JPH11273895A

JPH11273895A - マイクロ波を利用したプラズマ発生装置

Info

Publication number: JPH11273895A
Application number: JP10093874A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kudo; 稔工藤; Norikazu Taniyama; 記一谷山
Original assignee: Micro Denshi Co Ltd
Current assignee: Micro Denshi Co Ltd
Priority date: 1998-03-24
Filing date: 1998-03-24
Publication date: 1999-10-08

Abstract

(57)【要約】【課題】マイクロ波プラズマを利用して物体を加工処
理するプラズマ発生装置、例えば、物体面にダイヤモン
ドを化学気相成長させて物体をコ−テングしたり、物体
をスパッタリングし、エッチングし、または、物体をシ
ンタリングするためのプラズマ発生装置を計算式による
算出値にもとづいて装置設計すること。【解決手段】供給したガス（Ｈ₂ＣＨ₄）をプラズマ２
５によって加熱し、プラズマ化ガスによって物体２８に
ダイヤモンドを化学気相成長させるプラズマ発生装置に
おいて、物体２８に成長するダイヤモンドの厚み成長速
度Ｈ（ｒ）、プラズマ２５の中心部から物体２８面上ま
での距離ｒとし、Ｈ（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）の計算式による算出値から、ダイヤモンドの厚み成長速
度Ｈ（ｒ）、または、物体２８の距離ｒを定める構成と
なっている。ただし、Ｋは真空度Ｐ、ガス流量Ｌ、マイ
クロ波出力Ｅなどから定まる比例係数である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空室に供給した
ガスをマイクロ波プラズマによって加熱し、プラズマ化
ガス（プラズマの作用を受けたガス）によって物体を加
工処理するためのプラズマ発生装置、例えば、物体面に
ダイヤモンドを化学気相成長させる等の物体のコ−テン
グ加工処理や物体のスパッタリング、エッチング、また
は、物体のシンタリングの加工処理を行なうプラズマ発
生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は物体面にダイヤモンドを化学気相
成長させて物体をコ−テング加工処理する第１の従来例
を示した空胴共振形のプラズマ発生装置の概略構成図で
ある。このプラズマ発生装置は、矩形導波管１１により
マイクロ波ＭＷ（周波数：２４５０ＭＨｚ）を伝送して
共振室（真空室）１２内にプラズマ１３を発生させる構
成となっている。

【０００３】なお、導波管１１は一端側が共振室１２に
連結され、その他端側がインピ−ダンス整合器を介して
マイクロ波発振器に連結されている。また、この導波管
１１と共振室１２との間には、石英ガラスなどの誘電体
材料からなる隔壁１４を設け、共振室１２を気密構造と
してある。

【０００４】さらに、上記共振室１２は真空ポンプ１５
によって空気排出されて真空室となっており、また、こ
の共振室１２には、水素（Ｈ₂）ガス、メタン（ＣＨ₄）
ガスなどがダイヤモンドの要素ガスとしてガス供給管１
６より供給される。そして、ダイヤモンドを成長させる
物体１７（例えば、シリコンウェハ−等）は、共振室１
２内に発生するマイクロ波プラズマ１３の発光部内に保
持されている。

【０００５】このようなプラズマ発生装置は、導波管１
１よりマイクロ波ＭＷが伝送されると、マイクロ波の電
界強度が強くなる共振室１２内の部所にプラズマ１３が
発生する。このプラズマ１３の発生によって水素ガスや
メタンガス等の要素ガスが加熱され、プラズマ化ガスに
よって物体１７の面上にダイヤモンドを化学気相成長さ
せる。

【０００６】図７は物体面にダイヤモンドを化学気相成
長させて物体をコ−テング加工処理する第２の従来例を
示した同軸線路形のプラズマ発生装置の概略構成図、図
８は図７上のＡ−Ａ線断面図である。このプラズマ発生
装置は、外部導体２１ａとこの外部導体２１ａの内部中
央を通る棒状の内部導体２１ｂとからなる同軸線路２１
によってマイクロ波ＭＷ（周波数：２４５０ＭＨｚ）を
伝送する構成となっている。つまり、この同軸線路２１
がインピ−ダンス整合器２２を介してマイクロ波発振器
に連結されている。

【０００７】また、この同軸線路２１の一端側が真空室
２３に連結されている。この真空室２３は気密構造とす
るため、真空室２３と同軸線路２１とを仕切部材２４に
よって仕切ってある。なお、この仕切部材２４は、マイ
クロ波を透過させ、マイクロ波電力を吸収しない石英ガ
ラスなどの誘電体材で形成されている。

【０００８】上記した同軸線路２１の内部導体２１ｂ
は、その先端部２１ｃが仕切部材２４を通って真空室２
３内に突入している。そして、真空室２３内に突入させ
た上記先端部２１ｃは、マイクロ波電界がその先端で強
くなるように、マイクロ波の波長λに対して、（λ／
４）＋ｎ・（λ／２）の長さに定められている。（ｎ＝
０，１，２，３・・・・・・・・）また、上記した先端部２１ｃの先端は、マイクロ波電界
を集中させ、プラズマ２５を発生し易くするため鋭利の
形状となっている。

【０００９】上記した真空室２３は、約１Ｔｏｒｒ〜数
百Ｔｏｒｒ程度の真空度に調整するための真空ポンプ２
６を備え、また、水素（Ｈ₂）ガスやメタン（ＣＨ₄）ガ
スなどのダイヤモンド要素ガスを真空室２３に供給する
ガス供給管２７を備えている。

【００１０】一方、真空室２３には、ダイヤモンドを化
学気相成長させる物体（例えば、シリコンウェハ−等）
２８と、この物体２８を取付けるようにして物体２８を
加熱するヒ−タ２９とが配設されている。そして、物体
２８については、プラズマ２５の発光部の外方、つま
り、プラズマ２５の発光部外でダイヤモンドを化学気相
成長させることができる発光部外位置に配設する構成と
なっている。なお、３０はヒ−タ２９の給電線である。

【００１１】この従来例のプラズマ発生装置は、同軸線
路２１によってマイクロ波ＭＷが伝送されると、内部導
体２１ｂの先端部２１ｃの先端でマイクロ波電界が強く
なりプラズマ２５が発生する。これより、ダイヤモンド
の要素ガスがプラズマ２５によって加熱し、プラズマ化
ガスが物体２８上に降り注ぎダイヤモンドが化学気相成
長される。

【００１２】なお、ダイヤモンドを化学気相成長させる
上記した物体１７、２８は、ダイヤモンド基板などのよ
うにダイヤモンドの核をもった物体以外のものについて
は、ダイヤモンド粉を混合させたアルコ−ル液の容器に
入れ、この容器に超音波をかけたり、その他の手段によ
って物体面にダイヤモンドの核を作る前工程処理が行な
われる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】マイクロ波プラズマを
使って物体を加工処理する上記したようなプラズマ発生
装置については、設計の拠り所となる基本的なモデルが
未だに存在しないため、経験に頼って装置設計を行なっ
ている現状にある。

【００１４】例えば、プラズマと物体との立体的位置関
係によって加工処理速度がどのように変るのか皆目見当
がつかなかった。一般には、全てプラズマ発生装置の特
有の構造に左右されると考えられていた。

【００１５】本発明は上記した実情にかんがみ、製品と
して必要となる物体のコ−テング、スパッタリング、エ
ッチング、シンタリングなどの加工処理状態を目標とし
て装置設計することができるマイクロ波を利用したプラ
ズマ発生装置を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明では、第１の発明として、真空室に供給し
たガスをマイクロ波プラズマによって加熱し、プラズマ
化ガスによって物体を加工処理するマイクロ波を利用し
たプラズマ発生装置において、プラズマの中心部から物
体面までの距離ｒ、または、物体の加工処理速度Ｈ
（ｒ）を、Ｈ（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）Ｋ：真空度、ガス流量、マイクロ波出力等によって決
まる比例係数の条件式にしたがって定めて構成したことを特徴とする
マイクロ波を利用したプラズマ発生装置を提案する。

【００１７】第２の発明としては、第１の発明のＨ
（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）において、比例係数Ｋは、真
空室の真空度Ｐの３乗根に比例する係数としたことを特
徴とするマイクロ波を利用したプラズマ発生装置を提案
する。

【００１８】第３の発明としては、第１の発明のＨ
（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）において、比例係数Ｋは、真
空室に供給するガス流量Ｌの３乗根に比例する係数とし
たことを特徴とするマイクロ波を利用したプラズマ発生
装置を提案する。

【００１９】第４の発明としては、第１の発明のＨ
（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）において、比例係数Ｋは、マ
イクロ波出力Ｅに比例する係数としたことを特徴とする
マイクロ波を利用したプラズマ発生装置を提案する。

【００２０】第５の発明としては、真空室に供給したガ
スをマイクロ波プラズマによって加熱し、プラズマ化ガ
スによって物体を加工処理するマイクロ波を利用したプ
ラズマ発生装置において、物体の加工処理速度Ｈ（ｒ、
Ｐ、Ｌ、Ｅ）を、Ｈ（ｒ、Ｐ、Ｌ、Ｅ）＝α・³√Ｐ・³√Ｌ・Ｅ・（１／ｒ²） α：装置構造等とガス組成によって定まる定数Ｐ：真空度Ｌ：ガス流量Ｅ：マイクロ波出力の条件式にしたがって定めて構成したことを特徴とする
マイクロ波を利用したプラズマ発生装置を提案する。

【００２１】第６の発明としては、第１または第５の発
明において、物体の加工処理としてダイヤモンドの化学
気相成長を含む物体のコ−テングの他、物体のスパッタ
リング、エッチングまたはシンタリングを行なう構成と
したことを特徴とするマイクロ波を利用したプラズマ発
生装置を提案する。

【００２２】

【作用】プラズマ中心部から物体面までの距離ｒ以外の
諸条件、つまり、真空室の真空度、真空室に供給するガ
ス流量、マイクロ波出力、ガス成分及び配合、処理する
物体の状態などの諸条件を比例係数Ｋとすれば、物体の
加工処理速度Ｈ（ｒ）は、物体の距離ｒの２乗に反比例
する。すなわち、プラズマの発光部を点光源として、Ｈ
（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）の式が成立する。

【００２３】このことから、プラズマと物体の立体的な
位置関係によって物体の加工処理速度を知ることができ
る。例えば、プラズマ中心部からシリコンウェハ−まで
の距離によって、シリコンウェハ−に成長するダイヤモ
ンドの厚み成長速度、つまり、分布量が定まる。この結
果、第１の発明によれば、加工処理状態が予め定められ
た物体を生産する場合は、この物体の加工処理速度をＨ
（ｒ）として上記した計算式より距離ｒを算出し、この
算出値にもとづいてプラズマ発生装置を設計することが
できる。

【００２４】また、上記の式Ｈ（ｒ）＝Ｋ・（１／
ｒ²）において、比例係数Ｋは、真空室の真空度Ｐ、真
空室に供給するガス流量Ｌの３乗根に比例し、マイクロ
波出力Ｅに比例することが実験によって確認された。こ
の結果、第５の発明によれば、物体までの距離ｒの他
に、真空度Ｐ、ガス流量Ｌ、マイクロ波出力Ｅについて
も物体の加工処理にしたがって定めることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明は物体をコ−テングした
り、物体をスパッタリング、エッチングしたりする他、
物体をシンタリングする等の加工処理装置として実施す
ることができるが、ダイヤモンドを化学気相成長させて
物体をコ−テングする実施形態について図面に沿って説
明する。図１は本発明の第１実施形態を示す空胴共振器
形のプラズマ発生装置の概略構成図である。

【００２６】この第１実施形態のプラズマ発生装置は、
ガス供給口部４１ａをマイクロ波プラズマ１３の中心に
配設させたガス供給管４１を備えている。また、このプ
ラズマ発生装置は、共振室１２に連通させた真空室４２
を設け、真空ポンプ１５によってこの真空室４２から空
気排出する構成としてある。

【００２７】さらに、この実施形態では、ダイヤモンド
を化学気相成長させる物体１７をヒ−タ４３に取付ける
と共に、この物体１７がプラズマ１３の発光部外となる
ように配設してある。なお、その他は図６に示す第１の
従来例と同様の構成であるので、同一の部材及び部所に
ついては同じ参照符号を付してその説明を省略する。

【００２８】このように構成したプラズマ発生装置は、
真空室４２に供給される水素ガスやメタンガスなどの要
素ガスがガス供給管４１によって全てプラズマ１３の中
心部に送り込まれる。この結果、供給される全ての要素
ガスがプラズマ１３内に入り、プラズマ１３によって加
熱され、プラズマ作用を受けたガスがヒ−タ４３によっ
て昇温された物体（例えば、シリコンウェハ−、ダイヤ
モンド基板など）１７の面上に降り注ぎダイヤモンドが
化学気相成長する。

【００２９】このことから、ダイヤモンドの成長速度が
速く、ダイヤモンド生成効率の高いプラズマ発生装置と
なる。なお、上記したガス供給管４１は、石英ガラス、
カ−ボン、高融点金属などの材料で構成する。

【００３０】図２は本発明の第２実施形態を示す同軸線
路形のプラズマ発生装置の概略構成図、図３は図２上の
Ｂ−Ｂ線断面図、図４は同プラズマ発生装置のプラズマ
発光部を示す部分拡大図である。この第２実施形態のプ
ラズマ発生装置は、同軸線路２１の内部導体２１ｂ内に
ガス供給管５１を設けた構成となっている。なお、その
他は図７及び図８に示す第２の従来例と同様の構成であ
るので、同一の部材及び部所については同じ参照符号を
付してその説明を省略する。

【００３１】上記したガス供給管５１は、石英ガラス、
カ−ボン、高融点金属などの材料で構成し、その先端の
ガス供給口部５１ａが内部導体２１ｂの先端部２１ｃの
先端に位置するようになっている。このように構成した
プラズマ発生装置は、真空室２３に供給される水素ガス
やメタンガスなどの要素ガスがガス供給管５１によって
全てプラズマ２５の中央に送り込まれる。

【００３２】この結果、供給された全ての要素ガスがプ
ラズマ２５内に入り、プラズマ２５によって加熱され、
プラズマ作用を受けたガスがヒ−タ２９により昇温され
た物体２８に降り注ぎ、物体（シリコンウェハ−、ダイ
ヤモンド基板など）２８の面上にダイヤモンドが化学気
相成長する。このことから、ダイヤモンドの成長速度が
速く、また、ダイヤモンドがプラズマ２５によって加熱
されたガスのみによって成長することから、均一化され
た結晶のダイヤモンドが生成する。

【００３３】上記のように構成した第１、第２実施形態
のプラズマ発生装置は、ダイヤモンドの厚み成長速度が
プラズマ（１３、２５）に対する物体（１７、２８）の
位置によって大きく変るため、所定のダイヤモンド厚み
の製品（例えば、シリコンウェハ−）を生産する場合
に、物体（１７、２８）の距離ｒを設定することが重要
となる。

【００３４】しかし、この距離ｒをどのように設定すれ
ばよいのかの目安がないため、実験を繰返して設定した
り、経験にもとづいて設定する他はなかった。そこで、
上記実施形態では、Ｈ（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）・・・・・（１）から距離ｒを算出し、この算出値にしたがって上記距離
ｒが設定してある。

【００３５】すなわち、所定のダイヤモンド厚みを得る
ためのダイヤモンド成長速度を加工処理速度Ｈ（ｒ）と
すれば、この成長速度Ｈ（ｒ）が、プラズマ（１３、２
５）の中心部から物体（１７、２８）面までの距離ｒの
２乗に反比例して定まることが本出願の発明者によって
確認された。すなわち、プラズマの中心から放射される
粒子にガウスの定理が当てはまる。ガウスの定理を粒子
について当てはめて説明する。点源（プラズマの中心）
から単位時間に同量の粒子が連続的に放出されている。
この時、点源から放出される粒子は、点源を中心として
単位半径の単位球の表面のどの部分にも均等に降り注
ぐ。単位時間に点源から放出された粒子の数と、単位球
表面上に単位時間降り注ぐ粒子の数は同じである。球の
半径が大きくなった場合でも、この球表面に単位時間に
降り注ぐ粒子の数は、単位球表面に単位時間に降り注ぐ
粒子の数と同じである。また、この球表面のどの部分に
も均等に降り注ぐ。点源から放出される粒子数が時間的
に変化する場合も、球表面に粒子が到達する時間を考慮
すれば上記のことは成立する。

【００３６】つまり、プラズマ（１３、２５）と物体
（１７、２８）は相互作用をもたないが、放射する粒子
の線は逆２乗で拡散することから、ニュ−トンの万有引
力の法則、Ｆ（ｒ）＝ＧＭｍ・（１／ｒ²）や電荷に働
く力を示すク−ロンの法則、Ｆ（ｒ）＝（Ｑｑ／４πε
₀）・（１／ｒ²）と同様に考えられ、ダイヤモンドの厚
み成長速度についてＨ（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）の式が
成立することが判明した。

【００３７】したがって、真空度Ｐ、ガス流量Ｌ、マイ
クロ波出力Ｅ、ガス成分及び配合、物体の状態、ヒ−タ
温度、装置構造などを比例係数Ｋとすれば、Ｈ（ｒ）＝
Ｋ・（１／ｒ²）より距離ｒを算出して装置設計するこ
とにより、所定のダイヤモンド厚み成長速度Ｈ（ｒ）を
得ることができる。

【００３８】また、上記（１）式の比例係数Ｋは、真空
室（２３、４２）の真空度Ｐの３乗根に比例し、真空室
（２３、４２）に供給するガス流量Ｌの３乗根に比例
し、また、マイクロ波出力Ｅに比例することが実験によ
って確認された。したがって、装置構造とガス組成が定
まれば、装置構造とガス組成の比例定数αとして、上記
（１）式の比例係数Ｋは、Ｋ＝α・³√Ｐ・³√Ｌ・Ｅ・・・・・・（２）となる。

【００３９】この結果、プラズマ（１３、２５）の中心
部より物体（１７、２８）面までの距離ｒ、真空度Ｐ、
ガス流量Ｌ、マイクロ波出力Ｅの装置構成要部を総体的
に、または、構成要部の一部を変えて装置設計する場合
は、Ｈ（ｒ、Ｐ、Ｌ、Ｅ）＝α・³√Ｐ・³√Ｌ・Ｅ・（１／ｒ²）・・・・（３）の式にもとづいて算出し、その算出値にもとづいて装置
設計することにより、所定のダイヤモンドの厚み成長速
度Ｈ（ｒ、Ｐ、Ｌ、Ｅ）を得ることができるプラズマ発
生装置となる。

【００４０】図５は上記第２実施形態と同様に装置設計
した第３実施形態を示すプラズマ発生装置の概略構成図
を示す。この第３実施形態は、ガス供給口部６１ａをプ
ラズマ２５の発光部外周近くに配設したガス供給管６１
を備えている。このように構成しても供給されたガスが
ほとんどプラズマ２５内に入るので、第２実施形態のプ
ラズマ発生装置とほぼ同様の効果を得ることができる。
なお、図１の実施形態に備えたガス供給管４１について
も、そのガイ供給口部４１ａをプラズマ１３の発光部外
周近くに配設することによってほぼ同様の効果を得るこ
とができる。

【００４１】以上、本発明の好ましい実施形態について
説明したが、本発明はダイヤモンドを化学気相成長させ
るプラズマ発生装置にかぎらず、物体にコ−ティングし
たり、物体面をスパッタリングし、エッチングし、ま
た、物体をシンタリングする等のプラズマ発生装置につ
いても同様に実施することができる。なお、真空室（２
３、４２）に供給するガスは、コ−ティング、スパッタ
リング、エッチング、シンタリング等の物体の加工処理
に応じて変える必要がある。

【００４２】また、本発明を実施する場合は、物体をプ
ラズマ中心部から距離ｒの位置に配設すればよいから、
物体をプラズマの発光部に入れるようにしても実施する
ことが可能である。さらに、コ−ティング加工などの処
理速度を速めるためにはガスをプラズマ内に直接に導く
ことが好ましいが、このような加工処理速度を考慮しな
ければ、ガスは単に真空室に供給する構成とすることが
できる。

【００４３】なお、本発明を第２、第３実施形態で示し
たように同軸線路形のプラズマ発生装置として実施する
ときは、内部導体２１ｂの先端部２１ｃについては、カ
−ボンその他、タングステン、モリブデン、タンタルな
どの高融点金属材からなる導電性材料によって構成する
ことが望ましい。

【００４４】

【発明の効果】上記した通り、本発明によれば、マイク
ロ波プラズマを利用して物体を加工処理するプラズマ発
生装置の各構成要部を計算により求めた算出値にもとづ
いて設計することができる。

【００４５】この結果、製品として予め定めた物体の加
工処理値にしたがった装置設計と装置製造が簡単とな
る。言い換えれば、算出値にもとづいて装置設計したプ
ラズマ発生装置により、予め定められた加工処理値の製
品を生産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態を示す空胴共振器形プラズマ発生
装置の概略構成図である。

【図２】第２実施形態を示す同軸線路形プラズマ発生装
置の概略構成図である。

【図３】図２上のＢ−Ｂ線断面図である。

【図４】図２に示す同軸線路形プラズマ発生装置のプラ
ズマ発光部を示す拡大部分図である。

【図５】第３実施形態を示す同軸線路形プラズマ発生装
置の概略構成図である。

【図６】第１の従来例を示す空胴共振器形プラズマ発生
装置の概略構成図である。

【図７】第２の従来例を示す同軸線路形プラズマ発生装
置の概略構成図である。

【図８】図７上のＡ−Ａ線断面図である。

【符号の説明】

１１導波管１２共振室１３プラズマ１７物体２１同軸線路２１ａ外部導体２１ｂ内部導体２３真空室２５プラズマ２８物体２９ヒ−タ４２真空室４３ヒ−タ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空室に供給したガスをマイクロ波プラ
ズマによって加熱し、プラズマ化ガスによって物体を加
工処理するマイクロ波を利用したプラズマ発生装置にお
いて、プラズマの中心部から物体面までの距離ｒ、また
は、物体の加工処理速度Ｈ（ｒ）を、Ｈ（ｒ）＝Ｋ・（１／ｒ²）Ｋ：真空度、ガス流量、マイクロ波出力等によって決
まる比例係数の条件式にしたがって定めて構成したことを特徴とする
マイクロ波を利用したプラズマ発生装置。
【請求項２】上記比例係数Ｋは、真空室の真空度Ｐの
３乗根に比例する係数としたことを特徴とする請求項
（１）記載のマイクロ波を利用したプラズマ発生装置。
【請求項３】上記比例係数Ｋは、真空室に供給するガ
ス流量Ｌの３乗根に比例する係数としたことを特徴とす
る請求項（１）記載のマイクロ波を利用したプラズマ発
生装置。
【請求項４】上記比例係数Ｋは、マイクロ波出力Ｅに
比例する係数としたことを特徴とする請求項（１）記載
のマイクロ波を利用したプラズマ発生装置。
【請求項５】真空室に供給したガスをマイクロ波プラ
ズマによって加熱し、プラズマ化ガスによって物体を加
工処理するマイクロ波を利用したプラズマ発生装置にお
いて、物体の加工処理速度Ｈ（ｒ、Ｐ、Ｌ、Ｅ）を、Ｈ（ｒ、Ｐ、Ｌ、Ｅ）＝α・³√Ｐ・³√Ｌ・Ｅ・（１／ｒ²） α：装置構造等とガス組成によって定まる定数Ｐ：真空度Ｌ：ガス流量Ｅ：マイクロ波出力の条件式にしたがって定めて構成
したことを特徴とするマイクロ波を利用したプラズマ発
生装置。
【請求項６】物体の加工処理としてダイヤモンドの化
学気相成長を含む物体のコ−テングの他、物体のスパッ
タリング、エッチングまたはシンタリングを行なう構成
としたことを特徴とする請求項（１）または（５）記載
のマイクロ波を利用したプラズマ発生装置。