JPH04181679A - AlNセラミックスヒータ用電極形成方法 - Google Patents
AlNセラミックスヒータ用電極形成方法Info
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- JPH04181679A JPH04181679A JP30629890A JP30629890A JPH04181679A JP H04181679 A JPH04181679 A JP H04181679A JP 30629890 A JP30629890 A JP 30629890A JP 30629890 A JP30629890 A JP 30629890A JP H04181679 A JPH04181679 A JP H04181679A
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- heating element
- electrode
- aln ceramic
- lead wire
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はAffNセラミックスヒータ用電極形成方法に
関する。
関する。
[従来の技術]
セラミックス基体上に発熱を目的とする金属層を形成し
たセラミックスヒータは、家庭電化製品、各種製造装置
等に広く使用され始めている。
たセラミックスヒータは、家庭電化製品、各種製造装置
等に広く使用され始めている。
セラミックスヒータ材として一般にアルミナが使用され
ているが、熱伝導性、耐熱衝撃性に問題がある。一方、
高熱伝導性セラミックスであるApNは熱応答性、均熱
性、耐熱衝撃性という点で優れており、ヒータ材として
有望視されている。
ているが、熱伝導性、耐熱衝撃性に問題がある。一方、
高熱伝導性セラミックスであるApNは熱応答性、均熱
性、耐熱衝撃性という点で優れており、ヒータ材として
有望視されている。
[発明が解決しようとする課題]
AflNセラミックスヒータでも様々な形状のAρへ基
体上の発熱体を形成した後に、通電のためにリード線を
取付ける必要がある。しかし、このようなヒータの使用
温度は、半田の融点よりもはるかに高いので、半田を用
いることはできない。
体上の発熱体を形成した後に、通電のためにリード線を
取付ける必要がある。しかし、このようなヒータの使用
温度は、半田の融点よりもはるかに高いので、半田を用
いることはできない。
発熱体とリード線をろう材等で直接接合すると、発熱体
自体にすべての外力がかかるので、発熱体が破損しやす
くなる。また、機械的固定手段では、セラミックス基体
の形状により採用できない場合がある上に、通電中にリ
ード線と発熱体の接触部に熱が発生するという問題があ
った。
自体にすべての外力がかかるので、発熱体が破損しやす
くなる。また、機械的固定手段では、セラミックス基体
の形状により採用できない場合がある上に、通電中にリ
ード線と発熱体の接触部に熱が発生するという問題があ
った。
本発明者は、AlNセラミックスヒータにおいて、Af
fN及びリード線に接合し、発熱体との接触抵抗が非常
に低い材料である活性金属を含有する銀ろうを電極とし
て採用し、この電極を発熱体の端部およびAlNセラミ
ックス基体表面にわたって形成し、リード線をこの電極
に接合した場合、発熱体にかかる外力を軽減できるため
に発熱体の耐久性が向上するだけではな(、発熱体、電
極、リード線間の接触抵抗が非常に低いために、接触部
での発熱を防止できることを発見した。
fN及びリード線に接合し、発熱体との接触抵抗が非常
に低い材料である活性金属を含有する銀ろうを電極とし
て採用し、この電極を発熱体の端部およびAlNセラミ
ックス基体表面にわたって形成し、リード線をこの電極
に接合した場合、発熱体にかかる外力を軽減できるため
に発熱体の耐久性が向上するだけではな(、発熱体、電
極、リード線間の接触抵抗が非常に低いために、接触部
での発熱を防止できることを発見した。
本発明の目的は、このような電極を形成する方法を提供
することにある。
することにある。
[課題を解決するための手段1
本発明は、AlNセラミックス基体上に発熱体を形成し
た後に、この発熱体の端部及びA&Nセラミックス基体
上にわたって、活性金属を含有する銀ろうからなる電極
を形成することを特徴とするAflNセラミックスヒー
タ用電極形電極形成法。
た後に、この発熱体の端部及びA&Nセラミックス基体
上にわたって、活性金属を含有する銀ろうからなる電極
を形成することを特徴とするAflNセラミックスヒー
タ用電極形電極形成法。
[作用]
本発明の具体的構成を作用と共に説明する。
本発明のAffNセラミックスヒータ用電極形成法を以
下に示す。
下に示す。
まず、Aj2Nセラミックス基体上に発熱体を形成する
。発熱体の形成法とし、では、例えば、AffNセラミ
ックス基体上に発熱体ペーストをスクリーン印刷し、空
気中もしくは酸化雰囲気中で850〜1000°Cで焼
成し、発熱体を形成する方法があるが、これに限定され
るわけではない。
。発熱体の形成法とし、では、例えば、AffNセラミ
ックス基体上に発熱体ペーストをスクリーン印刷し、空
気中もしくは酸化雰囲気中で850〜1000°Cで焼
成し、発熱体を形成する方法があるが、これに限定され
るわけではない。
発熱体ペーストとして(i、有機バイシダー中にPt、
Pd、Ag等の金属粉末及び5i02−CaO−B20
3 、S i○2.5i02−PbO−B203等のガ
ラスフリットを含むペーストが好適である。
Pd、Ag等の金属粉末及び5i02−CaO−B20
3 、S i○2.5i02−PbO−B203等のガ
ラスフリットを含むペーストが好適である。
次に、活性金属としてTj、Zr、Hf、Nb等から選
択された1種類以上を含有させた銀ろうを発熱体の端部
及びAρ\セラミックス基体上にわたってろう付けし、
電極を形成する。活性金属の含有量は0.01〜15重
量%が好ましく、0.1〜5重量%がより好ましい。
択された1種類以上を含有させた銀ろうを発熱体の端部
及びAρ\セラミックス基体上にわたってろう付けし、
電極を形成する。活性金属の含有量は0.01〜15重
量%が好ましく、0.1〜5重量%がより好ましい。
ろう付は温度は、700〜900℃が好ましく、750
〜850℃がさらに好適である。保持時間は1分〜12
時間が好ましく、10分〜5時間がより好ましい。ろう
付けは、IXl、0−3Torr以下の真空中、または
N2 、Ar、82等の非酸化性雰囲気中で行う。リー
ド線は電極形成時(二電極に接合することが好ましく、
材質は一般に使用されているものであれば特に制限はな
く、例えば、Ag、Njなどでよい。
〜850℃がさらに好適である。保持時間は1分〜12
時間が好ましく、10分〜5時間がより好ましい。ろう
付けは、IXl、0−3Torr以下の真空中、または
N2 、Ar、82等の非酸化性雰囲気中で行う。リー
ド線は電極形成時(二電極に接合することが好ましく、
材質は一般に使用されているものであれば特に制限はな
く、例えば、Ag、Njなどでよい。
活性金属を含有させた銀ろう電極はAβNに強力に接合
しているため、リード線をAl2N基体上の電極部分に
接合すれば、リード線を強固に固定できるだけではなく
、リード線を通して発熱体にかかる外力を大幅に軽減す
ることができる。また、電極の組成の大部分がAgとC
uであるために発熱体と電極の接触抵抗は極めて低く、
通電時の接点での発熱を防ぐことができる。
しているため、リード線をAl2N基体上の電極部分に
接合すれば、リード線を強固に固定できるだけではなく
、リード線を通して発熱体にかかる外力を大幅に軽減す
ることができる。また、電極の組成の大部分がAgとC
uであるために発熱体と電極の接触抵抗は極めて低く、
通電時の接点での発熱を防ぐことができる。
「実施例〕
実施例」
AffN基板上に発熱体を形成した後に発熱体端部及び
A42N基板上にわたって、Ag : Cu :Ti=
68:31:3からなる銀ろう’ff33 m m X
3mmX0.05mmを固定し、真空中で820 ℃×
5分でろう付けし、電極を形成した。同時に直径0.2
m mのN i traをリード線として電極に接合
した。第1図に電極部の模式断面図を示した。
A42N基板上にわたって、Ag : Cu :Ti=
68:31:3からなる銀ろう’ff33 m m X
3mmX0.05mmを固定し、真空中で820 ℃×
5分でろう付けし、電極を形成した。同時に直径0.2
m mのN i traをリード線として電極に接合
した。第1図に電極部の模式断面図を示した。
AffN基板1上に発熱体2を形成し、発熱体2の端部
とAl2N基板1の双方にわたって電極を形成している
。また、リード線4はAffN基板1上の電極部分に接
合している。
とAl2N基板1の双方にわたって電極を形成している
。また、リード線4はAffN基板1上の電極部分に接
合している。
形成したAβNセラミックスヒータに通電し、上限温度
700℃で、電圧印加時間1.5時間、朱印船時間0.
5時間のサイクルで、数日試験したが電極、リード線の
異常または発熱による断線は認められなかった。
700℃で、電圧印加時間1.5時間、朱印船時間0.
5時間のサイクルで、数日試験したが電極、リード線の
異常または発熱による断線は認められなかった。
実施例2
AlN基体上に発熱体を形成した後に発熱体端部及びA
l2N基体上にわたって、Ag : Cu :Hf:N
b=65+30:3:2で金属粒子の重量率が65%で
ある銀ろうペーストを印刷し、脱脂工程を経た後に79
0℃×15分で真空ろう付けをし、電極を形成した。同
時に、直径0.3 m mのAg線をリード線として電
極に接合した。
l2N基体上にわたって、Ag : Cu :Hf:N
b=65+30:3:2で金属粒子の重量率が65%で
ある銀ろうペーストを印刷し、脱脂工程を経た後に79
0℃×15分で真空ろう付けをし、電極を形成した。同
時に、直径0.3 m mのAg線をリード線として電
極に接合した。
形成したAffNセラミックスヒータに通電し、上限温
度760℃で、電圧印加時間1.5時間、未印加時間0
.5時間のサイクルで、数日試験したが電極、リード線
の異常または発熱による断線は認められなかった。
度760℃で、電圧印加時間1.5時間、未印加時間0
.5時間のサイクルで、数日試験したが電極、リード線
の異常または発熱による断線は認められなかった。
[発明の効果]
本発明の電極にリード線を接合することにより、電極の
接合温度以下でヒータを動作させることが可能となった
。本電極構造により発熱体へリード線を通じて働く外力
を軽減することができるので発熱体の耐久性が向上した
。また、電極と発熱体の接触抵抗も十分低くなり、接触
部で発熱することもなくなった。
接合温度以下でヒータを動作させることが可能となった
。本電極構造により発熱体へリード線を通じて働く外力
を軽減することができるので発熱体の耐久性が向上した
。また、電極と発熱体の接触抵抗も十分低くなり、接触
部で発熱することもなくなった。
第1図は本発明の実施例の模式的断面図である。
Claims (1)
- 1 AlNセラミックス基体上に発熱体を形成した後、
該発熱体の端部及びAlNセラミックス基体表面の両方
に亘って、活性金属を含有する銀ろうからなる電極を形
成することを特徴とするAlNセラミックスヒータ用電
極形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30629890A JPH04181679A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | AlNセラミックスヒータ用電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30629890A JPH04181679A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | AlNセラミックスヒータ用電極形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04181679A true JPH04181679A (ja) | 1992-06-29 |
Family
ID=17955417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30629890A Pending JPH04181679A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | AlNセラミックスヒータ用電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04181679A (ja) |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP30629890A patent/JPH04181679A/ja active Pending
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