JPH11322766A - ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 - Google Patents
ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法Info
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- JPH11322766A JPH11322766A JP10145079A JP14507998A JPH11322766A JP H11322766 A JPH11322766 A JP H11322766A JP 10145079 A JP10145079 A JP 10145079A JP 14507998 A JP14507998 A JP 14507998A JP H11322766 A JPH11322766 A JP H11322766A
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリ
ルアミンと下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチル
シリル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロ
シリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応する
ことを特徴とする下記一般式［ＩＩ］で表されるビス
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物
の製造方法。 【化１】 【化２】 【効果】 本発明によれば、ビス（３−アミノプロピル
ジメチルシリル）ベンゼン化合物を安価かつ簡便に、し
かも異性体を生成させることなく高収率で合成できる。
ルアミンと下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチル
シリル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロ
シリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応する
ことを特徴とする下記一般式［ＩＩ］で表されるビス
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物
の製造方法。 【化１】 【化２】 【効果】 本発明によれば、ビス（３−アミノプロピル
ジメチルシリル）ベンゼン化合物を安価かつ簡便に、し
かも異性体を生成させることなく高収率で合成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体絶縁膜、液
晶配向膜等に使用されるポリイミドの変性剤、或いはポ
リアミド、ポリウレタン等の変性剤として有用なビス
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物
の新規製造方法に関する。
晶配向膜等に使用されるポリイミドの変性剤、或いはポ
リアミド、ポリウレタン等の変性剤として有用なビス
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物
の新規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ビス
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物
は、半導体絶縁膜、半導体製造用感光性樹脂、液晶配向
膜等に使用されるポリイミドの密着性や成型性向上用の
変性剤として、或いはポリアミド、ポリウレタン等の特
性改質用の変性剤として有用な化合物である。
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物
は、半導体絶縁膜、半導体製造用感光性樹脂、液晶配向
膜等に使用されるポリイミドの密着性や成型性向上用の
変性剤として、或いはポリアミド、ポリウレタン等の特
性改質用の変性剤として有用な化合物である。
【０００３】ビス（３−アミノプロピルジメチルシリ
ル）ベンゼン化合物の製造方法としては、１，４−ビス
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンの製造
方法に関してアリルアミンと１，４−ビス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを白金触媒の存在下に直接ヒドロシリル
化反応させる方法（Ｉｚｖ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳ
ＳＲ Ｓｅｒ．Ｋｈｉｍ．，２２４９（１９６９））及
びＮ−（トリメチルシリル）アリルアミンと１，４−ビ
ス（ジメチルシリル）ベンゼンを白金触媒の存在下にヒ
ドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応
する方法（Ｄｏｋｌ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，
１７９，６００（１９６８））が公知である。
ル）ベンゼン化合物の製造方法としては、１，４−ビス
（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンの製造
方法に関してアリルアミンと１，４−ビス（ジメチルシ
リル）ベンゼンを白金触媒の存在下に直接ヒドロシリル
化反応させる方法（Ｉｚｖ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳ
ＳＲ Ｓｅｒ．Ｋｈｉｍ．，２２４９（１９６９））及
びＮ−（トリメチルシリル）アリルアミンと１，４−ビ
ス（ジメチルシリル）ベンゼンを白金触媒の存在下にヒ
ドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応
する方法（Ｄｏｋｌ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，
１７９，６００（１９６８））が公知である。
【０００４】しかしながら、前者の方法では、反応が非
常に遅く長時間を要するだけでなく、多くの副反応を伴
うため、収率が低くかつ高純度の目的物が得られない問
題点があった。一方後者の方法では、Ｎ−（トリメチル
シリル）アリルアミンの反応性が非常に高いため空気中
の湿気などにより分解し易いので取り扱いが難しく、ま
た、工業的スケールで容易に製造する方法がないという
問題点があった。
常に遅く長時間を要するだけでなく、多くの副反応を伴
うため、収率が低くかつ高純度の目的物が得られない問
題点があった。一方後者の方法では、Ｎ−（トリメチル
シリル）アリルアミンの反応性が非常に高いため空気中
の湿気などにより分解し易いので取り扱いが難しく、ま
た、工業的スケールで容易に製造する方法がないという
問題点があった。
【０００５】更に、これらいずれの方法においても、ヒ
ドロシリル化反応の際に末端ではなく内部に付加した異
性体が大量に生成し、結果として目的物中に（２−アミ
ノプロピルジメチルシリル）（３−アミノプロピルジメ
チルシリル）ベンゼンが混入する問題点があった。この
異性体は本目的の化合物に対して熱安定性が低いため、
耐熱性の要求されるポリイミド変性用途等で使用した場
合、性能が落ちる等の問題を生じる。
ドロシリル化反応の際に末端ではなく内部に付加した異
性体が大量に生成し、結果として目的物中に（２−アミ
ノプロピルジメチルシリル）（３−アミノプロピルジメ
チルシリル）ベンゼンが混入する問題点があった。この
異性体は本目的の化合物に対して熱安定性が低いため、
耐熱性の要求されるポリイミド変性用途等で使用した場
合、性能が落ちる等の問題を生じる。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高
収率でビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベン
ゼン化合物を製造する方法を提供することを目的とす
る。
安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高
収率でビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベン
ゼン化合物を製造する方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者等は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン
とビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とを白金触媒
の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチル
シリル化反応することにより、安価かつ簡便に、しかも
異性体を生成させることなく高収率でビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を合成できる
ことを見出し、本発明をなすに至ったものである。
発明者等は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った
結果、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン
とビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とを白金触媒
の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチル
シリル化反応することにより、安価かつ簡便に、しかも
異性体を生成させることなく高収率でビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を合成できる
ことを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】以下、本発明について詳しく説明する。本
発明の下記一般式［ＩＩ］で表されるビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、下記式で
表されるＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミ
ンと下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチルシリ
ル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロシリ
ル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応すること
を特徴とするものである。
発明の下記一般式［ＩＩ］で表されるビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、下記式で
表されるＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミ
ンと下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチルシリ
ル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロシリ
ル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応すること
を特徴とするものである。
【０００９】
【化３】
【００１０】ここで、本発明の下記一般式［Ｉ］で表さ
れるビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物は、具体的
には、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、１，
３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン及び１，４−ビス
（ジメチルシリル）ベンゼンである。
れるビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物は、具体的
には、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、１，
３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン及び１，４−ビス
（ジメチルシリル）ベンゼンである。
【００１１】
【化４】
【００１２】Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリル
アミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とのヒ
ドロシリル化反応は、０〜２００℃、特に４０〜１２０
℃で行われることが好ましく、その際、使用されるＮ−
ビス（トリメチルシリル）アリルアミンの量は、ビス
（ジメチルシリル）ベンゼン化合物１モルに対し１〜３
モル、特には２〜２．５モルが好ましい。また、反応方
法には特に制限がなく、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリ
ル）アリルアミンをビス（ジメチルシリル）ベンゼン化
合物へ加える方法でも、その逆でもよい。
アミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とのヒ
ドロシリル化反応は、０〜２００℃、特に４０〜１２０
℃で行われることが好ましく、その際、使用されるＮ−
ビス（トリメチルシリル）アリルアミンの量は、ビス
（ジメチルシリル）ベンゼン化合物１モルに対し１〜３
モル、特には２〜２．５モルが好ましい。また、反応方
法には特に制限がなく、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリ
ル）アリルアミンをビス（ジメチルシリル）ベンゼン化
合物へ加える方法でも、その逆でもよい。
【００１３】なお、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）
アリルアミンはＮ−（トリメチルシリル）アリルアミン
に比較して非常に安定性が高く、空気中の湿気等ではほ
とんど加水分解せず、非常に取り扱いが容易な化合物で
あり、例えば、アリルアミンとヘキサメチルジシラザン
をアリールスルホン酸化合物又はその塩等の触媒の存在
下に反応させる方法により容易に工業的に製造すること
ができる（特願平９−３７１９１号）。
アリルアミンはＮ−（トリメチルシリル）アリルアミン
に比較して非常に安定性が高く、空気中の湿気等ではほ
とんど加水分解せず、非常に取り扱いが容易な化合物で
あり、例えば、アリルアミンとヘキサメチルジシラザン
をアリールスルホン酸化合物又はその塩等の触媒の存在
下に反応させる方法により容易に工業的に製造すること
ができる（特願平９−３７１９１号）。
【００１４】上記Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ア
リルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物の
ヒドロシリル化反応で使用される白金触媒としては、白
金金属、塩化白金酸等の白金化合物、［ＰｔＣｌ2（Ｐ
Ｐｈ3）2］或いは白金１，３−ジビニルテトラメチルジ
シロキサン錯体のごときオレフィン又はそのシロキサン
誘導体をリガンドとする白金錯体等が使用できる。白金
触媒の使用量は、基質であるＮ，Ｎ−ビス（トリメチル
シリル）アリルアミンに対し、０．１〜１０００ｐｐ
ｍ、特に１０〜２００ｐｐｍが好ましい。
リルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物の
ヒドロシリル化反応で使用される白金触媒としては、白
金金属、塩化白金酸等の白金化合物、［ＰｔＣｌ2（Ｐ
Ｐｈ3）2］或いは白金１，３−ジビニルテトラメチルジ
シロキサン錯体のごときオレフィン又はそのシロキサン
誘導体をリガンドとする白金錯体等が使用できる。白金
触媒の使用量は、基質であるＮ，Ｎ−ビス（トリメチル
シリル）アリルアミンに対し、０．１〜１０００ｐｐ
ｍ、特に１０〜２００ｐｐｍが好ましい。
【００１５】一方、脱トリメチルシリル化反応は、水或
いはメタノール、エタノール等のアルコールのごとき活
性水素を有する化合物と混合することにより容易に行う
ことができる。活性水素を有する化合物の使用量は、使
用したＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン
１モルに対し１〜１００モルが好ましく、反応温度は０
〜２００℃、特に還流下で行うことが好ましい。なお、
このアルコールとの反応においては、触媒は必要ない
が、より反応時間を短縮させるために、アンモニウム塩
等の塩類やｐ−トルエンスルホン酸等の酸を触媒として
添加してもよい。
いはメタノール、エタノール等のアルコールのごとき活
性水素を有する化合物と混合することにより容易に行う
ことができる。活性水素を有する化合物の使用量は、使
用したＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン
１モルに対し１〜１００モルが好ましく、反応温度は０
〜２００℃、特に還流下で行うことが好ましい。なお、
このアルコールとの反応においては、触媒は必要ない
が、より反応時間を短縮させるために、アンモニウム塩
等の塩類やｐ−トルエンスルホン酸等の酸を触媒として
添加してもよい。
【００１６】本発明におけるヒドロシリル化反応、脱ト
リメチルシリル化反応はいずれも本質的に無溶媒で行う
ことが可能であるが、場合によってはトルエン、キシレ
ン、ヘキサン、デカン、テトラヒドロフラン等の非プロ
トン性溶媒を使用することも可能である。
リメチルシリル化反応はいずれも本質的に無溶媒で行う
ことが可能であるが、場合によってはトルエン、キシレ
ン、ヘキサン、デカン、テトラヒドロフラン等の非プロ
トン性溶媒を使用することも可能である。
【００１７】本発明の方法により得られる一般式［Ｉ
Ｉ］で表されるビス（３−アミノプロピルジメチルシリ
ル）ベンゼン化合物は、具体的には１，２−ビス（３−
アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、１，３−ビ
ス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベ
ンゼンである。
Ｉ］で表されるビス（３−アミノプロピルジメチルシリ
ル）ベンゼン化合物は、具体的には１，２−ビス（３−
アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、１，３−ビ
ス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベ
ンゼンである。
【００１８】
【化５】
【００１９】
【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。
【００２０】［合成例１］撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネ
シウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン
６００ｍｌ及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気
下に滴下ロートよりｐ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ
（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解
した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還
流下で５時間撹拌した。
及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネ
シウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン
６００ｍｌ及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気
下に滴下ロートよりｐ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ
（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解
した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還
流下で５時間撹拌した。
【００２１】得られたグリニヤール試薬へ、滴下ロート
よりジメチルクロロシラン１８９．２ｇ（２．０モル）
を水冷下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応
させた。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作によ
り上層の有機層を分離し、蒸留により７３〜７５℃／６
ｍｍＨｇの留分を分取することにより、１４０．０ｇの
１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
よりジメチルクロロシラン１８９．２ｇ（２．０モル）
を水冷下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応
させた。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作によ
り上層の有機層を分離し、蒸留により７３〜７５℃／６
ｍｍＨｇの留分を分取することにより、１４０．０ｇの
１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
【００２２】［合成例２］撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネ
シウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン
６００ｍ１及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気
下に滴下ロートよりｍ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ
（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解
した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還
流下で５時間撹拌した。
及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネ
シウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン
６００ｍ１及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気
下に滴下ロートよりｍ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ
（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解
した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還
流下で５時間撹拌した。
【００２３】得られたグリニヤール試薬へ、滴下ロート
よりジメチルシラン１８９．２ｇ（２．０モル）を水冷
下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応させ
た。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作により上
層の有機層を分離し、蒸留により８６〜８７℃／１０ｍ
ｍＨｇの留分を分取することにより、１１２．８ｇの
１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
よりジメチルシラン１８９．２ｇ（２．０モル）を水冷
下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応させ
た。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作により上
層の有機層を分離し、蒸留により８６〜８７℃／１０ｍ
ｍＨｇの留分を分取することにより、１１２．８ｇの
１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
【００２４】［合成例３］蒸留塔、撹拌機、温度計及び
滴下ロートを備えた５００ｍｌのフラスコ中にヘキサメ
チルジシラザン１９３．７ｇ（１．２モル）及びドデシ
ルベンゼンスルホン酸７．０ｇ（０．０２モル）を仕込
み、そこへ滴下ロートよりアリルアミン１１４．２ｇ
（２．０モル）を内温７０℃で１時間かけて滴下し、３
時間還流して反応させた後、引き続いてアリルアミンを
８時間かけて留出除去した。得られた反応液から、減圧
蒸留により８９〜９０℃／４０ｍｍＨｇの留分を分取す
ることにより、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリ
ルアミン１９２．０ｇを得た。
滴下ロートを備えた５００ｍｌのフラスコ中にヘキサメ
チルジシラザン１９３．７ｇ（１．２モル）及びドデシ
ルベンゼンスルホン酸７．０ｇ（０．０２モル）を仕込
み、そこへ滴下ロートよりアリルアミン１１４．２ｇ
（２．０モル）を内温７０℃で１時間かけて滴下し、３
時間還流して反応させた後、引き続いてアリルアミンを
８時間かけて留出除去した。得られた反応液から、減圧
蒸留により８９〜９０℃／４０ｍｍＨｇの留分を分取す
ることにより、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリ
ルアミン１９２．０ｇを得た。
【００２５】［実施例１］撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ
−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ
（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチル
ジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込
み、そこに滴下ロートより１，４−ビス（ジメチルシリ
ル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃
にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熟成した後、
この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を
加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減
圧蒸留により１６３〜１６５℃／１ｍｍＨｇの留分１４
２．０ｇを分取した。
及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ
−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ
（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチル
ジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込
み、そこに滴下ロートより１，４−ビス（ジメチルシリ
ル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃
にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熟成した後、
この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を
加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減
圧蒸留により１６３〜１６５℃／１ｍｍＨｇの留分１４
２．０ｇを分取した。
【００２６】得られた化合物は、質量スペクトル（Ｍ
Ｓ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収ス
ペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，４−ビス（３−ア
ミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確
認された（収率９２％）。また、得られた化合物はガス
クロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有して
いないことが確認された。 ・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属） ３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク） ２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク） １１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオ
ンピーク） ・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図１（溶媒：Ｃ6
Ｄ6） ・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図２
Ｓ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収ス
ペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，４−ビス（３−ア
ミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確
認された（収率９２％）。また、得られた化合物はガス
クロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有して
いないことが確認された。 ・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属） ３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク） ２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク） １１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオ
ンピーク） ・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図１（溶媒：Ｃ6
Ｄ6） ・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図２
【００２７】［比較例１］Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシ
リル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）の代わ
りにＮ−（トリメチルシリル）アリルアミン１２９．３
ｇ（１．０モル）を使用する以外は実施例１と同様の方
法で反応液を得た。反応液をガスクロマトグラフィーで
分析したところ、目的とする（３−アミノプロピルジメ
チルシリル）ベンゼンの極めて近沸点化合物として９．
０％の副生物が観測され、質量スペクトルによる分析の
結果、異性体であることが確認された。
リル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）の代わ
りにＮ−（トリメチルシリル）アリルアミン１２９．３
ｇ（１．０モル）を使用する以外は実施例１と同様の方
法で反応液を得た。反応液をガスクロマトグラフィーで
分析したところ、目的とする（３−アミノプロピルジメ
チルシリル）ベンゼンの極めて近沸点化合物として９．
０％の副生物が観測され、質量スペクトルによる分析の
結果、異性体であることが確認された。
【００２８】［実施例２］撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ
−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ
（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチル
ジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込
み、そこに滴下ロートより１，３−ビス（ジメチルシリ
ル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃
にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熱成した後、
この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を
加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減
圧蒸留により１５４〜１５５℃／０．３５ｍｍＨｇの留
分１２５．０ｇを分取した。
及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ
−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ
（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチル
ジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込
み、そこに滴下ロートより１，３−ビス（ジメチルシリ
ル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃
にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熱成した後、
この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を
加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減
圧蒸留により１５４〜１５５℃／０．３５ｍｍＨｇの留
分１２５．０ｇを分取した。
【００２９】得られた化合物は、質量スペクトル（Ｍ
Ｓ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収ス
ペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，３−ビス（３−ア
ミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確
認された（収率８１％）。また、得られた化合物はガス
クロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有して
いないことが確認された。 ・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属） ３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク） ２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク） １１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオ
ンピーク） ・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図３（溶媒：Ｃ6
Ｄ6） ・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図４
Ｓ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収ス
ペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，３−ビス（３−ア
ミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確
認された（収率８１％）。また、得られた化合物はガス
クロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有して
いないことが確認された。 ・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属） ３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク） ２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク） １１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオ
ンピーク） ・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図３（溶媒：Ｃ6
Ｄ6） ・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図４
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ビス（３−アミノプロ
ピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を安価かつ簡便
に、しかも異性体を生成させることなく高収率で合成で
きる。
ピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を安価かつ簡便
に、しかも異性体を生成させることなく高収率で合成で
きる。
【図１】本発明の実施例１で得られた化合物の核磁気共
鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
【図２】本発明の実施例１で得られた化合物の赤外吸収
スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
【図３】本発明の実施例２で得られた化合物の核磁気共
鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
【図４】本発明の実施例２で得られた化合物の赤外吸収
スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリ
ルアミンと下記一般式［Ｉ］ 【化１】 で表されるビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とを
白金触媒の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱ト
リメチルシリル化反応することを特徴とする下記一般式
［ＩＩ］ 【化２】 で表されるビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）
ベンゼン化合物の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14507998A JP3666551B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 |
| US09/307,768 US6274754B1 (en) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | Preparation of bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14507998A JP3666551B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322766A true JPH11322766A (ja) | 1999-11-24 |
| JP3666551B2 JP3666551B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=15376908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14507998A Expired - Fee Related JP3666551B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6274754B1 (ja) |
| JP (1) | JP3666551B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209509A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2017052738A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | 片末端（メタ）アクリルアミドシリコーンの製造方法 |
| JP2017052737A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | 片末端アミノシリコーンの製造方法 |
| JP2017052914A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | 片末端ビストリアルキルシリルアミノプロピルシリコーン |
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| US6686492B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-02-03 | Dow Corning Corporation | Preparation of organosilicon intermediate and their derivatives in a novel grignard process |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0211587A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリル化方法 |
| JP2606924B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1997-05-07 | 東燃株式会社 | アミノプロピルシラン化合物の製造方法 |
| JP2525295B2 (ja) * | 1991-05-14 | 1996-08-14 | 信越化学工業株式会社 | Ｎ，ｎ−ジ置換アミノトリアルキルシランの製造方法 |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP14507998A patent/JP3666551B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-10 US US09/307,768 patent/US6274754B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209509A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2017052738A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | 片末端（メタ）アクリルアミドシリコーンの製造方法 |
| JP2017052737A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | 片末端アミノシリコーンの製造方法 |
| JP2017052914A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | 片末端ビストリアルキルシリルアミノプロピルシリコーン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3666551B2 (ja) | 2005-06-29 |
| US6274754B1 (en) | 2001-08-14 |
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