従来と同様
にして、所定パターンにおいて設けられている。また、
ボビン12の両端部には、例えば白金線等のリード1
4,14が、それぞれ所定長さ挿入せしめられた状態に
おいて、導電性の接着剤にて接着せしめられて、ボビン
12に対するリード14,14の固定が実現されると共
に、該接着剤にて抵抗体薄膜18とリード14とを接続
する電気的接続部16が形成されている。
性の接着剤としては、セラミックと金属を接合するため
の従来から公知のものを使用することができ、通常は、
接着強度を高めるためにガラスが配合された白金ペース
トが選択され、これにより高い接着強度が達成されると
共に、リード14と抵抗体薄膜18との間の電気的導通
が良好に達成されることとなる。特に、ガラスの中で
も、ZnO・B2 O3 ・SiO2 系等の結晶化ガラスを
配合することが望ましく、それによって強度を効果的に
向上させることができる。
ビン12の全体を覆うように、ガラスにて気密の被覆層
20が設けられているのである。即ち、この被覆層20
は、抵抗体薄膜18を覆い、更に、該抵抗体薄膜18と
リード14との電気的接続部16の外表面を、該電気的
接続部16から抵抗体薄膜18に跨がる部位及び該電気
的接続部16からリード14に跨がる部位とを含んで、
一体に覆うように設けられている。それによって、電気
的接続部16の外表面と、電気的接続部16と抵抗体薄
膜18との境界部分及び電気的接続部16とリード14
との境界部分が、何れも、ガラスにて密封されているの
であり、それら電気的接続部16の内部や、前記境界部
分への空気中の水分の侵入が良好に防止されて、導通部
の亀裂による検出素子の抵抗値の上昇が回避されるよう
になっている。つまり、この検出素子では、ガラスが耐
熱気密質物質として用いられて、設定された抵抗値が安
定して維持され得るようになっており、耐久性が有利に
向上せしめられているのである。また、ここでは、抵抗
体薄膜18も被覆層20にて覆われているため、抵抗体
薄膜18の酸化や損傷も良好に防止されるようになって
いる。
れているガラスは、白金等の貴金属とのなじみが良くな
いため、白金線や白金でコーティングしたワイヤ等をリ
ード14とする場合には、被覆層20とリード14との
接触長さ乃至は接着長さ(図2において、tで示す)を
長くして、密着性を高めることが望ましい。また、少な
くともガラスの被覆層20とリード14との境界部分に
金属膜を更に形成して、ガラスの被覆層20とリード1
4との密着性を補うようにしても良い。
の種々の耐熱気密質物質にて形成することができ、例え
ば白金等の耐熱性の金属や、ポリイミド等の材質のもの
が好適に用いられ、また、それらを適宜に組み合わせて
使用することも可能である。例えば、図3に示される検
出素子では、白金等の耐熱性の金属からなる被覆層24
がボビン12の両端部にそれぞれ形成されて、電気的接
続部16の外表面及び前記境界部分が気密に被覆されて
いる。かかる検出素子では、金属被覆層24と、抵抗体
薄膜18やリード14との密着性が高いことから、優れ
た気密性が得られるのである。なお、このような素子で
は、抵抗体薄膜18が白金の場合には、被覆層24も同
種の白金にて形成することが好ましい。また、22は、
抵抗体薄膜18を保護するために設けられたガラスコー
ティング層である。
質として採用する場合には、熱衝撃による割れを防止す
るために、熱膨張係数が、基体の熱膨張係数と同程度
か、より小さいガラスやポリイミドを選択することが望
ましい。例えば、基体がアルミナの場合には、30〜3
00℃の温度領域において、3〜80×10-7/℃程度
の熱膨張係数を有するものが良い。特に、ポリイミド
は、一般に熱膨張係数が大きいことから、低熱膨張性の
ものを選択することが望ましく、30〜300℃の温度
領域において、1×10-5/℃以下のものが有利に選択
される。なお、そのような低熱膨張性のポリイミドとし
ては、パイラリンPI−2611D(商品名、米国:デ
ュポン社製)等の名称にて市販されており、それらの何
れも利用することができる。
造は、何等、上記の実施例のものに限定されるものでは
なく、必要に応じて、適宜に変更することが可能であ
る。例えば、図4に示される検出素子の如く、前記導電
性接着剤と同様なガラス−Pt混合ペースト等の導電性
のペーストからなる電気的接続部28において、抵抗体
薄膜18とリード14との導通を取る一方、ガラス−N
i混合ペースト等の固定力(固着力)の高い接着剤から
なる固着部26においてリード14とボビン12の固定
強度を高めるようにしても良い。更に、電気的接続部1
6,28の熱伝導率を効果的に低減させ、素子の応答性
を高めるために、電気的接続部16,28をポーラスと
することも効果的であって、本発明に従う検出素子で
は、そのような場合に、空気中の水分の侵入を良好に防
止して、素子の耐久性を向上させることができるのであ
る。
特徴は、また、以下に示す冷熱試験の結果より容易に認
識され得るところである。なお、冷熱試験は、−50℃
雰囲気中に検出素子を設置して、10分間通電して、素
子温度を、周囲温度(−50℃)+200℃〜250℃
にまで加熱した後、10分間通電を遮断して、周囲温度
(−50℃)にまで冷却するといった加熱・冷却操作
を、120時間、繰り返した。そして、試験前後の検出
素子の抵抗値の変化率を求めた。なお、試験例1〜4で
はn=5の平均値、試験例5ではn=3の平均値におい
て示した。
出素子を得るべく、内径:0.3mmφ、外径:0.5mm
φ、長さ2mmのアルミナボビン12をセラミック基体と
して用い、その外周面に白金薄膜(厚さ:0.8μm)
をスパッタリングにより形成した後、レーザートリミン
グによってスパイラル状の切り溝を入れ、抵抗値が10
0Ωとなるように抵抗体薄膜18を形成した。一方、作
業温度が750℃のガラス:90容量%にニッケル粉
末:10容量%を配合し、更に有機バインダ及びテルピ
ネオールを加えてなる接着用のガラスペーストを用意
し、0.2mmφのステンレス線(SUS304)からな
るリード14を、上記アルミナボビン12の両端部にそ
れぞれ挿入して、該ガラスペーストにて固定し、乾燥せ
しめた後、窒素雰囲気中において750℃の温度で10
分間焼成することにより、該アルミナボビン12の両端
部に、ガラスペーストからなる接着部26によって、リ
ード14をそれぞれ接着固定せしめた。
部に、白金:50容量%とガラス:50容量%からなる
導電性ペーストを塗って、700℃の温度で5分間焼成
することにより、リード14と抵抗体薄膜18とに接続
する電気的接続部28を形成した。更に、その後、抵抗
体薄膜18と、電気的接続部28の外表面と、該電気的
接続部28と抵抗体薄膜18又はリード14との境界部
分とを被覆するようにガラスをかけて、600℃で10
分間焼成することにより、全体にガラス被覆層20を形
成せしめ、目的とする検出素子を完成した。なお、前記
導電性ペーストは気孔率が約20 vol%であり、ポーラ
スであった。また、ガラス被覆層20の熱膨張係数は、
40×10-7/℃であり、アルミナの熱膨張係数の約1
/2であった。
の冷熱試験を実施したところ、抵抗値の変化率は0.3
%以下であり、極めて優れた耐久性を示した。
を得るべく、先ず、セラミック基体として、内径:0.
20mmφ、外径:0.45mmφ、長さ:2.5mmのアル
ミナボビン12を用い、その外表面に、試験例1と同様
にして、白金薄膜からなる、抵抗値が100Ωの抵抗体
薄膜18を形成した。次いで、かかるアルミナボビン1
2の両端部に、40%Ni−Feワイヤの表面に3μm
の厚さでPtメッキを施してなる0.13mmφのリード
14を挿入し、Pt:60容量%とガラス:40容量%
からなる導電性ペーストを用いて、それぞれ取り付け、
空気中において700℃×5分の焼成を行なって、電気
的接続部16を形成した。そして、アルミナボビン12
の外周面にガラスをかけ、空気中で680℃×5分の焼
き付けを行ない、抵抗体薄膜18を覆うガラスコーティ
ング層22を設けた。更にその後、かかるアルミナボビ
ン12の両端部に、真空蒸着により約1mmの厚さの白金
膜を形成して、電気的接続部16の外表面と、該電気的
接続部16と抵抗体薄膜18又はリード14との境界部
分とを被覆する被覆層24を設け、目的とする検出素子
を得た。
の冷熱試験を実施したところ、抵抗値の変化率は0.3
%以下であり、極めて優れた耐久性を示した。
を得るべく、先ず、セラミック基体として、内径:0.
20mmφ、外径:0.45mmφ、長さ:2.5mmのアル
ミナボビン12を用い、その外表面に、試験例1と同様
にして、白金薄膜からなる、抵抗値が100Ωの抵抗体
薄膜18を形成した。次いで、かかるアルミナボビン1
2の両端部に、40%Ni−Feワイヤの表面に3μm
の厚さでPtメッキを施してなる0.13mmφのリード
14を挿入し、Pt:60容量%とガラス:40容量%
からなる導電性ペーストを用いて、それぞれ取り付け、
空気中において700℃×5分焼成を行ない、電気的接
続部16を形成した。その後、抵抗体薄膜18と、電気
的接続部16の外表面と、該電気的接続部16と抵抗体
薄膜18又はリード14との境界部分とを被覆するよう
に、ガラスをかけ、空気中で680℃×5分の焼き付け
を行ない、ガラス被覆層20を形成し、目的とする検出
素子を得た。
の冷熱試験を実施したところ、抵抗値の変化率は0.3
%以下であり、極めて優れた耐久性を示した。
て、抵抗体薄膜18と、電気的接続部16の外表面と、
該電気的接続部16と抵抗体薄膜18又はリード14と
の境界部分とを被覆する被覆層20を、ガラスに代えて
ポリイミド(米国:デュポン社製、商品名:パイラリン
PI−2611D)にて形成し、目的とする検出素子を
得た。なお、ポリイミドからなる被覆層(20)は、ポ
リイミド材料を適用した後、N2 雰囲気中で、400℃
×30分間焼き付けることにより、形成した。
の冷熱試験を実施したところ、抵抗値の変化率は0.3
%以下であり、極めて優れた耐久性を示した。
において、ガラスコーティング層22のみを設けて、電
気的接続部16及び境界部分を覆う被覆層24を設けず
に、前記の冷熱試験を実施したところ、抵抗値の変化率
が1〜3%の間でばらついて、耐久性が低く且つ不安定
であることが認められた。
ミック基体を用いた検出素子について詳述したが、本発
明が板状の基体を用いた検出素子等にも適用され得るこ
とは言うまでもないところである。また、本発明には、
本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識
に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るもの
であることが、理解されるべきである。
る。
である。
図である。
説明図である。
ィング層 24 被覆層 26 接着部 28 電気的接続部
Claims (3)
- 【請求項1】 円筒状のセラミック基体と、該基体の外
周面上に設けられた薄膜抵抗体と、前記基体の端部内孔
内に挿入されて、該基体に対して接着剤により接着、固
定されたリードと、該接着剤として導電性接着剤を用い
ることにより、或いは導電性ペーストを用いて形成され
た、前記薄膜抵抗体とリードとを電気的に接続する電気
的接続部とを含んで構成される流量計用検出素子であっ
て、 前記薄膜抵抗体とリードとの電気的接続部の外表面の全
面を覆い且つ該薄膜抵抗体及びリードのそれぞれの少な
くとも該接続部側の外表面を覆うように、前記基体と同
一若しくはそれよりも小さな熱膨張係数を有する耐熱気
密質物質からなる被覆が施されていることを特徴とする
流量計用検出素子。 - 【請求項2】 前記耐熱気密質物質がガラスであること
を特徴とする請求項1記載の流量計用検出素子。 - 【請求項3】 前記耐熱気密質物質がポリイミドである
ことを特徴とする請求項1記載の流量計用検出素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3233967A JP2880009B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 流量計用検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3233967A JP2880009B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 流量計用検出素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0552628A JPH0552628A (ja) | 1993-03-02 |
JP2880009B2 true JP2880009B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=16963447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3233967A Expired - Lifetime JP2880009B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 流量計用検出素子 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2880009B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP3233967A patent/JP2880009B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH0552628A (ja) | 1993-03-02 |
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