JPH11209385A - １，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製造方法 - Google Patents
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製造方法Info
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- JPH11209385A JPH11209385A JP10023940A JP2394098A JPH11209385A JP H11209385 A JPH11209385 A JP H11209385A JP 10023940 A JP10023940 A JP 10023940A JP 2394098 A JP2394098 A JP 2394098A JP H11209385 A JPH11209385 A JP H11209385A
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- C07F7/02—Silicon compounds
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 下記一般式（１）
ＨＳｉ（ＣＨ3）2（ＯＲ1） （１）
（但し、Ｒ1は一価アルキル基を示す。）で表されるハ
イドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物と下記一
般式（２） ＸＹＮＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2 （２） （但し、Ｘはトリアルキルシリル基、Ｙは水素原子又は
トリメチルシリル基を示す。）で表されるＮ−シリル化
アリルアミン化合物とを白金触媒の存在下でヒドロシリ
ル化反応させた後、アルコールを添加して脱シリル化反
応させ、得られた３−アミノプロピルジメチルアルコキ
シシラン化合物を加水分解することを特徴とする１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの製造方法。 【効果】 本発明の製造方法によれば、異性体を含まな
い高品質の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサンを簡便な工程で安価に、かつ高収率
で製造することができる。
イドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物と下記一
般式（２） ＸＹＮＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2 （２） （但し、Ｘはトリアルキルシリル基、Ｙは水素原子又は
トリメチルシリル基を示す。）で表されるＮ−シリル化
アリルアミン化合物とを白金触媒の存在下でヒドロシリ
ル化反応させた後、アルコールを添加して脱シリル化反
応させ、得られた３−アミノプロピルジメチルアルコキ
シシラン化合物を加水分解することを特徴とする１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの製造方法。 【効果】 本発明の製造方法によれば、異性体を含まな
い高品質の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサンを簡便な工程で安価に、かつ高収率
で製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体絶縁膜、液
晶配向膜等に使用されるポリイミドの変性剤や、ポリア
ミド、ポリウレタン等の変性剤などとして有用な１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの新規製造方法に関する。
晶配向膜等に使用されるポリイミドの変性剤や、ポリア
ミド、ポリウレタン等の変性剤などとして有用な１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの新規製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサンの製造方法としては、アミノ基を保護したアリ
ルアミンとテトラメチルジシロキサンをヒドロシリル化
反応させた後、保護基を除去する方法が知られている。
具体的には、アミノ基を保護したアリルアミンとしてト
リメチルシリルアリルアミンを使用する方法（Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．２４巻、１１９頁、１９５９年）、Ｎ−
ベンジリデンアリルアミンを使用する方法（特公平７−
５５９５３号公報）が知られている。
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサンの製造方法としては、アミノ基を保護したアリ
ルアミンとテトラメチルジシロキサンをヒドロシリル化
反応させた後、保護基を除去する方法が知られている。
具体的には、アミノ基を保護したアリルアミンとしてト
リメチルシリルアリルアミンを使用する方法（Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．２４巻、１１９頁、１９５９年）、Ｎ−
ベンジリデンアリルアミンを使用する方法（特公平７−
５５９５３号公報）が知られている。
【０００３】しかしながら、これらの方法では、ヒドロ
シリル化反応の際に末端ではなく内部に付加した異性体
が大量に生成し、結果として目的物中に１−（２−アミ
ノプロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサンが混入する問題点があった。この異性体
は、目的化合物の１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンに対して熱安定性が低いた
め、この異性体を含有する１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンを耐熱性の要求され
るポリイミド変性用途等で使用した場合、性能が落ちる
等の問題点があった。
シリル化反応の際に末端ではなく内部に付加した異性体
が大量に生成し、結果として目的物中に１−（２−アミ
ノプロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサンが混入する問題点があった。この異性体
は、目的化合物の１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンに対して熱安定性が低いた
め、この異性体を含有する１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンを耐熱性の要求され
るポリイミド変性用途等で使用した場合、性能が落ちる
等の問題点があった。
【０００４】更に、ヒドロシリル化反応の生成物から脱
保護基を行う際にも、副生物が生成し易く、例えば保護
基がトリメチルシリル基の場合では、水やアルコールを
添加して脱シリル化する際に平衡化反応がおこり、その
結果として（３−アミノプロピル）ペンタメチルジシロ
キサンが副生して収率が低下する問題があった。
保護基を行う際にも、副生物が生成し易く、例えば保護
基がトリメチルシリル基の場合では、水やアルコールを
添加して脱シリル化する際に平衡化反応がおこり、その
結果として（３−アミノプロピル）ペンタメチルジシロ
キサンが副生して収率が低下する問題があった。
【０００５】この問題点は、一旦酸で脱保護基を行い、
得られた塩を分離後、アルカリと反応させる方法等を採
用することによりある程度回避できるものの、この方法
は操作が非常に煩雑であるという欠点を有していた。
得られた塩を分離後、アルカリと反応させる方法等を採
用することによりある程度回避できるものの、この方法
は操作が非常に煩雑であるという欠点を有していた。
【０００６】また、その他の製造方法としては、アリル
アミンとジメチルアルコキシシランとをオレフィン、そ
の誘導体又はそのシロキサン誘導体をリガンドとする白
金触媒錯体の存在下にヒドロシリル化反応させ、得られ
た生成物を加水分解する方法が公知である（特開平２−
３０４０９４号公報参照）。
アミンとジメチルアルコキシシランとをオレフィン、そ
の誘導体又はそのシロキサン誘導体をリガンドとする白
金触媒錯体の存在下にヒドロシリル化反応させ、得られ
た生成物を加水分解する方法が公知である（特開平２−
３０４０９４号公報参照）。
【０００７】しかしながら、この方法においても上記同
様、ヒドロシリル化反応の際に末端ではなく内部に付加
した異性体が大量に生成し、結果として目的物中に１−
（２−アミノプロピル）−３−（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンが混入し、上記と同様の問題
点が生じてしまう。更に、使用される触媒が特殊である
ため、容易に入手できず、しかも高価であるという問題
点もあった。
様、ヒドロシリル化反応の際に末端ではなく内部に付加
した異性体が大量に生成し、結果として目的物中に１−
（２−アミノプロピル）−３−（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサンが混入し、上記と同様の問題
点が生じてしまう。更に、使用される触媒が特殊である
ため、容易に入手できず、しかも高価であるという問題
点もあった。
【０００８】従って、工業的に有利に高性能の１，３−
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
を製造する方法の開発が望まれていた。
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
を製造する方法の開発が望まれていた。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、異性体を含まない高品質の１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサンを簡便な操作
で、かつ高収率で製造することができる１，３−ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製
造方法を提供することを目的とする。
で、異性体を含まない高品質の１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサンを簡便な操作
で、かつ高収率で製造することができる１，３−ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製
造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、下記一般式（１）で表わされるハイドロジェンジメ
チルアルコキシシラン化合物と下記一般式（２）で表さ
れるＮ−シリル化アリルアミン化合物とを白金触媒の存
在下でヒドロシリル化反応させた後、アルコールを添加
して脱シリル化反応させ、得られた３−アミノプロピル
ジメチルアルコキシシラン化合物を加水分解した場合、
意外にも上記ハイドロジェンジメチルアルコキシシラン
と上記トリアルキルシリル基で保護されたアリルアミン
とのヒドロシリル化反応では異性体が副生することがな
く、それ故、異性体を含まず高純度で高性能を有する
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサンを簡便な操作で安価に、かつ高収率で製造でき
ることを見出し、本発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、下記一般式（１）で表わされるハイドロジェンジメ
チルアルコキシシラン化合物と下記一般式（２）で表さ
れるＮ−シリル化アリルアミン化合物とを白金触媒の存
在下でヒドロシリル化反応させた後、アルコールを添加
して脱シリル化反応させ、得られた３−アミノプロピル
ジメチルアルコキシシラン化合物を加水分解した場合、
意外にも上記ハイドロジェンジメチルアルコキシシラン
と上記トリアルキルシリル基で保護されたアリルアミン
とのヒドロシリル化反応では異性体が副生することがな
く、それ故、異性体を含まず高純度で高性能を有する
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサンを簡便な操作で安価に、かつ高収率で製造でき
ることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１１】従って、本発明は、下記一般式（１） ＨＳｉ（ＣＨ3）2（ＯＲ1） （１） （但し、Ｒ1は一価アルキル基を示す。）で表されるハ
イドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物と下記一
般式（２） ＸＹＮＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2 （２） （但し、Ｘはトリアルキルシリル基、Ｙは水素原子又は
トリメチルシリル基を示す。）で表されるＮ−シリル化
アリルアミン化合物とを白金触媒の存在下でヒドロシリ
ル化反応させた後、アルコールを添加して脱シリル化反
応させ、得られた３−アミノプロピルジメチルアルコキ
シシラン化合物を加水分解することを特徴とする１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの製造方法を提供する。
イドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物と下記一
般式（２） ＸＹＮＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2 （２） （但し、Ｘはトリアルキルシリル基、Ｙは水素原子又は
トリメチルシリル基を示す。）で表されるＮ−シリル化
アリルアミン化合物とを白金触媒の存在下でヒドロシリ
ル化反応させた後、アルコールを添加して脱シリル化反
応させ、得られた３−アミノプロピルジメチルアルコキ
シシラン化合物を加水分解することを特徴とする１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの製造方法を提供する。
【００１２】以下、本発明について更に詳しく説明する
と、本発明の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサンの製造方法において、原料のハイ
ドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物としては、
下記一般式（１）で表されるものを使用する。
と、本発明の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサンの製造方法において、原料のハイ
ドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物としては、
下記一般式（１）で表されるものを使用する。
【００１３】 ＨＳｉ（ＣＨ3）2（ＯＲ1） （１） （但し、Ｒ1は一価アルキル基を示す。）
【００１４】上記式（１）において、Ｒ1の一価アルキ
ル基としては、直鎖状でも環状でもよいが炭素数１〜６
のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等の直鎖状及び分枝状のア
ルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基などが
挙げられる。
ル基としては、直鎖状でも環状でもよいが炭素数１〜６
のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基等の直鎖状及び分枝状のア
ルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基などが
挙げられる。
【００１５】このような式（１）のハイドロジェンジメ
チルアルコキシシラン化合物として具体的には、ジメチ
ルメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメチル
プロポキシシラン、ジメチルイソプロポキシシラン、ジ
メチルブトキシシラン、ジメチルシクロヘキシルオキシ
シラン等が例示されるが、特にジメチルエトキシシラン
が好適に使用される。
チルアルコキシシラン化合物として具体的には、ジメチ
ルメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメチル
プロポキシシラン、ジメチルイソプロポキシシラン、ジ
メチルブトキシシラン、ジメチルシクロヘキシルオキシ
シラン等が例示されるが、特にジメチルエトキシシラン
が好適に使用される。
【００１６】また、Ｎ−シリル化アリルアミン化合物と
しては、下記一般式（２）で表されるものを使用する。
しては、下記一般式（２）で表されるものを使用する。
【００１７】 ＸＹＮＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2 （２） （但し、Ｘはトリアルキルシリル基、Ｙは水素原子又は
トリメチルシリル基を示す。）
トリメチルシリル基を示す。）
【００１８】上記式（２）において、Ｘはトリアルキル
シリル基、好ましくはアルキル基の炭素数が１〜６のト
リアルキルシリル基であり、例えばトリメチルシリル
基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル
基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、シクロヘキシルジメ
チルシリル基等である。Ｙは水素原子又はトリメチルシ
リル基である。
シリル基、好ましくはアルキル基の炭素数が１〜６のト
リアルキルシリル基であり、例えばトリメチルシリル
基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル
基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、シクロヘキシルジメ
チルシリル基等である。Ｙは水素原子又はトリメチルシ
リル基である。
【００１９】このような式（２）のＮ−シリル化アリル
アミン化合物として具体的には、Ｎ−トリメチルシリル
アリルアミン、Ｎ−トリエチルシリルアリルアミン、Ｎ
−イソプロピルジメチルシリルアリルアミン、Ｎ−ｔ−
ブチルジメチルシリルアリルアミン、Ｎ−シクロヘキシ
ルジメチルシリルアリルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメ
チルシリル）アリルアミン、Ｎ−トリエチルシリル−Ｎ
−トリメチルシリルアリルアミン等が例示されるが、特
にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンが好
適である。
アミン化合物として具体的には、Ｎ−トリメチルシリル
アリルアミン、Ｎ−トリエチルシリルアリルアミン、Ｎ
−イソプロピルジメチルシリルアリルアミン、Ｎ−ｔ−
ブチルジメチルシリルアリルアミン、Ｎ−シクロヘキシ
ルジメチルシリルアリルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメ
チルシリル）アリルアミン、Ｎ−トリエチルシリル−Ｎ
−トリメチルシリルアリルアミン等が例示されるが、特
にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミンが好
適である。
【００２０】上記ハイドロジェンジメチルアルコキシシ
ラン化合物とＮ−シリル化アリルアミン化合物との使用
割合は、Ｎ−シリル化アリルアミン化合物１モルに対し
てハイドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物を
０．５〜３モル、特に１〜１．５モルの範囲が好まし
い。ハイドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物の
使用割合が０．５モル未満では、Ｎ−シリル化アリルア
ミン化合物が過剰量となって反応後に残存してしまう場
合があり、３モルを超えると逆にハイドロジェンジメチ
ルアルコキシシラン化合物が過剰量となって反応後に残
存してしまう場合がある。
ラン化合物とＮ−シリル化アリルアミン化合物との使用
割合は、Ｎ−シリル化アリルアミン化合物１モルに対し
てハイドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物を
０．５〜３モル、特に１〜１．５モルの範囲が好まし
い。ハイドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物の
使用割合が０．５モル未満では、Ｎ−シリル化アリルア
ミン化合物が過剰量となって反応後に残存してしまう場
合があり、３モルを超えると逆にハイドロジェンジメチ
ルアルコキシシラン化合物が過剰量となって反応後に残
存してしまう場合がある。
【００２１】また、ヒドロシリル化反応において、上記
反応原料の添加方法に特に制限はなく、ハイドロジェン
ジメチルアルコキシシラン化合物にＮ−シリル化アリル
アミン化合物を添加する方法でも、その逆にＮ−シリル
化アリルアミン化合物にハイドロジェンジメチルアルコ
キシシラン化合物を添加する方法でもかまわない。
反応原料の添加方法に特に制限はなく、ハイドロジェン
ジメチルアルコキシシラン化合物にＮ−シリル化アリル
アミン化合物を添加する方法でも、その逆にＮ−シリル
化アリルアミン化合物にハイドロジェンジメチルアルコ
キシシラン化合物を添加する方法でもかまわない。
【００２２】更に、上記ヒドロシリル化反応で使用され
る白金触媒としては、例えば白金金属、塩化白金酸等の
白金化合物、［ＰｔＣｌ2（ＰＰｈ3）2］、オレフィン
又はそのシロキサン誘導体をリガンドとする白金触媒錯
体などが使用できるが、入手の容易さや価格面から塩化
白金酸又はそのアルコール溶液が好適に使用される。
る白金触媒としては、例えば白金金属、塩化白金酸等の
白金化合物、［ＰｔＣｌ2（ＰＰｈ3）2］、オレフィン
又はそのシロキサン誘導体をリガンドとする白金触媒錯
体などが使用できるが、入手の容易さや価格面から塩化
白金酸又はそのアルコール溶液が好適に使用される。
【００２３】白金触媒の使用量は、適宜調整できるが、
基質であるＮ−シリル化アリルアミン化合物に対して白
金金属量が０．１〜１０００ｐｐｍ、特に１０〜２００
ｐｐｍとなる範囲が好ましい。
基質であるＮ−シリル化アリルアミン化合物に対して白
金金属量が０．１〜１０００ｐｐｍ、特に１０〜２００
ｐｐｍとなる範囲が好ましい。
【００２４】上記ヒドロシリル化の反応条件は、０〜２
００℃、特に５０〜１２０℃とすることが好ましい。
００℃、特に５０〜１２０℃とすることが好ましい。
【００２５】本発明では、上記ヒドロシリル化反応を行
った後、アルコールを添加して脱シリル化反応を行う。
この脱シリル化反応で使用されるアルコールは、多価ア
ルコールを含め如何なるアルコールでもよいが、価格及
び扱い易さからメタノール、エタノール等の一価アルコ
ールが好ましい。
った後、アルコールを添加して脱シリル化反応を行う。
この脱シリル化反応で使用されるアルコールは、多価ア
ルコールを含め如何なるアルコールでもよいが、価格及
び扱い易さからメタノール、エタノール等の一価アルコ
ールが好ましい。
【００２６】上記アルコールの使用量は、反応に使用し
た上記式（２）のＮ−シリル化アリルアミン化合物のシ
リル基に対して１当量以上、特に１〜５当量の範囲が好
適である。
た上記式（２）のＮ−シリル化アリルアミン化合物のシ
リル基に対して１当量以上、特に１〜５当量の範囲が好
適である。
【００２７】なお、このアルコールとの反応において
は、触媒は必要ないが、より反応時間を短縮させるため
にアンモニウム塩等の塩類や塩化水素、ｐ−トルエンス
ルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の酸を触媒と
して添加してもよい。これら触媒の使用量は、通常の触
媒量とすることができる。上記脱シリル化反応は、反応
温度０〜２００℃で行うことが好ましい。
は、触媒は必要ないが、より反応時間を短縮させるため
にアンモニウム塩等の塩類や塩化水素、ｐ−トルエンス
ルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の酸を触媒と
して添加してもよい。これら触媒の使用量は、通常の触
媒量とすることができる。上記脱シリル化反応は、反応
温度０〜２００℃で行うことが好ましい。
【００２８】本発明では、このようなヒドロシリル化反
応及び脱シリル化反応により得られる３−アミノプロピ
ルジメチルアルコキシシランを加水分解することによ
り、目的とする１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンを得ることができる。
応及び脱シリル化反応により得られる３−アミノプロピ
ルジメチルアルコキシシランを加水分解することによ
り、目的とする１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンを得ることができる。
【００２９】この場合、３−アミノプロピルジメチルア
ルコキシシランの加水分解は、脱シリル化反応終了後の
反応溶液に直接水を添加して行うことも可能であるが、
脱シリル化反応終了後に反応溶液から残存するアルコー
ルや副生物のトリアルキルアルコキシシランを分留等で
除いた後、水を添加して加水分解することがより好まし
い。加水分解時に脱シリル化反応で副生したトリアルキ
ルアルコキシシランが存在すると、これとのジシロキサ
ン化合物が副生して目的物質の収率が低下する場合があ
る。
ルコキシシランの加水分解は、脱シリル化反応終了後の
反応溶液に直接水を添加して行うことも可能であるが、
脱シリル化反応終了後に反応溶液から残存するアルコー
ルや副生物のトリアルキルアルコキシシランを分留等で
除いた後、水を添加して加水分解することがより好まし
い。加水分解時に脱シリル化反応で副生したトリアルキ
ルアルコキシシランが存在すると、これとのジシロキサ
ン化合物が副生して目的物質の収率が低下する場合があ
る。
【００３０】本発明において、上記ヒドロシリル化反
応、脱シリル化反応、加水分解はいずれも本質的に無溶
媒で行うことが可能であるが、場合によってはトルエ
ン、キシレン、ヘキサン、デカン、テトラヒドロフラン
等の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。
応、脱シリル化反応、加水分解はいずれも本質的に無溶
媒で行うことが可能であるが、場合によってはトルエ
ン、キシレン、ヘキサン、デカン、テトラヒドロフラン
等の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。
【００３１】反応終了後は、減圧蒸留するなど通常の方
法で目的とする１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンを得ることができる。
法で目的とする１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンを得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、異性体を含
まない高品質の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンを簡便な工程で安価に、かつ高
収率で製造することができる。従って、本発明方法によ
り得られた１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサンは、耐熱性等の高性能を発揮し得る
もので、半導体絶縁膜、液晶配向膜等に使用されるポリ
イミドの変性剤や、ポリアミド、ポリウレタン等の変性
剤などとして好適に使用することができる。
まない高品質の１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサンを簡便な工程で安価に、かつ高
収率で製造することができる。従って、本発明方法によ
り得られた１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサンは、耐熱性等の高性能を発揮し得る
もので、半導体絶縁膜、液晶配向膜等に使用されるポリ
イミドの変性剤や、ポリアミド、ポリウレタン等の変性
剤などとして好適に使用することができる。
【００３３】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００３４】〔実施例１〕撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた１リットルのガラスフラスコ中
にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０
１．５ｇ（１．０ｍｏｌ）及びＨ2ＰｔＣ１6・６Ｈ2Ｏ
の４％イソプロピルアルコール溶液０．９８ｇを仕込
み、そこに滴下ロートよりジメチルエトキシシラン１０
４．２ｇ（１．０ｍｏ１）を７０℃にて３時間かけて滴
下してヒドロシリル化反応させた。そのまま１時間熟成
後、エタノール３６８．５ｇ及びドデシルベンゼンスル
ホン酸１．７ｇを添加し、６時間還流することにより脱
シリル化反応を完結させた。
及び滴下ロートを備えた１リットルのガラスフラスコ中
にＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミン２０
１．５ｇ（１．０ｍｏｌ）及びＨ2ＰｔＣ１6・６Ｈ2Ｏ
の４％イソプロピルアルコール溶液０．９８ｇを仕込
み、そこに滴下ロートよりジメチルエトキシシラン１０
４．２ｇ（１．０ｍｏ１）を７０℃にて３時間かけて滴
下してヒドロシリル化反応させた。そのまま１時間熟成
後、エタノール３６８．５ｇ及びドデシルベンゼンスル
ホン酸１．７ｇを添加し、６時間還流することにより脱
シリル化反応を完結させた。
【００３５】この反応液を蒸留装置に移し、常圧にてエ
タノール及びトリメチルエトキシシランを留去した後、
水１０ｇを加えて２時間還流した。その後、減圧蒸留に
より９９〜１０１℃／２ｍｍＨｇの留分を分取したとこ
ろ、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン１０６．９ｇが得られた（収率８６％）。
得られた化合物をガスクロマトグラフィーにより分析し
た結果、１−（２−アミノプロピル）−３−（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサンは全く含んでい
ないことが確認された。
タノール及びトリメチルエトキシシランを留去した後、
水１０ｇを加えて２時間還流した。その後、減圧蒸留に
より９９〜１０１℃／２ｍｍＨｇの留分を分取したとこ
ろ、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン１０６．９ｇが得られた（収率８６％）。
得られた化合物をガスクロマトグラフィーにより分析し
た結果、１−（２−アミノプロピル）−３−（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサンは全く含んでい
ないことが確認された。
【００３６】〔実施例２〕脱シリル化反応において使用
したエタノール３６８．５ｇをメタノール２５６．３ｇ
に変更した以外は実施例１と同様にヒドロシリル化反応
及び脱シリル化反応を行った。
したエタノール３６８．５ｇをメタノール２５６．３ｇ
に変更した以外は実施例１と同様にヒドロシリル化反応
及び脱シリル化反応を行った。
【００３７】この反応液を蒸留装置に移し、常圧にてメ
タノール、トリメチルメトキシシラン及びトリメチルエ
トキシシランを留去した後、水１０ｇを加えて２時間還
流した。その後、減圧蒸留により８５〜８７℃／１ｍｍ
Ｈｇの留分を分取したところ、１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン１０４．２ｇが
得られた（収率８４％）。得られた化合物をガスクロマ
トグラフィーにより分析した結果、１−（２−アミノプ
ロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサンは全く含んでいないことが確認された。
タノール、トリメチルメトキシシラン及びトリメチルエ
トキシシランを留去した後、水１０ｇを加えて２時間還
流した。その後、減圧蒸留により８５〜８７℃／１ｍｍ
Ｈｇの留分を分取したところ、１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン１０４．２ｇが
得られた（収率８４％）。得られた化合物をガスクロマ
トグラフィーにより分析した結果、１−（２−アミノプ
ロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサンは全く含んでいないことが確認された。
【００３８】〔実施例３〕撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた１リットルのガラスフラスコ中
にＮ−トリメチルシリルアリルアミン１２９．３ｇ
（１．０ｍｏｌ）及びＨ2ＰｔＣ１6・６Ｈ2Ｏの４％イ
ソプロピルアルコール溶液０．９８ｇを仕込み、そこに
滴下ロートよりジメチルエトキシシラン１０４．２ｇ
（１．０ｍｏ１）を７０℃にて３時間かけて滴下してヒ
ドロシリル化反応させた。そのまま１時間熟成後、エタ
ノール５０．７ｇを添加し、５０℃にて１時間撹拌し、
脱シリル化反応を完結させた。
及び滴下ロートを備えた１リットルのガラスフラスコ中
にＮ−トリメチルシリルアリルアミン１２９．３ｇ
（１．０ｍｏｌ）及びＨ2ＰｔＣ１6・６Ｈ2Ｏの４％イ
ソプロピルアルコール溶液０．９８ｇを仕込み、そこに
滴下ロートよりジメチルエトキシシラン１０４．２ｇ
（１．０ｍｏ１）を７０℃にて３時間かけて滴下してヒ
ドロシリル化反応させた。そのまま１時間熟成後、エタ
ノール５０．７ｇを添加し、５０℃にて１時間撹拌し、
脱シリル化反応を完結させた。
【００３９】この反応液を蒸留装置に移し、常圧にてエ
タノール及びトリメチルエトキシシランを留去した後、
水１０ｇを加えて２時間還流した。その後、減圧蒸留に
より９９〜１０１℃／２ｍｍＨｇの留分を分取したとこ
ろ、３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン９９．８ｇが得られた（収率８０％）。得られ
た化合物をガスクロマトグラフィーにより分析した結
果、１−（２−アミノプロピル）−３−（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンは全く含んでいない
ことが確認された。
タノール及びトリメチルエトキシシランを留去した後、
水１０ｇを加えて２時間還流した。その後、減圧蒸留に
より９９〜１０１℃／２ｍｍＨｇの留分を分取したとこ
ろ、３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン９９．８ｇが得られた（収率８０％）。得られ
た化合物をガスクロマトグラフィーにより分析した結
果、１−（２−アミノプロピル）−３−（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンは全く含んでいない
ことが確認された。
【００４０】〔実施例４〕Ｎ−トリメチルシリルアリル
アミン１２９．３ｇ（１．０ｍｏ１）をＮ−トリエチル
シリルアリルアミン１７１．４ｇ（１．０ｍｏ１）に変
更する以外は実施例３と同様にしてヒドロシリル化反応
及び脱シリル化反応を行った。
アミン１２９．３ｇ（１．０ｍｏ１）をＮ−トリエチル
シリルアリルアミン１７１．４ｇ（１．０ｍｏ１）に変
更する以外は実施例３と同様にしてヒドロシリル化反応
及び脱シリル化反応を行った。
【００４１】この反応液を蒸留装置に移し、常圧にてエ
タノール及びトリエチルエトキシシランを留去した後、
水１０ｇを加えて２時間還流した。その後、減圧蒸留に
より９１〜９３℃／１．５ｍｍＨｇの留分を分取したと
ころ、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン８８．４ｇが得られた（収率７１％）。
得られた化合物をガスクロマトグラフィーにより分析し
た結果、１−（２−アミノプロピル）−３−（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサンは全く含んでい
ないことが確認された。
タノール及びトリエチルエトキシシランを留去した後、
水１０ｇを加えて２時間還流した。その後、減圧蒸留に
より９１〜９３℃／１．５ｍｍＨｇの留分を分取したと
ころ、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン８８．４ｇが得られた（収率７１％）。
得られた化合物をガスクロマトグラフィーにより分析し
た結果、１−（２−アミノプロピル）−３−（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサンは全く含んでい
ないことが確認された。
【００４２】〔比較例１〕撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた１リットルのガラスフラスコ中
にＮ−トリメチルシリルアリルアミン１２９．３ｇ
（１．０ｍｏ１）及びＰｔＣｌ６・６Ｈ2Ｏの４％イソ
プロピルアルコール溶液０．９８ｇを仕込み、そこに滴
下ロートより１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン６７．２ｇ（０．５ｍｏ１）を７０℃にて３時間かけ
て滴下してヒドロシリル化反応させた。そのまま１時間
熟成後、メタノール６４．０ｇを添加し、１時間還流す
ることにより脱シリル化反応を行ったところ、反応は完
結したものの、反応液中に大量の３−アミノプロピルペ
ンタメチルジシロキサンと３−アミノプロピルジメチル
メトキシシランが副生した。また、この反応液をガスク
ロマトグラフィーにより分析した結果、１−（２−アミ
ノプロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサンが目的とする１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサンに対して７％含ま
れていることが確認された。
及び滴下ロートを備えた１リットルのガラスフラスコ中
にＮ−トリメチルシリルアリルアミン１２９．３ｇ
（１．０ｍｏ１）及びＰｔＣｌ６・６Ｈ2Ｏの４％イソ
プロピルアルコール溶液０．９８ｇを仕込み、そこに滴
下ロートより１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン６７．２ｇ（０．５ｍｏ１）を７０℃にて３時間かけ
て滴下してヒドロシリル化反応させた。そのまま１時間
熟成後、メタノール６４．０ｇを添加し、１時間還流す
ることにより脱シリル化反応を行ったところ、反応は完
結したものの、反応液中に大量の３−アミノプロピルペ
ンタメチルジシロキサンと３−アミノプロピルジメチル
メトキシシランが副生した。また、この反応液をガスク
ロマトグラフィーにより分析した結果、１−（２−アミ
ノプロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサンが目的とする１，３−ビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサンに対して７％含ま
れていることが確認された。
【００４３】〔比較例２〕撹拌機、還流冷却器、温度計
及び滴下ロートを備えた５００ｍｌのガラスフラスコ中
に１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン６７．２
９（０．５ｍｏｌ）、キシレン１５０ｇ及びＨ2ＰｔＣ
１6・６Ｈ2Ｏの４％イソプロピルアルコール溶液０．１
５ｇを仕込み、１００℃に加熱した。そこに滴下ロート
よりＮ−ベンジリデンアリルアミン１４５．２ｇ（１．
０ｍｏ１）を２時間かけて滴下してヒドロシリル化反応
させ、滴下終了後１５０℃で更に３時間熟成した。この
反応液に１７％塩酸２７５ｇを加え加水分解により脱保
護基を行った後、水層を分取し、同量のトルエンで洗浄
後、水酸化ナトリウム４７．５ｇ及び水１４０ｇを加
え、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサンを遊離させた。得られた化合物をガスクロ
マトグラフィーにより分析した結果、１−（２−アミノ
プロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサンが目的とする１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンに対して１３％含ま
れていることが碓認された。
及び滴下ロートを備えた５００ｍｌのガラスフラスコ中
に１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン６７．２
９（０．５ｍｏｌ）、キシレン１５０ｇ及びＨ2ＰｔＣ
１6・６Ｈ2Ｏの４％イソプロピルアルコール溶液０．１
５ｇを仕込み、１００℃に加熱した。そこに滴下ロート
よりＮ−ベンジリデンアリルアミン１４５．２ｇ（１．
０ｍｏ１）を２時間かけて滴下してヒドロシリル化反応
させ、滴下終了後１５０℃で更に３時間熟成した。この
反応液に１７％塩酸２７５ｇを加え加水分解により脱保
護基を行った後、水層を分取し、同量のトルエンで洗浄
後、水酸化ナトリウム４７．５ｇ及び水１４０ｇを加
え、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサンを遊離させた。得られた化合物をガスクロ
マトグラフィーにより分析した結果、１−（２−アミノ
プロピル）−３−（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサンが目的とする１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサンに対して１３％含ま
れていることが碓認された。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１） ＨＳｉ（ＣＨ3）2（ＯＲ1） （１） （但し、Ｒ1は一価アルキル基を示す。）で表されるハ
イドロジェンジメチルアルコキシシラン化合物と下記一
般式（２） ＸＹＮＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2 （２） （但し、Ｘはトリアルキルシリル基、Ｙは水素原子又は
トリメチルシリル基を示す。）で表されるＮ−シリル化
アリルアミン化合物とを白金触媒の存在下でヒドロシリ
ル化反応させた後、アルコールを添加して脱シリル化反
応させ、得られた３−アミノプロピルジメチルアルコキ
シシラン化合物を加水分解することを特徴とする１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ンの製造方法。 - 【請求項２】 式（２）のＮ−シリル化アリルアミン化
合物が、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アリルアミ
ンである請求項１記載の１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサンの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02394098A JP3666549B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | １，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製造方法 |
| US09/233,452 US6087520A (en) | 1998-01-21 | 1999-01-20 | Preparation of 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02394098A JP3666549B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | １，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11209385A true JPH11209385A (ja) | 1999-08-03 |
| JP3666549B2 JP3666549B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=12124540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02394098A Expired - Fee Related JP3666549B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | １，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6087520A (ja) |
| JP (1) | JP3666549B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209509A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2012521381A (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-13 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | １，３−ビス（アミノアルキル）ジシロキサンの合成方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8450512B1 (en) * | 2009-09-08 | 2013-05-28 | Genesee Polymers Corporation | Aminoorgano functional silanes and siloxanes and methods of production |
| CN102276639B (zh) * | 2011-05-31 | 2016-04-13 | 南昌大学 | 一种双端氨基（聚）硅氧烷的制备方法 |
| CN102911198B (zh) * | 2012-11-08 | 2015-07-29 | 广州市回天精细化工有限公司 | 一种羟基清除化合物、其制备方法及其用途 |
| JP6625024B2 (ja) * | 2016-07-01 | 2019-12-25 | 信越化学工業株式会社 | アミノアルキル基含有シロキサン、アミノアルキル基及びポリオキシアルキレン基含有シロキサン、及びこれらの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304094A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Toshiba Silicone Co Ltd | ビス（アミノプロピル）テトラオルガノジシロキサンの製造方法 |
| JPH0755953A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-03 | Tokai Rika Co Ltd | 物体検出装置 |
| JP3507963B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2004-03-15 | 有機合成薬品工業株式会社 | １，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラオルガノジシロキサンの製造方法 |
-
1998
- 1998-01-21 JP JP02394098A patent/JP3666549B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-20 US US09/233,452 patent/US6087520A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008209509A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 円偏光分離シート、製造方法及び液晶表示装置 |
| JP2012521381A (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-13 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | １，３−ビス（アミノアルキル）ジシロキサンの合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3666549B2 (ja) | 2005-06-29 |
| US6087520A (en) | 2000-07-11 |
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