JPH07135093A - プラズマ処理装置及び処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及び処理方法Info
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- JPH07135093A JPH07135093A JP5277934A JP27793493A JPH07135093A JP H07135093 A JPH07135093 A JP H07135093A JP 5277934 A JP5277934 A JP 5277934A JP 27793493 A JP27793493 A JP 27793493A JP H07135093 A JPH07135093 A JP H07135093A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に
処理することのできるプラズマ処理装置及び処理方法を
提供する。 【構成】 真空排気手段と反応ガス導入口１４とを有す
る真空保持可能な真空容器１１に、マイクロ波を輸送す
るための同軸導波管の一端を接続する。この場合、同軸
管１５ａと同軸管１５ｂとにより小径の第１の同軸導波
管を形成し、同軸管１５ｂと同軸管１５ｃとにより大径
の第２の同軸導波管を形成する。第１及び第２の同軸導
波管の他端にはマイクロ波の矩形導波管１７ａ、１７ｂ
を各々接続する。
処理することのできるプラズマ処理装置及び処理方法を
提供する。 【構成】 真空排気手段と反応ガス導入口１４とを有す
る真空保持可能な真空容器１１に、マイクロ波を輸送す
るための同軸導波管の一端を接続する。この場合、同軸
管１５ａと同軸管１５ｂとにより小径の第１の同軸導波
管を形成し、同軸管１５ｂと同軸管１５ｃとにより大径
の第２の同軸導波管を形成する。第１及び第２の同軸導
波管の他端にはマイクロ波の矩形導波管１７ａ、１７ｂ
を各々接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶パネル、
太陽電池等の薄膜形成工程、あるいは微細なパターンを
形成するためのエッチング工程などに用いられるプラズ
マ処理装置及び処理方法に関する。
太陽電池等の薄膜形成工程、あるいは微細なパターンを
形成するためのエッチング工程などに用いられるプラズ
マ処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマ処理装置は、高機能化と
その処理コストの低減のために、高速化、高品質化、大
面積処理化を実現する取り組みが盛んに行われている。
その処理コストの低減のために、高速化、高品質化、大
面積処理化を実現する取り組みが盛んに行われている。
【０００３】以下、従来のプラズマ処理装置を、イオン
加工装置（特公昭５３−４４７９５号公報）を例に挙げ
て説明する。図７は従来のプラズマ処理装置における反
応室の断面図である。図７において、１は真空排気手段
を有する真空保持可能な真空容器であり、放電空間を形
成している。２は被処理基板、３は被処理基板台、４は
反応ガス導入管、５はマイクロ波を伝搬する同軸導波管
の中心導体、６は外側導体、７は真空気密を保持するた
めの絶縁物、８は磁界発生手段としての磁場コイルであ
る。
加工装置（特公昭５３−４４７９５号公報）を例に挙げ
て説明する。図７は従来のプラズマ処理装置における反
応室の断面図である。図７において、１は真空排気手段
を有する真空保持可能な真空容器であり、放電空間を形
成している。２は被処理基板、３は被処理基板台、４は
反応ガス導入管、５はマイクロ波を伝搬する同軸導波管
の中心導体、６は外側導体、７は真空気密を保持するた
めの絶縁物、８は磁界発生手段としての磁場コイルであ
る。
【０００４】以上のような構成を有する従来のプラズマ
処理装置について、以下その動作を説明する。まず、反
応ガス導入管４を通して真空容器１内にＡｒ、ＣＦ4 の
ような反応ガスを５×１０-4Ｔｏｒｒ程度導入する。次
いで、マイクロ波立体回路である同軸導波管の中心導体
５、外側導体６を通して２．４５ＧＨｚのマイクロ波を
真空容器１内に導入し、中心導体５の周りにマイクロ波
電界を放射状に形成する。この場合、磁場コイル８によ
ってこのマイクロ波電界と直角方向に静磁界が印加され
るので、プラズマ中の電子をトラップして高密度のプラ
ズマを発生させることができる。また、磁場強度が８７
５Ｇとなる領域を発生させるような磁力を持たせれば、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対して電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）条件を満足し、さらに高密度のプラズ
マを発生させることができる。そして、このようにして
発生したプラズマ中の活性子により、被処理基板２にエ
ッチング処理を施すことができる。
処理装置について、以下その動作を説明する。まず、反
応ガス導入管４を通して真空容器１内にＡｒ、ＣＦ4 の
ような反応ガスを５×１０-4Ｔｏｒｒ程度導入する。次
いで、マイクロ波立体回路である同軸導波管の中心導体
５、外側導体６を通して２．４５ＧＨｚのマイクロ波を
真空容器１内に導入し、中心導体５の周りにマイクロ波
電界を放射状に形成する。この場合、磁場コイル８によ
ってこのマイクロ波電界と直角方向に静磁界が印加され
るので、プラズマ中の電子をトラップして高密度のプラ
ズマを発生させることができる。また、磁場強度が８７
５Ｇとなる領域を発生させるような磁力を持たせれば、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対して電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）条件を満足し、さらに高密度のプラズ
マを発生させることができる。そして、このようにして
発生したプラズマ中の活性子により、被処理基板２にエ
ッチング処理を施すことができる。
【０００５】尚、反応ガスとしてＳｉＨ4 等の堆積性ガ
スを導入し、被処理基板２を加熱することにより、被処
理基板２の上にアモルファスシリコン膜を堆積させるこ
ともできる。
スを導入し、被処理基板２を加熱することにより、被処
理基板２の上にアモルファスシリコン膜を堆積させるこ
ともできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
構成を有する従来のプラズマ処理装置では、マイクロ波
を伝搬する同軸導波管の中心導体５の近辺でプラズマ密
度が高くなり、プラズマ処理の均一性が悪く、大面積の
基板に対しては適用できないという問題点があった。
構成を有する従来のプラズマ処理装置では、マイクロ波
を伝搬する同軸導波管の中心導体５の近辺でプラズマ密
度が高くなり、プラズマ処理の均一性が悪く、大面積の
基板に対しては適用できないという問題点があった。
【０００７】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理
することのできるプラズマ処理装置及び処理方法を提供
することを目的とする。
ため、高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理
することのできるプラズマ処理装置及び処理方法を提供
することを目的とする。
【０００８】
【問題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るプラズマ処理装置の第１の構成は、真
空排気手段と反応ガス導入手段とを有する真空容器と、
前記真空容器内に設けられた被処理基板保持手段と、前
記真空容器に接続され、中心導体と同心状に配置された
複数個の外側導体とにより形成された複数の同軸導波管
と、前記同軸導波管を封止する絶縁物と、前記複数の同
軸導波管に各々高周波電力を導入する手段とを少なくと
も備えたものである。
め、本発明に係るプラズマ処理装置の第１の構成は、真
空排気手段と反応ガス導入手段とを有する真空容器と、
前記真空容器内に設けられた被処理基板保持手段と、前
記真空容器に接続され、中心導体と同心状に配置された
複数個の外側導体とにより形成された複数の同軸導波管
と、前記同軸導波管を封止する絶縁物と、前記複数の同
軸導波管に各々高周波電力を導入する手段とを少なくと
も備えたものである。
【０００９】また、前記第１の構成においては、複数の
同軸導波管に導入する高周波電力を各々制御する手段を
有するのが好ましい。また、前記第１の構成において
は、複数の同軸導波管を、真空容器に向かうに従ってテ
ーパー状に拡大するのが好ましい。
同軸導波管に導入する高周波電力を各々制御する手段を
有するのが好ましい。また、前記第１の構成において
は、複数の同軸導波管を、真空容器に向かうに従ってテ
ーパー状に拡大するのが好ましい。
【００１０】また、前記第１の構成においては、複数の
同軸導波管によって真空容器内に放射される高周波電界
内に磁界を形成する手段を有するのが好ましい。また、
前記第１の構成においては、反応ガス導入手段を第１の
反応ガス導入手段と第２の反応ガス導入手段とにより構
成し、前記第１の反応ガス導入手段を、真空容器内への
高周波電力の放射部分の近傍に配置し、前記第２の反応
ガス導入手段を、被処理基板の近傍に配置するのが好ま
しい。
同軸導波管によって真空容器内に放射される高周波電界
内に磁界を形成する手段を有するのが好ましい。また、
前記第１の構成においては、反応ガス導入手段を第１の
反応ガス導入手段と第２の反応ガス導入手段とにより構
成し、前記第１の反応ガス導入手段を、真空容器内への
高周波電力の放射部分の近傍に配置し、前記第２の反応
ガス導入手段を、被処理基板の近傍に配置するのが好ま
しい。
【００１１】また、本発明に係るプラズマ処理方法は、
真空排気手段を有する真空容器内に反応ガスを導入し、
高周波電力によって前記反応ガスをプラズマ化し、真空
容器内に設けた被処理基板を処理するプラズマ処理方法
であって、前記真空容器に接続され、中心導体と同心状
に配置された複数個の外側導体とにより形成された複数
の同軸導波管から前記高周波電力を各々放射し、かつ、
前記各々の高周波電力を制御することにより、発生する
プラズマを用いて前記被処理基板に処理を施すことを特
徴とする。
真空排気手段を有する真空容器内に反応ガスを導入し、
高周波電力によって前記反応ガスをプラズマ化し、真空
容器内に設けた被処理基板を処理するプラズマ処理方法
であって、前記真空容器に接続され、中心導体と同心状
に配置された複数個の外側導体とにより形成された複数
の同軸導波管から前記高周波電力を各々放射し、かつ、
前記各々の高周波電力を制御することにより、発生する
プラズマを用いて前記被処理基板に処理を施すことを特
徴とする。
【００１２】また、本発明に係るプラズマ処理装置の第
２の構成は、真空排気手段と反応ガス導入手段とを有す
る真空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板
保持手段と、前記真空容器に接続された円形導波管と、
同じく前記真空容器に接続され、前記円形導波管と同心
状に配置された複数個の外側導体により形成された複数
の同軸導波管と、前記円形導波管及び複数の同軸導波管
を封止する絶縁物と、前記円形導波管及び複数の同軸導
波管に各々高周波電力を導入する手段とを少なくとも備
えたものである。
２の構成は、真空排気手段と反応ガス導入手段とを有す
る真空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基板
保持手段と、前記真空容器に接続された円形導波管と、
同じく前記真空容器に接続され、前記円形導波管と同心
状に配置された複数個の外側導体により形成された複数
の同軸導波管と、前記円形導波管及び複数の同軸導波管
を封止する絶縁物と、前記円形導波管及び複数の同軸導
波管に各々高周波電力を導入する手段とを少なくとも備
えたものである。
【００１３】
【作用】前記本発明の第１の構成によれば、同心状の複
数の同軸導波管によって高周波電力を伝搬させることに
より、高周波電力の放射分布を大面積化し、均一なプラ
ズマを発生させることができるので、大面積の基板でも
均一に処理することができる。
数の同軸導波管によって高周波電力を伝搬させることに
より、高周波電力の放射分布を大面積化し、均一なプラ
ズマを発生させることができるので、大面積の基板でも
均一に処理することができる。
【００１４】また、前記第１の構成において、複数の同
軸導波管に導入する高周波電力を各々制御する手段を有
するという好ましい構成によれば、外側に位置する同軸
導波管に導入する高周波電力のパワーを内側に位置する
同軸導波管に導入する高周波電力のパワーよりも大きく
することにより、被処理基板の外周側におけるプラズマ
密度の低下を抑えることができ、さらに均一なプラズマ
を発生させることができると共に、装置の均一性に対す
る制御性を向上させることができる。
軸導波管に導入する高周波電力を各々制御する手段を有
するという好ましい構成によれば、外側に位置する同軸
導波管に導入する高周波電力のパワーを内側に位置する
同軸導波管に導入する高周波電力のパワーよりも大きく
することにより、被処理基板の外周側におけるプラズマ
密度の低下を抑えることができ、さらに均一なプラズマ
を発生させることができると共に、装置の均一性に対す
る制御性を向上させることができる。
【００１５】また、前記第１の構成において、複数の同
軸導波管を、真空容器に向かうに従ってテーパー状に拡
大するという好ましい構成によれば、高周波電力をテー
パー状同軸導波管部で拡大し、真空容器内の広い領域に
わたって放射させることができるので、さらに大面積に
均一なプラズマ処理を施すことができる。
軸導波管を、真空容器に向かうに従ってテーパー状に拡
大するという好ましい構成によれば、高周波電力をテー
パー状同軸導波管部で拡大し、真空容器内の広い領域に
わたって放射させることができるので、さらに大面積に
均一なプラズマ処理を施すことができる。
【００１６】また、前記第１の構成において、複数の同
軸導波管によって真空容器内に放射される高周波電界内
に磁界を形成する手段を有するという好ましい構成によ
れば、高周波電界が磁界形成手段によって形成される磁
気ギャップと相互作用し、プラズマ中の電子を捕獲、回
転運動させるため、プラズマ密度を高めることができ、
その結果、プラズマ処理速度を向上させることができ
る。
軸導波管によって真空容器内に放射される高周波電界内
に磁界を形成する手段を有するという好ましい構成によ
れば、高周波電界が磁界形成手段によって形成される磁
気ギャップと相互作用し、プラズマ中の電子を捕獲、回
転運動させるため、プラズマ密度を高めることができ、
その結果、プラズマ処理速度を向上させることができ
る。
【００１７】また、前記第１の構成において、反応ガス
導入手段を第１の反応ガス導入手段と第２の反応ガス導
入手段とにより構成し、前記第１の反応ガス導入手段
を、真空容器内への高周波電力の放射部分の近傍に配置
し、前記第２の反応ガス導入手段を、被処理基板の近傍
に配置するという好ましい構成によれば、第１のガス導
入手段から、例えば、膜の堆積成分を含まないＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガスや、Ｈ 2 （ａ−Ｓｉ成膜の場合）、Ｏ
2 （ＳＩＯ2 成膜の場合）、Ｎ2 （Ｓｉ3 Ｎ4 成膜の場
合）等のガスを導入してプラズマを発生させ、このプラ
ズマにより、被処理基板の近傍に配置した第２のガス導
入手段から導入したＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6等の堆積性ガ
スを活性化することにより、マイクロ波導入窓としての
絶縁物の表面に膜が堆積しにくくなり、マイクロ波の放
射を効率良く長期間にわたって維持することができる。
導入手段を第１の反応ガス導入手段と第２の反応ガス導
入手段とにより構成し、前記第１の反応ガス導入手段
を、真空容器内への高周波電力の放射部分の近傍に配置
し、前記第２の反応ガス導入手段を、被処理基板の近傍
に配置するという好ましい構成によれば、第１のガス導
入手段から、例えば、膜の堆積成分を含まないＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガスや、Ｈ 2 （ａ−Ｓｉ成膜の場合）、Ｏ
2 （ＳＩＯ2 成膜の場合）、Ｎ2 （Ｓｉ3 Ｎ4 成膜の場
合）等のガスを導入してプラズマを発生させ、このプラ
ズマにより、被処理基板の近傍に配置した第２のガス導
入手段から導入したＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6等の堆積性ガ
スを活性化することにより、マイクロ波導入窓としての
絶縁物の表面に膜が堆積しにくくなり、マイクロ波の放
射を効率良く長期間にわたって維持することができる。
【００１８】また、前記本発明方法の構成によれば、大
面積の基板を均一に効率良く処理することができる。
面積の基板を均一に効率良く処理することができる。
【００１９】また、前記第２の構成によれば、第１の構
成と同様の効果を得ることができる。
成と同様の効果を得ることができる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。 （実施例１）図１は本発明に係るプラズマ処理装置の一
実施例における反応室の断面図である。図１において、
１１は真空排気手段を有する真空保持可能な真空容器、
１２は被処理基板、１３は被処理基板１２の加熱手段で
あるヒータ（図示せず）を有する基板台、１４は反応ガ
ス導入口である。１５ａ、１５ｂ、１５ｃはマイクロ波
を輸送するための同軸管であり、同軸管１５ａと同軸管
１５ｂとにより小径の第１の同軸導波管が形成され、同
軸管１５ｂと同軸管１５ｃとにより大径の第２の同軸導
波管が形成されている。ここで、同軸管１５ａの外径は
９ｍｍ、同軸管１５ｂの内径は２０ｍｍ、外径は２４ｍ
ｍ、同軸管１５ｃの内径は５４ｍｍである。１６は同軸
管１５ａ、１５ｂ、１５ｃを真空封止し、かつ、マイク
ロ波を透過する絶縁物としての石英窓、１７ａ、１７ｂ
はマイクロ波の矩形導波管（１０９ｍｍ×５４．５ｍ
ｍ）であり、それぞれスリースタブチューナー、マイク
ロ波パワーメータ、アイソレータ、マイクロ波発生装置
であるマグネトロン（図示せず）に接続されている。１
８ａ、１８ｂは矩形導波管１７ａ、１７ｂから同軸導波
管にマイクロ波を変換するリッジ、１９ａ、１９ｂはマ
イクロ波の反射板としてのプランジャーである。
に説明する。 （実施例１）図１は本発明に係るプラズマ処理装置の一
実施例における反応室の断面図である。図１において、
１１は真空排気手段を有する真空保持可能な真空容器、
１２は被処理基板、１３は被処理基板１２の加熱手段で
あるヒータ（図示せず）を有する基板台、１４は反応ガ
ス導入口である。１５ａ、１５ｂ、１５ｃはマイクロ波
を輸送するための同軸管であり、同軸管１５ａと同軸管
１５ｂとにより小径の第１の同軸導波管が形成され、同
軸管１５ｂと同軸管１５ｃとにより大径の第２の同軸導
波管が形成されている。ここで、同軸管１５ａの外径は
９ｍｍ、同軸管１５ｂの内径は２０ｍｍ、外径は２４ｍ
ｍ、同軸管１５ｃの内径は５４ｍｍである。１６は同軸
管１５ａ、１５ｂ、１５ｃを真空封止し、かつ、マイク
ロ波を透過する絶縁物としての石英窓、１７ａ、１７ｂ
はマイクロ波の矩形導波管（１０９ｍｍ×５４．５ｍ
ｍ）であり、それぞれスリースタブチューナー、マイク
ロ波パワーメータ、アイソレータ、マイクロ波発生装置
であるマグネトロン（図示せず）に接続されている。１
８ａ、１８ｂは矩形導波管１７ａ、１７ｂから同軸導波
管にマイクロ波を変換するリッジ、１９ａ、１９ｂはマ
イクロ波の反射板としてのプランジャーである。
【００２１】以上のような構成を有するプラズマ処理装
置を、プラズマＣＶＤ装置として用いた場合を例に挙げ
てその動作を説明する。まず、真空容器１１を１×１０
-4Ｔｏｒｒの真空度まで真空排気し、反応ガスとしてＳ
ｉＨ4 とＨ2 を１：４の割合でガス導入口１４から真空
容器１１内に導入し、反応圧力である１Ｔｏｒｒに調整
する。２個のマグネトロンから発振された２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波１、２は、矩形導波管１７ａ、１７ｂを
それぞれＴＥ10モードで伝搬し、プランジャー１９ａ、
１９ｂの位置と、スリースタブチューナーの位置を変化
させてインピーダンスを変化させることにより、小径の
第１の同軸導波管（１５ａ−１５ｂ）と大径の第２の同
軸導波管（１５ｂ−１５ｃ）にそれぞれＴＥＭモードで
５００Ｗ導入される。これにより、真空容器１１内にマ
イクロ波が放射され、真空容器１１に設けられたテスラ
コイル（図示せず）のトリガーによって被処理基板１２
の上にマイクロ波プラズマが発生する。ここで、ヒータ
によって被処理基板１２を３００℃に加熱すれば、被処
理基板１２の上にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓ
ｉと略記する）膜を堆積させることができる。
置を、プラズマＣＶＤ装置として用いた場合を例に挙げ
てその動作を説明する。まず、真空容器１１を１×１０
-4Ｔｏｒｒの真空度まで真空排気し、反応ガスとしてＳ
ｉＨ4 とＨ2 を１：４の割合でガス導入口１４から真空
容器１１内に導入し、反応圧力である１Ｔｏｒｒに調整
する。２個のマグネトロンから発振された２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波１、２は、矩形導波管１７ａ、１７ｂを
それぞれＴＥ10モードで伝搬し、プランジャー１９ａ、
１９ｂの位置と、スリースタブチューナーの位置を変化
させてインピーダンスを変化させることにより、小径の
第１の同軸導波管（１５ａ−１５ｂ）と大径の第２の同
軸導波管（１５ｂ−１５ｃ）にそれぞれＴＥＭモードで
５００Ｗ導入される。これにより、真空容器１１内にマ
イクロ波が放射され、真空容器１１に設けられたテスラ
コイル（図示せず）のトリガーによって被処理基板１２
の上にマイクロ波プラズマが発生する。ここで、ヒータ
によって被処理基板１２を３００℃に加熱すれば、被処
理基板１２の上にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓ
ｉと略記する）膜を堆積させることができる。
【００２２】マイクロ波１、２のパワーを同一の５００
Ｗとした場合、直径５０ｍｍの基板内でａ−Ｓｉ膜の成
膜速度は５６０オングストローム／分であった。均一性
は被処理基板１２の中央付近の成膜速度が速く±１０％
であった。従来の単一の同軸導波管の場合、成膜速度は
３８０オングストローム／分±２３％であったので、成
膜速度、均一性ともに向上していることが分かる。
Ｗとした場合、直径５０ｍｍの基板内でａ−Ｓｉ膜の成
膜速度は５６０オングストローム／分であった。均一性
は被処理基板１２の中央付近の成膜速度が速く±１０％
であった。従来の単一の同軸導波管の場合、成膜速度は
３８０オングストローム／分±２３％であったので、成
膜速度、均一性ともに向上していることが分かる。
【００２３】このように、本実施例１のプラズマ処理装
置を用いれば、プラズマ処理の均一性、処理速度の点で
優れた効果が得られる。また、本実施例１のプラズマ処
理装置を用いれば、均一性をさらに向上させることがで
きる。マイクロ波１、２のパワーを同一の５００Ｗとし
た場合には、上記したように直径５０ｍｍの基板内で均
一性は被処理基板１２の中央付近の成膜速度が速く±１
０％であったが、これは、被処理基板１２の外周側では
プラズマ中の電子が真空容器１１に向かって広がり消失
し、プラズマ密度が低下することに起因している。そこ
で、外側の第２の同軸導波管（１５ｂ−１５ｃ）から供
給されるマイクロ波２のパワーを７００Ｗ、内側の第１
の同軸導波管（１５ａｂ−１５ｂ）から供給されるマイ
クロ波１のパワーを５００Ｗとしたところ、均一性は±
６％と向上し、このときの成膜速度は６８０オングスト
ローム／分であった。
置を用いれば、プラズマ処理の均一性、処理速度の点で
優れた効果が得られる。また、本実施例１のプラズマ処
理装置を用いれば、均一性をさらに向上させることがで
きる。マイクロ波１、２のパワーを同一の５００Ｗとし
た場合には、上記したように直径５０ｍｍの基板内で均
一性は被処理基板１２の中央付近の成膜速度が速く±１
０％であったが、これは、被処理基板１２の外周側では
プラズマ中の電子が真空容器１１に向かって広がり消失
し、プラズマ密度が低下することに起因している。そこ
で、外側の第２の同軸導波管（１５ｂ−１５ｃ）から供
給されるマイクロ波２のパワーを７００Ｗ、内側の第１
の同軸導波管（１５ａｂ−１５ｂ）から供給されるマイ
クロ波１のパワーを５００Ｗとしたところ、均一性は±
６％と向上し、このときの成膜速度は６８０オングスト
ローム／分であった。
【００２４】このように、２組の同軸導波管に供給され
るマイクロ波１、２のパワーを制御することにより、プ
ラズマ処理の均一性、処理速度をさらに向上させること
ができる。
るマイクロ波１、２のパワーを制御することにより、プ
ラズマ処理の均一性、処理速度をさらに向上させること
ができる。
【００２５】尚、２組の同軸管に各々制御して供給する
マイクロ波のパワーを制御する方法は、処理の目的に合
わせて行えばよい。
マイクロ波のパワーを制御する方法は、処理の目的に合
わせて行えばよい。
【００２６】（実施例２）図２は本発明に係るプラズマ
処理装置の他の実施例における反応室の断面図である。
図２において、２０ａ、２０ｂ、２０ｃは上記実施例１
の同軸管１５ａ、１５ｂ、１５ｃの真空容器１１側をそ
れぞれ４５度のテーパー状に拡大したものであり、その
他の構成は上記実施例１と同様である。
処理装置の他の実施例における反応室の断面図である。
図２において、２０ａ、２０ｂ、２０ｃは上記実施例１
の同軸管１５ａ、１５ｂ、１５ｃの真空容器１１側をそ
れぞれ４５度のテーパー状に拡大したものであり、その
他の構成は上記実施例１と同様である。
【００２７】プラズマ処理装置を以上のように構成すれ
ば、マイクロ波１、２は、まず、矩形導波管１７ａ、１
７ｂをそれぞれ伝搬して、小径の第１の同軸導波管（１
５ａ−１５ｂ）と大径の第２の同軸導波管（１５ｂ−１
５ｃ）に導入され、次いで、テーパー状同軸導波管部
（２０ａ−２０ｂ）、（２０ｂ−２０ｃ）で拡大され、
真空容器１１内の広い領域にわたって放射される。従っ
て、小径の第１の同軸管（１５ａ−１５ｂ）から供給さ
れるマイクロ波１のパワーと大径の第２の同軸管（１５
ｂ−１５ｃ）から供給されるマイクロ波２のパワーとを
制御することにより、さらに大面積に均一なプラズマ処
理を施すことができる。
ば、マイクロ波１、２は、まず、矩形導波管１７ａ、１
７ｂをそれぞれ伝搬して、小径の第１の同軸導波管（１
５ａ−１５ｂ）と大径の第２の同軸導波管（１５ｂ−１
５ｃ）に導入され、次いで、テーパー状同軸導波管部
（２０ａ−２０ｂ）、（２０ｂ−２０ｃ）で拡大され、
真空容器１１内の広い領域にわたって放射される。従っ
て、小径の第１の同軸管（１５ａ−１５ｂ）から供給さ
れるマイクロ波１のパワーと大径の第２の同軸管（１５
ｂ−１５ｃ）から供給されるマイクロ波２のパワーとを
制御することにより、さらに大面積に均一なプラズマ処
理を施すことができる。
【００２８】（実施例３）図３は本発明に係るプラズマ
処理装置のさらに他の実施例における反応室の断面図で
ある。図３に示すように、同軸導波管２０ａ、２０ｂの
内部には空洞が形成されており、この空洞には永久磁石
２１、２２が同心円状に配置されている。これにより、
マイクロ波の放射領域に磁場を形成し、真空容器１１内
のマイクロ波放射面表面で１．５ｋＧの磁場を形成する
ことができる。その他の構成は上記実施例２と同様であ
る。
処理装置のさらに他の実施例における反応室の断面図で
ある。図３に示すように、同軸導波管２０ａ、２０ｂの
内部には空洞が形成されており、この空洞には永久磁石
２１、２２が同心円状に配置されている。これにより、
マイクロ波の放射領域に磁場を形成し、真空容器１１内
のマイクロ波放射面表面で１．５ｋＧの磁場を形成する
ことができる。その他の構成は上記実施例２と同様であ
る。
【００２９】プラズマ処理装置を以上のように構成すれ
ば、マイクロ波１、２は、まず、テーパー状同軸導波管
部（２０ａ−２０ｂ）、（２０ｂ−２０ｃ）で拡大され
て、真空容器１１内の広い領域に放射され、次いで、同
心円状に配置された永久磁石２１、２２によって形成さ
れる磁気ギャップと相互作用して、プラズマ中の電子を
捕獲、回転運動させるため、プラズマ密度を高めること
ができる。磁界の強度が８７５Ｇでマイクロ波電界と直
交に作用する領域においては、ＥＣＲ放電が形成され
る。また、トリガー放電を用いなくても、放電を開始し
易くなり、高真空領域でも放電させることができる。従
って、小径の第１の同軸導波管（１５ａ−１５ｂ）から
供給されるマイクロ波１のパワーと大径の第２の同軸導
波管（１５ｂ−１５ｃ）から供給されるマイクロ波２の
パワーとを制御することにより、高密度プラズマを大面
積で均一に発生させることができ、その結果、プラズマ
処理速度を向上させることができる。
ば、マイクロ波１、２は、まず、テーパー状同軸導波管
部（２０ａ−２０ｂ）、（２０ｂ−２０ｃ）で拡大され
て、真空容器１１内の広い領域に放射され、次いで、同
心円状に配置された永久磁石２１、２２によって形成さ
れる磁気ギャップと相互作用して、プラズマ中の電子を
捕獲、回転運動させるため、プラズマ密度を高めること
ができる。磁界の強度が８７５Ｇでマイクロ波電界と直
交に作用する領域においては、ＥＣＲ放電が形成され
る。また、トリガー放電を用いなくても、放電を開始し
易くなり、高真空領域でも放電させることができる。従
って、小径の第１の同軸導波管（１５ａ−１５ｂ）から
供給されるマイクロ波１のパワーと大径の第２の同軸導
波管（１５ｂ−１５ｃ）から供給されるマイクロ波２の
パワーとを制御することにより、高密度プラズマを大面
積で均一に発生させることができ、その結果、プラズマ
処理速度を向上させることができる。
【００３０】尚、本実施例３においては、磁界形成手段
として永久磁石２１、２２を用いているが、必ずしもこ
れに限定されるものではなく、例えば図５に示すように
磁場コイル２５を用いてもよい。
として永久磁石２１、２２を用いているが、必ずしもこ
れに限定されるものではなく、例えば図５に示すように
磁場コイル２５を用いてもよい。
【００３１】（実施例４）図４は本発明に係るプラズマ
処理装置のさらに他の実施例における反応室の断面図で
ある。図４において、２３は真空容器１１内へのマイク
ロ波の放射部分の近傍に配置された第１のガス導入手段
であり、真空容器１１内にプラズマ生成用のガスを導入
するために用いられる。また、２４は被処理基板１２の
近傍に配置された第２のガス導入手段であり、真空容器
１１内に反応ガスを導入するために用いられる。その他
の構成は上記実施例３と同様である。
処理装置のさらに他の実施例における反応室の断面図で
ある。図４において、２３は真空容器１１内へのマイク
ロ波の放射部分の近傍に配置された第１のガス導入手段
であり、真空容器１１内にプラズマ生成用のガスを導入
するために用いられる。また、２４は被処理基板１２の
近傍に配置された第２のガス導入手段であり、真空容器
１１内に反応ガスを導入するために用いられる。その他
の構成は上記実施例３と同様である。
【００３２】以上のような構成を有するプラズマ処理装
置について、以下その動作を説明する。マイクロ波によ
ってプラズマを発生させる機構は、上記実施例１、２、
３と同様である。
置について、以下その動作を説明する。マイクロ波によ
ってプラズマを発生させる機構は、上記実施例１、２、
３と同様である。
【００３３】ところで、前記実施例１、２、３において
は、ａ−Ｓｉ等の半導体やＳＩＯ2、Ｓｉ3 Ｎ4 等の絶
縁膜を長期間にわたって成膜すると、マイクロ波導入窓
としての石英窓１６の表面にも膜が堆積し、マイクロ波
が効率良く放射されなくなる場合があった。そこで、マ
イクロ波の放射部分の近傍に配置した第１のガス導入手
段２３から、例えば、膜の堆積成分を含まないＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガスや、Ｈ2 （ａ−Ｓｉ成膜の場合）、Ｏ
2 （ＳＩＯ2 成膜の場合）、Ｎ2 （Ｓｉ3 Ｎ4成膜の場
合）等のガスを導入してプラズマを発生させ、このプラ
ズマにより、被処理基板１２の近傍に配置した第２のガ
ス導入手段２４から導入したＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等の
堆積性ガスを活性化した。これにより、マイクロ波導入
窓としての石英窓１６の表面に膜が堆積しにくくなり、
マイクロ波の放射を効率良く長期間にわたって維持する
ことができるようになった。
は、ａ−Ｓｉ等の半導体やＳＩＯ2、Ｓｉ3 Ｎ4 等の絶
縁膜を長期間にわたって成膜すると、マイクロ波導入窓
としての石英窓１６の表面にも膜が堆積し、マイクロ波
が効率良く放射されなくなる場合があった。そこで、マ
イクロ波の放射部分の近傍に配置した第１のガス導入手
段２３から、例えば、膜の堆積成分を含まないＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガスや、Ｈ2 （ａ−Ｓｉ成膜の場合）、Ｏ
2 （ＳＩＯ2 成膜の場合）、Ｎ2 （Ｓｉ3 Ｎ4成膜の場
合）等のガスを導入してプラズマを発生させ、このプラ
ズマにより、被処理基板１２の近傍に配置した第２のガ
ス導入手段２４から導入したＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等の
堆積性ガスを活性化した。これにより、マイクロ波導入
窓としての石英窓１６の表面に膜が堆積しにくくなり、
マイクロ波の放射を効率良く長期間にわたって維持する
ことができるようになった。
【００３４】尚、上記実施例１、２、３、４において
は、プラズマ処理装置をプラズマＣＶＤ装置として用い
た場合を例に挙げて説明しているが、必ずしもこの用途
に限定されるものではなく、例えば、同じ構成で導入ガ
スをエッチングに適したガスとすることにより、大面積
の基板に対し均一にエッチング処理を施す場合にも用い
ることができる。
は、プラズマ処理装置をプラズマＣＶＤ装置として用い
た場合を例に挙げて説明しているが、必ずしもこの用途
に限定されるものではなく、例えば、同じ構成で導入ガ
スをエッチングに適したガスとすることにより、大面積
の基板に対し均一にエッチング処理を施す場合にも用い
ることができる。
【００３５】また、上記実施例１、２、３、４において
は、マイクロ波の放射を２組の同軸導波管を用いて行っ
ているが、３組以上の同軸導波管を用いれば、さらに高
密度で、大面積のプラズマを得ることができる。
は、マイクロ波の放射を２組の同軸導波管を用いて行っ
ているが、３組以上の同軸導波管を用いれば、さらに高
密度で、大面積のプラズマを得ることができる。
【００３６】また、上記実施例１、２、３、４において
は、同心状の複数の同軸導波管を用いた場合を例に上げ
て説明しているが、必ずしもこれに限定されるものでは
なく、例えば図６に示すように、中心の導波管を円形導
波管２６によって形成し、この円形導波管２６の外側に
同心状の外側導体を配置して同軸導波管２７を形成する
ことにより、マイクロ波をＴＥモードあるいはＴＭモー
ドにて導入してもよい。
は、同心状の複数の同軸導波管を用いた場合を例に上げ
て説明しているが、必ずしもこれに限定されるものでは
なく、例えば図６に示すように、中心の導波管を円形導
波管２６によって形成し、この円形導波管２６の外側に
同心状の外側導体を配置して同軸導波管２７を形成する
ことにより、マイクロ波をＴＥモードあるいはＴＭモー
ドにて導入してもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマ処理装置の第１の構成によれば、同心状の複数の同
軸導波管によって高周波電力を伝搬させることにより、
高周波電力の放射分布を大面積化し、均一なプラズマを
発生させることができるので、大面積の基板でも均一に
処理することができる。
ズマ処理装置の第１の構成によれば、同心状の複数の同
軸導波管によって高周波電力を伝搬させることにより、
高周波電力の放射分布を大面積化し、均一なプラズマを
発生させることができるので、大面積の基板でも均一に
処理することができる。
【００３８】また、前記第１の構成において、複数の同
軸導波管に導入する高周波電力を各々制御する手段を有
するという好ましい構成によれば、外側に位置する同軸
導波管に導入する高周波電力のパワーを内側に位置する
同軸導波管に導入する高周波電力のパワーよりも大きく
することにより、被処理基板の外周側におけるプラズマ
密度の低下を抑えることができ、さらに均一なプラズマ
を発生させることができると共に、装置の均一性に対す
る制御性を向上させることができる。
軸導波管に導入する高周波電力を各々制御する手段を有
するという好ましい構成によれば、外側に位置する同軸
導波管に導入する高周波電力のパワーを内側に位置する
同軸導波管に導入する高周波電力のパワーよりも大きく
することにより、被処理基板の外周側におけるプラズマ
密度の低下を抑えることができ、さらに均一なプラズマ
を発生させることができると共に、装置の均一性に対す
る制御性を向上させることができる。
【００３９】また、前記第１の構成において、複数の同
軸導波管を、真空容器に向かうに従ってテーパー状に拡
大するという好ましい構成によれば、高周波電力をテー
パー状同軸導波管部で拡大し、真空容器内の広い領域に
わたって放射させることができるので、さらに大面積に
均一なプラズマ処理を施すことができる。
軸導波管を、真空容器に向かうに従ってテーパー状に拡
大するという好ましい構成によれば、高周波電力をテー
パー状同軸導波管部で拡大し、真空容器内の広い領域に
わたって放射させることができるので、さらに大面積に
均一なプラズマ処理を施すことができる。
【００４０】また、前記第１の構成において、複数の同
軸導波管によって真空容器内に放射される高周波電界内
に磁界を形成する手段を有するという好ましい構成によ
れば、高周波電界が磁界形成手段によって形成される磁
気ギャップと相互作用し、プラズマ中の電子を捕獲、回
転運動させるため、プラズマ密度を高めることができ、
その結果、プラズマ処理速度を向上させることができ
る。
軸導波管によって真空容器内に放射される高周波電界内
に磁界を形成する手段を有するという好ましい構成によ
れば、高周波電界が磁界形成手段によって形成される磁
気ギャップと相互作用し、プラズマ中の電子を捕獲、回
転運動させるため、プラズマ密度を高めることができ、
その結果、プラズマ処理速度を向上させることができ
る。
【００４１】また、前記第１の構成において、反応ガス
導入手段を第１の反応ガス導入手段と第２の反応ガス導
入手段とにより構成し、前記第１の反応ガス導入手段
を、真空容器内への高周波電力の放射部分の近傍に配置
し、前記第２の反応ガス導入手段を、被処理基板の近傍
に配置するという好ましい構成によれば、第１のガス導
入手段から、例えば、膜の堆積成分を含まないＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガスや、Ｈ 2 （ａ−Ｓｉ成膜の場合）、Ｏ
2 （ＳＩＯ2 成膜の場合）、Ｎ2 （Ｓｉ3 Ｎ4 成膜の場
合）等のガスを導入してプラズマを発生させ、このプラ
ズマにより、被処理基板の近傍に配置した第２のガス導
入手段から導入したＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6等の堆積性ガ
スを活性化することにより、マイクロ波導入窓としての
絶縁物の表面に膜が堆積しにくくなり、マイクロ波の放
射を効率良く長期間にわたって維持することができる。
導入手段を第１の反応ガス導入手段と第２の反応ガス導
入手段とにより構成し、前記第１の反応ガス導入手段
を、真空容器内への高周波電力の放射部分の近傍に配置
し、前記第２の反応ガス導入手段を、被処理基板の近傍
に配置するという好ましい構成によれば、第１のガス導
入手段から、例えば、膜の堆積成分を含まないＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガスや、Ｈ 2 （ａ−Ｓｉ成膜の場合）、Ｏ
2 （ＳＩＯ2 成膜の場合）、Ｎ2 （Ｓｉ3 Ｎ4 成膜の場
合）等のガスを導入してプラズマを発生させ、このプラ
ズマにより、被処理基板の近傍に配置した第２のガス導
入手段から導入したＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6等の堆積性ガ
スを活性化することにより、マイクロ波導入窓としての
絶縁物の表面に膜が堆積しにくくなり、マイクロ波の放
射を効率良く長期間にわたって維持することができる。
【００４２】また、本発明に係るプラズマ処理方法によ
れば、大面積の基板を均一に効率良く処理することがで
きる。
れば、大面積の基板を均一に効率良く処理することがで
きる。
【００４３】また、本発明に係るプラズマ処理装置の第
２の構成によれば、第１の構成と同様の効果を得ること
ができる。
２の構成によれば、第１の構成と同様の効果を得ること
ができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例にお
ける反応室の断面図である。
ける反応室の断面図である。
【図２】本発明に係るプラズマ処理装置の他の実施例に
おける反応室の断面図である。
おける反応室の断面図である。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置のさらに他の実
施例における反応室の断面図である。
施例における反応室の断面図である。
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置のさらに他の実
施例における反応室の断面図である。
施例における反応室の断面図である。
【図５】本発明に係るプラズマ処理装置における磁界形
成手段の他の実施例を示す断面図である。
成手段の他の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明に係るプラズマ処理装置における磁界形
成手段の他の実施例を示す断面図である。
成手段の他の実施例を示す断面図である。
【図７】従来のプラズマ処理装置における反応室の断面
図である。
図である。
１１ 真空容器 １２ 被処理基板 １３ 被処理基板台 １４ 反応ガス導入口 １５ａ、１５ｂ、１５ｃ 同軸管 １６ 絶縁物 １７ａ、１７ｂ 矩形導波管 １８ａ、１８ｂ リッジ １９ａ、１９ｂ プランジャー ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ テーパ状同軸管 ２１、２２ 永久磁石 ２３ 第１のガス導入手段 ２４ 第２のガス導入手段 ２５ 磁場コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｄ 8417−4Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/31 (72)発明者 水口 信一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 真空排気手段と反応ガス導入手段とを有
する真空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基
板保持手段と、前記真空容器に接続され、中心導体と同
心状に配置された複数個の外側導体とにより形成された
複数の同軸導波管と、前記同軸導波管を封止する絶縁物
と、前記複数の同軸導波管に各々高周波電力を導入する
手段とを少なくとも備えたプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 複数の同軸導波管に導入する高周波電力
を各々制御する手段を有する請求項１に記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項３】 複数の同軸導波管を、真空容器に向かう
に従ってテーパー状に拡大した請求項１又は２に記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項４】 複数の同軸導波管によって真空容器内に
放射される高周波電界内に磁界を形成する手段を有する
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 反応ガス導入手段を第１の反応ガス導入
手段と第２の反応ガス導入手段とにより構成し、前記第
１の反応ガス導入手段を、真空容器内への高周波電力の
放射部分の近傍に配置し、前記第２の反応ガス導入手段
を、被処理基板の近傍に配置した請求項１、２、３又は
４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 真空排気手段を有する真空容器内に反応
ガスを導入し、高周波電力によって前記反応ガスをプラ
ズマ化し、真空容器内に設けた被処理基板を処理するプ
ラズマ処理方法であって、前記真空容器に接続され、中
心導体と同心状に配置された複数個の外側導体とにより
形成された複数の同軸導波管から前記高周波電力を各々
放射し、かつ、前記各々の高周波電力を制御することに
より、発生するプラズマを用いて前記被処理基板に処理
を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項７】 真空排気手段と反応ガス導入手段とを有
する真空容器と、前記真空容器内に設けられた被処理基
板保持手段と、前記真空容器に接続された円形導波管
と、同じく前記真空容器に接続され、前記円形導波管と
同心状に配置された複数個の外側導体により形成された
複数の同軸導波管と、前記円形導波管及び複数の同軸導
波管を封止する絶縁物と、前記円形導波管及び複数の同
軸導波管に各々高周波電力を導入する手段とを少なくと
も備えたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277934A JPH07135093A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5277934A JPH07135093A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135093A true JPH07135093A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17590322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5277934A Pending JPH07135093A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135093A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049705A1 (fr) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement plasmique |
| JP2005528755A (ja) * | 2002-06-04 | 2005-09-22 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | シート状プラズマの発生装置 |
| WO2007091672A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2009054997A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
| WO2010055946A1 (ja) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2011054993A (ja) * | 1996-02-22 | 2011-03-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
| CN104081883A (zh) * | 2012-02-24 | 2014-10-01 | 国立大学法人东北大学 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
| WO2021220459A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP5277934A patent/JPH07135093A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011054993A (ja) * | 1996-02-22 | 2011-03-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
| US6433298B1 (en) | 1998-03-20 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO1999049705A1 (fr) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement plasmique |
| JP2005528755A (ja) * | 2002-06-04 | 2005-09-22 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | シート状プラズマの発生装置 |
| EP1518256B1 (fr) * | 2002-06-04 | 2018-12-19 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Dispositif de production d'une nappe de plasma |
| JP2007213994A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP4677918B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| WO2007091672A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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| WO2010055946A1 (ja) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2010123635A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| CN102217049A (zh) * | 2008-11-17 | 2011-10-12 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置 |
| US8513578B2 (en) | 2008-11-17 | 2013-08-20 | Tokyo Electron Limited | Electromagnetic wave processing apparatus |
| CN104081883A (zh) * | 2012-02-24 | 2014-10-01 | 国立大学法人东北大学 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
| WO2021220459A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
| JP7043684B1 (ja) * | 2020-04-30 | 2022-03-29 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
| US12002655B2 (en) | 2020-04-30 | 2024-06-04 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
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