JPS62116775A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS62116775A JPS62116775A JP25483885A JP25483885A JPS62116775A JP S62116775 A JPS62116775 A JP S62116775A JP 25483885 A JP25483885 A JP 25483885A JP 25483885 A JP25483885 A JP 25483885A JP S62116775 A JPS62116775 A JP S62116775A
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- JP
- Japan
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- plasma
- cavity resonator
- forming gas
- substrate
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、薄膜形成に用いられるＣＶＤ （化学的気
相成長）装置に関し、特にプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
相成長）装置に関し、特にプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
本明細書において、粒子とは、ラジカル、イオン、原Ｔ
、分子、超微粒子等の励起活性種をいう。また、ビーム
とは、流れ方向に断面積がほぼ一定の噴流のことをいい
、その断面形状は問わないものである。
、分子、超微粒子等の励起活性種をいう。また、ビーム
とは、流れ方向に断面積がほぼ一定の噴流のことをいい
、その断面形状は問わないものである。
［従来の技術］
従来、薄膜形成に用いられてきた高周波プラズマＣＶＤ
装置は、反応室内に薄膜の元となる成膜ガス（原料ガス
）を送り込み、高周波放電によってプラズマを作り、成
膜ガスを分解するとともに、活性化エネルギーを４えて
反応室内に配置された基体上に薄膜を形成するものであ
った。
装置は、反応室内に薄膜の元となる成膜ガス（原料ガス
）を送り込み、高周波放電によってプラズマを作り、成
膜ガスを分解するとともに、活性化エネルギーを４えて
反応室内に配置された基体上に薄膜を形成するものであ
った。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、従来装置においては、装置の構造Ｌ、高
周波放電によるエネルギーを効率よく使うことができな
かった。このため、基体１での薄膜の生成率も悪く、外
部からの加熱を必要としていた。また、成膜反応がプラ
ズマの雰囲気中で行なわれるため、反応室の内壁面にも
不要な膜が付若してしまうという欠点があった。
周波放電によるエネルギーを効率よく使うことができな
かった。このため、基体１での薄膜の生成率も悪く、外
部からの加熱を必要としていた。また、成膜反応がプラ
ズマの雰囲気中で行なわれるため、反応室の内壁面にも
不要な膜が付若してしまうという欠点があった。
本発明は、エネルギー付午を効率化し、薄膜の生成率を
向上させたプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
するものである。
向上させたプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するためのＬ段］
本発明は、プラズマの発生に短絡板の移動可能な空胴共
振器を用いたプラズマＣＶＤ装置である。
振器を用いたプラズマＣＶＤ装置である。
本発明における空」→共振器とは、導波管の両端を導体
で短絡したものであり、石英板を介してマイクロ波を付
テすることによって内部を共振状態とし、プラズマを発
生するようにしたものである。本発明に用いられる空胴
共振器は、片方の短絡板を移動可能とし、内部容量を可
変としたものであり、インピーダンス整合をとることが
できる。また、プラズマとなる非成膜ガスは空胴共振器
内に送り込まれ、反応ガスとなる成膜ガスは空胴共振器
の出口近傍で供給される。
で短絡したものであり、石英板を介してマイクロ波を付
テすることによって内部を共振状態とし、プラズマを発
生するようにしたものである。本発明に用いられる空胴
共振器は、片方の短絡板を移動可能とし、内部容量を可
変としたものであり、インピーダンス整合をとることが
できる。また、プラズマとなる非成膜ガスは空胴共振器
内に送り込まれ、反応ガスとなる成膜ガスは空胴共振器
の出口近傍で供給される。
［作 用］
空胴共振器内に順次送り込まれる非成膜ガスは、マイク
ロ波によって励起されプラズマとなる。このプラズマガ
スが出口から放出される時に、空胴共振器あ出口近傍か
ら成膜ガスが供給される。この結果、成膜ガスは活性化
したプラズマガスと接触して分解され、基体に到達した
時にこの成膜ガスの粒子は基体上で再結合し、薄膜が堆
積される。
ロ波によって励起されプラズマとなる。このプラズマガ
スが出口から放出される時に、空胴共振器あ出口近傍か
ら成膜ガスが供給される。この結果、成膜ガスは活性化
したプラズマガスと接触して分解され、基体に到達した
時にこの成膜ガスの粒子は基体上で再結合し、薄膜が堆
積される。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例を示すプラズマＣＶＤ装置の
概略構成図である。図中、ｌはプラズマＣＶＤ装置、２
は空胴共振器、３は磁場発生器となる磁気コイル、９は
基体である。
概略構成図である。図中、ｌはプラズマＣＶＤ装置、２
は空胴共振器、３は磁場発生器となる磁気コイル、９は
基体である。
第１図において、空胴共振器２には非成膜ガス供給管７
が設けられ、出口近傍には、磁気コイル３が配置され、
この磁気コイル３と基体９との間には、成膜ガス供給管
８が設けられている。一方、マイクロ波は導波管６によ
り運ばれ、石英板５を介して空胴共振器ｚ内に送られる
。
が設けられ、出口近傍には、磁気コイル３が配置され、
この磁気コイル３と基体９との間には、成膜ガス供給管
８が設けられている。一方、マイクロ波は導波管６によ
り運ばれ、石英板５を介して空胴共振器ｚ内に送られる
。
本実施例における磁場発生器は、外部電源により励磁さ
れる磁気コイルであるが、その外に永久磁石等を用いる
ことができる。この磁気コイルは、空胴共振器２内で発
生したプラズマを発散磁界により引き出すために用いら
れる。
れる磁気コイルであるが、その外に永久磁石等を用いる
ことができる。この磁気コイルは、空胴共振器２内で発
生したプラズマを発散磁界により引き出すために用いら
れる。
また、本実施例における空調共振器の短絡板４は、図に
示すようにチョーク構造となっている。
示すようにチョーク構造となっている。
これは、短絡板４を移動可能とした場合、短絡板４と空
胴共振器２との接続部に壁面電流が流れ。
胴共振器２との接続部に壁面電流が流れ。
損失が大きくなるためであり、このようなチョーク構造
とすることによって、壁面電流による損失をできるだけ
少なくすることができる。
とすることによって、壁面電流による損失をできるだけ
少なくすることができる。
上記構成において、非成膜ガスを空胴共振器２内に送り
込むとともに、マイクロ波をかえると、非成膜ガスはプ
ラズマとなり空胴共振器２から放出される。このプラズ
マ中の電子は、磁気コイル３の発散磁界によって加速さ
れ、基体に向う。この電子の動きに伴ってイオンも引き
ずられるように基体に向う。この時、基体の直前から成
膜ガスを供給すると、成膜ガスは活性化したプラズマガ
スと接触して分解する。同時に成膜ガスはプラズマガス
とともに基体９に衝突する。この基体上において１分解
された成膜ガスは再結合し、薄膜となって堆積する。
込むとともに、マイクロ波をかえると、非成膜ガスはプ
ラズマとなり空胴共振器２から放出される。このプラズ
マ中の電子は、磁気コイル３の発散磁界によって加速さ
れ、基体に向う。この電子の動きに伴ってイオンも引き
ずられるように基体に向う。この時、基体の直前から成
膜ガスを供給すると、成膜ガスは活性化したプラズマガ
スと接触して分解する。同時に成膜ガスはプラズマガス
とともに基体９に衝突する。この基体上において１分解
された成膜ガスは再結合し、薄膜となって堆積する。
上記実施例において、空胴共振器２の短絡板４を上下に
移動することによって、導波管と空胴共振器とのインピ
ーダンス整合は常に最適状態となるよう制御される。
移動することによって、導波管と空胴共振器とのインピ
ーダンス整合は常に最適状態となるよう制御される。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明によれば空胴共振器にプラ
ズマ発生室として用いることにより、マイクロ波のエネ
ルギーを効率よくかえることができ、外部から熱を加え
ることなく低温で膜の生成を行うことができる。また、
成膜ガスが基体の直前で供給されるので、より多くの粒
子（ラジカル、イオン、原子、分子等）を基体りに集め
ることができる。
ズマ発生室として用いることにより、マイクロ波のエネ
ルギーを効率よくかえることができ、外部から熱を加え
ることなく低温で膜の生成を行うことができる。また、
成膜ガスが基体の直前で供給されるので、より多くの粒
子（ラジカル、イオン、原子、分子等）を基体りに集め
ることができる。
特に１本発明における空胴共振器は、短絡板が移動可能
であるため、導波管と空胴共振器とのインピーダンス整
合を容易に調整することができ、反応条件を常に最適な
状態に合わせることができる。
であるため、導波管と空胴共振器とのインピーダンス整
合を容易に調整することができ、反応条件を常に最適な
状態に合わせることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す装置の概略構成図であ
る。 ２・・・空胴共振器、３・・・磁気コイル、４・・・短
絡板、６・・・導波管、９・・・基体。
る。 ２・・・空胴共振器、３・・・磁気コイル、４・・・短
絡板、６・・・導波管、９・・・基体。
Claims (1)
- １）短絡板の調節可能な空胴共振器を有することを特徴
とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25483885A JPS62116775A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25483885A JPS62116775A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62116775A true JPS62116775A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17270555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25483885A Pending JPS62116775A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62116775A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908330A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4908329A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4914052A (en) * | 1988-02-01 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| JPH03193880A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマｃｖｄによる高速成膜方法及びその装置 |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP25483885A patent/JPS62116775A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908330A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4908329A (en) * | 1988-02-01 | 1990-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| US4914052A (en) * | 1988-02-01 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process |
| JPH03193880A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマｃｖｄによる高速成膜方法及びその装置 |
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