JP3666551B2 - ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 - Google Patents
ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3666551B2 JP3666551B2 JP14507998A JP14507998A JP3666551B2 JP 3666551 B2 JP3666551 B2 JP 3666551B2 JP 14507998 A JP14507998 A JP 14507998A JP 14507998 A JP14507998 A JP 14507998A JP 3666551 B2 JP3666551 B2 JP 3666551B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- benzene
- aminopropyldimethylsilyl
- compound
- allylamine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- -1 bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene compound Chemical class 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- CVNCFZIIZGNVFD-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(trimethylsilyl)prop-2-en-1-amine Chemical compound C[Si](C)(C)N([Si](C)(C)C)CC=C CVNCFZIIZGNVFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 12
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 9
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N (4-dimethylsilylidenecyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)C1=CC=C([Si](C)C)C=C1 UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 4
- FFJKAASRNUVNRT-UHFFFAOYSA-N n-trimethylsilylprop-2-en-1-amine Chemical compound C[Si](C)(C)NCC=C FFJKAASRNUVNRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- FPHRTSFRLFDOHZ-UHFFFAOYSA-N 3-[[4-[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)C1=CC=C([Si](C)(C)CCCN)C=C1 FPHRTSFRLFDOHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane;platinum Chemical compound [Pt].C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- WQONPSCCEXUXTQ-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1Br WQONPSCCEXUXTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZZHYJKUFLTHQD-UHFFFAOYSA-N 3-[[2-[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical class NCCC[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1[Si](C)(C)CCCN PZZHYJKUFLTHQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGUKIUADSYTCQC-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)C1=CC=CC([Si](C)(C)CCCN)=C1 OGUKIUADSYTCQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQJPAHYVGNJBJK-UHFFFAOYSA-N (3-dimethylsilylphenyl)-dimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C1=CC=CC([SiH](C)C)=C1 OQJPAHYVGNJBJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWQSIVDWPUJQRY-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethyl(phenyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 CWQSIVDWPUJQRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100010166 Mus musculus Dok3 gene Proteins 0.000 description 1
- MUUXBTFQEXVEEI-UHFFFAOYSA-N [2-(dimethyl-$l^{3}-silanyl)phenyl]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)C1=CC=CC=C1[Si](C)C MUUXBTFQEXVEEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229940045985 antineoplastic platinum compound Drugs 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/0825—Preparations of compounds not comprising Si-Si or Si-cyano linkages
- C07F7/0827—Syntheses with formation of a Si-C bond
- C07F7/0829—Hydrosilylation reactions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体絶縁膜、液晶配向膜等に使用されるポリイミドの変性剤、或いはポリアミド、ポリウレタン等の変性剤として有用なビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の新規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、半導体絶縁膜、半導体製造用感光性樹脂、液晶配向膜等に使用されるポリイミドの密着性や成型性向上用の変性剤として、或いはポリアミド、ポリウレタン等の特性改質用の変性剤として有用な化合物である。
【０００３】
ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法としては、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンの製造方法に関してアリルアミンと１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを白金触媒の存在下に直接ヒドロシリル化反応させる方法（Ｉｚｖ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ Ｓｅｒ．Ｋｈｉｍ．，２２４９（１９６９））及びＮ−（トリメチルシリル）アリルアミンと１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを白金触媒の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応する方法（Ｄｏｋｌ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，１７９，６００（１９６８））が公知である。
【０００４】
しかしながら、前者の方法では、反応が非常に遅く長時間を要するだけでなく、多くの副反応を伴うため、収率が低くかつ高純度の目的物が得られない問題点があった。一方後者の方法では、Ｎ−（トリメチルシリル）アリルアミンの反応性が非常に高いため空気中の湿気などにより分解し易いので取り扱いが難しく、また、工業的スケールで容易に製造する方法がないという問題点があった。
【０００５】
更に、これらいずれの方法においても、ヒドロシリル化反応の際に末端ではなく内部に付加した異性体が大量に生成し、結果として目的物中に（２−アミノプロピルジメチルシリル）（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンが混入する問題点があった。この異性体は本目的の化合物に対して熱安定性が低いため、耐熱性の要求されるポリイミド変性用途等で使用した場合、性能が落ちる等の問題を生じる。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高収率でビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者等は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応することにより、安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高収率でビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を合成できることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
以下、本発明について詳しく説明する。
本発明の下記一般式［ＩＩ］で表されるビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、下記式で表されるＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンと下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応することを特徴とするものである。
【０００９】
【化３】
【００１０】
ここで、本発明の下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物は、具体的には、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン及び１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンである。
【００１１】
【化４】
【００１２】
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とのヒドロシリル化反応は、０〜２００℃、特に４０〜１２０℃で行われることが好ましく、その際、使用されるＮ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンの量は、ビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物１モルに対し１〜３モル、特には２〜２．５モルが好ましい。また、反応方法には特に制限がなく、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンをビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物へ加える方法でも、その逆でもよい。
【００１３】
なお、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンはＮ−（トリメチルシリル）アリルアミンに比較して非常に安定性が高く、空気中の湿気等ではほとんど加水分解せず、非常に取り扱いが容易な化合物であり、例えば、アリルアミンとヘキサメチルジシラザンをアリールスルホン酸化合物又はその塩等の触媒の存在下に反応させる方法により容易に工業的に製造することができる（特願平９−３７１９１号）。
【００１４】
上記Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物のヒドロシリル化反応で使用される白金触媒としては、白金金属、塩化白金酸等の白金化合物、［ＰｔＣｌ2（ＰＰｈ3）2］或いは白金１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のごときオレフィン又はそのシロキサン誘導体をリガンドとする白金錯体等が使用できる。白金触媒の使用量は、基質であるＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンに対し、０．１〜１０００ｐｐｍ、特に１０〜２００ｐｐｍが好ましい。
【００１５】
一方、脱トリメチルシリル化反応は、水或いはメタノール、エタノール等のアルコールのごとき活性水素を有する化合物と混合することにより容易に行うことができる。活性水素を有する化合物の使用量は、使用したＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン１モルに対し１〜１００モルが好ましく、反応温度は０〜２００℃、特に還流下で行うことが好ましい。なお、このアルコールとの反応においては、触媒は必要ないが、より反応時間を短縮させるために、アンモニウム塩等の塩類やｐ−トルエンスルホン酸等の酸を触媒として添加してもよい。
【００１６】
本発明におけるヒドロシリル化反応、脱トリメチルシリル化反応はいずれも本質的に無溶媒で行うことが可能であるが、場合によってはトルエン、キシレン、ヘキサン、デカン、テトラヒドロフラン等の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。
【００１７】
本発明の方法により得られる一般式［ＩＩ］で表されるビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、具体的には１，２−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンである。
【００１８】
【化５】
【００１９】
【実施例】
以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００２０】
［合成例１］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネシウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン６００ｍｌ及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気下に滴下ロートよりｐ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還流下で５時間撹拌した。
【００２１】
得られたグリニヤール試薬へ、滴下ロートよりジメチルクロロシラン１８９．２ｇ（２．０モル）を水冷下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応させた。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作により上層の有機層を分離し、蒸留により７３〜７５℃／６ｍｍＨｇの留分を分取することにより、１４０．０ｇの１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
【００２２】
［合成例２］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネシウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン６００ｍ１及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気下に滴下ロートよりｍ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還流下で５時間撹拌した。
【００２３】
得られたグリニヤール試薬へ、滴下ロートよりジメチルシラン１８９．２ｇ（２．０モル）を水冷下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応させた。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作により上層の有機層を分離し、蒸留により８６〜８７℃／１０ｍｍＨｇの留分を分取することにより、１１２．８ｇの１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
【００２４】
［合成例３］
蒸留塔、撹拌機、温度計及び滴下ロートを備えた５００ｍｌのフラスコ中にヘキサメチルジシラザン１９３．７ｇ（１．２モル）及びドデシルベンゼンスルホン酸７．０ｇ（０．０２モル）を仕込み、そこへ滴下ロートよりアリルアミン１１４．２ｇ（２．０モル）を内温７０℃で１時間かけて滴下し、３時間還流して反応させた後、引き続いてアリルアミンを８時間かけて留出除去した。得られた反応液から、減圧蒸留により８９〜９０℃／４０ｍｍＨｇの留分を分取することにより、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン１９２．０ｇを得た。
【００２５】
［実施例１］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込み、そこに滴下ロートより１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熟成した後、この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減圧蒸留により１６３〜１６５℃／１ｍｍＨｇの留分１４２．０ｇを分取した。
【００２６】
得られた化合物は、質量スペクトル（ＭＳ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確認された（収率９２％）。また、得られた化合物はガスクロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有していないことが確認された。
・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属）
３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク）
２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク）
１１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオンピーク）
・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図１（溶媒：Ｃ6Ｄ6）
・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図２
【００２７】
［比較例１］
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）の代わりにＮ−（トリメチルシリル）アリルアミン１２９．３ｇ（１．０モル）を使用する以外は実施例１と同様の方法で反応液を得た。反応液をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的とする（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンの極めて近沸点化合物として９．０％の副生物が観測され、質量スペクトルによる分析の結果、異性体であることが確認された。
【００２８】
［実施例２］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込み、そこに滴下ロートより１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熱成した後、この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減圧蒸留により１５４〜１５５℃／０．３５ｍｍＨｇの留分１２５．０ｇを分取した。
【００２９】
得られた化合物は、質量スペクトル（ＭＳ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，３−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確認された（収率８１％）。また、得られた化合物はガスクロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有していないことが確認された。
・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属）
３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク）
２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク）
１１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオンピーク）
・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図３（溶媒：Ｃ6Ｄ6）
・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図４
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高収率で合成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１で得られた化合物の核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
【図２】本発明の実施例１で得られた化合物の赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
【図３】本発明の実施例２で得られた化合物の核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
【図４】本発明の実施例２で得られた化合物の赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体絶縁膜、液晶配向膜等に使用されるポリイミドの変性剤、或いはポリアミド、ポリウレタン等の変性剤として有用なビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の新規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、半導体絶縁膜、半導体製造用感光性樹脂、液晶配向膜等に使用されるポリイミドの密着性や成型性向上用の変性剤として、或いはポリアミド、ポリウレタン等の特性改質用の変性剤として有用な化合物である。
【０００３】
ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法としては、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンの製造方法に関してアリルアミンと１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを白金触媒の存在下に直接ヒドロシリル化反応させる方法（Ｉｚｖ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ Ｓｅｒ．Ｋｈｉｍ．，２２４９（１９６９））及びＮ−（トリメチルシリル）アリルアミンと１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを白金触媒の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応する方法（Ｄｏｋｌ．Ａｋａｄ．Ｎａｕｋ ＳＳＳＲ，１７９，６００（１９６８））が公知である。
【０００４】
しかしながら、前者の方法では、反応が非常に遅く長時間を要するだけでなく、多くの副反応を伴うため、収率が低くかつ高純度の目的物が得られない問題点があった。一方後者の方法では、Ｎ−（トリメチルシリル）アリルアミンの反応性が非常に高いため空気中の湿気などにより分解し易いので取り扱いが難しく、また、工業的スケールで容易に製造する方法がないという問題点があった。
【０００５】
更に、これらいずれの方法においても、ヒドロシリル化反応の際に末端ではなく内部に付加した異性体が大量に生成し、結果として目的物中に（２−アミノプロピルジメチルシリル）（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンが混入する問題点があった。この異性体は本目的の化合物に対して熱安定性が低いため、耐熱性の要求されるポリイミド変性用途等で使用した場合、性能が落ちる等の問題を生じる。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高収率でビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者等は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応することにより、安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高収率でビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を合成できることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
以下、本発明について詳しく説明する。
本発明の下記一般式［ＩＩ］で表されるビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、下記式で表されるＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンと下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とを白金触媒の存在下にヒドロシリル化反応させた後、脱トリメチルシリル化反応することを特徴とするものである。
【０００９】
【化３】
ここで、本発明の下記一般式［Ｉ］で表されるビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物は、具体的には、１，２−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン及び１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンである。
【００１１】
【化４】
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物とのヒドロシリル化反応は、０〜２００℃、特に４０〜１２０℃で行われることが好ましく、その際、使用されるＮ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンの量は、ビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物１モルに対し１〜３モル、特には２〜２．５モルが好ましい。また、反応方法には特に制限がなく、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンをビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物へ加える方法でも、その逆でもよい。
【００１３】
なお、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンはＮ−（トリメチルシリル）アリルアミンに比較して非常に安定性が高く、空気中の湿気等ではほとんど加水分解せず、非常に取り扱いが容易な化合物であり、例えば、アリルアミンとヘキサメチルジシラザンをアリールスルホン酸化合物又はその塩等の触媒の存在下に反応させる方法により容易に工業的に製造することができる（特願平９−３７１９１号）。
【００１４】
上記Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンとビス（ジメチルシリル）ベンゼン化合物のヒドロシリル化反応で使用される白金触媒としては、白金金属、塩化白金酸等の白金化合物、［ＰｔＣｌ2（ＰＰｈ3）2］或いは白金１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のごときオレフィン又はそのシロキサン誘導体をリガンドとする白金錯体等が使用できる。白金触媒の使用量は、基質であるＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンに対し、０．１〜１０００ｐｐｍ、特に１０〜２００ｐｐｍが好ましい。
【００１５】
一方、脱トリメチルシリル化反応は、水或いはメタノール、エタノール等のアルコールのごとき活性水素を有する化合物と混合することにより容易に行うことができる。活性水素を有する化合物の使用量は、使用したＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン１モルに対し１〜１００モルが好ましく、反応温度は０〜２００℃、特に還流下で行うことが好ましい。なお、このアルコールとの反応においては、触媒は必要ないが、より反応時間を短縮させるために、アンモニウム塩等の塩類やｐ−トルエンスルホン酸等の酸を触媒として添加してもよい。
【００１６】
本発明におけるヒドロシリル化反応、脱トリメチルシリル化反応はいずれも本質的に無溶媒で行うことが可能であるが、場合によってはトルエン、キシレン、ヘキサン、デカン、テトラヒドロフラン等の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。
【００１７】
本発明の方法により得られる一般式［ＩＩ］で表されるビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物は、具体的には１，２−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンである。
【００１８】
【化５】
【実施例】
以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００２０】
［合成例１］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネシウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン６００ｍｌ及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気下に滴下ロートよりｐ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還流下で５時間撹拌した。
【００２１】
得られたグリニヤール試薬へ、滴下ロートよりジメチルクロロシラン１８９．２ｇ（２．０モル）を水冷下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応させた。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作により上層の有機層を分離し、蒸留により７３〜７５℃／６ｍｍＨｇの留分を分取することにより、１４０．０ｇの１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
【００２２】
［合成例２］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた２Ｌのフラスコ中に金属マグネシウム４８．６ｇ（２．０モル）、テトラヒドロフラン６００ｍ１及び少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気下に滴下ロートよりｍ−ジブロモベンゼン２３５．９ｇ（１．０モル）をテトラヒドロフラン４００ｍｌに溶解した溶液を内温５０〜６０℃で３時間で滴下し、更に還流下で５時間撹拌した。
【００２３】
得られたグリニヤール試薬へ、滴下ロートよりジメチルシラン１８９．２ｇ（２．０モル）を水冷下２時間で滴下した後、還流下３時間撹拌し反応させた。この反応液へ水４００ｇを加え、分液操作により上層の有機層を分離し、蒸留により８６〜８７℃／１０ｍｍＨｇの留分を分取することにより、１１２．８ｇの１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンを得た。
【００２４】
［合成例３］
蒸留塔、撹拌機、温度計及び滴下ロートを備えた５００ｍｌのフラスコ中にヘキサメチルジシラザン１９３．７ｇ（１．２モル）及びドデシルベンゼンスルホン酸７．０ｇ（０．０２モル）を仕込み、そこへ滴下ロートよりアリルアミン１１４．２ｇ（２．０モル）を内温７０℃で１時間かけて滴下し、３時間還流して反応させた後、引き続いてアリルアミンを８時間かけて留出除去した。得られた反応液から、減圧蒸留により８９〜９０℃／４０ｍｍＨｇの留分を分取することにより、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン１９２．０ｇを得た。
【００２５】
［実施例１］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込み、そこに滴下ロートより１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熟成した後、この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減圧蒸留により１６３〜１６５℃／１ｍｍＨｇの留分１４２．０ｇを分取した。
【００２６】
得られた化合物は、質量スペクトル（ＭＳ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確認された（収率９２％）。また、得られた化合物はガスクロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有していないことが確認された。
・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属）
３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク）
２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク）
１１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオンピーク）
・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図１（溶媒：Ｃ6Ｄ6）
・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図２
【００２７】
［比較例１］
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）の代わりにＮ−（トリメチルシリル）アリルアミン１２９．３ｇ（１．０モル）を使用する以外は実施例１と同様の方法で反応液を得た。反応液をガスクロマトグラフィーで分析したところ、目的とする（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンの極めて近沸点化合物として９．０％の副生物が観測され、質量スペクトルによる分析の結果、異性体であることが確認された。
【００２８】
［実施例２］
撹拌機、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを備えた１Ｌガラスフラスコ中にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０１．５ｇ（１．０モル）及び白金１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の３％キシレン溶液０．３３ｇを仕込み、そこに滴下ロートより１，３−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン９７．２ｇ（０．５モル）を６０〜６５℃にて３時間かけて滴下し、そのまま２時間熱成した後、この反応液ヘメタノール１９２．０ｇ（６．０モル）を加え、６時間還流し反応させた。得られた反応液から減圧蒸留により１５４〜１５５℃／０．３５ｍｍＨｇの留分１２５．０ｇを分取した。
【００２９】
得られた化合物は、質量スペクトル（ＭＳ）、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）の測定結果より１，３−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンであることが確認された（収率８１％）。また、得られた化合物はガスクロマトグラフィーによる分析から、異性体を含有していないことが確認された。
・質量スペクトル（ＭＳ）：ｍ／ｚ（帰属）
３０８（分子イオン（Ｍ+）ピーク）
２９３（Ｍ+−ＣＨ3イオンピーク）
１１６（Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2）イオンピーク）
・核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）：図３（溶媒：Ｃ6Ｄ6）
・赤外吸収スペクトル（ＩＲ） ：図４
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物を安価かつ簡便に、しかも異性体を生成させることなく高収率で合成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１で得られた化合物の核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
【図２】本発明の実施例１で得られた化合物の赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
【図３】本発明の実施例２で得られた化合物の核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）を示すチャートである。
【図４】本発明の実施例２で得られた化合物の赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を示すチャートである。
Claims (1)
- Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンと下記一般式［Ｉ］
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14507998A JP3666551B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 |
| US09/307,768 US6274754B1 (en) | 1998-05-11 | 1999-05-10 | Preparation of bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14507998A JP3666551B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322766A JPH11322766A (ja) | 1999-11-24 |
| JP3666551B2 true JP3666551B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=15376908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14507998A Expired - Fee Related JP3666551B2 (ja) | 1998-05-11 | 1998-05-11 | ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6274754B1 (ja) |
| JP (1) | JP3666551B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686492B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-02-03 | Dow Corning Corporation | Preparation of organosilicon intermediate and their derivatives in a novel grignard process |
| JP4756161B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2011-08-24 | 日本ゼオン株式会社 | 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置 |
| JP6573511B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | 片末端アミノシリコーンの製造方法 |
| JP6574120B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | 片末端（メタ）アクリルアミドシリコーンの製造方法 |
| JP2017052914A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 信越化学工業株式会社 | 片末端ビストリアルキルシリルアミノプロピルシリコーン |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0211587A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリル化方法 |
| JP2606924B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1997-05-07 | 東燃株式会社 | アミノプロピルシラン化合物の製造方法 |
| JP2525295B2 (ja) * | 1991-05-14 | 1996-08-14 | 信越化学工業株式会社 | Ｎ，ｎ−ジ置換アミノトリアルキルシランの製造方法 |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP14507998A patent/JP3666551B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-10 US US09/307,768 patent/US6274754B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11322766A (ja) | 1999-11-24 |
| US6274754B1 (en) | 2001-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2606924B2 (ja) | アミノプロピルシラン化合物の製造方法 | |
| JP6567131B2 (ja) | 新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法およびこれを用いたシリコン含有薄膜 | |
| JPS63264591A (ja) | エポキシ基含有シラン化合物の製造方法 | |
| JPH0813826B2 (ja) | テキシルトリアルコキシシラン | |
| JP3666551B2 (ja) | ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン化合物の製造方法 | |
| EP1481980B1 (en) | Bis(trimethylsilyl)aminopropyl substituted chlorosilanes | |
| JPS6327353B2 (ja) | ||
| JPH0559072A (ja) | オレフイン系及びアセチレン系アザシラシクロペンタン並びにその調製方法 | |
| JP4344936B2 (ja) | 両末端アミノ基含有有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| JP3666549B2 (ja) | １，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製造方法 | |
| JPS5970691A (ja) | 水素含有シリルカ−バメ−ト | |
| JP4257515B2 (ja) | １，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの製造方法 | |
| EP0545702B1 (en) | 2-Trimethoxysilylpropionate | |
| JP3493934B2 (ja) | Ｎ，ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンの製造方法 | |
| JP3419207B2 (ja) | ３−アミノプロピルアルコキシシラン化合物の製造方法 | |
| JP2002020392A (ja) | Ｎ−アルケニルアザシラシクロペンタン、およびその製造方法 | |
| JP2713676B2 (ja) | ３−［ｎ−（２−アミノエチル）］アミノプロピルアルコキシシランの製造方法とその製造装置 | |
| JPH05202068A (ja) | アルキンのシリルホルミル化法及びそれによって得られる生成物 | |
| JPS6081187A (ja) | ポリジメチルシルメチレンメチルアセチレン化合物およびその製造方法 | |
| JP3385355B2 (ja) | テトラキス（ジアルコキシシリル）ベンゼンとその製造方法 | |
| JP2942824B1 (ja) | シリルチオアルケン化合物及びその製造方法 | |
| JP2619086B2 (ja) | アミノシラン化合物の製造方法 | |
| JPH10158282A (ja) | ３−メタクリロキシプロピルジメチルハロシランまたは３−メタクリロキシプロピルメチルジハロシランの精製方法 | |
| JPH0737467B2 (ja) | ｔｅｒｔ―ブチルトリアルコキシシランの製造方法 | |
| JP2512348B2 (ja) | ブタジエニル基含有シロキサン化合物及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050316 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050329 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080415 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110415 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |