JPH11186222A - Ｅｃｒエッチング装置 - Google Patents
Ｅｃｒエッチング装置Info
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- JPH11186222A JPH11186222A JP35498697A JP35498697A JPH11186222A JP H11186222 A JPH11186222 A JP H11186222A JP 35498697 A JP35498697 A JP 35498697A JP 35498697 A JP35498697 A JP 35498697A JP H11186222 A JPH11186222 A JP H11186222A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理室の壁を加熱する新規な構成の加熱手段
を備えて、エッチング効率が高く、パーティクル発生が
抑制されたＥＣＲエッチング装置を提供する。 【解決手段】 本ＥＣＲエッチング装置は、マイクロ波
透過性材料で形成されたマイクロ波導波窓１２を介して
マイクロ波を導入し、サイクロトロン共鳴によるプラズ
マを生成するチャンバ１６を備えて、チャンバ内に保持
したウエハＷにプラズマエッチングを施すＥＣＲエッチ
ング装置である。本装置は、少なくともマイクロ波導波
窓を被加熱面として、被加熱面に常温以上の気体を吹き
つけて加熱する加熱手段４２を備えている。加熱手段
は、ガスを供給する供給源４４と、ガス流をチャンバの
被加熱壁面に供給する供給管４８と、供給管内に設けら
れ、ガス流を１００℃以上に加熱する発熱コイル５２
と、被加熱面にガス流を吹き付ける吹き付けノズル５４
とを備え、被加熱面をガス流により１００℃以上に加熱
する。
を備えて、エッチング効率が高く、パーティクル発生が
抑制されたＥＣＲエッチング装置を提供する。 【解決手段】 本ＥＣＲエッチング装置は、マイクロ波
透過性材料で形成されたマイクロ波導波窓１２を介して
マイクロ波を導入し、サイクロトロン共鳴によるプラズ
マを生成するチャンバ１６を備えて、チャンバ内に保持
したウエハＷにプラズマエッチングを施すＥＣＲエッチ
ング装置である。本装置は、少なくともマイクロ波導波
窓を被加熱面として、被加熱面に常温以上の気体を吹き
つけて加熱する加熱手段４２を備えている。加熱手段
は、ガスを供給する供給源４４と、ガス流をチャンバの
被加熱壁面に供給する供給管４８と、供給管内に設けら
れ、ガス流を１００℃以上に加熱する発熱コイル５２
と、被加熱面にガス流を吹き付ける吹き付けノズル５４
とを備え、被加熱面をガス流により１００℃以上に加熱
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＣＲエッチング
装置に関し、更に詳細には、反応生成物のチャンバ壁面
付着を抑制してエッチング効率を高くし、かつチャンバ
内のパーティクル発生を防止するように工夫したＥＣＲ
エッチング装置に関するものである。
装置に関し、更に詳細には、反応生成物のチャンバ壁面
付着を抑制してエッチング効率を高くし、かつチャンバ
内のパーティクル発生を防止するように工夫したＥＣＲ
エッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造過程で多用されている
ＥＣＲエッチング装置は、方向性エッチングを施すこと
のできるエッチング装置であって、マイクロ波によりチ
ャンバ内でプラズマを発生させ、ウエハに照射する装置
である。ここで、図４を参照して、従来のＥＣＲエッチ
ング装置の構成と機能を説明する。図４は、従来のＥＣ
Ｒエッチング装置の構成を示す模式図である。ＥＣＲエ
ッチング装置１０は、図４に示すように、石英で出来た
マイクロ波導波窓１２を天井壁に有するチャンバとして
形成され、ウエハＷを載置したウエハ保持台１４を下部
に収容し、マイクロ波放電によりプラズマを生成してプ
ラズマエッチングを施す処理室１６（ベルジャ）を備え
ている。更に、ＥＣＲエッチング装置１０は、２．４５
ＧＨz のマイクロ波を発生させるマグネトロン１８と、
発生したマイクロ波を処理室１６に導波する導波路２０
と、処理室１６に入るマイクロ波に磁界を作用させるソ
レノイドコイル２２と、ウエハ保持台１２を介してウエ
ハに高周波バイアス電圧を印加する高周波電源２４とを
備えている。処理室１６にはエッチングガスがガス入口
管２６を経て導入されると共に、排気管２８を介して排
気することにより、処理室１６は高真空度に維持されて
いる。
ＥＣＲエッチング装置は、方向性エッチングを施すこと
のできるエッチング装置であって、マイクロ波によりチ
ャンバ内でプラズマを発生させ、ウエハに照射する装置
である。ここで、図４を参照して、従来のＥＣＲエッチ
ング装置の構成と機能を説明する。図４は、従来のＥＣ
Ｒエッチング装置の構成を示す模式図である。ＥＣＲエ
ッチング装置１０は、図４に示すように、石英で出来た
マイクロ波導波窓１２を天井壁に有するチャンバとして
形成され、ウエハＷを載置したウエハ保持台１４を下部
に収容し、マイクロ波放電によりプラズマを生成してプ
ラズマエッチングを施す処理室１６（ベルジャ）を備え
ている。更に、ＥＣＲエッチング装置１０は、２．４５
ＧＨz のマイクロ波を発生させるマグネトロン１８と、
発生したマイクロ波を処理室１６に導波する導波路２０
と、処理室１６に入るマイクロ波に磁界を作用させるソ
レノイドコイル２２と、ウエハ保持台１２を介してウエ
ハに高周波バイアス電圧を印加する高周波電源２４とを
備えている。処理室１６にはエッチングガスがガス入口
管２６を経て導入されると共に、排気管２８を介して排
気することにより、処理室１６は高真空度に維持されて
いる。
【０００３】ＥＣＲエッチング装置１０では、マイクロ
波放電により生成した電子が、ソレノイドコイル２２に
よる磁界の影響により、サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
し、処理室１６に導入されたエッチングガスの分子を効
率的に電離するので、低いガス圧でも放電が持続し、高
いイオン化率を得ることができる。上述のように、処理
室１６内のガス圧を低くできるので、低いイオンエネル
ギーでも高い方向性を得ることができ、高精度の方向性
エッチングが可能であると評価されている。
波放電により生成した電子が、ソレノイドコイル２２に
よる磁界の影響により、サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）
し、処理室１６に導入されたエッチングガスの分子を効
率的に電離するので、低いガス圧でも放電が持続し、高
いイオン化率を得ることができる。上述のように、処理
室１６内のガス圧を低くできるので、低いイオンエネル
ギーでも高い方向性を得ることができ、高精度の方向性
エッチングが可能であると評価されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＥＣ
Ｒエッチング装置では、ウエハにエッチングを施した際
に生成する反応生成物が、図４に示すように、処理室１
６の壁、特に天井壁のマイクロ波導波窓１２に付着す
る。マイクロ波導波窓１２に付着した反応生成物は、マ
イクロ波導波窓を生成する石英の透明度を悪くして石英
壁のマイクロ波透過性を低下させるために、マイクロ波
の導波効率、従ってＥＣＲエッチング装置のエッチング
効率が低下するという問題があった。また、処理室１６
の壁に付着した反応生成物膜が成長して行く過程で、反
応生成物が剥がれ落ちてパーティクルとなって、処理室
１６内で浮遊し、終には、ウエハに付着して異物とな
り、製品歩留りを低下させる原因ともなっていた。例え
ば、エッチングガスとしてＣ4 Ｆ8 を使用してウエハ上
のＳｉＯ2 膜をエッチングする際には、エッチングガス
は、Ｆ、ＣＦ、ＣＦ2 等のガス、或いはＣＦ2 + 、ＣＦ
3 + 等のイオンに分解し、ＳｉＯ2 膜と反応して反応生
成物となり、処理室の壁面に付着して重合膜を形成する
と言われている。
Ｒエッチング装置では、ウエハにエッチングを施した際
に生成する反応生成物が、図４に示すように、処理室１
６の壁、特に天井壁のマイクロ波導波窓１２に付着す
る。マイクロ波導波窓１２に付着した反応生成物は、マ
イクロ波導波窓を生成する石英の透明度を悪くして石英
壁のマイクロ波透過性を低下させるために、マイクロ波
の導波効率、従ってＥＣＲエッチング装置のエッチング
効率が低下するという問題があった。また、処理室１６
の壁に付着した反応生成物膜が成長して行く過程で、反
応生成物が剥がれ落ちてパーティクルとなって、処理室
１６内で浮遊し、終には、ウエハに付着して異物とな
り、製品歩留りを低下させる原因ともなっていた。例え
ば、エッチングガスとしてＣ4 Ｆ8 を使用してウエハ上
のＳｉＯ2 膜をエッチングする際には、エッチングガス
は、Ｆ、ＣＦ、ＣＦ2 等のガス、或いはＣＦ2 + 、ＣＦ
3 + 等のイオンに分解し、ＳｉＯ2 膜と反応して反応生
成物となり、処理室の壁面に付着して重合膜を形成する
と言われている。
【０００５】反応生成物は処理室の壁を加熱することに
より分解する傾向にある、換言すれば加温された壁面に
は付着し難い性質があるので、従来から、処理室の壁を
加熱して、反応生成物の付着を抑制することが試みられ
ているが、しかし、従来のＥＣＲエッチング装置には、
エッチング効率を低下させないような適切な加熱手段を
備えた装置が見当たらないのが、実状である。例えば、
熱線ヒータ等の加熱手段を処理室１６に取り付けること
が試みられているものの、このような発熱体は、マイク
ロ波透過性を備えていないので、マイクロ波の導波経
路、例えばマイクロ波導波窓に、直接、設けることは難
しく、図４に示すようにマイクロ波導波窓１２を避け
て、その下方の円筒部に熱線ヒータ３０を設けざるを得
なかった。しかし、これでは、マイクロ波の導波にとっ
て最も重要なマイクロ波導波窓に反応生成物が付着する
という問題を解決することは難しい。
より分解する傾向にある、換言すれば加温された壁面に
は付着し難い性質があるので、従来から、処理室の壁を
加熱して、反応生成物の付着を抑制することが試みられ
ているが、しかし、従来のＥＣＲエッチング装置には、
エッチング効率を低下させないような適切な加熱手段を
備えた装置が見当たらないのが、実状である。例えば、
熱線ヒータ等の加熱手段を処理室１６に取り付けること
が試みられているものの、このような発熱体は、マイク
ロ波透過性を備えていないので、マイクロ波の導波経
路、例えばマイクロ波導波窓に、直接、設けることは難
しく、図４に示すようにマイクロ波導波窓１２を避け
て、その下方の円筒部に熱線ヒータ３０を設けざるを得
なかった。しかし、これでは、マイクロ波の導波にとっ
て最も重要なマイクロ波導波窓に反応生成物が付着する
という問題を解決することは難しい。
【０００６】そこで、本発明の目的は、処理室の壁を加
熱する新規な構成の加熱手段を備えて、エッチング効率
が高く、パーティクル発生が抑制されたＥＣＲエッチン
グ装置を提供することである。
熱する新規な構成の加熱手段を備えて、エッチング効率
が高く、パーティクル発生が抑制されたＥＣＲエッチン
グ装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、マイクロ波
を遮断しない加熱方法として高温気体吹き付けによる加
熱を着眼し、実験を重ねて本発明を完成するに到った。
上記目的を達成するために、本発明に係るＥＣＲエッチ
ング装置は、マイクロ波透過性材料で形成されたマイク
ロ波導波窓を介してマイクロ波を導入し、サイクロトロ
ン共鳴によるプラズマを生成するチャンバを備えて、チ
ャンバ内に保持したウエハにプラズマエッチングを施す
ＥＣＲエッチング装置において、チャンバを形成する壁
面のうち少なくともマイクロ波導波窓を被加熱面とし
て、気体流を常温以上の温度に加熱してなる熱風を被加
熱面に接触させて加熱する加熱手段を備えていることを
特徴としている。
を遮断しない加熱方法として高温気体吹き付けによる加
熱を着眼し、実験を重ねて本発明を完成するに到った。
上記目的を達成するために、本発明に係るＥＣＲエッチ
ング装置は、マイクロ波透過性材料で形成されたマイク
ロ波導波窓を介してマイクロ波を導入し、サイクロトロ
ン共鳴によるプラズマを生成するチャンバを備えて、チ
ャンバ内に保持したウエハにプラズマエッチングを施す
ＥＣＲエッチング装置において、チャンバを形成する壁
面のうち少なくともマイクロ波導波窓を被加熱面とし
て、気体流を常温以上の温度に加熱してなる熱風を被加
熱面に接触させて加熱する加熱手段を備えていることを
特徴としている。
【０００８】本発明で使用する気体流の種類に制約はな
いが、非反応性のガス、例えば窒素ガス等の不活性ガス
が好ましい。被加熱面は、少なくともマイクロ波導波窓
を含むチャンバの壁面である限りその範囲に制約はな
く、好適にはチャンバ壁面全体にわたり加熱するように
する。
いが、非反応性のガス、例えば窒素ガス等の不活性ガス
が好ましい。被加熱面は、少なくともマイクロ波導波窓
を含むチャンバの壁面である限りその範囲に制約はな
く、好適にはチャンバ壁面全体にわたり加熱するように
する。
【０００９】加熱手段は、被加熱面に常温以上の気体を
吹きつけて加熱できる限りその構成に制約はないが、好
適な実施態様では、加熱手段は、ガス流を供給する供給
源と、ガス流をチャンバの被加熱壁面に導入する供給管
と、供給管内に設けられ、ガス流を４５℃以上の温度に
加熱して熱風にする発熱コイルと、被加熱面に熱風を吹
き付ける吹き付けノズルとを備え、被加熱面を熱風によ
り加熱する。これにより、被加熱面を４５℃以上の温度
に加熱することができる。また、加熱手段は、チャンバ
を囲うケーシングを有し、被加熱面に吹きつけた熱風を
ケーシング内で更に攪拌する攪拌手段を備えるようにし
ても良い。これにより、チャンバの壁面全体を一様に加
熱することができる。
吹きつけて加熱できる限りその構成に制約はないが、好
適な実施態様では、加熱手段は、ガス流を供給する供給
源と、ガス流をチャンバの被加熱壁面に導入する供給管
と、供給管内に設けられ、ガス流を４５℃以上の温度に
加熱して熱風にする発熱コイルと、被加熱面に熱風を吹
き付ける吹き付けノズルとを備え、被加熱面を熱風によ
り加熱する。これにより、被加熱面を４５℃以上の温度
に加熱することができる。また、加熱手段は、チャンバ
を囲うケーシングを有し、被加熱面に吹きつけた熱風を
ケーシング内で更に攪拌する攪拌手段を備えるようにし
ても良い。これにより、チャンバの壁面全体を一様に加
熱することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係るＥＣＲエッチング装置の
実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のＥＣＲ
エッチング装置の構成を示す模式図である。本実施形態
例のＥＣＲエッチング装置４０は、図４に示した熱線ヒ
ータ３０に代えて、高温気体吹き付けによる加熱手段４
２を備えていて、その他の構成は従来のＥＣＲエッチン
グ装置１０と同じである。加熱手段４２は、ガス、例え
ば窒素ガスを供給する供給源４４と、窒素ガス気流を送
風する送風機４６と、窒素ガス流をチャンバのマイクロ
波導波窓に導入する供給管４８と、供給管４８の途中の
加熱室５０に設けられ、窒素ガス流を１００℃以上に加
熱する発熱コイル５２と、加熱された窒素ガス流をマイ
クロ波導波窓１２に吹き付ける複数個の吹き付けノズル
５４とを備えている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係るＥＣＲエッチング装置の
実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のＥＣＲ
エッチング装置の構成を示す模式図である。本実施形態
例のＥＣＲエッチング装置４０は、図４に示した熱線ヒ
ータ３０に代えて、高温気体吹き付けによる加熱手段４
２を備えていて、その他の構成は従来のＥＣＲエッチン
グ装置１０と同じである。加熱手段４２は、ガス、例え
ば窒素ガスを供給する供給源４４と、窒素ガス気流を送
風する送風機４６と、窒素ガス流をチャンバのマイクロ
波導波窓に導入する供給管４８と、供給管４８の途中の
加熱室５０に設けられ、窒素ガス流を１００℃以上に加
熱する発熱コイル５２と、加熱された窒素ガス流をマイ
クロ波導波窓１２に吹き付ける複数個の吹き付けノズル
５４とを備えている。
【００１１】図１では、２個の吹き付けノズル５４が図
示されているが、これに限ることはない。例えば、処理
室１６の周りにヘッダ（図示せず）を設け、そのヘッダ
に多数個の吹き付けノズル５４を備えて、マイクロ波導
波窓１２に限らず、処理室１６全体の壁を加熱すること
もできる。また、マイクロ波導波窓１２に加えて、反応
生成物の付着し易い場所を選んで吹き付けノズル５４を
設けるようにしても良い。供給管４８及び吹き付けノズ
ル５４は、図１に示すように、マイクロ波の導波経路を
遮らないように配置されている。尚、供給源４４がボン
ベ等の圧力を有する供給源である場合には、送風機４６
は不要である。また、加熱室５０に小型ファンを設け
て、窒素ガス気流を攪拌して加熱を容易にすることもで
きる。更に、加熱手段４２に加えて、従来のＥＣＲエッ
チング装置１０と同様にヒータ３０をマイクロ波導波窓
１２の下方に設けることもできる。
示されているが、これに限ることはない。例えば、処理
室１６の周りにヘッダ（図示せず）を設け、そのヘッダ
に多数個の吹き付けノズル５４を備えて、マイクロ波導
波窓１２に限らず、処理室１６全体の壁を加熱すること
もできる。また、マイクロ波導波窓１２に加えて、反応
生成物の付着し易い場所を選んで吹き付けノズル５４を
設けるようにしても良い。供給管４８及び吹き付けノズ
ル５４は、図１に示すように、マイクロ波の導波経路を
遮らないように配置されている。尚、供給源４４がボン
ベ等の圧力を有する供給源である場合には、送風機４６
は不要である。また、加熱室５０に小型ファンを設け
て、窒素ガス気流を攪拌して加熱を容易にすることもで
きる。更に、加熱手段４２に加えて、従来のＥＣＲエッ
チング装置１０と同様にヒータ３０をマイクロ波導波窓
１２の下方に設けることもできる。
【００１２】以上の構成により、本実施形態例は、窒素
ガス流からなる熱風によりマイクロ波導波窓１２を１０
０℃以上に加熱することができるので、マイクロ波導波
窓１２に反応生成物が付着しても分解して、排気管２８
を介して排気されるため、マイクロ波導波窓１２は常に
その良好なマイクロ波透過性が維持される。従って、従
来のＥＣＲエッチング装置のように、エッチング効率が
低下するようなことがない。
ガス流からなる熱風によりマイクロ波導波窓１２を１０
０℃以上に加熱することができるので、マイクロ波導波
窓１２に反応生成物が付着しても分解して、排気管２８
を介して排気されるため、マイクロ波導波窓１２は常に
その良好なマイクロ波透過性が維持される。従って、従
来のＥＣＲエッチング装置のように、エッチング効率が
低下するようなことがない。
【００１３】実施形態例２ 本実施形態例は、実施形態例１のＥＣＲエッチング装置
の改変例であって、図２は本実施形態例のＥＣＲエッチ
ング装置の構成を示す模式図である。本実施形態例のＥ
ＣＲエッチング装置６０は、実施形態例１のＥＣＲエッ
チング装置４０の構成に加えて、処理室１６の上部を覆
うケーシング６２を設け、ケーシング６２内にファン６
４を備えている。本実施形態例では、ファン６４でケー
シング６２内の高温窒素ガスを攪拌することにより、処
理室１６全体の壁を一様に加熱することができるので、
処理室１６の壁への反応生成物の付着を一層効果的に防
止することができる。
の改変例であって、図２は本実施形態例のＥＣＲエッチ
ング装置の構成を示す模式図である。本実施形態例のＥ
ＣＲエッチング装置６０は、実施形態例１のＥＣＲエッ
チング装置４０の構成に加えて、処理室１６の上部を覆
うケーシング６２を設け、ケーシング６２内にファン６
４を備えている。本実施形態例では、ファン６４でケー
シング６２内の高温窒素ガスを攪拌することにより、処
理室１６全体の壁を一様に加熱することができるので、
処理室１６の壁への反応生成物の付着を一層効果的に防
止することができる。
【００１４】実施形態例３ 本実施形態例は、本発明に係るＥＣＲエッチング装置を
チャンバの形状の異なるＥＣＲエッチング装置に適用し
た例であって、図３は本実施形態例のＥＣＲエッチング
装置の構成を示す模式図である。本実施形態例のＥＣＲ
エッチング装置７０の処理室１６は、図３に示すよう
に、天井壁１２が半円球形で、その全壁面が石英で形成
されている。本実施形態例の加熱手段７２は、実施形態
例１の加熱手段４２の構成に加えて、処理室１６の半円
球形の天井壁１２の全壁面にわたり吹き付けノズル５４
を配置するヘッダ配管７４を備えている。これにより、
加熱された窒素ガスを処理室１６の天井壁１２全体に吹
き付けて加熱することができるので、処理室１６の全壁
面に反応生成物が付着し難くなる。
チャンバの形状の異なるＥＣＲエッチング装置に適用し
た例であって、図３は本実施形態例のＥＣＲエッチング
装置の構成を示す模式図である。本実施形態例のＥＣＲ
エッチング装置７０の処理室１６は、図３に示すよう
に、天井壁１２が半円球形で、その全壁面が石英で形成
されている。本実施形態例の加熱手段７２は、実施形態
例１の加熱手段４２の構成に加えて、処理室１６の半円
球形の天井壁１２の全壁面にわたり吹き付けノズル５４
を配置するヘッダ配管７４を備えている。これにより、
加熱された窒素ガスを処理室１６の天井壁１２全体に吹
き付けて加熱することができるので、処理室１６の全壁
面に反応生成物が付着し難くなる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロ波導波窓を介
してマイクロ波を導入し、サイクロトロン共鳴によるプ
ラズマを生成するチャンバを備えて、チャンバ内に保持
したウエハにプラズマエッチングを施すＥＣＲエッチン
グ装置において、少なくともマイクロ波導波窓を被加熱
面として、被加熱面に常温以上の熱風を吹きつけて加熱
する加熱手段を備え、常温以上の熱風を少なくともマイ
クロ波導波窓、更にはチャンバ壁面全体に吹きつけて加
熱する。これにより、反応生成物がマイクロ波導波窓、
更にはチャンバの全壁面に付着するのを抑制してエッチ
ング効率を向上させ、また、チャンバ内でのパーティク
ルの発生を防止することができる。また、加熱手段は、
マイクロ波を遮断するものを備えていないので、マイク
ロ波の導波に支障を来すようなこともない。
してマイクロ波を導入し、サイクロトロン共鳴によるプ
ラズマを生成するチャンバを備えて、チャンバ内に保持
したウエハにプラズマエッチングを施すＥＣＲエッチン
グ装置において、少なくともマイクロ波導波窓を被加熱
面として、被加熱面に常温以上の熱風を吹きつけて加熱
する加熱手段を備え、常温以上の熱風を少なくともマイ
クロ波導波窓、更にはチャンバ壁面全体に吹きつけて加
熱する。これにより、反応生成物がマイクロ波導波窓、
更にはチャンバの全壁面に付着するのを抑制してエッチ
ング効率を向上させ、また、チャンバ内でのパーティク
ルの発生を防止することができる。また、加熱手段は、
マイクロ波を遮断するものを備えていないので、マイク
ロ波の導波に支障を来すようなこともない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１のＥＣＲエッチング装置の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】実施形態例２のＥＣＲエッチング装置の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図３】実施形態例２のＥＣＲエッチング装置の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図４】従来のＥＣＲエッチング装置の構成を示す模式
図である。
図である。
１０……従来のＥＣＲエッチング装置、１２……マイク
ロ波導波窓、１４……ウエハ保持台、１６……処理室
（ベルジャ）、１８……マグネトロン、２０……導波
路、２２……ソレノイドコイル、２４……高周波電源、
２６……ガス入口管、２８……排気管、３０……ヒー
タ、４０……実施形態例１のＥＣＲエッチング装置、４
２……加熱手段、４４……窒素ガスの供給源、４６……
送風機、４８……供給管、５０……加熱室、５２……発
熱コイル、５４……吹き付けノズル、６０……実施形態
例２のＥＣＲエッチング装置、６２……ケーシング、６
４……ファン、７０……実施形態例３のＥＣＲエッチン
グ装置、７２……ヘッダ。
ロ波導波窓、１４……ウエハ保持台、１６……処理室
（ベルジャ）、１８……マグネトロン、２０……導波
路、２２……ソレノイドコイル、２４……高周波電源、
２６……ガス入口管、２８……排気管、３０……ヒー
タ、４０……実施形態例１のＥＣＲエッチング装置、４
２……加熱手段、４４……窒素ガスの供給源、４６……
送風機、４８……供給管、５０……加熱室、５２……発
熱コイル、５４……吹き付けノズル、６０……実施形態
例２のＥＣＲエッチング装置、６２……ケーシング、６
４……ファン、７０……実施形態例３のＥＣＲエッチン
グ装置、７２……ヘッダ。
Claims (4)
- 【請求項１】 マイクロ波透過性材料で形成されたマイ
クロ波導波窓を介してマイクロ波を導入し、サイクロト
ロン共鳴によるプラズマを生成するチャンバを備えて、
チャンバ内に保持したウエハにプラズマエッチングを施
すＥＣＲエッチング装置において、 チャンバを形成する壁面のうち少なくともマイクロ波導
波窓を被加熱面として、気体流を常温以上の温度に加熱
してなる熱風を被加熱面に接触させて加熱する加熱手段
を備えていることを特徴とするＥＣＲエッチング装置。 - 【請求項２】 加熱手段は、ガス流を供給する供給源
と、ガス流をチャンバの被加熱壁面に導入する供給管
と、供給管内に設けられ、ガス流を４５℃以上の温度に
加熱して熱風にする発熱コイルと、被加熱面に熱風を吹
き付ける吹き付けノズルとを備え、 被加熱面を熱風により加熱することを特徴とする請求項
１に記載のＥＣＲエッチング装置。 - 【請求項３】 加熱手段は、チャンバを囲うケーシング
を有し、被加熱面に吹きつけた熱風をケーシング内で更
に攪拌する攪拌手段を備えていることを特徴とする請求
項１又は２に記載のＥＣＲエッチング装置。 - 【請求項４】 チャンバの壁面のうち少なくともマイク
ロ波導波窓が石英で形成されていることを特徴とする請
求項３に記載のＥＣＲエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35498697A JPH11186222A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ｅｃｒエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35498697A JPH11186222A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ｅｃｒエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186222A true JPH11186222A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18441217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35498697A Pending JPH11186222A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | Ｅｃｒエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186222A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132621B2 (en) | 2002-05-08 | 2006-11-07 | Dana Corporation | Plasma catalyst |
| US7189940B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
| US7432470B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-10-07 | Btu International, Inc. | Surface cleaning and sterilization |
| US7445817B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
| US7465362B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-12-16 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
| US7494904B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-02-24 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted doping |
| US7497922B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
| US7498066B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International Inc. | Plasma-assisted enhanced coating |
| US7560657B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-07-14 | Btu International Inc. | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
| US7638727B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
| JP2012049393A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP35498697A patent/JPH11186222A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7494904B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-02-24 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted doping |
| US7497922B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
| US7214280B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-05-08 | Btu International Inc. | Plasma-assisted decrystallization |
| US7227097B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-06-05 | Btu International, Inc. | Plasma generation and processing with multiple radiation sources |
| US7309843B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-12-18 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted joining |
| US7432470B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-10-07 | Btu International, Inc. | Surface cleaning and sterilization |
| US7638727B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
| US7445817B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
| US7132621B2 (en) | 2002-05-08 | 2006-11-07 | Dana Corporation | Plasma catalyst |
| US7465362B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-12-16 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
| US7498066B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International Inc. | Plasma-assisted enhanced coating |
| US7560657B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-07-14 | Btu International Inc. | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
| US7592564B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-09-22 | Btu International Inc. | Plasma generation and processing with multiple radiation sources |
| US7608798B2 (en) | 2002-05-08 | 2009-10-27 | Btu International Inc. | Plasma catalyst |
| US7189940B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
| JP2012049393A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
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