JPH1174420A - 表面実装型チップ部品及びその製造方法 - Google Patents
表面実装型チップ部品及びその製造方法Info
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- JPH1174420A JPH1174420A JP9245926A JP24592697A JPH1174420A JP H1174420 A JPH1174420 A JP H1174420A JP 9245926 A JP9245926 A JP 9245926A JP 24592697 A JP24592697 A JP 24592697A JP H1174420 A JPH1174420 A JP H1174420A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板と充填樹脂の膨張・収縮による悪影
響で信頼性を欠く。 【解決手段】 ＬＥＤ素子収納凹部１２を形成したエポ
キシ樹脂製の立体成形した絶縁基板１に、一対の上面電
極２ａ、２ｂと下面電極３ａ、３ｂと、上下面電極と連
なる側面電極４ａ、４ｂを形成する。一方の上面電極２
ａ上にＬＥＤ素子５を固着し、他方の上面電極２ｂ上に
ボンディングワイヤー６を接続し、エポキシ樹脂よりな
る封止樹脂８で封止する。ＬＥＤ素子収納凹部１２の底
面及び上方に広がる４面の傾斜面には、上面電極と干渉
しない空きスペースに、光反射用のダミーパターンが施
されて、上方への輝度アップが図られる。絶縁基板と封
止樹脂が共にエポキシ材で線膨張係数が一致するので、
基板と樹脂の剥離の恐れがなく、ＬＥＤ素子に与えるダ
メージの心配もない。高信頼性で安価な表面実装型チッ
プ部品が得られる。
響で信頼性を欠く。 【解決手段】 ＬＥＤ素子収納凹部１２を形成したエポ
キシ樹脂製の立体成形した絶縁基板１に、一対の上面電
極２ａ、２ｂと下面電極３ａ、３ｂと、上下面電極と連
なる側面電極４ａ、４ｂを形成する。一方の上面電極２
ａ上にＬＥＤ素子５を固着し、他方の上面電極２ｂ上に
ボンディングワイヤー６を接続し、エポキシ樹脂よりな
る封止樹脂８で封止する。ＬＥＤ素子収納凹部１２の底
面及び上方に広がる４面の傾斜面には、上面電極と干渉
しない空きスペースに、光反射用のダミーパターンが施
されて、上方への輝度アップが図られる。絶縁基板と封
止樹脂が共にエポキシ材で線膨張係数が一致するので、
基板と樹脂の剥離の恐れがなく、ＬＥＤ素子に与えるダ
メージの心配もない。高信頼性で安価な表面実装型チッ
プ部品が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話、ＦＡ機
器、ＯＡ機器及び一般電子機器に使用される表面実装型
チップ部品及びその製造方法に関する。
器、ＯＡ機器及び一般電子機器に使用される表面実装型
チップ部品及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器は、高性能化、多機能化
とともに小型化、軽量化を追求している。そのため電子
部品をプリント基板上に実装し、樹脂封止するものが多
い。表面実装型チップ部品の多くは略平行六面体形状を
しており、プリント基板上の配線パターンに半田付け等
の固着手段で接続される。
とともに小型化、軽量化を追求している。そのため電子
部品をプリント基板上に実装し、樹脂封止するものが多
い。表面実装型チップ部品の多くは略平行六面体形状を
しており、プリント基板上の配線パターンに半田付け等
の固着手段で接続される。
【０００３】前記一般的な従来の表面実装型チップ部品
について、図面に基づいてその概要を説明する。
について、図面に基づいてその概要を説明する。
【０００４】図７〜図１５は、従来の表面実装型チップ
部品及びその製造方法を示し、図７は、ガラスエポキシ
材よりなる集合絶縁基板の部分平面図。図８は、単個の
電極パターン平面図。図９は、ＬＥＤ素子の斜視図。図
１０〜図１５は、各工程を示す部分斜視図。図１６は、
単個の表面実装型チップ部品の斜視図。図２１は、図１
６のＡ−Ａ線断面図である。
部品及びその製造方法を示し、図７は、ガラスエポキシ
材よりなる集合絶縁基板の部分平面図。図８は、単個の
電極パターン平面図。図９は、ＬＥＤ素子の斜視図。図
１０〜図１５は、各工程を示す部分斜視図。図１６は、
単個の表面実装型チップ部品の斜視図。図２１は、図１
６のＡ−Ａ線断面図である。
【０００５】図１６及び図２１において、表面実装型チ
ップ部品１０について説明する。ガラエポ樹脂材よりな
る絶縁基板１ａの上面側に対向する一対の上面電極２
ａ、２ｂを設け、該一対の上面電極２ａ、２ｂは、それ
ぞれその裏面に下面電極３ａ、３ｂと、その側面に、前
記上面電極２ａ、２ｂ及び下面電極３ａ、３ｂと連なる
側面電極（スルーホール電極）４ａ、４ｂが形成されて
いる。前記一方の上面電極２ａのＡｕメッキされたダイ
ボンドパターンに導電性接着剤９（銀ペースト）でＬＥ
Ｄ素子５の一方の電極をダイポンドする。他方の上面電
極２ｂのＡｕメッキされたワイヤーボンドパターンに、
ＬＥＤ素子５の他方の電極をボンディングワイヤー（Ａ
ｕ線）６でワイヤーボンドして接続されている。
ップ部品１０について説明する。ガラエポ樹脂材よりな
る絶縁基板１ａの上面側に対向する一対の上面電極２
ａ、２ｂを設け、該一対の上面電極２ａ、２ｂは、それ
ぞれその裏面に下面電極３ａ、３ｂと、その側面に、前
記上面電極２ａ、２ｂ及び下面電極３ａ、３ｂと連なる
側面電極（スルーホール電極）４ａ、４ｂが形成されて
いる。前記一方の上面電極２ａのＡｕメッキされたダイ
ボンドパターンに導電性接着剤９（銀ペースト）でＬＥ
Ｄ素子５の一方の電極をダイポンドする。他方の上面電
極２ｂのＡｕメッキされたワイヤーボンドパターンに、
ＬＥＤ素子５の他方の電極をボンディングワイヤー（Ａ
ｕ線）６でワイヤーボンドして接続されている。
【０００６】前記絶縁基板１ａの上面電極２ａに接着さ
れたＬＥＤ素子５をとり囲むように、液晶ポリマー材で
樹脂成形され、上方に開口した窓部７ａを有する下面に
接着剤９ａを印刷した回路封止枠７を絶縁基板１ａに接
着して一体化している。前記窓部７ａの傾斜面７ｂは、
ＬＥＤ素子５の上面方向の輝度向上の機能を有してい
る。
れたＬＥＤ素子５をとり囲むように、液晶ポリマー材で
樹脂成形され、上方に開口した窓部７ａを有する下面に
接着剤９ａを印刷した回路封止枠７を絶縁基板１ａに接
着して一体化している。前記窓部７ａの傾斜面７ｂは、
ＬＥＤ素子５の上面方向の輝度向上の機能を有してい
る。
【０００７】前記ＬＥＤ素子５とボンディングワイヤー
６と、その接続部を保護するために、前記回路封止枠７
の上面と面一になるように、窓部７ａ内にエポキシ樹脂
よりなる封止樹脂８を注入して、樹脂封止することによ
り、表面実装型チップ部品１０が完成される。
６と、その接続部を保護するために、前記回路封止枠７
の上面と面一になるように、窓部７ａ内にエポキシ樹脂
よりなる封止樹脂８を注入して、樹脂封止することによ
り、表面実装型チップ部品１０が完成される。
【０００８】図７〜図１５により、前記表面実装型チッ
プ部品１０の製造方法について、その概要を説明する。
図７において、集合絶縁基板形成工程は、略四角形状を
したガラスエポキシ樹脂材よりなる上下両面が銅箔張り
された多数個取りする集合絶縁基板１Ａは、各列毎に複
数個のスルーホール１１をマトリックス状にＮＣ切削等
で加工し、前記集合絶縁基板１Ａのスルーホール１１の
内面を含む全表面を無電解、電解メッキにより銅メッキ
層を形成する。
プ部品１０の製造方法について、その概要を説明する。
図７において、集合絶縁基板形成工程は、略四角形状を
したガラスエポキシ樹脂材よりなる上下両面が銅箔張り
された多数個取りする集合絶縁基板１Ａは、各列毎に複
数個のスルーホール１１をマトリックス状にＮＣ切削等
で加工し、前記集合絶縁基板１Ａのスルーホール１１の
内面を含む全表面を無電解、電解メッキにより銅メッキ
層を形成する。
【０００９】次に、レジストフィルムを貼付し、マスク
を合わせ、露光、現像、エッチング後レジストを剥離す
る。更に、液状レジストを塗付し、マスク合わせ、露
光、現像後、電解メッキによりニッケルメッキ層を形成
し、電解メッキにより金メッキ層を形成する。
を合わせ、露光、現像、エッチング後レジストを剥離す
る。更に、液状レジストを塗付し、マスク合わせ、露
光、現像後、電解メッキによりニッケルメッキ層を形成
し、電解メッキにより金メッキ層を形成する。
【００１０】以上により、集合絶縁基板１Ａの上面側に
は、図８（図７の点線円で囲むＡ部）に示すように、対
向する一対の上面電極２ａ、２ｂと、下面側に対向する
一対の図示しない下面電極及び、前記上面電極２ａ、２
ｂ及び前記下面電極と連なるようにスルーホール電極４
ａ、４ｂが形成される。
は、図８（図７の点線円で囲むＡ部）に示すように、対
向する一対の上面電極２ａ、２ｂと、下面側に対向する
一対の図示しない下面電極及び、前記上面電極２ａ、２
ｂ及び前記下面電極と連なるようにスルーホール電極４
ａ、４ｂが形成される。
【００１１】ＬＥＤ素子５の構成は、図９に示すよう
に、ジャンクション５ａを挟み、Ｎ層５ｂとＰ層５ｃで
形成されている。ＬＥＤ素子５のダイボンド工程は、図
１０に示すように、ＬＥＤ素子５の一方の電極５ｄを、
集合絶縁基板１Ａに形成されている、個々の絶縁基板の
一方の上面電極２ａにダイボンディングして導電性接着
剤９等の固着手段で固着する。ワイヤーボンド工程は、
図１１において、ＬＥＤ素子５の他方の電極５ｅを、個
々の絶縁基板の他方の上面電極２ｂに示すごとくボンデ
ィングワイヤー６で接続する。
に、ジャンクション５ａを挟み、Ｎ層５ｂとＰ層５ｃで
形成されている。ＬＥＤ素子５のダイボンド工程は、図
１０に示すように、ＬＥＤ素子５の一方の電極５ｄを、
集合絶縁基板１Ａに形成されている、個々の絶縁基板の
一方の上面電極２ａにダイボンディングして導電性接着
剤９等の固着手段で固着する。ワイヤーボンド工程は、
図１１において、ＬＥＤ素子５の他方の電極５ｅを、個
々の絶縁基板の他方の上面電極２ｂに示すごとくボンデ
ィングワイヤー６で接続する。
【００１２】回路封止枠接着工程は、図１２及び図１３
に示すように、液晶ポリマー材よりなる集合回路封止枠
７Ａは、前記集合絶縁基板１Ａ上にダイボンドされたＬ
ＥＤ素子５の位置に合致するように、所定間隔に複数個
の窓部７ａが成形されている。前記集合回路封止枠７Ａ
は、その下面に事前に接着剤９ａ等を印刷しておき、Ｌ
ＥＤ素子５の周囲を取り囲むように、位置合わせして集
合絶縁基板１Ａに接着して一体化する。
に示すように、液晶ポリマー材よりなる集合回路封止枠
７Ａは、前記集合絶縁基板１Ａ上にダイボンドされたＬ
ＥＤ素子５の位置に合致するように、所定間隔に複数個
の窓部７ａが成形されている。前記集合回路封止枠７Ａ
は、その下面に事前に接着剤９ａ等を印刷しておき、Ｌ
ＥＤ素子５の周囲を取り囲むように、位置合わせして集
合絶縁基板１Ａに接着して一体化する。
【００１３】樹脂封止工程は、図１４に示すように、前
記集合回路封止枠７Ａの各窓部７ａ内に、ＬＥＤ素子５
及びボンディングワイヤー６の接続部を保護するため
に、エポキシ樹脂よりなる封止樹脂８で、集合回路封止
枠７Ａの上面と略面一になるように樹脂封止する。表面
実装型チップ部品集合体１０Ａが完成される。
記集合回路封止枠７Ａの各窓部７ａ内に、ＬＥＤ素子５
及びボンディングワイヤー６の接続部を保護するため
に、エポキシ樹脂よりなる封止樹脂８で、集合回路封止
枠７Ａの上面と略面一になるように樹脂封止する。表面
実装型チップ部品集合体１０Ａが完成される。
【００１４】切断工程は、図１５に示すように、表面実
装型チップ部品集合体１０Ａを、直交する２つのカット
ライン２（Ｘ方向のカットラインはスルーホール１１上
を通る）に沿ってダイシング等の切断手段で単個に分割
することにより、図１６で示す表面実装型チップ部品１
０が完成される。
装型チップ部品集合体１０Ａを、直交する２つのカット
ライン２（Ｘ方向のカットラインはスルーホール１１上
を通る）に沿ってダイシング等の切断手段で単個に分割
することにより、図１６で示す表面実装型チップ部品１
０が完成される。
【００１５】図１７〜図２０は、ＭＩＤ基板よりなる、
従来の他の表面実装型チップ部品及びその製造方法に係
わり、図１７は、ＭＩＤ基板よりなる集合絶縁基板の部
分平面図。図１８は、単個の電極パターン平面図。図１
９（ａ）〜（ｄ）は、各工程を示す部分斜視図。図２０
は、単個の表面実装型チップ部品の斜視図。図２２は、
図２０のＢ−Ｂ線断面図である。
従来の他の表面実装型チップ部品及びその製造方法に係
わり、図１７は、ＭＩＤ基板よりなる集合絶縁基板の部
分平面図。図１８は、単個の電極パターン平面図。図１
９（ａ）〜（ｄ）は、各工程を示す部分斜視図。図２０
は、単個の表面実装型チップ部品の斜視図。図２２は、
図２０のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１６】図２０及び図２２において、ＭＩＤ絶縁基
板１ｂは液晶ポリマー材よりなり、成形部品と立体的な
三次元回路を一体化させた射出成形回路部品で、上述し
た絶縁基板と回路封止枠の製造プロセスに比べて、回路
形成及び一体化組立が合理化されている。
板１ｂは液晶ポリマー材よりなり、成形部品と立体的な
三次元回路を一体化させた射出成形回路部品で、上述し
た絶縁基板と回路封止枠の製造プロセスに比べて、回路
形成及び一体化組立が合理化されている。
【００１７】図において、絶縁基板１ｂには、ＬＥＤ素
子収納凹部１２が、すり鉢状に形成されている。前記Ｌ
ＥＤ素子収納凹部１２を含み、上面側に対向する一対の
上面電極２ａ、２ｂと、下面側に対向する一対の下面電
極３ａ、３ｂ及び、前記上面電極２ａ、２ｂ及び前記下
面電極３ａ、３ｂと連なるように側面電極（長穴スルー
ホール電極）４ａ、４ｂが形成されている。上述と同様
に、前記一対の上面電極の一方の上面電極２ａの底部
に、ＬＥＤ素子５がダイボンドされ、他方の上面電極２
ｂにＡｕワイヤ等よりなるボンディングワイヤ６で接続
されている。前記ＬＥＤ素子５の周囲を囲むすり鉢状の
ＬＥＤ素子収納凹部１２は、Ａｕメッキされているの
で、ＬＥＤ素子５から発光した光を上面方向に反射し、
集光させるので、輝度向上が図られる。
子収納凹部１２が、すり鉢状に形成されている。前記Ｌ
ＥＤ素子収納凹部１２を含み、上面側に対向する一対の
上面電極２ａ、２ｂと、下面側に対向する一対の下面電
極３ａ、３ｂ及び、前記上面電極２ａ、２ｂ及び前記下
面電極３ａ、３ｂと連なるように側面電極（長穴スルー
ホール電極）４ａ、４ｂが形成されている。上述と同様
に、前記一対の上面電極の一方の上面電極２ａの底部
に、ＬＥＤ素子５がダイボンドされ、他方の上面電極２
ｂにＡｕワイヤ等よりなるボンディングワイヤ６で接続
されている。前記ＬＥＤ素子５の周囲を囲むすり鉢状の
ＬＥＤ素子収納凹部１２は、Ａｕメッキされているの
で、ＬＥＤ素子５から発光した光を上面方向に反射し、
集光させるので、輝度向上が図られる。
【００１８】上述と同様に、絶縁基板１ｂのＬＥＤ素子
収納凹部１２に、ＬＥＤ素子５及びボンディングワイヤ
ー６と、その接続部を保護するために、エポキシ樹脂等
の封止樹脂８で封止して、表面実装型チップ部品２０が
完成される。
収納凹部１２に、ＬＥＤ素子５及びボンディングワイヤ
ー６と、その接続部を保護するために、エポキシ樹脂等
の封止樹脂８で封止して、表面実装型チップ部品２０が
完成される。
【００１９】前記表面実装型チップ部品の製造方法は、
上述した従来方法と同様に、多数個取りする集合基板の
状態で行う。集合絶縁基の構成は、図１７に示すような
略四角形状をした、液晶ポリマー材よりなる集合絶縁基
板１Ｂの各列毎に長穴スルーホール１１ａ及び各列間で
所定間隔に複数個のＬＥＤ素子収納凹部１２を射出成形
で形成した成形品と、図１８（図１７の点線円で囲むＢ
部）に示すような、三次元の電極パターンが、一体的に
メッキ処理された構成となっている。
上述した従来方法と同様に、多数個取りする集合基板の
状態で行う。集合絶縁基の構成は、図１７に示すような
略四角形状をした、液晶ポリマー材よりなる集合絶縁基
板１Ｂの各列毎に長穴スルーホール１１ａ及び各列間で
所定間隔に複数個のＬＥＤ素子収納凹部１２を射出成形
で形成した成形品と、図１８（図１７の点線円で囲むＢ
部）に示すような、三次元の電極パターンが、一体的に
メッキ処理された構成となっている。
【００２０】各製造工程は、図１９において、（ａ）
は、ＬＥＤ素子５のダイボンド工程、（ｂ）は、ワイヤ
ーボンディング工程、（ｃ）は、樹脂封止工程、（ｄ）
は切断工程を示すものであり、上述した従来技術と同様
であるので説明は省略する。
は、ＬＥＤ素子５のダイボンド工程、（ｂ）は、ワイヤ
ーボンディング工程、（ｃ）は、樹脂封止工程、（ｄ）
は切断工程を示すものであり、上述した従来技術と同様
であるので説明は省略する。
【００２１】図２１〜図２４は、上述した、エポキシ樹
脂基板及びＭＩＤ基板の信頼性試験における膨張及び収
縮のメカニズムを示す断面図である。
脂基板及びＭＩＤ基板の信頼性試験における膨張及び収
縮のメカニズムを示す断面図である。
【００２２】図２１及び図２２は、ガラエポ樹脂基板及
び液晶ポリマー樹脂よりなるＭＩＤ基板において、充填
されたエポキシ樹脂が膨張する状態を示し、図２１で
は、充填した封止樹脂８と絶縁基板１ａとは同じエポキ
シ材で相性が良く、相互間の密着性の点でも問題がな
い。しかし、回路封止枠７の材料は充填した封止樹脂８
と異なる液晶ポリマー材であるため、両者の線膨張係数
が少し異なる。また、図２２では、立体成形の絶縁基板
１ｂの材料が液晶ポリマーであるため、充填した封止樹
脂８と材質が異なるため、両者の線膨張係数が少し異な
り、両者の密着性の点で問題がある。充填した封止樹脂
８が膨張すると、図の矢印Ｃ方向に樹脂は制約の無い上
方に向かって膨らむ。この時、図２１に示すような、封
止樹脂８と回路封止枠７との界面及び、図２２に示すよ
うな、封止樹脂８と絶縁基板１ｂ（液晶ポリマー材）と
の界面では、線膨張係数の差からズレが生じ、接着を剥
がすような力が上方に働く。また、ボンディングワイヤ
ー６及びＬＥＤ素子５にも上方に持ち上げるような力が
働く。
び液晶ポリマー樹脂よりなるＭＩＤ基板において、充填
されたエポキシ樹脂が膨張する状態を示し、図２１で
は、充填した封止樹脂８と絶縁基板１ａとは同じエポキ
シ材で相性が良く、相互間の密着性の点でも問題がな
い。しかし、回路封止枠７の材料は充填した封止樹脂８
と異なる液晶ポリマー材であるため、両者の線膨張係数
が少し異なる。また、図２２では、立体成形の絶縁基板
１ｂの材料が液晶ポリマーであるため、充填した封止樹
脂８と材質が異なるため、両者の線膨張係数が少し異な
り、両者の密着性の点で問題がある。充填した封止樹脂
８が膨張すると、図の矢印Ｃ方向に樹脂は制約の無い上
方に向かって膨らむ。この時、図２１に示すような、封
止樹脂８と回路封止枠７との界面及び、図２２に示すよ
うな、封止樹脂８と絶縁基板１ｂ（液晶ポリマー材）と
の界面では、線膨張係数の差からズレが生じ、接着を剥
がすような力が上方に働く。また、ボンディングワイヤ
ー６及びＬＥＤ素子５にも上方に持ち上げるような力が
働く。
【００２３】図２３及び図２４は、ガラエポ樹脂基板及
び液晶ポリマー樹脂よりなるＭＩＤ基板において、充填
されたエポキシ樹脂が収縮する状態を示し、上述と同様
に、図２３の封止樹脂８（エポキシ樹脂）と回路封止枠
７（液晶ポリマー）、図２４の封止樹脂８（エポキシ樹
脂）と絶縁基板１ｂ（液晶ポリマー）と材料が異なるた
め、両者の線膨張係数が少し異なり、両者の密着性の点
で問題がある。充填した封止樹脂８が収縮すると、図の
矢印Ｄに示すように、樹脂は内部に向かって縮む。この
応力をＬＥＤ素子５が受けることになる。
び液晶ポリマー樹脂よりなるＭＩＤ基板において、充填
されたエポキシ樹脂が収縮する状態を示し、上述と同様
に、図２３の封止樹脂８（エポキシ樹脂）と回路封止枠
７（液晶ポリマー）、図２４の封止樹脂８（エポキシ樹
脂）と絶縁基板１ｂ（液晶ポリマー）と材料が異なるた
め、両者の線膨張係数が少し異なり、両者の密着性の点
で問題がある。充填した封止樹脂８が収縮すると、図の
矢印Ｄに示すように、樹脂は内部に向かって縮む。この
応力をＬＥＤ素子５が受けることになる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た２つの従来の表面実装型チップ部品には次のような問
題点がある。即ち、上述したように、信頼性試験におい
て、温度サイクル試験とか、高温通電試験等の過酷な環
境条件で製品が使用された場合、線膨張係数の小さい、
前記液晶ポリマー材よりなる回路封止枠とか、立体成形
基板は、それほど膨張・収縮しないのに対し、線膨張係
数の大きいエポキシ樹脂よりなる封止樹脂が、大いに膨
張・収縮するので、両者の間にズレを生じる。その結
果、充填樹脂が膨張した場合は、回路封止枠、立体成形
基板の界面で剥離が生じる。また、収縮した場合は、樹
脂の応力が、脆弱なＬＥＤ素子に加わりＬＥＤ素子の特
性を劣化させてしまう恐れがある等、表面実装型チップ
部品の信頼性の点で問題があった。
た２つの従来の表面実装型チップ部品には次のような問
題点がある。即ち、上述したように、信頼性試験におい
て、温度サイクル試験とか、高温通電試験等の過酷な環
境条件で製品が使用された場合、線膨張係数の小さい、
前記液晶ポリマー材よりなる回路封止枠とか、立体成形
基板は、それほど膨張・収縮しないのに対し、線膨張係
数の大きいエポキシ樹脂よりなる封止樹脂が、大いに膨
張・収縮するので、両者の間にズレを生じる。その結
果、充填樹脂が膨張した場合は、回路封止枠、立体成形
基板の界面で剥離が生じる。また、収縮した場合は、樹
脂の応力が、脆弱なＬＥＤ素子に加わりＬＥＤ素子の特
性を劣化させてしまう恐れがある等、表面実装型チップ
部品の信頼性の点で問題があった。
【００２５】また、絶縁基板として高価なガラエポ基板
を使用し、絶縁基板に別体の回路封止枠を導電性接着剤
等で一体化するので、金型による回路封止枠の成形、接
着剤の印刷、絶縁基板との一体化工程等を要し、コスト
アップになる。
を使用し、絶縁基板に別体の回路封止枠を導電性接着剤
等で一体化するので、金型による回路封止枠の成形、接
着剤の印刷、絶縁基板との一体化工程等を要し、コスト
アップになる。
【００２６】また、絶縁基板として、高価な立体成形基
板を使用し、成形基板のワイヤーボンディング面が平滑
でないため、ワイヤーボンディング不良が発生し、組立
工程の歩留りに悪影響を及ぼしてしまう等のさまざまな
問題があった。
板を使用し、成形基板のワイヤーボンディング面が平滑
でないため、ワイヤーボンディング不良が発生し、組立
工程の歩留りに悪影響を及ぼしてしまう等のさまざまな
問題があった。
【００２７】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、絶縁基板及び充填する封止樹脂
に、線膨張係数の略同一な材料を使用することにより、
信頼性が向上し、回路封止枠を使用しない、寸法精度の
高い立体成形基板で、製品のコストダウン及び歩留りが
向上し、更に、輝度性能のアップを図った安価な表面実
装型チップ部品及びその製造方法を提供するものであ
る。
のであり、その目的は、絶縁基板及び充填する封止樹脂
に、線膨張係数の略同一な材料を使用することにより、
信頼性が向上し、回路封止枠を使用しない、寸法精度の
高い立体成形基板で、製品のコストダウン及び歩留りが
向上し、更に、輝度性能のアップを図った安価な表面実
装型チップ部品及びその製造方法を提供するものであ
る。
【００２８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における表面実装型チップ部品は、樹脂材よ
りなる絶縁基板の上面側に対向する一対の上面電極を設
け、該一対の上面電極は、それぞれその裏面に下面電極
と、その側面に、前記上面電極及び前記下面電極と連な
る側面電極を形成して、前記一方の上面電極に電子素子
の一方の電極を、他方の上面電極に前記電子素子の他方
の電極をそれぞれ接続し、樹脂封止してなる表面実装型
チップ部品において、前記絶縁基板及び封止樹脂は共に
エポキシ樹脂材よりなり、前記絶縁基板に形成された電
極面は、エボキシ樹脂の表面にメッキで形成されている
ことを特徴とするものである。
に、本発明における表面実装型チップ部品は、樹脂材よ
りなる絶縁基板の上面側に対向する一対の上面電極を設
け、該一対の上面電極は、それぞれその裏面に下面電極
と、その側面に、前記上面電極及び前記下面電極と連な
る側面電極を形成して、前記一方の上面電極に電子素子
の一方の電極を、他方の上面電極に前記電子素子の他方
の電極をそれぞれ接続し、樹脂封止してなる表面実装型
チップ部品において、前記絶縁基板及び封止樹脂は共に
エポキシ樹脂材よりなり、前記絶縁基板に形成された電
極面は、エボキシ樹脂の表面にメッキで形成されている
ことを特徴とするものである。
【００２９】また、前記絶縁基板は電子素子収納凹部が
形成された立体成形基板であることを特徴とするもので
ある。
形成された立体成形基板であることを特徴とするもので
ある。
【００３０】また、前記絶縁基板の電子素子収納凹部に
ダイボンドされた電子素子は、その周囲を前記上面電極
パターンに干渉しない空きスペースに形成された光反射
用のダミーパターンで囲まれていることを特徴とするも
のである。
ダイボンドされた電子素子は、その周囲を前記上面電極
パターンに干渉しない空きスペースに形成された光反射
用のダミーパターンで囲まれていることを特徴とするも
のである。
【００３１】また、前記ダミーパターンは、前記絶縁基
板表面にメッキで形成されていることを特徴とするもの
である。
板表面にメッキで形成されていることを特徴とするもの
である。
【００３２】また、前記電子素子はＬＥＤ素子で、前記
絶縁基板はＬＥＤ素子収納凹部が形成された立体成形基
板で、絶縁基板及び封止樹脂は共にエポキシ樹脂材より
なり、前記絶縁基板に形成された電極面は、エボキシ樹
脂の表面にメッキで形成されていることを特徴とするも
のである。
絶縁基板はＬＥＤ素子収納凹部が形成された立体成形基
板で、絶縁基板及び封止樹脂は共にエポキシ樹脂材より
なり、前記絶縁基板に形成された電極面は、エボキシ樹
脂の表面にメッキで形成されていることを特徴とするも
のである。
【００３３】また、本発明における表面実装型チップ部
品の製造方法は、エポキシ樹脂よりなる多数個取りする
集合絶縁基板の各列間に長穴スルーホール、及び前記長
穴スルーホールの間で所定の間隔に電子素子収納凹部を
形成し、前記長穴スルーホール内面を含む全表面に銅メ
ッキ層を形成し、メッキレジストをラミネートし、露
光、現像後パターンマスクを形成し、パターンエッチン
グ後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ処理を行い電極パターン
を有する立体成形基板を形成する集合絶縁基板形成工程
と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部に形成された
一方の上面電極から延びるダイボンドパターン上に、前
記電子素子を導電性接着剤でダイボンドする電子素子ダ
イボンド工程と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部
に形成された他方の上面電極から延びるワイヤーボンド
パターン上に、電子素子からのボンディングワイヤーを
接続して電気導通をとるワイヤーボンド工程と、前記ボ
ンディングワイヤーと電子素子を保護するために前記電
子素子収納凹部にエポキシ樹脂よりなる封止樹脂を注入
する樹脂封止工程と、前記各工程を経て形成された前記
表面実装型チップ部品集合体を直交する２つのカットラ
インに沿って切断して単個の表面実装型チップ部品に分
割する切断工程とからなることを特徴とするものであ
る。
品の製造方法は、エポキシ樹脂よりなる多数個取りする
集合絶縁基板の各列間に長穴スルーホール、及び前記長
穴スルーホールの間で所定の間隔に電子素子収納凹部を
形成し、前記長穴スルーホール内面を含む全表面に銅メ
ッキ層を形成し、メッキレジストをラミネートし、露
光、現像後パターンマスクを形成し、パターンエッチン
グ後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ処理を行い電極パターン
を有する立体成形基板を形成する集合絶縁基板形成工程
と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部に形成された
一方の上面電極から延びるダイボンドパターン上に、前
記電子素子を導電性接着剤でダイボンドする電子素子ダ
イボンド工程と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部
に形成された他方の上面電極から延びるワイヤーボンド
パターン上に、電子素子からのボンディングワイヤーを
接続して電気導通をとるワイヤーボンド工程と、前記ボ
ンディングワイヤーと電子素子を保護するために前記電
子素子収納凹部にエポキシ樹脂よりなる封止樹脂を注入
する樹脂封止工程と、前記各工程を経て形成された前記
表面実装型チップ部品集合体を直交する２つのカットラ
インに沿って切断して単個の表面実装型チップ部品に分
割する切断工程とからなることを特徴とするものであ
る。
【００３４】また、前記電子素子がＬＥＤ素子であるこ
とを特徴とするものである。
とを特徴とするものである。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明におけ
る表面実装型チップ部品について説明する。図１は、本
発明の実施の形態である表面実装型チップ部品の斜視図
である。図において、従来技術と同一部材は同一符号で
示す。
る表面実装型チップ部品について説明する。図１は、本
発明の実施の形態である表面実装型チップ部品の斜視図
である。図において、従来技術と同一部材は同一符号で
示す。
【００３６】図１において、１は、略平行六面体形状の
エポキシ樹脂等よりなる立体成形した絶縁基板であり、
絶縁基板１には、ＬＥＤ素子収納凹部１２の底面にＬＥ
Ｄ素子５を固着し、前記底面及び上方に広がる４面の傾
斜面には、上面電極２ａ、２ｂと干渉しない空きスペー
スに、上面電極２ａ、２ｂと共にＡｕメッキされたＬＥ
Ｄの光反射用ダミーパターン１３が形成されている。絶
縁基板１の上面側及び傾斜面に対向する一対の上面電極
２ａ、２ｂと、下面に下面電極３ａ、３ｂと、前記上面
電極２ａ、２ｂ及び下面電極３ａ、３ｂと連なるように
側面電極４ａ、４ｂが形成されている。前記一方の上面
電極２ａと、その端部のダイボンドパターンは共にＡｕ
メッキされ、ダイボンドパターンには、導電性接着剤９
の固着手段でＬＥＤ素子５を固着し、前記他方の上面電
極２ｂと、その端部のワイヤーボンドパターンは共にＡ
ｕメッキされ、ワイヤーボンドパターンには、Ａｕワイ
ヤ等よりなるボンディングワイヤ６がワイヤボンディン
グされている。８は、前記絶縁基板１と同材のエポキシ
樹脂等の封止樹脂で、ＬＥＤ素子５と接続部を保護する
ために、絶縁基板１の上面と略面一になるように樹脂封
止されている。以上の構成より表面実装型チップ部品３
０が形成されている。
エポキシ樹脂等よりなる立体成形した絶縁基板であり、
絶縁基板１には、ＬＥＤ素子収納凹部１２の底面にＬＥ
Ｄ素子５を固着し、前記底面及び上方に広がる４面の傾
斜面には、上面電極２ａ、２ｂと干渉しない空きスペー
スに、上面電極２ａ、２ｂと共にＡｕメッキされたＬＥ
Ｄの光反射用ダミーパターン１３が形成されている。絶
縁基板１の上面側及び傾斜面に対向する一対の上面電極
２ａ、２ｂと、下面に下面電極３ａ、３ｂと、前記上面
電極２ａ、２ｂ及び下面電極３ａ、３ｂと連なるように
側面電極４ａ、４ｂが形成されている。前記一方の上面
電極２ａと、その端部のダイボンドパターンは共にＡｕ
メッキされ、ダイボンドパターンには、導電性接着剤９
の固着手段でＬＥＤ素子５を固着し、前記他方の上面電
極２ｂと、その端部のワイヤーボンドパターンは共にＡ
ｕメッキされ、ワイヤーボンドパターンには、Ａｕワイ
ヤ等よりなるボンディングワイヤ６がワイヤボンディン
グされている。８は、前記絶縁基板１と同材のエポキシ
樹脂等の封止樹脂で、ＬＥＤ素子５と接続部を保護する
ために、絶縁基板１の上面と略面一になるように樹脂封
止されている。以上の構成より表面実装型チップ部品３
０が形成されている。
【００３７】図２〜図６により、前記表面実装型チップ
部品３０の製造方法について説明する。図２及び図４に
おいて、集合絶縁基板形成工程は、略四角形状をしたエ
ポキシ樹脂よりなる上下両面が銅箔張りされた多数個取
りする集合絶縁基板１Ｃに、所定の間隔で各列毎に複数
個の長穴スルーホール１１Ａ及び各列間で所定間隔に複
数個のＬＥＤ素子収納凹部１２が形成される立体成形基
板である。前記集合絶縁基板１Ｃの全表面を無電解メッ
キにより銅メッキ層を形成し、裏面レジストシルク印
刷、エッチング（メッキ密着性向上）、キャタリスト
（Ｎｉ無電解のためＰｂ，Ｓｎ触媒担持）、アクセレー
ター（活性化処理）、レジスト露光（レジスト硬化）、
レジスト剥離、無電解Ｎｉメッキ、レジスト剥離、電気
Ｎｉメッキ、Ａｕメッキフラッシュ＋Ａｕメッキ、水洗
いの各工程を経てエポキシ樹脂からなる立体成形の集合
絶縁基板が形成される。
部品３０の製造方法について説明する。図２及び図４に
おいて、集合絶縁基板形成工程は、略四角形状をしたエ
ポキシ樹脂よりなる上下両面が銅箔張りされた多数個取
りする集合絶縁基板１Ｃに、所定の間隔で各列毎に複数
個の長穴スルーホール１１Ａ及び各列間で所定間隔に複
数個のＬＥＤ素子収納凹部１２が形成される立体成形基
板である。前記集合絶縁基板１Ｃの全表面を無電解メッ
キにより銅メッキ層を形成し、裏面レジストシルク印
刷、エッチング（メッキ密着性向上）、キャタリスト
（Ｎｉ無電解のためＰｂ，Ｓｎ触媒担持）、アクセレー
ター（活性化処理）、レジスト露光（レジスト硬化）、
レジスト剥離、無電解Ｎｉメッキ、レジスト剥離、電気
Ｎｉメッキ、Ａｕメッキフラッシュ＋Ａｕメッキ、水洗
いの各工程を経てエポキシ樹脂からなる立体成形の集合
絶縁基板が形成される。
【００３８】集合絶縁基板１Ｃの上面側には、図３（図
２の点線円で囲むＣ部）に示すように、ＬＥＤ素子収納
凹部１２の傾斜面及び底部に延びる、対向する一対の上
面電極２ａ、２ｂと、前記ＬＥＤ素子収納凹部１２の底
面及び底面周囲４面の傾斜面に、上面電極２ａ、２ｂと
干渉しない空きスペースに、Ａｕメッキで形成された光
反射用のダミーパターン１３が形成されている。下面側
には対向する一対の図示しない下面電極及び、前記上面
電極２ａ、２ｂ及び前記下面電極と連なる側面電極４
ａ、４ｂが形成されている。
２の点線円で囲むＣ部）に示すように、ＬＥＤ素子収納
凹部１２の傾斜面及び底部に延びる、対向する一対の上
面電極２ａ、２ｂと、前記ＬＥＤ素子収納凹部１２の底
面及び底面周囲４面の傾斜面に、上面電極２ａ、２ｂと
干渉しない空きスペースに、Ａｕメッキで形成された光
反射用のダミーパターン１３が形成されている。下面側
には対向する一対の図示しない下面電極及び、前記上面
電極２ａ、２ｂ及び前記下面電極と連なる側面電極４
ａ、４ｂが形成されている。
【００３９】図５において、ＬＥＤ素子ダイボンド工程
及びワイヤーボンド工程は、図４（ａ）に示すＬＥＤ素
子５を、個々のＬＥＤ素子収納凹部１２内の底面に延び
る一方の上面電極２ａの端部であるダイボンドパターン
に導電性接着剤９で固着する。他方の上面電極２ｂの端
部であるワイヤーボンドパターンにはＬＥＤ素子５から
ボンディングワイヤー６で接続する。
及びワイヤーボンド工程は、図４（ａ）に示すＬＥＤ素
子５を、個々のＬＥＤ素子収納凹部１２内の底面に延び
る一方の上面電極２ａの端部であるダイボンドパターン
に導電性接着剤９で固着する。他方の上面電極２ｂの端
部であるワイヤーボンドパターンにはＬＥＤ素子５から
ボンディングワイヤー６で接続する。
【００４０】図６における樹脂封止工程及び切断工程
は、前記ＬＥＤ素子収納凹部１２内に、ＬＥＤ素子５及
びボンディングワイヤー６の接続部を保護するために、
集合絶縁基板１Ｃと同材のエポキシ樹脂の封止樹脂８
で、集合絶縁基板１Ｃの上面と略面一になるように樹脂
封止することにより表面実装型チップ部品集合体３０Ａ
が形成される。切断工程は、前記表面実装型チップ部品
集合体３０Ａを、直交する２つのカットライン２のＸ、
Ｙ（Ｘ方向のカットランは長穴スルーホール１１Ａ上を
通る）に沿ってスライシング又はダイシング等の切断手
段で単個に分割することにより、図１で示す表面実装型
チップ部品３０が完成される。
は、前記ＬＥＤ素子収納凹部１２内に、ＬＥＤ素子５及
びボンディングワイヤー６の接続部を保護するために、
集合絶縁基板１Ｃと同材のエポキシ樹脂の封止樹脂８
で、集合絶縁基板１Ｃの上面と略面一になるように樹脂
封止することにより表面実装型チップ部品集合体３０Ａ
が形成される。切断工程は、前記表面実装型チップ部品
集合体３０Ａを、直交する２つのカットライン２のＸ、
Ｙ（Ｘ方向のカットランは長穴スルーホール１１Ａ上を
通る）に沿ってスライシング又はダイシング等の切断手
段で単個に分割することにより、図１で示す表面実装型
チップ部品３０が完成される。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面実装型チップ部品において、立体成形基板及び封止
樹脂は共に同じエポキシ材のため、線膨張係数が同じな
ので、膨張・収縮の際に、基板と充填樹脂が共に、伸び
縮し、基板と樹脂の境目が剥がれる恐れがない。また、
ＬＥＤ素子への応力の心配もなく、製品寿命の点で効果
が極めて大きく、信頼性が向上する。
表面実装型チップ部品において、立体成形基板及び封止
樹脂は共に同じエポキシ材のため、線膨張係数が同じな
ので、膨張・収縮の際に、基板と充填樹脂が共に、伸び
縮し、基板と樹脂の境目が剥がれる恐れがない。また、
ＬＥＤ素子への応力の心配もなく、製品寿命の点で効果
が極めて大きく、信頼性が向上する。
【００４２】また、立体成形基板では、電極パターンと
それらの電極パターンと干渉しない空きスペースに、光
反射用のダミーパターンを同時に形成できるので、余計
な工程を掛けず、上面方向への輝度アップを図ることが
できる。
それらの電極パターンと干渉しない空きスペースに、光
反射用のダミーパターンを同時に形成できるので、余計
な工程を掛けず、上面方向への輝度アップを図ることが
できる。
【００４３】また、従来のように、回路封止枠を使用し
ないので、金型が不要となり、更に、回路封止枠への接
着剤の印刷、これを基板と一体化する作業も不要とな
る。また、従来のＭＩＤ基板が抱えていた、基板の悪い
品質（ワイヤーボンディング面が平滑でない）に起因す
る組立工程の歩留りダウンが解消される。
ないので、金型が不要となり、更に、回路封止枠への接
着剤の印刷、これを基板と一体化する作業も不要とな
る。また、従来のＭＩＤ基板が抱えていた、基板の悪い
品質（ワイヤーボンディング面が平滑でない）に起因す
る組立工程の歩留りダウンが解消される。
【００４４】また、製造方法において、集合状態の絶縁
基板に安価なエポキシ樹脂材を使用して寸法精度の高い
立体成形基板を作り、多数個取りするので、信頼性に優
れた表面実装型チップ部品を安価に大量に製造すること
ができる。
基板に安価なエポキシ樹脂材を使用して寸法精度の高い
立体成形基板を作り、多数個取りするので、信頼性に優
れた表面実装型チップ部品を安価に大量に製造すること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態に係わる表面実装型チップ
部品の斜視図である。
部品の斜視図である。
【図２】本発明の製造方法を示す集合絶縁基板の部分平
面図である。
面図である。
【図３】図２の点線円Ｃ部の電極パターンを示す平面図
である。
である。
【図４】ＬＥＤ素子と図２の集合絶縁基板の部分斜視図
である。
である。
【図５】図４のＬＥＤ素子を固着するダイボンド及びワ
イヤーボンド工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図であ
る。
イヤーボンド工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図であ
る。
【図６】図５に封止樹脂を注入する樹脂封止及び切断工
程を示す表面実装型チップ部品集合体の部分斜視図であ
る。
程を示す表面実装型チップ部品集合体の部分斜視図であ
る。
【図７】従来の表面実装型チップ部品の製造方法を示す
集合絶縁基板の部分平面図である。
集合絶縁基板の部分平面図である。
【図８】図７の点線円Ａ部の電極パターンを示す平面図
である。
である。
【図９】ＬＥＤ素子の斜視図である。
【図１０】図７にＬＥＤ素子を固着するダイボンド工程
を示す集合絶縁基板の部分斜視図である。
を示す集合絶縁基板の部分斜視図である。
【図１１】図１０にワイヤをワイヤーボンディングする
ワイヤーボンド工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図で
ある。
ワイヤーボンド工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図で
ある。
【図１２】図１１の集合絶縁基板に回路封止枠接着工程
を示す部分斜視図である。
を示す部分斜視図である。
【図１３】図１２の一体化された集合絶縁基板の部分斜
視図である。
視図である。
【図１４】図１３に封止樹脂を注入する樹脂封止工程を
示す表面実装型チップ部品集合体の部分斜視図である。
示す表面実装型チップ部品集合体の部分斜視図である。
【図１５】図１４のカッティングラインに沿って単個の
表面実装型チップ部品に切断する切断工程を示す部分斜
視図である。
表面実装型チップ部品に切断する切断工程を示す部分斜
視図である。
【図１６】従来の表面実装型チップ部品を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１７】従来の他の表面実装型チップ部品の製造方法
を示す集合絶縁基板の部分平面図である。
を示す集合絶縁基板の部分平面図である。
【図１８】図１７の点線円Ｂ部の電極パターンを示す平
面図である。
面図である。
【図１９】ＬＥＤ素子ダイボンド工程、ワイヤーボンド
工程、樹脂封止工程、切断工程を示す集合絶縁基板の部
分斜視図である。
工程、樹脂封止工程、切断工程を示す集合絶縁基板の部
分斜視図である。
【図２０】従来の他の表面実装型チップ部品を示す斜視
図である。
図である。
【図２１】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験に
おける膨張のメカニズムを示す図１６のＡ−Ａ線断面図
である。
おける膨張のメカニズムを示す図１６のＡ−Ａ線断面図
である。
【図２２】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験に
おける膨張のメカニズムを示す図２０のＢ−Ｂ線断面図
である。
おける膨張のメカニズムを示す図２０のＢ−Ｂ線断面図
である。
【図２３】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験に
おける収縮のメカニズムを示す図１６のＡ−Ａ線断面図
である。
おける収縮のメカニズムを示す図１６のＡ−Ａ線断面図
である。
【図２４】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験に
おける収縮のメカニズムを示す図２０のＢ−Ｂ線断面図
である。
おける収縮のメカニズムを示す図２０のＢ−Ｂ線断面図
である。
１ 絶縁基板 １Ｃ 集合絶縁基板 ２ａ、２ｂ 上面電極 ３ａ、３ｂ 下面電極 ４ａ、４ｂ 側面電極 ５ ＬＥＤ素子 ６ ボンディングワイヤ ８ 封止樹脂 ９ 導電性接着剤 １１Ａ 長穴スルーホール １２ ＬＥＤ素子収納凹部 １３ ダミーパターン ３０ 表面実装型チップ部品 ３０Ａ 表面実装型チップ部品集合体
Claims (7)
- 【請求項１】 樹脂材よりなる絶縁基板の上面側に対向
する一対の上面電極を設け、該一対の上面電極は、それ
ぞれその裏面に下面電極と、その側面に、前記上面電極
及び前記下面電極と連なる側面電極を形成して、前記一
方の上面電極に電子素子の一方の電極を、他方の上面電
極に前記電子素子の他方の電極をそれぞれ接続し、樹脂
封止してなる表面実装型チップ部品において、前記絶縁
基板及び封止樹脂は共にエポキシ樹脂材よりなり、前記
絶縁基板に形成された電極面は、エボキシ樹脂の表面に
メッキで形成されていることを特徴とする表面実装型チ
ップ部品。 - 【請求項２】 前記絶縁基板は電子素子収納凹部が形成
された立体成形基板であることを特徴とする請求項１記
載の表面実装型チップ部品。 - 【請求項３】 前記絶縁基板の電子素子収納凹部にダイ
ボンドされた電子素子は、その周囲を前記上面電極パタ
ーンに干渉しない空きスペースに形成された光反射用の
ダミーパターンで囲まれていることを特徴とする請求項
１記載の表面実装型チップ部品。 - 【請求項４】 前記ダミーパターンは、前記絶縁基板表
面にメッキで形成されていることを特徴とする請求項３
記載の表面実装型チップ部品。 - 【請求項５】 前記電子素子はＬＥＤ素子で、前記絶縁
基板はＬＥＤ素子収納凹部が形成された立体成形基板
で、絶縁基板及び封止樹脂は共にエポキシ樹脂材よりな
り、前記絶縁基板に形成された電極面は、エボキシ樹脂
の表面にメッキで形成されていることを特徴とする請求
項１記載の表面実装型チップ部品。 - 【請求項６】 エポキシ樹脂よりなる多数個取りする集
合絶縁基板の各列間に長穴スルーホール、及び前記長穴
スルーホールの間で所定の間隔に電子素子収納凹部を形
成し、前記長穴スルーホール内面を含む全表面に銅メッ
キ層を形成し、メッキレジストをラミネートし、露光、
現像後パターンマスクを形成し、パターンエッチング
後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ処理を行い電極パターンを
有する立体成形基板を形成する集合絶縁基板形成工程
と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部に形成された
一方の上面電極から延びるダイボンドパターン上に、前
記電子素子を導電性接着剤でダイボンドする電子素子ダ
イボンド工程と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部
に形成された他方の上面電極から延びるワイヤーボンド
パターン上に、電子素子からのボンディングワイヤーを
接続して電気導通をとるワイヤーボンド工程と、前記ボ
ンディングワイヤーと電子素子を保護するために前記電
子素子収納凹部にエポキシ樹脂よりなる封止樹脂を注入
する樹脂封止工程と、前記各工程を経て形成された前記
表面実装型チップ部品集合体を直交する２つのカットラ
インに沿って切断して単個の表面実装型チップ部品に分
割する切断工程とからなることを特徴とする表面実装型
チップ部品の製造方法。 - 【請求項７】 前記電子素子がＬＥＤ素子であることを
特徴とする請求項５記載の表面実装型チップ部品の製造
方法。
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